JPS60119737A - 背高半田接続体を形成する方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は超小型(マイクロミニアチュア)構成素子を支
持板又は基板に半田接続する方法に関するものであり、
さらに具体的には良好な抵抗対横方向ストレス比を与え
るように縦方向に伸びた接続体(ジヨイント)を形成す
るための方法に関する。
持板又は基板に半田接続する方法に関するものであり、
さらに具体的には良好な抵抗対横方向ストレス比を与え
るように縦方向に伸びた接続体(ジヨイント)を形成す
るための方法に関する。
本発明は基板に対して半導体デバイスをフェイスダウン
又はフリップチップ式にボンディングすることに関係が
あり、半導体デバイスと支持基板との間の複数の電気的
接続を極めて小さくしかも密接した半田相互接続によっ
て行なうことを可能にする。
又はフリップチップ式にボンディングすることに関係が
あり、半導体デバイスと支持基板との間の複数の電気的
接続を極めて小さくしかも密接した半田相互接続によっ
て行なうことを可能にする。
[従来技術]
米国特許第3401126号及び第3429040号は
半導体チップを支持体にフェイスダウン・ボンディング
するための「コンドロールド・コラプス(つぶし)接続
」方法を開示している。これらの米国特許に開示されて
いる事項は半導体チップの接点領域及びチップ支持体の
導体上の半田接続可能領域に金属性半田のパッドを形成
することである。チップ支持体の半田接続可能領域は半
田づけ不能の障壁で囲まれているので、支持体領域及び
半導体デバイス接点領域上の半田が溶融して合体したと
き、表面張力により半導体チップは支持体の上方に浮遊
する。
半導体チップを支持体にフェイスダウン・ボンディング
するための「コンドロールド・コラプス(つぶし)接続
」方法を開示している。これらの米国特許に開示されて
いる事項は半導体チップの接点領域及びチップ支持体の
導体上の半田接続可能領域に金属性半田のパッドを形成
することである。チップ支持体の半田接続可能領域は半
田づけ不能の障壁で囲まれているので、支持体領域及び
半導体デバイス接点領域上の半田が溶融して合体したと
き、表面張力により半導体チップは支持体の上方に浮遊
する。
集積回路半導体デバイスの技術進歩に伴い個々の能動素
子及び受動素子の寸法が極めて小さくなり、しかも1つ
のデバイス中の素子の数が著しく増加するに至った。こ
のため、I10端子の数が増加してデバイスの寸法が著
しく大きくなる結果を生じた。この傾向は今後も続き、
端子の密度及び全体的な数に対して次第に高度の要請が
出て来るであろう。半田接続の利点は110端子をデバ
イスの上側表面の実質的に全体に亘って分散配置できる
ことである。これは全表面の有効利用を可能にし、エリ
ア・ボンディングとして知られている。
子及び受動素子の寸法が極めて小さくなり、しかも1つ
のデバイス中の素子の数が著しく増加するに至った。こ
のため、I10端子の数が増加してデバイスの寸法が著
しく大きくなる結果を生じた。この傾向は今後も続き、
端子の密度及び全体的な数に対して次第に高度の要請が
出て来るであろう。半田接続の利点は110端子をデバ
イスの上側表面の実質的に全体に亘って分散配置できる
ことである。これは全表面の有効利用を可能にし、エリ
ア・ボンディングとして知られている。
集積回路デバイスは半導体デバイスの材料、即ちシリコ
ンの膨張係数とは異なった膨張係数を有する材料で作ら
れた支持基板上に装着されるのが普通である。使用中に
デバイスの構成素子が必然的に熱を発生し、その熱は半
田ボンドを介して移動するのでデバイス及び支持基板の
両方に温度変動を生じさせる。デバイス及び基板は膨張
係数の相異に起因して、温度変動と共に異なった址だけ
膨張及び収縮する。これは半田端子にストレスを生じさ
せる。動作中に半田ボンドに生じるストレスは、(1)
温度変動の大きさ、(2)中立点からの距離、(3)デ
バイス及び基板の膨張係数の差に正比例し、半田ボンド
の高さ、即ちデバイスと支持基板との間の間隔に反比例
する。事態の厳しさは、実装密度を一層高めるニーズに
順応するため半田端子の直径が益々小さくなり、全体的
な高さも又低下する事実によって更に増大する。
ンの膨張係数とは異なった膨張係数を有する材料で作ら
