JP3227849B2 - 位置検出装置 - Google Patents

位置検出装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はホトカプラ或はホトイン
タラプタと同様の光センサに係わり、特に反射面を有す
る被検体の傾き方向及び発光素子と被検体との距離を同
時に検知可能な位置検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来からホトインタラプタは電気的には
絶縁され、光学的には結合されている発光素子と受光素
子とを1つの基台上に配設して、光路内に配した被検体
の有無の検知によく用いられている。
【0003】又、反射面を有する被検体と発光素子間の
相対距離や被検体の傾き等を検出する位置検出器として
は図15に示す如きものが知られている。
【0004】図15で1はX,Y,Z軸の中心位置に配
された発光ダイオードの如き発光素子で例えばY軸に沿
って発光素子1の中心から等距離D0 の位置に2個のホ
トダイオードの如き受光素子2a及び2bが配設されて
いる。又、Y軸上に配設された一方の、例えば受光素子
2bはY−Y平面よりZ軸方向に距離Dだけ段差8を付
けて配設されている。
【0005】上述の如き位置検出器では発光素子1から
出射した出射光は反射面を有する被検体3で反射し、夫
々受光素子2a及び2bに入射される。依って受光素子
2a及び2bへの入射光量を検出することで被検体3と
発光素子1の出射面間の距離D1 を求めることが出来
る。
【0006】即ち、2つの受光素子2a及び2b間では
Y−Y軸に沿って配設された一方の受光素子にはDの段
差8を付けてあるので2つの受光素子2a及び2bに入
射される光強度Iと距離との関係は被検体3が上下動す
ると図16の様に光路差によって異なって来る。図16
の縦軸は光の強度I、横軸は被検体の振れ量DX であ
り、この様な両受光素子2a及び2bの出力特性曲線2
ac及び2bcが交わった点7の距離DX0を求めてフォ
ーカスサーボ等で光ピックアップの対物レンズ等を停止
させる等の操作が行われている。
【0007】更に、図17に示す如き中点センサと呼ば
れる位置検出器も知られている。このタイプはホトイン
タラプタと近似の構成であるが、発光素子1と2つの受
光素子2a及び2bは1つの略コ字状の基台上に置かれ
ていて、その中点に例えば光ピックアップアクチュエー
タ等に関連してW方向に振られる遮光板4が垂下されて
いる。
【0008】遮光板4がW−W方向に移動することで、
2板の受光素子2a及び2b間の受光量は図16と同様
に変化するので、両受光素子2a及び2bの2板の夫々
の出力を加算アンプ5a及び5bで加算した後にこれら
両出力を差動アンプ6に供給することで両受光素子2a
及び2b間の差出力を出力端子Tに取り出すことが出来
る様に成されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来の図15で説明し
た位置検出器の場合は被検体3の例えばディスクに破線
で示す様な傾きが発生すると被検体3aと発光素子間の
距離D1 の検出が困難となる問題があった。又、従来の
ものでは距離D1 の測定と同時に傾き検出を行なうこと
が出来なかった。
【0010】更に図17に示す様な位置検出器では発光
素子1と受光素子2a及び2b間の距離が離れているた
めに、又中間に遮光板4等を設ける必要があるために検
出器が大型化する問題があった。
【0011】本発明は叙上の問題点を解消した位置検出
装置を提供しようとするもので、その目的とするところ
は反射面を有する被検体の傾きと発光素子から被検体ま
での距離を同時に検出出来て小型化が図れ、光学部品と
して各種検出が可能な位置検出装置を得ようとするもの
である。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の第1乃至第5の
請求項に係わる位置検出装置はその例が図に示されて
いる様に発光手段1と、この発光手段1を囲繞する様
