JP3237952B2 - 酸化物超電導材料の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導材料の製造方法Info
- Publication number
- JP3237952B2 JP3237952B2 JP12305993A JP12305993A JP3237952B2 JP 3237952 B2 JP3237952 B2 JP 3237952B2 JP 12305993 A JP12305993 A JP 12305993A JP 12305993 A JP12305993 A JP 12305993A JP 3237952 B2 JP3237952 B2 JP 3237952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- reba
- temperature
- raw material
- peritectic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導材料であ
って任意の方位関係を有する粒界が導入されたＲＥＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏx 系超電導バルク材料の製造方法を提供し、
ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 系超電導薄膜の基板や粒界弱結合
を利用した素子に利用される。
って任意の方位関係を有する粒界が導入されたＲＥＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏx 系超電導バルク材料の製造方法を提供し、
ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 系超電導薄膜の基板や粒界弱結合
を利用した素子に利用される。
【０００２】
【従来の技術】近年、酸化物超電導体の結晶粒界の弱結
合を利用したデバイス応用が研究されている。現在の製
造方法はチタン酸ストロンチウム単結晶を任意の結晶方
位で切り出しこれを張り合わせて作製された基板上にＲ
ＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 系超電導体を成膜させるものであ
る。したがって、得られる双結晶は薄膜に限られてい
た。
合を利用したデバイス応用が研究されている。現在の製
造方法はチタン酸ストロンチウム単結晶を任意の結晶方
位で切り出しこれを張り合わせて作製された基板上にＲ
ＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 系超電導体を成膜させるものであ
る。したがって、得られる双結晶は薄膜に限られてい
た。
【０００３】一方、ＱＭＧ法（特公平４−４０２８９号
公報）で代表される溶融法は、結晶粒の大きなＲＥＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏx バルクを作製することを可能とする方法
で、このプロセスの研究開発が行われている。図２はＲ
ＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx の擬２元系状態図である。この物質
は高温ではＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相とＢａ，Ｃｕ，Ｏを主
体とする液相に分解し、この半溶融状態から冷却をする
と、包晶反応によりＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx が生成する。
この包晶温度近傍で徐冷することにより、大きな結晶粒
を作製する方法が溶融法である。
公報）で代表される溶融法は、結晶粒の大きなＲＥＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏx バルクを作製することを可能とする方法
で、このプロセスの研究開発が行われている。図２はＲ
ＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx の擬２元系状態図である。この物質
は高温ではＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相とＢａ，Ｃｕ，Ｏを主
体とする液相に分解し、この半溶融状態から冷却をする
と、包晶反応によりＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx が生成する。
この包晶温度近傍で徐冷することにより、大きな結晶粒
を作製する方法が溶融法である。
【０００４】更に、本発明者等はＲＥに置換する元素を
変えると包晶温度が変化することを利用して、包晶温度
の高いＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx を種結晶として、核生成を
制御する技術を開発している（特願平３−１６２３６
０、特願平４−５５２０３）。この技術（以下シーディ
ング法）によって、制御された結晶方位を有し臨界電流
密度を低下させるような大傾角粒界のない数１０ｃｍ3
の大型バルク材の製造が可能になっている。
変えると包晶温度が変化することを利用して、包晶温度
の高いＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx を種結晶として、核生成を