れた支持基板上に装着されるのが普通である。使用中に
デバイスの構成素子が必然的に熱を発生し、その熱は半
田ボンドを介して移動するのでデバイス及び支持基板の
両方に温度変動を生じさせる。デバイス及び基板は膨張
係数の相異に起因して、温度変動と共に異なった址だけ
膨張及び収縮する。これは半田端子にストレスを生じさ
せる。動作中に半田ボンドに生じるストレスは、(1)
温度変動の大きさ、(2)中立点からの距離、(3)デ
バイス及び基板の膨張係数の差に正比例し、半田ボンド
の高さ、即ちデバイスと支持基板との間の間隔に反比例
する。事態の厳しさは、実装密度を一層高めるニーズに
順応するため半田端子の直径が益々小さくなり、全体的
な高さも又低下する事実によって更に増大する。
今までよりも高密度の端子を有する更に大きいデバイス
を組込む将来の用途に対しても半田端子の利用を続ける
ための考えつる解決策として、半田端子を細長くすれば
よいことが、米国特許第3811、186号、第348
6223号、第3921285号及びIBM TDBの
1973年8月号第767頁、1976年9月号第11
78頁、1980年7月号第575頁に開示されている
。
を組込む将来の用途に対しても半田端子の利用を続ける
ための考えつる解決策として、半田端子を細長くすれば
よいことが、米国特許第3811、186号、第348
6223号、第3921285号及びIBM TDBの
1973年8月号第767頁、1976年9月号第11
78頁、1980年7月号第575頁に開示されている
。
高さを同一にした場合、砂時計状の半田端子の方が円筒
状又はビヤ樽状の端子よりもストレス耐力の点で優れて
いることがわかった。
状又はビヤ樽状の端子よりもストレス耐力の点で優れて
いることがわかった。
この現象はI B M Journal of Re5
earch andDevqlopment 1969
年5月号、Vol、 13、Ha3、第261頁に説明
されている。
earch andDevqlopment 1969
年5月号、Vol、 13、Ha3、第261頁に説明
されている。
[発明が解決しようとする問題点]
上述の文献に開示された細長い半田端子を作るための方
法は実際的でない。即ちそれらに開示された方法は製造
工程を実行する作業者の技巧及び個人的な能力に存在子
る点で個人的職人芸を必要とする。従って一般的な再現
性がなく製造産業」二利用することができなかった。
法は実際的でない。即ちそれらに開示された方法は製造
工程を実行する作業者の技巧及び個人的な能力に存在子
る点で個人的職人芸を必要とする。従って一般的な再現
性がなく製造産業」二利用することができなかった。
[問題点を解決するための手段]
本発明は集積回路半導体デバイスと支持基板との間に背
高の細長い半田端子を形成するための新規な方法を提案
する。本発明の方法で形成される背高の(細長い)半田
接続体はデバイス及び基板の温度変動によって生じるス
トレスに耐えることができる。
高の細長い半田端子を形成するための新規な方法を提案
する。本発明の方法で形成される背高の(細長い)半田
接続体はデバイス及び基板の温度変動によって生じるス
トレスに耐えることができる。
本発明の問題解決手段は、背高の半田端子を形成するた
め、(1)半導体デバイスと支持基板との間に予定の垂
直間隔を維持するための手段を形成し、(2)基板又は
デバイス上の各半田ウェツタブル・パッドに対して半田
延長体を形成して付着させ、(3)半田ウェツタブル・
パッド上に半口1マウントを有する半導体デバイスを、
半田マウントを有する支持基板上に位置合わせした状態
で位置づけし、デバイスと基板との間の距離を垂直間隔
維持手段で橋渡しし、予定の間隔を維持した状態で結果
の組立体を加熱して半田接続栓及び半田延長体をリフ口
することにより複数個の砂時計状細長接続体を形成する
ステップを含む。
め、(1)半導体デバイスと支持基板との間に予定の垂
直間隔を維持するための手段を形成し、(2)基板又は
デバイス上の各半田ウェツタブル・パッドに対して半田
延長体を形成して付着させ、(3)半田ウェツタブル・
パッド上に半口1マウントを有する半導体デバイスを、
半田マウントを有する支持基板上に位置合わせした状態
で位置づけし、デバイスと基板との間の距離を垂直間隔
維持手段で橋渡しし、予定の間隔を維持した状態で結果
の組立体を加熱して半田接続栓及び半田延長体をリフ口