に、発光手段1の中心を通って対向して配列された複数
の対で構成される受光素子2a,2b及び2c,2d
と、発光手段1から出射され、被検体3の反射面で反射
されて複数の対で構成される受光素子2a,2b及び2
c,2d間で入射する光の強度を変化させる手段とを有
することを特徴とする位置検出装置としたものである。
【0013】請求項2に係わる本発明は複数の対で構成
される受光素子2a,2b及び2c,2d間で入射する
光の強度を変化させる手段が、複数の対で構成される受
光素子2a,2b及び2c,2d間で高さ方向(Z軸方
向)に段差8を有する配置であることを特徴とする請求
項1記載の位置検出装置としたものである。 請求項3に
係わる本発明は複数の対で構成される受光素子2a,2
b及び2c,2d間で入射する光の強度を変化させる手
段が、発光素子1の発光面を被検体3の反射面に対して
傾けるものであることを特徴とする請求項1記載の位置
検出装置としたものである。 請求項4に係わる本発明は
複数の対で構成される受光素子2a,2b及び2c,2
d間で入射する光の強度を変化させる手段が、発光素子
1と複数の対で構成される受光素子2a,2b及び2
c,2d間の距離を不等とするものであることを特徴と
する請求項1記載の位置検出装置としたものである。
求項5に係わる本発明は複数の対で構成される受光素子
2a,2b及び2c,2d間で入射する光の強度を変化
させる手段が、光路中に配設された遮光部材30,31
であることを特徴とする請求項1記載の位置検出装置と
したものである。 請求項6に係わる本発明は複数の対で
構成される受光素子2a,2b及び2c,2d間で入射
する光の強度を変化に基づいて、被検体3の傾きと、被
検体3までの相対距離とを同時に検出する手段をさらに
有することを特徴とする請求項1記載の位置検出装置と
したものである。
【0014】
【作用】請求項1に係わる本発明の位置検出装置は発光
素子1を中心として囲繞する様に複数対の受光素子
a,2b及び2c,2dを配置して、受光素子3に入射
する発光素子と被検体3間の距離と傾きを計測可能な小
型な位置検出器を得ることが出来る。
【0015】請求項2乃至請求項6に係わる本発明の
置検出装置は発光素子1を中心として囲繞する様に対の
複数組の受光素子の一方に受光する光強度を種々の構成
変える様にしたので発光素子と被検体間の距離の検出
と被検体の傾き同時に検出可能な位置検出器を得るこ
とが出来る。
【0016】
【実施例】以下、本発明の位置検出装置を図面によって
詳記する。図1は本例の原理を示す配置図であり、X,
Y並にZ軸の交点に発光ダイオード等の発光素子1が配
され、Y軸及びX軸方向に発光素子1の中心点0から各
受光素子2a及び2bと、2c及び2dの中心点01
の距離D0 を等しく選択してX及びY平面上に十字型に
配列する。
【0017】上述の発光素子1及び4個の受光素子2a
〜2dは図2に示す様に略々十字型をした板材からなる
基台9上に貼着等の方法で固定されて、位置検出器10
を構成する。
【0018】この様な位置検出器10によってX軸方向
の傾き(スキュー)信号、Y軸方向のスキー信号並びに
Z軸方向距離信号(発光素子1の上面から反射面を有す
る被検体3までの距離)を同時に検出可能な回路図を図
3に示す。図3で位置検出器10のA及びCで示す受光
素子2c及び2d並にBとDで示す受光素子2a及び2
bが配列される方向をX−X軸及びY−Y軸とすると、
A及びCで示す受光素子2c及び2dからの出力信号を
差動アンプ11の非反転及び反転入力端子に供給し、出
力端子T1 に両受光素子の差信号を取り出してX軸方向
スキュー信号を得る。
【0019】同様にB及びDで示す受光素子2a及び2
bからの出力信号を差動アンプ12の非反転及び反転入
力端子に供給し、出力端子T2 に両受光素子の差信号を
取り出してY軸方向スキュー信号を得る。
【0020】更に、A,Cで示す受光素子2c及び2d
並にB,Dで示す受光素子2a及び2bの対の受光素子
からの出力を加算アンプ13及び14の各々の非反転入
力端子に供給し、これら両加算アンプ13及び14の出