制御する技術を開発している（特願平３−１６２３６
０、特願平４−５５２０３）。この技術（以下シーディ
ング法）によって、制御された結晶方位を有し臨界電流
密度を低下させるような大傾角粒界のない数１０ｃｍ3
の大型バルク材の製造が可能になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、任意の結晶
方位関係を有する結晶粒界が導入されたＲＥＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏx バルク材料を製造する方法を開発することを課題
とする。
方位関係を有する結晶粒界が導入されたＲＥＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏx バルク材料を製造する方法を開発することを課題
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するものであって、溶融・結晶成長を利用したＲＥＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏx 系（ＲＥはＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群
から選ばれた１種以上の元素）バルク超電導材料の製造
方法において、結晶成長を行わせるＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
x （以下ＲＥ１という）の原料酸化物の混合・成形体を
ＲＥ１の包晶温度より高い温度に加熱せしめ、ＲＥ１よ
りも高い包晶温度を有する配向した複数のＲＥＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏx（以下ＲＥ２という）結晶の一結晶面を、ＲＥ
１とＲＥ２の包晶温度の間の温度においてＲＥ１の原料
酸化物の混合・成形体上の複数の箇所に各々任意の結晶
方位関係を有するように接触させた後、前記ＲＥ２結晶
を複数の箇所に接触させたＲＥ１の原料酸化物の混合・
成形体の全体をＲＥ１の包晶温度近傍で徐冷することに
よって、前記複数の箇所から等方的に結晶成長を行わせ
ることを特徴とする任意の方位関係を有する粒界が導入
された酸化物超電導材料の製造方法である。
するものであって、溶融・結晶成長を利用したＲＥＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏx 系（ＲＥはＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群
から選ばれた１種以上の元素）バルク超電導材料の製造
方法において、結晶成長を行わせるＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
x （以下ＲＥ１という）の原料酸化物の混合・成形体を
ＲＥ１の包晶温度より高い温度に加熱せしめ、ＲＥ１よ
りも高い包晶温度を有する配向した複数のＲＥＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏx（以下ＲＥ２という）結晶の一結晶面を、ＲＥ
１とＲＥ２の包晶温度の間の温度においてＲＥ１の原料
酸化物の混合・成形体上の複数の箇所に各々任意の結晶
方位関係を有するように接触させた後、前記ＲＥ２結晶
を複数の箇所に接触させたＲＥ１の原料酸化物の混合・
成形体の全体をＲＥ１の包晶温度近傍で徐冷することに
よって、前記複数の箇所から等方的に結晶成長を行わせ
ることを特徴とする任意の方位関係を有する粒界が導入
された酸化物超電導材料の製造方法である。
【０００７】
【作用】本発明はＲＥ１とＲＥ２の元素の組合せを選択
することにより、結晶成長を行わせるＲＥＢａ2 Ｃｕ3
Ｏx （ＲＥ１）の原料酸化物の混合・成形体をＲＥ１の
包晶温度より高い温度に加熱せしめ、結晶方位が既知
で、これよりも高い包晶温度を有する配向した複数のＲ
ＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx （ＲＥ２）種結晶の一結晶面を、Ｒ
Ｅ１とＲＥ２の包晶温度の間の温度でＲＥ１の原料酸化
物の混合・成形体上に、各々任意の結晶方位関係を有す
るように複数箇所に接触させる。これをＲＥ１の包晶温
度近傍で徐冷することによって、ＲＥ２種結晶を起点と
して複数の箇所から結晶方位の制御された結晶核を生成
させ、さらにこの原料酸化物の混合・成形体の全体を徐
冷させることによって結晶成長させる手段を設けたもの
である。
することにより、結晶成長を行わせるＲＥＢａ2 Ｃｕ3
Ｏx （ＲＥ１）の原料酸化物の混合・成形体をＲＥ１の
包晶温度より高い温度に加熱せしめ、結晶方位が既知
で、これよりも高い包晶温度を有する配向した複数のＲ
ＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx （ＲＥ２）種結晶の一結晶面を、Ｒ
Ｅ１とＲＥ２の包晶温度の間の温度でＲＥ１の原料酸化
物の混合・成形体上に、各々任意の結晶方位関係を有す
るように複数箇所に接触させる。これをＲＥ１の包晶温
度近傍で徐冷することによって、ＲＥ２種結晶を起点と
して複数の箇所から結晶方位の制御された結晶核を生成
させ、さらにこの原料酸化物の混合・成形体の全体を徐
冷させることによって結晶成長させる手段を設けたもの