することにより複数個の砂時計状細長接続体を形成する
ステップを含む。
[実施例]
第1図のステップ1はデバイスをボンドできる代表的な
基板10を示す。セラミックの基板10上ビは1組の半
田ウェツタブル・パッド12が載置されている。それら
のパッドはピン(図示せず)付のパッドと他の関連デバ
イスとを相互接続する内部的に冶金形成されたものでも
、上面に冶金処理で形成されたものでもよい。図を簡潔
にするため唯−組のパッドだけを図示する。実際は沢山
のデバイスに接続するための多数組のパッドを持つこと
ができる。冶金形成されたパッドは表面に置いても、又
はもしも望むなら表面及び内部に置いてもよい。基板1
0は一般的な形式の基板を図示したもので本発明の要部
を構成するものではない。
基板10を示す。セラミックの基板10上ビは1組の半
田ウェツタブル・パッド12が載置されている。それら
のパッドはピン(図示せず)付のパッドと他の関連デバ
イスとを相互接続する内部的に冶金形成されたものでも
、上面に冶金処理で形成されたものでもよい。図を簡潔
にするため唯−組のパッドだけを図示する。実際は沢山
のデバイスに接続するための多数組のパッドを持つこと
ができる。冶金形成されたパッドは表面に置いても、又
はもしも望むなら表面及び内部に置いてもよい。基板1
0は一般的な形式の基板を図示したもので本発明の要部
を構成するものではない。
一般に基板10は、それにボンドされるべき半導体デバ
イスを形成するために使用された材料、即ちシリコンの
膨張係数とは異なった膨張係数を通常有するセラミック
材料で形成される。
イスを形成するために使用された材料、即ちシリコンの
膨張係数とは異なった膨張係数を通常有するセラミック
材料で形成される。
ステップ2は相対的に高い融点を有する適当な半田合金
で形成された半田延長体16がボンドされたブランク・
シリコン基板14を示す。半田延長体の代表例は純粋の
pb又はpb含有率の極めて高い半田で形成される。半
田延長体16は融点が327℃程度の材料にすべきであ
る。各半田延長体16の上部表面上に低融点金属の層1
8がある。
で形成された半田延長体16がボンドされたブランク・
シリコン基板14を示す。半田延長体の代表例は純粋の
pb又はpb含有率の極めて高い半田で形成される。半
田延長体16は融点が327℃程度の材料にすべきであ
る。各半田延長体16の上部表面上に低融点金属の層1
8がある。
その層の代表例は400乃至600人の範囲の厚さと2
40℃程度の融点を有する錫である。半Il+延長体1
6は基板10上のパッド形状に相当する形状の適当な穴
あきマスクを基板14上に載置し、その上に半田合金を
適当な所望の深さ、代表的には0.05乃至0.1mm
の深さまで蒸着することによって形成される。低融点の
層18は引続いて延長体16の上面に蒸着により付着さ
れる。ステップ3で示すように延長体16を有するブラ
ンクシリコン基板14を反転して、パッド12の表面と
層18とが接触するように基板10の上面に載置する。
40℃程度の融点を有する錫である。半Il+延長体1
6は基板10上のパッド形状に相当する形状の適当な穴
あきマスクを基板14上に載置し、その上に半田合金を
適当な所望の深さ、代表的には0.05乃至0.1mm
の深さまで蒸着することによって形成される。低融点の
層18は引続いて延長体16の上面に蒸着により付着さ
れる。ステップ3で示すように延長体16を有するブラ
ンクシリコン基板14を反転して、パッド12の表面と
層18とが接触するように基板10の上面に載置する。
結果の組立体を層18の融ける温度まで加熱した後冷却
して半田延長体16をパッド12と融合させることによ
り、半田延長体16は基板10へ移される。その後ブラ
ンク・シリコン基板14を除去するとステップ4で示す
ような構造体が出来る。基板10上にボンドされるべき
集積回路半導体デバイス20をステップ5で示す。デバ
イス20は基板10上の半田パッド12の形状と合致す
る形状に配列された複数の半田接続栓22を有する。各
半田接続栓22は半田ウェツタブル・パッド構造体21
とその上面に半田リフ口された丘とより成る。図示の通
りデバイス20の周辺部分は半田接続栓22の領域より
も外方へ延びている。デバイス20は普通のものであっ
て、多数の能動素子及び受動素子を含んでいる。デバイ