力を差動アンプ15の非反転及び反転入力端子に供給し
て出力端子T3 にZ軸方向距離信号を取り出す様に構成
されている。
【0021】上述の如き位置検出器10で、例えば図5
に示す様に被検体3と直交する法線(Z軸)と発光素子
1から出射して反射面を有する被検体3で反射して、受
光素子2a〜2dに入射する出射光との成す角をθとし
たときの出射光の強度指向特性Iは次の式で表すことが
出来る。 I=cos2 θ ・・・(1)
【0022】この様な出射光の出射角θを横軸に強度I
を縦軸にとって(1)式をプロットした論理値曲線16
と、実験値曲線17との関係曲線を図4に示している。
この両曲線16及び17から解る様に、出射光の強度指
向特性曲線は略々論理値に近似させることが出来る。
【0023】上述の如き光の強度分布を変える方法は各
種考えられるが図5及び図6Aの様に発光素子1とX軸
又はY軸方向に対向して配置されているA及びCの受光
素子2c及び2d並にB及びDの受光素子2a及び2b
の内の例えば一方のAとBの受光素子2cと2aをX−
Y平面から距離Dだけ段差8を付けて配置する。勿論、
この場合発光素子1の中心点0から各受光素子2a〜2
dの中心点01 までの距離は図1と同様に距離D0 と等
しくする。
【0024】この時の発光素子1からの出射光の出射角
を図5で考えると、このX−Y平面から受光素子2cは
段差8で示す距離Dだけ下がっているので被検体3のX
−X軸に入射する法線(Z軸)となす角θ1 及びθ2
異なった値となりA及びCの受光素子2c及び2dに入
射される光強度は図4の様に変わることになる。
【0025】同様に受光素子2a〜2dに入射するスポ
ットの強度を変える方法としては図7Aに示す様に被検
体3の反射面に対し、発光素子1の発光面をX−X軸或
はY−Y軸方向等に傾けて配置し、A,B,C,Dで示
される受光素子2c,2a,2d,2bをX−Yの同一
平面内に配設させる様にしてもよい。
【0026】図6A及び図7Aに示す様な方法で受光素
子への照射スポットの強度を変化させると、例えば、X
軸上でのA及びCの受光素子2c及び2d上でのピーク
値は図6B及び図7Bの様に強度Iのピーク値はずれ
る。これらの二つの信号の差A−CをとってSカーブ1
8を作り、零点22点でX軸方向のスキューを求める様
にすればよい。
【0027】上述の場合はX軸方向について説明したが
Y軸方向スキューも同様にあるので詳細な説明は省略す
る。
【0028】Z軸方向の距離、即ち発光素子1表面と被
検体3間の距離D1 の測定は図3の回路図で説明した様
にAとCの受光素子2c及び2dの加算出力特性曲線1
9と、BとDの受光素子2a及び2bの加算出力特性2
0を同じく図6C及び図7Cに示す様に減算した(A+
C)−(B+D)に基づいてSカーブ21を検出し、S
カーブ21の零点でZ軸方向距離検出を行う様にすれば
よい。
【0029】図8は被検体3が例えばX軸方向に傾いた
時の出射強度の変わる理由を説明するための線図であ
る。
【0030】図8で発光素子1とX軸方向に配設された
A及びCの受光素子2c及び2dが同一のX−X平面上
にあるとした場合に、被検体3がX−X軸方向に傾く
と、発光素子1に垂直に立てたZ軸(法線)と発光素子
1からの出射光23及び24との成す出射角θ1 及びθ
2 は異なった値となりθ1 <θ2 と成る。
【0031】この場合、図4に示す様に出射角θ1 の小
さいAの受光素子2cの方が光の強度Iは大きくなる。
【0032】同様に図9の様に段差8を付けた場合のA
とCの受光素子2c及び2dの出力信号を加算した加算
アンプ13の出力と、BとDの受光素子2a及び2bの
出力信号を加算した加算アンプ14の出力とを考えた
時、発光素子1からの出射光25及び26と発光素子1
に垂直に立てた垂線(Z軸)との成す出射角θ3 とθ4
はθ3 >θ4 でθ4 側のBとDの受光素子2a及び2b
側の方が図4の実験値、計算値で共に光の強度Iが高く
なることが解る。
【0033】上述の如きX及びY方向のスキュー信号並