である。
【０００８】この製造方法に用いられる原料はＲＥＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏx の形になっている必要はないし、組成も結
晶成長が可能であれば化学量論的組成になっている必要
はなく、不純物が入っていてもよい。また、種結晶は配
向してなければならないが、化学量論的組成になってい
る必要はなく、不純物が入っていてもよい。
2 Ｃｕ3 Ｏx の形になっている必要はないし、組成も結
晶成長が可能であれば化学量論的組成になっている必要
はなく、不純物が入っていてもよい。また、種結晶は配
向してなければならないが、化学量論的組成になってい
る必要はなく、不純物が入っていてもよい。
【０００９】包晶温度近傍の冷却速度は種結晶の間隔や
炉の温度勾配などにもよるが、この物質が半溶融状態で
結晶方位を保ちながら成長する速度が最大で２ｍｍ／ｈ
程度であり、冷却速度も成長速度がこれよりも大きくな
らないように設定しなければならない。
炉の温度勾配などにもよるが、この物質が半溶融状態で
結晶方位を保ちながら成長する速度が最大で２ｍｍ／ｈ
程度であり、冷却速度も成長速度がこれよりも大きくな
らないように設定しなければならない。
【００１０】図１は２つの種結晶１Ａ，１Ｂ（ＲＥ２）
の一面を、ＲＥ２よりも包晶温度の低いＲＥＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏx の原料酸化物の混合・成形体２に接触させて結晶
成長させた場合の模式図である。図のように、ＲＥ１は
種結晶ＲＥ２の結晶方位を引き継いで種結晶を起点とし
て全方向に、すなわち等方的に結晶成長し、２つの結晶
３Ａ，３Ｂの成長面は接触・接合される。したがって、
接触させる種結晶の結晶方位を制御することによって、
任意の結晶方位関係の粒界４を有するＲＥＢａ2 Ｃｕ3
Ｏx 系超電導バルクを作製することができる。
の一面を、ＲＥ２よりも包晶温度の低いＲＥＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏx の原料酸化物の混合・成形体２に接触させて結晶
成長させた場合の模式図である。図のように、ＲＥ１は
種結晶ＲＥ２の結晶方位を引き継いで種結晶を起点とし
て全方向に、すなわち等方的に結晶成長し、２つの結晶
３Ａ，３Ｂの成長面は接触・接合される。したがって、
接触させる種結晶の結晶方位を制御することによって、
任意の結晶方位関係の粒界４を有するＲＥＢａ2 Ｃｕ3
Ｏx 系超電導バルクを作製することができる。
【００１１】
【実施例】ＳｍＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx を種結晶として、ＹＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏx の製造を実施した。種結晶として使用す
るＳｍＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 結晶は、Ｓｍ2 Ｏ3 粉末、Ｂａ
Ｏ2 粉末とＣｕＯ粉末をＳｍ，Ｂａ，Ｃｕの元素比が
１．２：１．８：２．６になるように秤量し、重量比で
０．５％のＰｔ粉末を加えた後混練し、酸素気流中で９
００℃、１０時間の仮焼を行い、再び粉砕してプレス成
形機により直径２８ｍｍの金型を用いて厚さ１０ｍｍに
成形し、さらに２ｔ／ｃｍ2 の圧力で静水圧成形を行っ
たものを原料とした。これを１１５０℃に加熱し、この
温度で１時間保持し、１０７０℃まで１時間で冷却した
のち、１０３０℃まで１℃／ｈで徐冷してバルク体を作
製した。なお上記Ｐｔ粉末は臨界電流密度を上昇させる
微細分散相の析出を促進させるためのものである。
ａ2 Ｃｕ3 Ｏx の製造を実施した。種結晶として使用す
るＳｍＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 結晶は、Ｓｍ2 Ｏ3 粉末、Ｂａ
Ｏ2 粉末とＣｕＯ粉末をＳｍ，Ｂａ，Ｃｕの元素比が
１．２：１．８：２．６になるように秤量し、重量比で
０．５％のＰｔ粉末を加えた後混練し、酸素気流中で９
００℃、１０時間の仮焼を行い、再び粉砕してプレス成
形機により直径２８ｍｍの金型を用いて厚さ１０ｍｍに
成形し、さらに２ｔ／ｃｍ2 の圧力で静水圧成形を行っ
たものを原料とした。これを１１５０℃に加熱し、この
温度で１時間保持し、１０７０℃まで１時間で冷却した
のち、１０３０℃まで１℃／ｈで徐冷してバルク体を作
製した。なお上記Ｐｔ粉末は臨界電流密度を上昇させる
微細分散相の析出を促進させるためのものである。
【００１２】このバルク体の結晶粒は粒界のない種結晶
を切り出すのに十分な大きさで、これから直径５ｍｍ、
厚さ１ｍｍの種結晶を劈開面（ａｂ面）を利用して、円
盤の厚さ方向がｃ軸方向になるように複数枚を切り出し
た。この組織を偏光顕微鏡で観察したところ、内部にＳ
ｍ2 ＢａＣｕ3 Ｏ5 相が分散しているが、マトリックス
は方位の揃ったＳｍＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx であることがわか
った。またａ軸・ｂ軸は観察される双晶模様の方向から
判断した。
を切り出すのに十分な大きさで、これから直径５ｍｍ、
厚さ１ｍｍの種結晶を劈開面（ａｂ面）を利用して、円
盤の厚さ方向がｃ軸方向になるように複数枚を切り出し
