JP3222396U - モジュール光電変換層間のシール材 - Google Patents
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Abstract
【課題】太陽光発電モジュールの結晶シリコン型やハイブリッド型またはシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層間のシール材を光線透過および透明性を有し、光電変換効率向上のシール材を提供する。【解決手段】シリコン系および有機系ヘテロ接合光電変換層１の太陽光発電において、Ｎ型ＣＺＳｉ半導体にｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層を挟み、ａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層がｐｎ型またはｎｐ型であり、ｐｎ型またはｎｐ型のａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層を接合形成された光電変換層間に用いるシール材２を、光線透過の透明樹脂を用いて受光量を増加させる。【選択図】図１
Description
本考案は、太陽光発電モジュールの光電変換層間に用いられるシール材に関する。
太陽光発電の封止材としてのＥＶＡ樹脂（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）は、光線透過率が高く、透明性に優れていることが知られている。
監修 杉本栄一「太陽光発電システム構成材料」１・２太陽光発電（ＰＶ）システムと構成材料ｐ．９、３・３封止樹脂ｐ．３９〜４６、２００８年版、株式会社 工業調査会。
太陽光発電モジュールの光電変換層表裏面の封止材（樹脂）は、光線透過率および透明性に優れている。しかしながら、結晶シリコン型またはハイブリット型などのシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層間のシール（樹脂）材は、光線透過および透明性が無く、光電変換効率向上に欠点があった。また、ウエハーに孔（スルーホール）を空ける手法もあった。
太陽光発電のシリコン系またはシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層において、
該モジュールの光電変換層間のシール材に、光線透過および透明性の樹脂を用いて受光量の増加による変換効率向上を特徴とした光電変換層間のシール材。
該モジュールの光電変換層間のシール材に、光線透過および透明性の樹脂を用いて受光量の増加による変換効率向上を特徴とした光電変換層間のシール材。
本考案に係るシール材を透明性の樹脂にし、日射または発光の受光量の増加による光電変換効率向上および実用性の光起電力である。
図１に示す。シリコン系またはシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層１間のシール材２に、光線透過および透明性の樹脂を用いる。
図２に示す。光電変換層１間のシール材２を光線透過および透明性の樹脂を用いて、光電変換動作および光電変換効率を向上させる。
シール材２の光線透過および透明性樹脂は、封止樹脂（ＥＶＡのエチレン・酢酸ビニル共
光線透過率９１％が基本特性である。シール材２には光線透過および透明性の樹脂を用いた光電変換効率向上の構成にする。
特願２０１８−２４１７６６号のシール材は、可視光線透過率９０％のナノ結晶ダイヤモンド薄膜を用いた構成。または従来のシール材に孔（スルーホール）を設けた光電変換効率向上の構成である。
１ 光電変換層
２ シール材
３ 封止材（ＥＶＡ樹脂）
４ 表面ガラス（蓄光性蛍光粒子ドープ）
５ 保護フィルム（バックシート）
２ シール材
３ 封止材（ＥＶＡ樹脂）
４ 表面ガラス（蓄光性蛍光粒子ドープ）
５ 保護フィルム（バックシート）
本考案は、太陽光発電のモジュール光電変換層間に用いられるシール材に関する。
太陽光発電の封止材としてのＥＶＡ樹脂（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）は、光線透過率が高く、透明性に優れていることが知られている。
監修 杉本栄一「太陽光発電システム構成材料」１・２太陽光発電（ＰＶ）システムと構成材料ｐ．９、３・３封止樹脂ｐ．３９〜４６、２００８年版、株式会社 工業調査会。
太陽光発電モジュールの光電変換層表裏面の封止材（樹脂）は、光線透過率および透明性に優れている。しかしながら、結晶シリコン型またはハイブリット型などのシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層間のシール（樹脂）材は、光線透過および透明性が無く、光電変換効率向上に欠点があった。また、ウエハーに孔（スルーホール）を空ける手法もあった。
シリコン系および有機系ヘテロ接合光電変換層の太陽光発電において、
Ｎ型ＣＺＳｉ半導体にｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層を挟み、ａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層がｐｎ型またはｎｐ型であり、ｐｎ型またはｎｐ型のａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層を接合形成された光電変換層の間に用いるシール材を、光線透過の透明樹脂を用いて受光量を増加させ、光電変換効率向上を特徴としたモジュール光電変換層間のシール材。