にZ軸方向の距離信号の出力特性を調べるために、図6
で説明した段差付きの位置検出器10を用いシミュレー
ションを行った。即ち、発光素子1と受光素子2a〜2
dを微小面積に分割し、夫々の微小面積について光線追
跡を行った。
【0034】今、1つの受光手段の出力をPとすると P=M∫ds∫(dss・n)cos2 θ/r2 ・・・(2) と書ける、ここで M :定数 ds :発光素子の微小面積 dss:受光素子、微小面積の被検体方向に向かう単位
法線ベクトル n :受光素子、微小面積の被検体上の反射点に向か
う単位ベクトル r :発光素子微小面積、被検体点、受光素子微小面
積を結ぶ距離
【0035】図6で説明した位置検出器のシミュレーシ
ョンを下記の如く行った。この時の位置検出器の条件は 発光素子1 :0.4mm×0.4mm 受光素子2a〜2d:0.7mm×0.7mm 被検体3の傾き X軸方向0.5度 Y軸方向0.5度 被検体3の位置はZ軸方向にプラス1mmとし、受光素
子2a〜2dと発光素子1間の距離はX,Y軸方向に3
mmの位置に配し、段差8の距離Dは0.5mmとし
た。
【0036】(2)式でMの値を1とした時の 受光素子Aの出力=139.13 受光素子Bの出力=172.28 受光素子Cの出力=130.72 受光素子Dの出力=170.85 以上の結果を用いてX軸方向の傾きを求めるとA−B=
8.40であり、同様にY軸方向の傾きを求めるとB−
D=8.43であった。
【0037】図10は被検体3の傾きを零度とし、横軸
をZ軸方向への移動量を、縦軸に加算アンプ13及び1
4並に減算アンプ15の出力を取っている。
【0038】この場合の加算アンプ13の出力は曲線2
7に、加算アンプ14の出力は曲線28に、減算アンプ
15の出力は曲線29に示す如くなり、極めて小さな移
動量も検出可能なことが解る。
【0039】上述の各実施例では対の受光素子2a及び
2bと2c及び2dの内の一方の受光素子2a及び2c
に段差8を設けるか、発光素子1を傾けることで被検体
3で反射して受光素子2a〜2dに入射する光強度を変
化させる方法を説明したが図11及び図12に示す様に
構成させてもよいことは明らかである。
【0040】図11の場合は発光素子1から出射した出
射光が被検体3で反射して同一平面上に配した一方の受
光素子2a又は2cに入射する光路の一部に光減衰部材
30,31を配設したものである。この場合は他方の受
光素子2b及び2dに入射する光の強度に比べて小さく
なるのでSカーブを作り出すことが出来る。勿論D0
値は等しく取ってある。
【0041】図12に示すものは同一平面上に配列した
4つの受光素子2a〜2dの中心0 1 と発光素子1の中
心点0との距離を対の受光素子2c及び2d間ではDX1
<D X2となし受光素子2a及び2b間ではDY1<DY2
して光強度を変化させる様にした場合である。
【0042】上述の位置検出器10ではT字状の基台9
上に発光素子1を中心にX及びY軸方向に4個のA〜D
の受光素子2c,2a,2d,2bを配設した例を説明
したが、例えば図13又は図14の様に構成してもよ
い。
【0043】図13に示すものは基台9を略々円盤状と
成し、発光素子1を中心にX−X及びY−Y軸方向に配
された受光素子2a〜2dに更に各象限のX軸及びY軸
から45度の位置に対向する様にEとGの受光素子2e
及び2fと同じく対向する様にFとHの受光素子2h及
び2gを設けたものである。この様に構成させればX及
びY軸方向に対し被検体が45度方向に傾いた時のスキ
ューも検出可能と成る。勿論受光素子の中心点0を中心
に囲繞する様にn等分する様にn個の受光素子を配する
ことも出来る。
【0044】更にn個の受光素子を発光素子1と同心的
な円環状のn個に分割したライン型センサとしてもよ
い。
【0045】図14に示す構成は三角形状の基台9にX
−X軸方向にAとCの2個の受光素子2c及び2dを配
し、Y軸方向にはDで示す1個の発光素子2bを配設し
た場合である。
【0046】本発明の位置検出装置は叙上の様に構成さ
せたので、反射面を有する被検体の傾きと発光素子から