ス20の周辺部分にはパッド21と一緒に形成されるの
が普通である半田ウェツタブル・バンド24が設けられ
ている。このパッド24は半導体デバイスと基板との間
の予定の垂直間隔を維持するための手段の基礎を構成す
るので、任意の適した個数だけ設けてよい。一般的には
デバイス構造体当り最少3パツドが必要であるが、もし
も必要ならばそれ以上設けてもよい。間隔を維持するた
めの手段はステップ6に示すように作られる。パッド2
4にかぶさる開口28を有するマスク26がデバイス2
0の上面に載置される。半田の薄層30が通常の蒸着方
法によってパッド24の上面に蒸了。
して半田延長体16をパッド12と融合させることによ
り、半田延長体16は基板10へ移される。その後ブラ
ンク・シリコン基板14を除去するとステップ4で示す
ような構造体が出来る。基板10上にボンドされるべき
集積回路半導体デバイス20をステップ5で示す。デバ
イス20は基板10上の半田パッド12の形状と合致す
る形状に配列された複数の半田接続栓22を有する。各
半田接続栓22は半田ウェツタブル・パッド構造体21
とその上面に半田リフ口された丘とより成る。図示の通
りデバイス20の周辺部分は半田接続栓22の領域より
も外方へ延びている。デバイス20は普通のものであっ
て、多数の能動素子及び受動素子を含んでいる。デバイ
ス20の周辺部分にはパッド21と一緒に形成されるの
が普通である半田ウェツタブル・バンド24が設けられ
ている。このパッド24は半導体デバイスと基板との間
の予定の垂直間隔を維持するための手段の基礎を構成す
るので、任意の適した個数だけ設けてよい。一般的には
デバイス構造体当り最少3パツドが必要であるが、もし
も必要ならばそれ以上設けてもよい。間隔を維持するた
めの手段はステップ6に示すように作られる。パッド2
4にかぶさる開口28を有するマスク26がデバイス2
0の上面に載置される。半田の薄層30が通常の蒸着方
法によってパッド24の上面に蒸了。
される。基板とデバイスの所望間隔に近い直径を有する
金属球32を開口28内に入れて、RlJ 30を融か
すように加熱した後冷却して金属球32をデバイス20
に接合する。金属球32は任、a:の金属製のものでよ
いが、銅製でその表面にニッケル被覆した上に金を被覆
したものが望ましい。金属球32の直径は0.13mn
程度が普通である。マスク26を取除いた後に組立体を
反転し、ステップ7に示すようにパッド12上に半田延
長体16を有する基板10上の定位置に載置する。図示
の通り金属球32はデバイスと基板との間に所望の間隔
を維持する台座(スタンド・オフ)となり、デバイス上
の各工/○パッドは半田接続圧22を半田延長体16と
接触して基板上の対応するパッドと接続される。次にそ
の組立体を半田延長体16及び半田接続圧22の材料が
融ける温度まで加熱すると、デバイスのパッドと基板の
パッドとの間に背高の細長い砂時計の形の半田接続体3
8が形成される。半田延長体16及び半田接続圧22の
半田の総量は、砂時計形の接続体を形成するためパッド
間の間隔を考慮して計算される。
金属球32を開口28内に入れて、RlJ 30を融か
すように加熱した後冷却して金属球32をデバイス20
に接合する。金属球32は任、a:の金属製のものでよ
いが、銅製でその表面にニッケル被覆した上に金を被覆
したものが望ましい。金属球32の直径は0.13mn
程度が普通である。マスク26を取除いた後に組立体を
反転し、ステップ7に示すようにパッド12上に半田延
長体16を有する基板10上の定位置に載置する。図示
の通り金属球32はデバイスと基板との間に所望の間隔
を維持する台座(スタンド・オフ)となり、デバイス上
の各工/○パッドは半田接続圧22を半田延長体16と
接触して基板上の対応するパッドと接続される。次にそ
の組立体を半田延長体16及び半田接続圧22の材料が
融ける温度まで加熱すると、デバイスのパッドと基板の
パッドとの間に背高の細長い砂時計の形の半田接続体3
8が形成される。半田延長体16及び半田接続圧22の
半田の総量は、砂時計形の接続体を形成するためパッド
間の間隔を考慮して計算される。
次に第2図は本発明の第2の実施例である第2のステッ
プ順序を示す。この実施例の基板10は第1の実施例で
説明されたような任意の適当な支持体でよい。基体10
は例えばMLC基板のような非焼結セラミック基板であ
