JP3236181B2 - ハンダ付け方法 - Google Patents

ハンダ付け方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、素子を基板にハンダ付
けする方法に関し、特に、そのハンダペーストの組成に
関する。
【0002】
【従来技術の説明】素子と接続用基板との間に塗布され
るハンダは、展剤とその中に分散したハンダ(ハンダ粒
子)の両方を有する。ハンダ材料は、融点が350℃以
下の合金で、展剤は、接着性素材の中にハンダ材料の粒
子を含有する媒体で、溶融点まで加熱されたときにハン
ダ粒子の溶融を促進し分散させる機能を有する。このよ
うな展剤とハンダ粒子を組み合わせて、ペーストを形成
する。このペーストは、素子と基板に様々な方法で塗布
される。このようにハンダを塗布する一つのアプローチ
としては、ハンダ付けされるべき領域に対応する開口を
有するステンシルを介して、ペーストを塗布することで
ある。このような方法の利点は、比較的安価で、その実
行速度が早い点である。ハンダペーストを塗布する他の
方法は、溶融状態で塗布する、あるいは、ピンに付けて
塗布する方法があるが、これらに関しては、J.S.Hwang
著“Solder Paste in Electronic Packaging”(198
9年、VanNostrand Reinhold社(ニューヨーク)刊)の1
72〜174ページと180〜181ページを参照のこ
と。
【0003】ハンダペーストが接続領域に正確に塗布さ
れるとしても、問題は依然として残る。例えば、素子が
ペーストの上に配置されたときに、ハンダペーストは、
誘電体基板領域の上を隣接する接続用金属線にまで拡散
する。リフローすると、これは、金属線間のハンダブリ
ッジとなる。ある接続用ラインから、隣の接続用ライン
にハンダペーストが侵入すると短絡してしまう。あるい
は、拡散したハンダペーストは、隣接する接続ラインの
間でリフローが起きると分離し、ハンダの過剰領域とハ
ンダの不足領域との間でハンダの接合が行われてしま
う。このような場合には、信頼性の問題が発生する。同
様に、素子の端部近傍にあるパッド上のハンダペースト
は、素子の下の部分からはみ出すことがある。これに関
しては、図1において、ハンダペースト3が素子2の下
からはみ出してリフローすると、ハンダが不足した接合
部分やハンダの塊が発生して、これらは、どちらも信頼
性に欠けることになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のような問題点を
解決するような通常の方法は、短絡が発生しないように
接合ラインを充分に離間させることである。しかし、基
板上に電気的に接合される素子の密度は、近年増加する
傾向にあり、そのために、金属の接合用ラインのスペー
スを増加させることは好ましくない。従って、本発明の
目的は、接合領域が近接しても、互いに短絡することの
ないハンダ方法、および、ハンダペースト材料を提供す
ることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】微細な接合空間、すなわ
ち、接合用金属ラインの間を25ミル(635μm)以
下にすることは、本発明によれば、ハンダペースト内
に、特定のサイズのハンダ粒子を分散することにより達
成できる。本発明のハンダペーストは、2つの大きさに
分類できるハンダ粒子を含有する。本明細書において、
粒子のサイズは、粒子の体積と同一の体積を有する球の
直径を以て有効直径として定義する。この第1のグルー
プの大きさは、大きな粒子で、ハンダペーストが基板に
塗布されたときに、素子にかかる圧縮力がハンダペース
トにかからないようにして、ペーストが拡散するのを防
止する。例えば、図1において、ハンダペーストがまず
塗布され、大きな粒子が素子2の下に存在しない場合に
は、ハンダペースト3が素子2から外側にはみ出す。大
きな粒子が素子4の下に存在する場合には、ハンダペー
スト3が素子2から外側にはみ出すことはない。大きな
粒子1が、素子4にかかる力を受けるからである。
【0006】しかし、この大きな粒子の使用のみでは、
全体的な解決にはならない。大きな素子のみを用いる
と、塗布されたハンダペーストが劣化する。それゆえ