被検体までの距離を同時に検出可能なものが得られ、1
つの素子として構成出来るのでフォトインタラプタの様
に小型化が図れ、多くの光学部品を用いずに1軸ガルバ
ノミラーの中点検出、スキュー検出、フォーカス検出或
は中点センサ等に利用可能と成る。
【0047】
【発明の効果】本発明によれば反射面を有する被検体の
傾きと距離を同時に検出することの出来る位置検出装置
が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の位置検出装置の一実施例を示す配置図
である。
【図2】本発明の位置検出装置の構成図である。
【図3】本発明の位置検出装置の回路図である。
【図4】本発明の説明に供する出射光強度指向特性の実
験値との比較図である。
【図5】本発明の位置検出装置の他の実施例を示す配置
図である。
【図6】本発明の位置検出装置の一実施例を示す説明図
である。
【図7】本発明の位置検出装置の他の実施例を示す説明
図である。
【図8】本発明の位置検出装置の強度分布説明図(I)
である。
【図9】本発明の位置検出装置の強度分布説明図(II)
である。
【図10】本発明の位置検出装置の被検体の移動量に対
する差動信号を示すグラフである。
【図11】本発明の位置検出装置の更に他の実施例を示
す配置図(I)である。
【図12】本発明の位置検出装置の更に他の実施例を示
す配置図(II)である。
【図13】本発明の他の位置検出装置の構成図である。
【図14】本発明の更に他の位置検出装置の構成図であ
る。
【図15】従来の段差型の位置検出装置の配置図であ
る。
【図16】従来の光の強度−振れ量との関係図である。
【図17】従来の中点型の位置検出装置の構成図であ
る。
【符号の説明】
1 発光素子 2a〜2g 受光素子 3 被検体 11,12,15 差動アンプ 13,14 加算アンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01V 8/20 G01B 11/00

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光手段と、 前記発光手段を囲繞する様に、該発光手段の中心を通っ
    て対向して配列された複数の対で構成される受光素子
    と、 前記発光手段から出射され、被検体の反射面で反射され
    て前記複数の対で構成される受光素子間で入射する光の
    強度を変化させる手段とを有する ことを特徴とする位置
    検出装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の対で構成される受光素子間で
    入射する光の強度を変化させる手段が、 前記複数の対で構成される受光素子間で高さ方向(Z軸
    方向)に段差を有する配置であることを特徴とする請求
    項1記載の位置検出装置。
  3. 【請求項3】 前記複数の対で構成される受光素子間で
    入射する光の強度を変化させる手段が、 前記発光素子の発光面を前記被検体の反射面に対して傾
    けるものであることを特徴とする請求項1記載の位置検
    出装置。
  4. 【請求項4】 前記複数の対で構成される受光素子間で
    入射する光の強度を変化させる手段が、 前記発光素子と前記複数の対で構成される受光素子間の
    距離を不等とするものであることを特徴とする請求項1
    記載の位置検出装置。
  5. 【請求項5】 前記複数の対で構成される受光素子間で
    入射する光の強度を変化させる手段が、 光路中に配設された遮光部材であることを特徴とする請
    求項1記載の位置検出装置。
  6. 【請求項6】前記複数の対で構成される受光素子間で入
    射する光の強度を変化に基づいて、前記被検体の傾き
    と、前記被検体までの相対距離とを同時に検出する手段
    をさらに有することを特徴とする請求項1記載の位置検
    出装置。
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