ってもよい。開口42を有するマスク40を基板10の
上面に載置し、台座を形成すべき所望の場所に開口42
を位置づけする。適当な展剤(ビークル)と混合した金
属粒子、望ましくはモリブデン、タンタル、又はタング
ステンのような耐火性材料より成る金属ペーストを開口
42に詰込んで台素子44を形成する。
プ順序を示す。この実施例の基板10は第1の実施例で
説明されたような任意の適当な支持体でよい。基体10
は例えばMLC基板のような非焼結セラミック基板であ
ってもよい。開口42を有するマスク40を基板10の
上面に載置し、台座を形成すべき所望の場所に開口42
を位置づけする。適当な展剤(ビークル)と混合した金
属粒子、望ましくはモリブデン、タンタル、又はタング
ステンのような耐火性材料より成る金属ペーストを開口
42に詰込んで台素子44を形成する。
詰込み作業に続いてマスク40を取除き、組立体を焼結
することによりペースト中の展剤、可塑剤等及び(もし
も基板が予め焼結されていないならば)クリーン・セラ
ミック基板10中のバインダを追出す。焼結後の台座4
4の高さは基板上に配置されるべきデバイスと基板1o
との間の所望の間隔に相当する。焼結に起因する収縮は
マスク40の厚さを増すことにより調節される。ブラン
ク基板14に付着された第2図に示す半田延長体16は
第1図の実施例で説明したのと同じ要領で作られる。ブ
ランク基板14の半田延長体16をパッド12上に載置
し、延長体16をパッド12に融着するように加熱し、
然る後ブランク基板14を除去してステップ3に示す構
造体を残留させる。
することによりペースト中の展剤、可塑剤等及び(もし
も基板が予め焼結されていないならば)クリーン・セラ
ミック基板10中のバインダを追出す。焼結後の台座4
4の高さは基板上に配置されるべきデバイスと基板1o
との間の所望の間隔に相当する。焼結に起因する収縮は
マスク40の厚さを増すことにより調節される。ブラン
ク基板14に付着された第2図に示す半田延長体16は
第1図の実施例で説明したのと同じ要領で作られる。ブ
ランク基板14の半田延長体16をパッド12上に載置
し、延長体16をパッド12に融着するように加熱し、
然る後ブランク基板14を除去してステップ3に示す構
造体を残留させる。
ステップ4に示すように、半田接続圧22の設けられた
半導体デバイスを、その半田接続圧22と半田延長体1
6が接触するように且つデバイスの周囲部分が台座44
に接するように、基板上に載置する。組立体は次に半田
素子をリフローするため加熱してステップ5に示すよう
に、半田接続体38が引伸ばされて秒時81形の外観を
持つ構造体を形成する。
半導体デバイスを、その半田接続圧22と半田延長体1
6が接触するように且つデバイスの周囲部分が台座44
に接するように、基板上に載置する。組立体は次に半田
素子をリフローするため加熱してステップ5に示すよう
に、半田接続体38が引伸ばされて秒時81形の外観を
持つ構造体を形成する。
最初の実施例10において例示した基体へ付着された球
状の台座はもしも望むなら基板10上に装着されたパッ
ドへ接着するように変えてもよし1゜そればかりか、デ
バイス又は基板上の何れかの台座の位置も個々の実施態
様に合わせて変更可能である。更に、もしも必要な接続
を基板及び半導体デバイスに作ることが可能ならば、台
座それ自身をI10端子又は接地端子として利用するこ
とが可能である。
状の台座はもしも望むなら基板10上に装着されたパッ
ドへ接着するように変えてもよし1゜そればかりか、デ
バイス又は基板上の何れかの台座の位置も個々の実施態
様に合わせて変更可能である。更に、もしも必要な接続
を基板及び半導体デバイスに作ることが可能ならば、台
座それ自身をI10端子又は接地端子として利用するこ
とが可能である。
[発明の効果コ
本発明によれば量産方式で製造可能な再現性ある背高半
田接続体を形成することができ個人的な技巧依存性から
脱脚できる。本発明の方法で形成される背高半田接続体
はデバイス及び基板の温度変動によって生じるストレス
に耐えることができる。
田接続体を形成することができ個人的な技巧依存性から
脱脚できる。本発明の方法で形成される背高半田接続体
はデバイス及び基板の温度変動によって生じるストレス
に耐えることができる。
第1図は本発明の第1の実施例における製造過程を示す