た。この組織を偏光顕微鏡で観察したところ、内部にＳ
ｍ2 ＢａＣｕ3 Ｏ5 相が分散しているが、マトリックス
は方位の揃ったＳｍＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx であることがわか
った。またａ軸・ｂ軸は観察される双晶模様の方向から
判断した。
【００１３】ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 超電導体は斜方晶で
あるが、微視的には双晶構造を有し、ａ軸とｂ軸が互い
に９０度ずれて混在し、巨視的にはａ軸とｂ軸は区別さ
れない。以下、巨視的に区別されないａ軸とｂ軸をａ・
ｂ軸と表記する。
あるが、微視的には双晶構造を有し、ａ軸とｂ軸が互い
に９０度ずれて混在し、巨視的にはａ軸とｂ軸は区別さ
れない。以下、巨視的に区別されないａ軸とｂ軸をａ・
ｂ軸と表記する。
【００１４】ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx の原料は、Ｙ2 Ｏ3 粉
末、ＢａＯ2 粉末とＣｕＯ粉末をＹ，Ｂａ，Ｃｕの元素
比が１．３：１．７：２．４になるように秤量し、さら
に重量比で０．５％のＰｔ粉末を加え混練後、酸素気流
中で８００℃、１０時間の仮焼を行い、再び粉砕してプ
レス成形機により直径２８ｍｍの金型を用いて厚さ１０
ｍｍに成形し、さらに２ｔ／ｃｍ2 の圧力で静水圧成形
を行ったものを使用した。
末、ＢａＯ2 粉末とＣｕＯ粉末をＹ，Ｂａ，Ｃｕの元素
比が１．３：１．７：２．４になるように秤量し、さら
に重量比で０．５％のＰｔ粉末を加え混練後、酸素気流
中で８００℃、１０時間の仮焼を行い、再び粉砕してプ
レス成形機により直径２８ｍｍの金型を用いて厚さ１０
ｍｍに成形し、さらに２ｔ／ｃｍ2 の圧力で静水圧成形
を行ったものを使用した。
【００１５】これを１１５０℃に加熱し、この温度で１
時間保持した。その後、１０３０℃まで３０分で冷却
し、この温度において、２つのＳｍＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 種
結晶ａｂ面をａ・ｂ軸を相対的に２０度ずらして、原料
の平面の中心から対称にそれぞれ約５ｍｍの距離をおい
て接触させた。その後１００５℃まで３０分で冷却し、
更に９６０℃まで平均０．５℃／ｈで徐冷を行い、室温
まで炉冷した。更にその後、超電導性を与えるために、
酸素気流中で４５０℃、１００時間のアニールを行っ
た。
時間保持した。その後、１０３０℃まで３０分で冷却
し、この温度において、２つのＳｍＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 種
結晶ａｂ面をａ・ｂ軸を相対的に２０度ずらして、原料
の平面の中心から対称にそれぞれ約５ｍｍの距離をおい
て接触させた。その後１００５℃まで３０分で冷却し、
更に９６０℃まで平均０．５℃／ｈで徐冷を行い、室温
まで炉冷した。更にその後、超電導性を与えるために、
酸素気流中で４５０℃、１００時間のアニールを行っ
た。
【００１６】このように作製された試料は図３にその模
式図を示すように、種結晶１Ａ，１Ｂを起点として等方
的に、すなわち試料のほぼ全面に沿面成長しており（３
Ａ，３Ｂ）、その中心部で２つの成長面が粒界４で接触
している様子が肉眼で観察された。この２つの結晶３
Ａ，３Ｂの結晶方位を偏光顕微鏡観察によるクラックと
双晶模様から調べたところ、種結晶１Ａ，１Ｂの結晶方
位と同じであることがわかった。すなわち２つの結晶の
接触面はｃ軸が揃っており、かつａ・ｂ軸が２０度ずれ
た粒界になっていることになる。
式図を示すように、種結晶１Ａ，１Ｂを起点として等方
的に、すなわち試料のほぼ全面に沿面成長しており（３
Ａ，３Ｂ）、その中心部で２つの成長面が粒界４で接触
している様子が肉眼で観察された。この２つの結晶３
Ａ，３Ｂの結晶方位を偏光顕微鏡観察によるクラックと
双晶模様から調べたところ、種結晶１Ａ，１Ｂの結晶方
位と同じであることがわかった。すなわち２つの結晶の
接触面はｃ軸が揃っており、かつａ・ｂ軸が２０度ずれ
た粒界になっていることになる。
【００１７】この接触部分の輸送特性を調べるために、
図３の点線のように、接触部分を中心として長さ１０ｍ
ｍ、断面積１ｍｍ2 の試料５を切り出し、接触面両側の
電圧端子をとって、直流４端子法により７７ＫでのＩ−
Ｖ特性を測定した。電圧は電流が約３０Ａのところで鋭
い転移点を有し発生した。電流を反転しても全く同様な
挙動がみられた。
図３の点線のように、接触部分を中心として長さ１０ｍ
ｍ、断面積１ｍｍ2 の試料５を切り出し、接触面両側の
電圧端子をとって、直流４端子法により７７ＫでのＩ−
Ｖ特性を測定した。電圧は電流が約３０Ａのところで鋭
い転移点を有し発生した。電流を反転しても全く同様な
挙動がみられた。
【００１８】次に、種結晶の切り出し方向を変えて、様
々な結晶面を出した種結晶を用いて双結晶の作製を試み
た。原料及び熱処理条件は全て上記実施例と同じであ
る。この結果、結晶方位のずれが大きくなると、得られ
る結晶粒界に偏析が若干見られるようになるが、全ての
場合において種結晶から種結晶と同じ結晶方位を有して
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx が結晶成長し、任意の方位関係を有
する粒界が導入されたＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 系超電導バル