に、大粒子と小粒子とを組み合わせることによって、望
ましい結果を得ることができる。ある実施例において
は、平均のサイズが30μmの粒子と、平均のサイズが
75μmの粒子とを混合して、9ミル(228.6μ
m)の直径で、3〜4ミル(76.2〜101.6μ
m)の高さを形成し、13ミル(330.2μm)のセ
ンターに配置された6ミル(152.4μm)の直径の
パッドの上に、ハンダをデポジットした。ハンダをリフ
ローすると、接続用ラインの間に短絡が発生することな
く、良好な電気的接続が可能となった。このため、本発
明は、マルチチップモジュールの応用について、特に利
点があり、また、集積回路用の能動接続線を直接基板に
(フリップチップ形態)ハンダ付けすることができる。
【0007】
【実施例】本発明のハンダペーストは、2つの大きさの
グループに分類できる粒子(大粒子と小粒子)を展剤内
に分散させた構成をとる。この展剤の組成は、本発明に
必ずしも必要不可欠な一定の構成をとらなければならな
いというものではない。ハンダペーストのステンシル用
の展剤の組成は、C. C. Thomson他著の“Solder Paste
Technology”(1989年、TAB Booke Inc.(ペンシル
バニア州)刊)に記載されている。この粒子は、ハンダ
ペーストの35〜65体積パーセントを占め、残りは、
接着剤を含む展剤の体積である。
【0008】小粒子は、プリントの輪郭をより明確に規
定することができる。しかし、粒子があまりにも小さす
ぎると、その大きな表面積においては、所定量のハンダ
ペースト内でハンダが酸化されてしまい、好ましくな
い。この小粒子の平均直径は、20μm以上である。
【0009】ハンダペーストに用いられるハンダパウダ
ー内の大粒子の直径(Dbig)と、体積分率(fbig
は、単純な関係式で決定できる。堆積されるべきハンダ
ペーストの所望の体積(Vdep)が必要となるようなあ
る種の応用については、n個の大粒子が、圧縮抵抗を確
保するために、各堆積物内に必要である。ハンダペース
トのハンダの体積分率を(fpaste)とし、各大粒子の
体積を(Vb)とすると、VbとDbigは、それぞれ次の
とおりである。
【数2】 一般的な条件において、代表的なパラメータは、次のと
おりである。
【数3】 そして、10ミル(254μm)の直径と4ミル(10
1.6μm)の高さの円筒状の堆積においては、次式が
導かれる。
【数4】
【0010】この堆積されたハンダペーストは、高さh
を有し、ここで、h≧Dbig≧60%(h)であり、そ
して、ハンダペーストは、ハンダ付けされるべきパッド
に対応する幅を有する。Vdepは、マルチチップモジュ
ールのような応用に対しては、100〜1,000立方
ミル(16.39x10-4mm3〜16.39x10-5
mm3)のオーダで、そして、さらに、表面搭載用に対
しては、2,000〜20,000立方ミル(32.8
x10-5-4mm3〜328x10-5mm3)である。この
ハンダペーストの容量は、その応用分野に大きく依存
し、一般的に、その量は、100〜20,000立方ミ
ル(16.39x10-4mm3〜328x10-5mm3
の間である。さらに、大粒子の分率は、ハンダ付けされ
るべき隣接パッド間のピッチの細かさに依存する。19
ミル(482.6μm)以下の細かいピッチに対して
は、fbigは0.5以下で、19ミル(482.6μ
m)以上の大きなピッチに対しては、fbigは0.66
以下でもよい。何れにしても、nは0.5以上である。
大粒子は、Dbigの80%〜120%以内の有効直径を
有する場合には、直径Dbigを有するものとする。一
方、小粒子は、Dbigの60%以下の有効直径を有する
ものとする。これは、好ましくは、Dbigの50%以
下、さらに好ましい場合には、Dbigの40%以下であ
る。このようにして計算されたDbigがhより大きい場
合には、実際のDbigに用いられる値は、h≧Dbig≧6
0%(h)の範囲内に入らなければならない。適当なサ
イズの粒子と、それを確保する方法は、前掲のJ. S. Hw
angの論文の91〜99ページに記載されている。粒子
同士の混合、および、展剤を用いての粒子の全体混合に
ついては、従来の混合装置を用いて行うことができる。
本発明によるハンダペーストのハンダ方法は、予めハン