図、第2図は本発明の第2の実施例に才iける製造過程
を示す図である。 10・・・・基板、12・・・・半田ウェツタブル・パ
ッド、14・・・・ブランク・シリコン基板、16・・
・・半田延長体、18・・・・低融点金属層、20・・
・・集積回路半導体デバイス、21・・・・バット、2
2・・・・半田接続圧、24・・・・パッド、26・・
・・マスク、28・・・・開口、30・・・・半田薄層
、32・・・・金属球、38・・・・砂時計状の半田接
続体。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・
コーポレーション 復代理人 弁理士 篠 1) 文 雄
図、第2図は本発明の第2の実施例に才iける製造過程
を示す図である。 10・・・・基板、12・・・・半田ウェツタブル・パ
ッド、14・・・・ブランク・シリコン基板、16・・
・・半田延長体、18・・・・低融点金属層、20・・
・・集積回路半導体デバイス、21・・・・バット、2
2・・・・半田接続圧、24・・・・パッド、26・・
・・マスク、28・・・・開口、30・・・・半田薄層
、32・・・・金属球、38・・・・砂時計状の半田接
続体。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・
コーポレーション 復代理人 弁理士 篠 1) 文 雄
Claims (2)
- (1) 半導体デバイスの複数個の半田ウェツタブルI
10パッドを夫々対応する支持基板の複数個の半田ウェ
ツタブル・パッドに電気的に接続するための背高半田接
続体を形成する方法であって、上記半導体デバイスと上
記支持基板との間に上記半田ウェツタブル・パッドの横
幅よりも大なる予定の垂直間隔を維持する手段を形成し
、上記支持基板の上記各半田ウェツタブル・パッドの上
に半田延長体を形成し、 上記半田ウェツタブルI10パッド上に半田接続丘を有
する上記半導体デバイスを、上記半田接続丘が上記支持
基板のパッドに形成された上記半田延長体に整合して接
触するように且つ上記垂直間隔を維持する手段が上記半
導体デバイスと支持基体との間にはさまれるように、上
記支持基体上に載置し、 上記垂直間隔を維持する手段によって決めら才しる予定
の間隔を維持した状態で結果の組立体を加熱して上記半
田接続丘及び半田延長体をリフ口することにより複数個
の砂時計状の背高半田接続体を形成する方法。 - (2) 上記半田ウェツタブル・パッドの横幅に対する
背高半田接続体の高さの比が1以上であることを特徴と
する特許請求の範囲第(1)項記載の背高半田接続体を
形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/555,264 US4545610A (en) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | Method for forming elongated solder connections between a semiconductor device and a supporting substrate |
US555264 | 1995-11-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60119737A true JPS60119737A (ja) | 1985-06-27 |
JPH0263301B2 JPH0263301B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=24216611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59195908A Granted JPS60119737A (ja) | 1983-11-25 | 1984-09-20 | 背高半田接続体を形成する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4545610A (ja) |
EP (1) | EP0147576B1 (ja) |
JP (1) | JPS60119737A (ja) |
DE (1) | DE3478729D1 (ja) |
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