Ｎ型ＣＺＳｉ半導体にｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層を挟み、ａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層がｐｎ型またはｎｐ型であり、ｐｎ型またはｎｐ型のａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層を接合形成された光電変換層の間に用いるシール材を、光線透過の透明樹脂を用いて受光量を増加させ、光電変換効率向上を特徴としたモジュール光電変換層間のシール材。
本考案に係るシール材を光線透過の透明樹脂を用い、日射または発光の受光量を増加させ、光電変換効率および光起電力向上のモジュールの光電変換層である。
図１・図２に示す。シリコン系と有機系ヘテロ接合太陽光発電の光電変換層は、Ｎ型ＣＺＳｉ半導体１にｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層２・５を挟み、ａ−Ｓｉ薄膜半導体層３・６およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層４・７がｐｎ型またはｎｐ型であり、ｐｎ型またはｎｐ型のａ−Ｓｉ薄膜半導体層３・６およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層４・７を接合形成された光電変換層であり、この光電変換層１〜７間に用いるシール材１４を、光線透過の透明樹脂を用いて受光量を増加し、光電変換動作および光起電力を向上させる。したがって、モジュール光電変換層１〜７間のシール材１４を光線透過の透明樹脂を使用する。
シール材１４の光線透過率および透明性樹脂は、封止樹脂（ＥＶＡのエチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）などを用いるのが望ましい。例えば、三井化学ファブロ（株）のソーラーエ
線透過率の透明樹脂を使用し、光電変換動作および変換効率を向上させる。
特願２０１８−２４１７６６号のシール材は、可視光線透過率９０％のナノ結晶ダイヤモンド薄膜を用いた構成。または従来のシール材に孔（スルーホール）を設けた光電変換効率向上の構成。
１ Ｎ型ＣＺＳｉ半導体
２ ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層
３ ｎ型ａ−Ｓｉ薄膜半導体層
４ ｐ型ＳＷＣＮＴ薄膜半導体層
５ ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層
６ ｐ型ａ−Ｓｉ薄膜半導体層
７ ｎ型ＳＷＣＮＴ薄膜半導体層
８ 透明導電膜
９ 集電極
１０ 反射板
１１ 保護フィルム
１２ 蓄光性蛍光粒子
１３ 透明基板
１４ シール材
２ ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層
３ ｎ型ａ−Ｓｉ薄膜半導体層
４ ｐ型ＳＷＣＮＴ薄膜半導体層
５ ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層
６ ｐ型ａ−Ｓｉ薄膜半導体層
７ ｎ型ＳＷＣＮＴ薄膜半導体層
８ 透明導電膜
９ 集電極
１０ 反射板
１１ 保護フィルム
１２ 蓄光性蛍光粒子
１３ 透明基板
１４ シール材
Claims (1)
- 太陽光発電のシリコン系またはシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層において、
該モジュールの光電変換層間のシール材に、光線透過および透明性の樹脂を用いて、受光量の増加による光電変換効率向上を特徴とした光電変換層間のシール材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019000883U JP3222396U (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | モジュール光電変換層間のシール材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019000883U JP3222396U (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | モジュール光電変換層間のシール材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3222396U true JP3222396U (ja) | 2019-08-01 |
Family
ID=67470769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019000883U Active JP3222396U (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | モジュール光電変換層間のシール材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3222396U (ja) |
-
2019
- 2019-02-22 JP JP2019000883U patent/JP3222396U/ja active Active
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