ク材料が作製できた。
々な結晶面を出した種結晶を用いて双結晶の作製を試み
た。原料及び熱処理条件は全て上記実施例と同じであ
る。この結果、結晶方位のずれが大きくなると、得られ
る結晶粒界に偏析が若干見られるようになるが、全ての
場合において種結晶から種結晶と同じ結晶方位を有して
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx が結晶成長し、任意の方位関係を有
する粒界が導入されたＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 系超電導バル
ク材料が作製できた。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、結晶方位を制御し
て複数箇所にシーディングすることにより、任意の方位
関係を有する粒界が導入されたＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 系
超電導バルク材料が製造できる。この製造方法はＲＥＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏx 系超電導薄膜の基板や粒界弱結合を利用
した素子を量産することを可能にする。
て複数箇所にシーディングすることにより、任意の方位
関係を有する粒界が導入されたＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 系
超電導バルク材料が製造できる。この製造方法はＲＥＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏx 系超電導薄膜の基板や粒界弱結合を利用
した素子を量産することを可能にする。
【図１】結晶方位の異なる種結晶を２箇所にシーディン
グして、結晶成長させて作製したバルク超電導材料の断
面の模式図
グして、結晶成長させて作製したバルク超電導材料の断
面の模式図
【図２】ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx 相近傍の擬２元系状態図
【図３】実施例において作製したバルク材料と種結晶の
位置、臨界電流密度を測定した試料を切り出した位置を
示した模式図
位置、臨界電流密度を測定した試料を切り出した位置を
示した模式図
１Ａ，１Ｂ 種結晶 ２ 原料酸化物の混合・成形体 ３Ａ，３Ｂ 結晶 ４ 粒界 ５ 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−319824（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (1)
- 【請求項１】 溶融・結晶成長を利用したＲＥＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏx 系（ＲＥはＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群か
ら選ばれた１種以上の元素）バルク超電導材料の製造方
法において、結晶成長を行わせるＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx
（以下ＲＥ１という）の原料酸化物の混合・成形体をＲ
Ｅ１の包晶温度より高い温度に加熱せしめ、ＲＥ１より
も高い包晶温度を有する配向した複数のＲＥＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏx （以下ＲＥ２という）結晶の一結晶面を、ＲＥ１
とＲＥ２の包晶温度の間の温度においてＲＥ１の原料酸
化物の混合・成形体上の複数の箇所に各々任意の結晶方
位関係を有するように接触させた後、前記ＲＥ２結晶を
複数の箇所に接触させたＲＥ１の原料酸化物の混合・成
形体の全体をＲＥ１の包晶温度近傍で徐冷することによ
って、前記複数の箇所から等方的に結晶成長を行わせる
ことを特徴とする任意の方位関係を有する粒界が導入さ
れた酸化物超電導材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12305993A JP3237952B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 酸化物超電導材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12305993A JP3237952B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 酸化物超電導材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06316495A JPH06316495A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3237952B2 true JP3237952B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=14851186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12305993A Expired - Lifetime