ダペーストでもってプリントされた基板に素子を配置
し、その後、3〜6分かけて、ハンダ合金の溶融点以下
10〜30℃の温度に加熱する。その後、この温度を徐
々にハンダペーストの溶融点近傍に上昇させ、その温度
範囲で、15〜60秒、そして、その溶融点プラス30
℃のピーク温度で保持する。基板上の素子の搭載は、表
面搭載技術を含む一般的な方法によって行うことができ
る。
【0011】次に、本発明の具体例を示す。具体例 1 Si製MCM上に、104個のシリコンのアレイを組み
立てるに際し、シリコン製ウェハの基板の接点パッドの
上に、ハンダペーストをプリントし、シリコンチップ
を、このハンダペーストの上に搭載し、そして、この
後、このようにして得られた構造体をハンダペーストの
溶融点以上の温度に加熱して、このようにして組み立て
られたウェハを室温まで冷却する。各MCMモジュール
は、4個のSiチップを有する。各チップは、直径が6
ミル(152.4μm)の金属化パッドの種々のアレイ
を有する。このアレイは、12個、16個、19個、2
0個のパッドで、それぞれピッチが、13ミル(33
0.2μm)、15ミル(381μm)、20ミル(5
08μm)、18ミル(457.2μm)である。用い
られたハンダペーストは、11重量%のロジン系のフラ
ックスで、平均直径が2.6ミル(66.04μm)の
大粒子が22重量%と、平均直径が1.2ミル(30.
48μm)の小粒子が67重量%を占めた。このハンダ
ペーストを、シリコン基板ウェハの上に、3ミル(7
6.2μm)の厚さのステンレス製のステンシルに設け
た9ミル(228.6μm)の直径の開口を介してプリ
ントした。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のハンダプロセスを用いることによる素
子と基板との間のハンダ状態を表す断面図。
【符号の説明】
1 大きな粒子 2 素子 3 小さな粒子 4 素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−43488(JP,A) 特開 昭63−149094(JP,A) 特開 昭63−154288(JP,A) 特開 平3−230894(JP,A) 特開 平6−140756(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B23K 35/22 - 35/26 B23K 35/363

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2つの部品をハンダ付けする方法におい
    て、 前記2つの部品の少なくとも1つの接触部分に、体積V
    depのハンダペーストを用意し、 前記ハンダペーストは、ハンダ粒子と展剤とを含有し、 前記粒子は、前記ハンダペーストの35〜65体積%を
    占有し、前記粒子の34%以上は小粒子から形成され、
    残りは大粒子であり、 前記大粒子は、直径Dbigの80%〜120%の範囲
    の有効直径を有するハンダ粒子であり、ここで、h≧D
    big≧60%hで、 hは、堆積された体積Vdepのハンダペーストの高さ
    で、 Dbigは、hか、または、次式で表される値のうち、
    小さい方の値で、 【数1】 ここで、fpasteは、前記ペースト内のハンダ粒子
    の体積分率で、 fbigは、前記大粒子の体積分率で、 nは、0.5以上であり、nは、圧縮抵抗を確保するた
    めに体積V dep のハンダペーストが必要なときの前記
    大粒子の数であり、 前記小粒子は、直径Dbigの60%以下の有効直径を
    有するはんだ粒子であることを特徴とするハンダ付け方
    法。
  2. 【請求項2】 前記粒子の全体積の50%以上は、小粒
    子であることを特徴とする請求項1の方法。
  3. 【請求項3】 前記部品は、集積回路を含むことを特徴
    とする請求項1の方法。
  4. 【請求項4】 前記部品は、マルチチップモジュールを
    形成するように接触させられている ことを特徴とする請
    求項1の方法。
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