JP3237952B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 酸化物超電導材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3237952B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6256521B1 (en) | 1997-09-16 | 2001-07-03 | Ut-Battelle, Llc | Preferentially oriented, High temperature superconductors by seeding and a method for their preparation |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP12305993A patent/JP3237952B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06316495A (ja) | 1994-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0513867B1 (en) | Method of manufacturing oxide superconductor | |
| JP3237952B2 (ja) | 酸化物超電導材料の製造方法 | |
| US7718573B2 (en) | Method for producing oxide superconductor, oxide superconductor and substrate material for supporting precursor of the same | |
| JP3237953B2 (ja) | 酸化物超電導材料の製造方法 | |
| JPH05193938A (ja) | 酸化物超電導体およびその製造方法 | |
| JP2002265221A (ja) | 酸化物超電導体単結晶粒子の集合体およびターゲット材並びにその製造方法 | |
| EP0323190B1 (en) | Superconductive metal oxide material | |
| US5314869A (en) | Method for forming single phase, single crystalline 2122 BCSCO superconductor thin films by liquid phase epitaxy | |
| JP2622123B2 (ja) | フレーク状酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP3219563B2 (ja) | 金属酸化物とその製造方法 | |
| JP4153651B2 (ja) | 酸化物超電導材料の種結晶及びこれを用いた酸化物超電導材料の製造方法 | |
| JP3854364B2 (ja) | ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ系超電導体の製造方法 | |
| JP3195041B2 (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JP3623829B2 (ja) | ＲＥーＢａーＣｕーＯ系酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP4071860B2 (ja) | 超電導バルク材料およびその製造方法 | |
| JP2978538B2 (ja) | 高密度結晶構造の超電導材料 | |
| JPS63310512A (ja) | 薄膜超電導体 | |
| JPH1112094A (ja) | 希土− バリウム− キュプレート系超伝導体の製造方法 | |
| JPH059059A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP3159764B2 (ja) | 希土類系超電導体の製造方法 | |
| JPH01167912A (ja) | 超電導物質被覆材およびその製造方法 | |
| JPH01227480A (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
| KR100338359B1 (ko) | 부분 용융법을 이용한 고온 초전도 에피텍셜 후막의 제조방법 | |
| JPH10231197A (ja) | 酸化物超電導材料の製造方法 | |
| Itskovich et al. | A modified method for obtaining highly textured YBaCu ceramics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010828 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071005 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091005 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131005 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |