JP3221452B2 - 電圧/電流変換回路 - Google Patents
電圧/電流変換回路Info
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- JP3221452B2 JP3221452B2 JP08948592A JP8948592A JP3221452B2 JP 3221452 B2 JP3221452 B2 JP 3221452B2 JP 08948592 A JP08948592 A JP 08948592A JP 8948592 A JP8948592 A JP 8948592A JP 3221452 B2 JP3221452 B2 JP 3221452B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、信号電圧を信号電流
に変換する回路に関する。
に変換する回路に関する。
【0002】
【従来の技術】ICにおいて、信号処理を電流の状態で
行うことができれば、その電源電圧を低くすることがで
き、例えば、ラジオ受信機用のICの場合、電池の電圧
がかなり低下しても、放送を受信することができる。
行うことができれば、その電源電圧を低くすることがで
き、例えば、ラジオ受信機用のICの場合、電池の電圧
がかなり低下しても、放送を受信することができる。
【0003】そこで、信号電圧を電流に変換する変換回
路として、図4あるいは図5に示すような回路が考えら
れている。
路として、図4あるいは図5に示すような回路が考えら
れている。
【0004】すなわち、図4の変換回路においては、ト
ランジスタQ1 〜Q3 がカレントミラー回路1を構成
し、定電流源Q0 からトランジスタQ1 に直流電流I0
が供給され、端子T1 に入力信号電圧ΔVが供給され
る。
ランジスタQ1 〜Q3 がカレントミラー回路1を構成
し、定電流源Q0 からトランジスタQ1 に直流電流I0
が供給され、端子T1 に入力信号電圧ΔVが供給され
る。
【0005】したがって、抵抗器R1 に流れる信号電流
ΔIは、 ΔI=ΔV/(R1 +re ) ・・・・・・・・・ (1) re =(kT/ΔV)(1/I0 ) ・・・・・・・・・ (2) (re :トランジスタQ1 の入力インピーダンス)とな
るので、値re が抵抗器R1 に比べて十分に小さいとす
れば、 ΔI=ΔV/R1 ・・・・・・・・・ (3) となる。したがって、信号電圧ΔVは、抵抗器R1 によ
り信号電流ΔIに変換され、この信号電流ΔIがトラン
ジスタQ1 を流れる。
ΔIは、 ΔI=ΔV/(R1 +re ) ・・・・・・・・・ (1) re =(kT/ΔV)(1/I0 ) ・・・・・・・・・ (2) (re :トランジスタQ1 の入力インピーダンス)とな
るので、値re が抵抗器R1 に比べて十分に小さいとす
れば、 ΔI=ΔV/R1 ・・・・・・・・・ (3) となる。したがって、信号電圧ΔVは、抵抗器R1 によ
り信号電流ΔIに変換され、この信号電流ΔIがトラン
ジスタQ1 を流れる。
【0006】そして、トランジスタQ1 〜Q3 がカレン
トミラー回路1を構成しているので、トランジスタQ2
、Q3 のコレクタには、信号電流ΔIが出力される。
トミラー回路1を構成しているので、トランジスタQ2
、Q3 のコレクタには、信号電流ΔIが出力される。
【0007】また、図5の変換回路においては、トラン
ジスタQ4 、Q5 により差動アンプ2が構成され、トラ
ンジスタQ6 、Q7 によりカレントミラー回路3が構成
されるとともに、これら回路2、3によりトランジスタ
Q1 に負帰還がかけられている。
ジスタQ4 、Q5 により差動アンプ2が構成され、トラ
ンジスタQ6 、Q7 によりカレントミラー回路3が構成
されるとともに、これら回路2、3によりトランジスタ
Q1 に負帰還がかけられている。
【0008】したがって、この回路においても、(3) 式
が成立し、入力信号電圧ΔVが信号電流ΔIに変換さ
れ、トランジスタQ2 、Q3 のコレクタに、信号電流Δ
Iが出力される。
が成立し、入力信号電圧ΔVが信号電流ΔIに変換さ
れ、トランジスタQ2 、Q3 のコレクタに、信号電流Δ
Iが出力される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図4の変換
回路において、トランジスタQ1 の入力インピーダンス
re が、抵抗器R1 に比べて無視できない場合には、
(3) 式が成立しなくなり、(1) 式にしたがうことにな
る。しかし、(1) 式において、入力インピーダンスre
はリニアではないので、信号電圧ΔVが信号電流ΔIに
変換されるとき、その電流ΔIが歪んでしまい、結果と
して、出力電流ΔIが歪んでしまう。
回路において、トランジスタQ1 の入力インピーダンス
re が、抵抗器R1 に比べて無視できない場合には、
(3) 式が成立しなくなり、(1) 式にしたがうことにな
る。しかし、(1) 式において、入力インピーダンスre
はリニアではないので、信号電圧ΔVが信号電流ΔIに
変換されるとき、その電流ΔIが歪んでしまい、結果と
して、出力電流ΔIが歪んでしまう。
【0010】この歪みを小さくするには、(3) 式が成立
すればよく、そのためには、(2) 式から明らかなよう
に、定電流I0 を大きくすればよい。しかし、(3) 式が
十分に成立する程度に定電流I0 を大きくすると、消費
電流が増加してしまい、電池を電源とする場合、好まし
くない。
すればよく、そのためには、(2) 式から明らかなよう
に、定電流I0 を大きくすればよい。しかし、(3) 式が
十分に成立する程度に定電流I0 を大きくすると、消費
電流が増加してしまい、電池を電源とする場合、好まし
くない。
【0011】また、トランジスタQ1 〜Q3 の電流増幅
率が変化すると、それらのベース電流を無視できなくな
るので、電流利得が変化してしまう。
率が変化すると、それらのベース電流を無視できなくな
るので、電流利得が変化してしまう。
【0012】その点、図5の変換回路においては、負帰
還を利用しているので、歪みの発生を抑えることができ
るとともに、消費電流を小さくすることができる。
還を利用しているので、歪みの発生を抑えることができ
るとともに、消費電流を小さくすることができる。
【0013】しかし、この変換回路は、図からも明らか
なように、構成素子の数が多く、しかも、発振防止のた
め位相補正用のコンデンサC1 を必要とするので、IC
化したとき、半導体チップ上で大きな面積を必要として
しまう。
なように、構成素子の数が多く、しかも、発振防止のた
め位相補正用のコンデンサC1 を必要とするので、IC
化したとき、半導体チップ上で大きな面積を必要として
しまう。
【0014】この発明は、以上のような問題点を解決し
ようとするものである。
ようとするものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】このため、この発明にお
いては、各部の参照符号を後述の実施例に対応させる
と、ベース接地のトランジスタQ11が設けられ、このベ
ース接地のトランジスタQ11のエミッタに、抵抗器R11
が接続され、少なくとも2つのエミッタ接地のトランジ
スタQ12、Q13が設けられ、これらエミッタ接地のトラ
ンジスタQ12、Q13のベースが、ベース接地のトランジ
スタQ11のコレクタに接続され、エミッタ接地のトラン
ジスタQ12、Q13のうち、第1のトランジスタQ12のコ
レクタが、ベース接地のトランジスタQ11のエミッタに
接続され、抵抗器R11に信号電圧ΔVが供給されたと
き、エミッタ接地のトランジスタQ12、Q13のうち、第
2のトランジスタQ13のコレクタから、信号電圧ΔVか
ら変換された信号電流ΔIが取り出されるようにしたも
のである。
いては、各部の参照符号を後述の実施例に対応させる
と、ベース接地のトランジスタQ11が設けられ、このベ
ース接地のトランジスタQ11のエミッタに、抵抗器R11
が接続され、少なくとも2つのエミッタ接地のトランジ
スタQ12、Q13が設けられ、これらエミッタ接地のトラ
ンジスタQ12、Q13のベースが、ベース接地のトランジ
スタQ11のコレクタに接続され、エミッタ接地のトラン
ジスタQ12、Q13のうち、第1のトランジスタQ12のコ
レクタが、ベース接地のトランジスタQ11のエミッタに
接続され、抵抗器R11に信号電圧ΔVが供給されたと
き、エミッタ接地のトランジスタQ12、Q13のうち、第
2のトランジスタQ13のコレクタから、信号電圧ΔVか
ら変換された信号電流ΔIが取り出されるようにしたも
のである。
【0016】
【作用】トランジスタQ11〜Q13により、トランジスタ
Q12を入力側とし、トランジスタQ13を出力側としてカ
レントミラー回路11が構成されるとともに、トランジ
スタQ12によりトランジスタQ11に負帰還がかかる。し
たがって、抵抗器R11からカレントミラー回路11を見
たときのインピーダンスが十分に小さくなるので、信号
電圧ΔVは、抵抗器R11により信号電流ΔIにリニアに
変換され、この信号電流ΔIがトランジスタQ13から出
力される。
Q12を入力側とし、トランジスタQ13を出力側としてカ
レントミラー回路11が構成されるとともに、トランジ
スタQ12によりトランジスタQ11に負帰還がかかる。し
たがって、抵抗器R11からカレントミラー回路11を見
たときのインピーダンスが十分に小さくなるので、信号
電圧ΔVは、抵抗器R11により信号電流ΔIにリニアに
変換され、この信号電流ΔIがトランジスタQ13から出
力される。
【0017】
【実施例】図1において、入力端子T11が抵抗器R11を
通じてトランジスタQ11のエミッタに接続される。この
トランジスタQ11は、ベース接地の動作を行うもので、
そのエミッタがトランジスタQ32のコレクタに接続さ
れ、そのベースにバイアス電圧V11が供給され、そのコ
レクタがトランジスタQ35のコレクタに接続される。
通じてトランジスタQ11のエミッタに接続される。この
トランジスタQ11は、ベース接地の動作を行うもので、
そのエミッタがトランジスタQ32のコレクタに接続さ
れ、そのベースにバイアス電圧V11が供給され、そのコ
レクタがトランジスタQ35のコレクタに接続される。
【0018】この場合、トランジスタQ32は定電流源と
して動作するものであり、そのベースに所定のバイアス
電圧V31が供給され、そのエミッタが抵抗器R32を通じ
て電源端子T12に接続される。さらに、トランジスタQ
35は、トランジスタQ34とともにカレントミラー回路3
1を構成しているものであり、トランジスタQ34、Q35
のエミッタが抵抗器R34、R35を通じて接地され、それ
らのベースが互いに接続されるとともに、トランジスタ
Q34のコレクタに接続され、このコレクタがトランジス
タQ31のコレクタに接続される。このトランジスタQ31
も定電流源として動作するものであり、そのベースにバ
イアス電圧V31が供給され、そのエミッタが抵抗器R31
を通じて端子T12に接続される。
して動作するものであり、そのベースに所定のバイアス
電圧V31が供給され、そのエミッタが抵抗器R32を通じ
て電源端子T12に接続される。さらに、トランジスタQ
35は、トランジスタQ34とともにカレントミラー回路3
1を構成しているものであり、トランジスタQ34、Q35
のエミッタが抵抗器R34、R35を通じて接地され、それ
らのベースが互いに接続されるとともに、トランジスタ
Q34のコレクタに接続され、このコレクタがトランジス
タQ31のコレクタに接続される。このトランジスタQ31
も定電流源として動作するものであり、そのベースにバ
イアス電圧V31が供給され、そのエミッタが抵抗器R31
を通じて端子T12に接続される。
【0019】さらに、トランジスタQ11とは逆極性のト
ランジスタQ12が設けられ、そのベースがトランジスタ
Q11のコレクタに接続され、そのエミッタが抵抗器R12
を通じて接地されてトランジスタQ12はエミッタ接地と
されるとともに、そのコレクタがトランジスタQ11のエ
ミッタに接続される。また、トランジスタQ12と同極性
のトランジスタQ13、Q14が設けられ、それらのベース
がトランジスタQ11のコレクタに接続されるとともに、
それらのエミッタが抵抗器R13、R14を通じて接地され
る。
ランジスタQ12が設けられ、そのベースがトランジスタ
Q11のコレクタに接続され、そのエミッタが抵抗器R12
を通じて接地されてトランジスタQ12はエミッタ接地と
されるとともに、そのコレクタがトランジスタQ11のエ
ミッタに接続される。また、トランジスタQ12と同極性
のトランジスタQ13、Q14が設けられ、それらのベース
がトランジスタQ11のコレクタに接続されるとともに、
それらのエミッタが抵抗器R13、R14を通じて接地され
る。
【0020】そして、この例においては、電流出力がバ
ランス型に取り出されるように構成した場合であり、こ
のため、トランジスタQ13のコレクタが、トランジスタ
Q33のコレクタに接続されるとともに、カレントミラー
回路21に接続される。
ランス型に取り出されるように構成した場合であり、こ
のため、トランジスタQ13のコレクタが、トランジスタ
Q33のコレクタに接続されるとともに、カレントミラー
回路21に接続される。
【0021】すなわち、トランジスタQ33も、定電流源
として動作するものであり、そのベースにバイアス電圧
V12が供給され、そのエミッタが抵抗器R17を通じて端
子T12に接続される。さらに、カレントミラー回路21
においては、トランジスタQ13のコレクタが、トランジ
スタQ21のコレクタに接続されるとともに、トランジス
タQ23のベースに接続され、このトランジスタQ23のエ
ミッタがトランジスタQ21、Q22のベースに接続され、
これらトランジスタQ21、Q22のエミッタが抵抗器R2
1、Q22を通じて接地され、トランジスタQ23のコレク
タが端子T12に接続される。そして、トランジスタQ1
4、Q22のコレクタが、バランス型信号電流の出力点と
される。
として動作するものであり、そのベースにバイアス電圧
V12が供給され、そのエミッタが抵抗器R17を通じて端
子T12に接続される。さらに、カレントミラー回路21
においては、トランジスタQ13のコレクタが、トランジ
スタQ21のコレクタに接続されるとともに、トランジス
タQ23のベースに接続され、このトランジスタQ23のエ
ミッタがトランジスタQ21、Q22のベースに接続され、
これらトランジスタQ21、Q22のエミッタが抵抗器R2
1、Q22を通じて接地され、トランジスタQ23のコレク
タが端子T12に接続される。そして、トランジスタQ1
4、Q22のコレクタが、バランス型信号電流の出力点と
される。
【0022】なお、トランジスタQ32、Q33のベース・
エミッタ間の接合面積は、他のトランジスタのそれのN
倍(N>1)、例えば2倍とされる。また、対応する素
子は等しい特性とされ、例えば、R34=R35とされる。
エミッタ間の接合面積は、他のトランジスタのそれのN
倍(N>1)、例えば2倍とされる。また、対応する素
子は等しい特性とされ、例えば、R34=R35とされる。
【0023】このような構成において、まず、直流動作
について考えると、トランジスタQ31は定電流源として
動作しているので、 IDC:トランジスタQ31のコレクタ電流(直流分) とすれば、トランジスタQ34のコレクタ電流も電流IDC
となる。そして、トランジスタQ34、Q35はカレントミ
ラー回路31を構成しているので、トランジスタQ35の
コレクタ電流も電流IDCとなり、これによりトランジス
タQ11のエミッタ電流も電流IDCとなる。
について考えると、トランジスタQ31は定電流源として
動作しているので、 IDC:トランジスタQ31のコレクタ電流(直流分) とすれば、トランジスタQ34のコレクタ電流も電流IDC
となる。そして、トランジスタQ34、Q35はカレントミ
ラー回路31を構成しているので、トランジスタQ35の
コレクタ電流も電流IDCとなり、これによりトランジス
タQ11のエミッタ電流も電流IDCとなる。
【0024】また、このとき、トランジスタQ32のベー
ス・エミッタ間の接合面積は、トランジスタQ31のそれ
の2倍とされているので、トランジスタQ32のコレクタ
電流は電流2IDCとなる。そして、このコレクタ電流2
IDCのうち、電流IDCがトランジスタQ11のエミッタに
流れるので、トランジスタQ12のコレクタ電流も電流I
DCとなる。
ス・エミッタ間の接合面積は、トランジスタQ31のそれ
の2倍とされているので、トランジスタQ32のコレクタ
電流は電流2IDCとなる。そして、このコレクタ電流2
IDCのうち、電流IDCがトランジスタQ11のエミッタに
流れるので、トランジスタQ12のコレクタ電流も電流I
DCとなる。
【0025】さらに、トランジスタQ33のベース・エミ
ッタ間の接合面積も、トランジスタQ31のそれの2倍と
されているので、トランジスタQ33のコレクタ電流も電
流2IDCとなる。そして、このとき、トランジスタQ13
は、トランジスタQ12と等しいベースバイアスなので、
トランジスタQ13のコレクタ電流も電流IDCとなる。し
たがって、トランジスタQ21のコレクタ電流も電流IDC
となり、トランジスタQ22のコレクタ電流も電流IDCと
なる。
ッタ間の接合面積も、トランジスタQ31のそれの2倍と
されているので、トランジスタQ33のコレクタ電流も電
流2IDCとなる。そして、このとき、トランジスタQ13
は、トランジスタQ12と等しいベースバイアスなので、
トランジスタQ13のコレクタ電流も電流IDCとなる。し
たがって、トランジスタQ21のコレクタ電流も電流IDC
となり、トランジスタQ22のコレクタ電流も電流IDCと
なる。
【0026】そして、続いて交流動作について考える
と、トランジスタQ35も定電流源として動作しているの
で、この変換回路を等価的に示すと、図2のようにな
る。ただし、この図においては、カレントミラー回路2
1は省略している。
と、トランジスタQ35も定電流源として動作しているの
で、この変換回路を等価的に示すと、図2のようにな
る。ただし、この図においては、カレントミラー回路2
1は省略している。
【0027】そして、この図からも明らかなように、ト
ランジスタQ11がベース接地のアンプとして動作し、ト
ランジスタQ12が、トランジスタQ11のコレクタ出力に
対してエミッタ接地のアンプとして動作するとともに、
トランジスタQ12のコレクタ出力が、トランジスタQ11
のエミッタに100 %負帰還されるので、トランジスタQ
11、Q12による利得がそのまま負帰還量となる。
ランジスタQ11がベース接地のアンプとして動作し、ト
ランジスタQ12が、トランジスタQ11のコレクタ出力に
対してエミッタ接地のアンプとして動作するとともに、
トランジスタQ12のコレクタ出力が、トランジスタQ11
のエミッタに100 %負帰還されるので、トランジスタQ
11、Q12による利得がそのまま負帰還量となる。
【0028】したがって、抵抗器R11からトランジスタ
Q11側を見たインピーダンスは、抵抗器R11に比べて十
分に低くなるので、端子T11に入力信号電圧ΔVが供給
されると、抵抗器R11には、 ΔI=ΔV/R11 ・・・・・・・・・ (4) で示される信号電流ΔIが流れ、すなわち、信号電圧Δ
Vは信号電流ΔIに変換されてトランジスタQ11に流れ
る。
Q11側を見たインピーダンスは、抵抗器R11に比べて十
分に低くなるので、端子T11に入力信号電圧ΔVが供給
されると、抵抗器R11には、 ΔI=ΔV/R11 ・・・・・・・・・ (4) で示される信号電流ΔIが流れ、すなわち、信号電圧Δ
Vは信号電流ΔIに変換されてトランジスタQ11に流れ
る。
【0029】そして、トランジスタQ11はベース接地の
動作をしているので、抵抗器R11からの信号電流ΔI
は、トランジスタQ11のエミッタ・コレクタ間を通じて
トランジスタQ12〜Q14のベースに供給されるととも
に、トランジスタQ12〜Q14は等しいベースバイアスと
なっている。したがって、トランジスタQ12〜Q14は、
トランジスタQ12を入力側、トランジスタQ13、Q14を
出力側とするカレントミラー回路11として動作するの
で、トランジスタQ13、Q14のコレクタには、互いに同
相の信号電流ΔIがそれぞれ流れる。
動作をしているので、抵抗器R11からの信号電流ΔI
は、トランジスタQ11のエミッタ・コレクタ間を通じて
トランジスタQ12〜Q14のベースに供給されるととも
に、トランジスタQ12〜Q14は等しいベースバイアスと
なっている。したがって、トランジスタQ12〜Q14は、
トランジスタQ12を入力側、トランジスタQ13、Q14を
出力側とするカレントミラー回路11として動作するの
で、トランジスタQ13、Q14のコレクタには、互いに同
相の信号電流ΔIがそれぞれ流れる。
【0030】そして、図1において、トランジスタQ13
のコレクタには、コレクタ電流(直流分)IDC及び信号
電流ΔIが流れ、トランジスタQ33のコレクタにはコレ
クタ電流2IDCが流れるので、カレントミラー回路21
のトランジスタQ21には、電流(IDC−ΔI)が供給さ
れことになり、トランジスタQ22のコレクタには逆相の
信号電流−ΔIが出力される。
のコレクタには、コレクタ電流(直流分)IDC及び信号
電流ΔIが流れ、トランジスタQ33のコレクタにはコレ
クタ電流2IDCが流れるので、カレントミラー回路21
のトランジスタQ21には、電流(IDC−ΔI)が供給さ
れことになり、トランジスタQ22のコレクタには逆相の
信号電流−ΔIが出力される。
【0031】こうして、端子T11に信号電圧ΔVが供給
されると、この電圧ΔVが抵抗器R11により信号電流Δ
Iに変換され、この信号電流ΔIが、トランジスタQ1
4、Q22のコレクタから互いに逆相の1対の出力電流と
して取り出される。
されると、この電圧ΔVが抵抗器R11により信号電流Δ
Iに変換され、この信号電流ΔIが、トランジスタQ1
4、Q22のコレクタから互いに逆相の1対の出力電流と
して取り出される。
【0032】そして、この場合、トランジスタQ11のコ
レクタ出力は、トランジスタQ12を通じて、トランジス
タQ11のエミッタに100 %負帰還され、トランジスタQ
11、Q12による利得がそのまま負帰還量となっているの
で、抵抗器R11からトランジスタQ11側を見たインピー
ダンスは、抵抗器R11に比べて十分に低くなり、したが
って、(4) 式が十分に成立するので、抵抗器R11を流れ
る信号電流ΔIは十分に歪みの少ない信号電流となり、
したがって、トランジスタQ14、Q22のコレクタに出力
される信号電流ΔIも、十分に歪みの少ない信号電流と
なる。
レクタ出力は、トランジスタQ12を通じて、トランジス
タQ11のエミッタに100 %負帰還され、トランジスタQ
11、Q12による利得がそのまま負帰還量となっているの
で、抵抗器R11からトランジスタQ11側を見たインピー
ダンスは、抵抗器R11に比べて十分に低くなり、したが
って、(4) 式が十分に成立するので、抵抗器R11を流れ
る信号電流ΔIは十分に歪みの少ない信号電流となり、
したがって、トランジスタQ14、Q22のコレクタに出力
される信号電流ΔIも、十分に歪みの少ない信号電流と
なる。
【0033】すなわち、このアンプにおいては、 ΔI=ΔV/(R11+n・R11/β+n・re /β) ・・・・・・・・・ (5) re =(kT/ΔV)(1/Is ) (re :トランジスタQ11の入力インピーダンス) n :信号電流ΔIを取り出しているトランジスタの数 この例においては、n=2(トランジスタQ13、Q14) β :トランジスタQ12〜Q14の電流増幅率 となる。
【0034】したがって、(5) 式における、トランジス
タQ11の入力インピーダンスre の項は、(1) 式に比べ
てn/β倍になり、入力インピーダンスre のノンリニ
ア特性に起因する歪みは、大幅に減少する。特に、電流
増幅率βが十分に大きいとすれば、(5) 式における入力
インピーダンスre の項(及びn・R11/βの項)を無
視できるので、上述のように(4) 式が成立する。
タQ11の入力インピーダンスre の項は、(1) 式に比べ
てn/β倍になり、入力インピーダンスre のノンリニ
ア特性に起因する歪みは、大幅に減少する。特に、電流
増幅率βが十分に大きいとすれば、(5) 式における入力
インピーダンスre の項(及びn・R11/βの項)を無
視できるので、上述のように(4) 式が成立する。
【0035】こうして、この発明によれば、抵抗器R11
により信号電圧ΔVを電圧/電流変換し、その信号電流
ΔIをベース接地のトランジスタQ11により受けるとと
もに、そのトランジスタQ11にエミッタ接地のトランジ
スタQ12により100 %の負帰還をかけているので、トラ
ンジスタQ11の入力インピーダンスのノンリニア特性を
無視することができ、信号電圧ΔVを十分に歪みの少な
い信号電流ΔIに変換することができる。
により信号電圧ΔVを電圧/電流変換し、その信号電流
ΔIをベース接地のトランジスタQ11により受けるとと
もに、そのトランジスタQ11にエミッタ接地のトランジ
スタQ12により100 %の負帰還をかけているので、トラ
ンジスタQ11の入力インピーダンスのノンリニア特性を
無視することができ、信号電圧ΔVを十分に歪みの少な
い信号電流ΔIに変換することができる。
【0036】そして、図1からも明らかなように、構成
素子の数が少なく、しかも、コンデンサを必要としない
ので、IC化した場合でも、その半導体チップにおいて
占める面積を小さくすることができる。
素子の数が少なく、しかも、コンデンサを必要としない
ので、IC化した場合でも、その半導体チップにおいて
占める面積を小さくすることができる。
【0037】さらに、複数の信号電流ΔIを取り出して
も、利得の変化が少ない。また、端子T12の電圧が低く
ても動作する。
も、利得の変化が少ない。また、端子T12の電圧が低く
ても動作する。
【0038】図3は、図1におけるカレントミラー回路
21を設けないとともに、トランジスタQ11〜Q14、Q
31、Q32、Q34、Q35を、図1のそれとは逆極性にした
場合である。なお、トランジスタQ36、Q37は、トラン
ジスタQ11のベースバイアス用である。
21を設けないとともに、トランジスタQ11〜Q14、Q
31、Q32、Q34、Q35を、図1のそれとは逆極性にした
場合である。なお、トランジスタQ36、Q37は、トラン
ジスタQ11のベースバイアス用である。
【0039】そして、図1の例においては、トランジス
タQ13、Q14のコレクタから出力される信号電流ΔIが
吸い込み型であったのに比べ、この例によれば、トラン
ジスタQ13、Q14のコレクタから出力される信号電流Δ
Iは吐き出し型となる。
タQ13、Q14のコレクタから出力される信号電流ΔIが
吸い込み型であったのに比べ、この例によれば、トラン
ジスタQ13、Q14のコレクタから出力される信号電流Δ
Iは吐き出し型となる。
【0040】なお、上述において、トランジスタQ12、
Q13に、これらと同様に(n−2)個のトランジスタを
並列接続して、全部でn個の信号電流ΔIを取り出すこ
ともできる。また、トランジスタQ12〜Q14のベース・
エミッタ間の接合面積を、トランジスタQ11のそれのM
倍(M>1)とすれば、トランジスタQ11〜Q14の間で
電流利得を得ることができる。
Q13に、これらと同様に(n−2)個のトランジスタを
並列接続して、全部でn個の信号電流ΔIを取り出すこ
ともできる。また、トランジスタQ12〜Q14のベース・
エミッタ間の接合面積を、トランジスタQ11のそれのM
倍(M>1)とすれば、トランジスタQ11〜Q14の間で
電流利得を得ることができる。
【0041】
【発明の効果】この発明によれば、抵抗器R11により信
号電圧ΔVを電圧/電流変換し、その信号電流ΔIをベ
ース接地のトランジスタQ11により受けるとともに、そ
のトランジスタQ11にエミッタ接地のトランジスタQ12
により100 %の負帰還をかけているので、トランジスタ
Q11の入力インピーダンスのノンリニア特性を無視する
ことができ、信号電圧ΔVを十分に歪みの少ない信号電
流ΔIに変換することができる。
号電圧ΔVを電圧/電流変換し、その信号電流ΔIをベ
ース接地のトランジスタQ11により受けるとともに、そ
のトランジスタQ11にエミッタ接地のトランジスタQ12
により100 %の負帰還をかけているので、トランジスタ
Q11の入力インピーダンスのノンリニア特性を無視する
ことができ、信号電圧ΔVを十分に歪みの少ない信号電
流ΔIに変換することができる。
【0042】そして、図1からも明らかなように、構成
素子の数が少なく、しかも、コンデンサを必要としない
ので、IC化した場合でも、その半導体チップにおいて
占める面積を小さくすることができる。
素子の数が少なく、しかも、コンデンサを必要としない
ので、IC化した場合でも、その半導体チップにおいて
占める面積を小さくすることができる。
【0043】さらに、複数の信号電流ΔIを取り出して
も、利得の変化が少ない。また、端子T12の電圧が低く
ても動作する。
も、利得の変化が少ない。また、端子T12の電圧が低く
ても動作する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一例を示す接続図である。
【図2】図1の等価回路図である。
【図3】この発明の他の例を示す接続図である。
【図4】従来例を示す接続図である。
【図5】他の従来例を示す接続図である。
11〜31 カレントミラー回路 R11〜R35 抵抗器 T11 入力端子 Q11〜Q35 トランジスタ
Claims (2)
- 【請求項1】ベース接地のトランジスタが設けられ、 このベース接地のトランジスタのエミッタに、抵抗器が
接続され、 少なくとも2つのエミッタ接地のトランジスタが設けら
れ、 これらエミッタ接地のトランジスタのベースが、上記ベ
ース接地のトランジスタのコレクタに接続され、 上記エミッタ接地のトランジスタのうち、第1のトラン
ジスタのコレクタが、上記ベース接地のトランジスタの
エミッタに接続され、 上記抵抗器に信号電圧が供給されたとき、上記エミッタ
接地のトランジスタのうち、第2のトランジスタのコレ
クタから、上記信号電圧から変換された信号電流が取り
出されるようにした電圧/電流変換回路。 - 【請求項2】ベース接地のトランジスタが設けられ、 このベース接地のトランジスタのエミッタに、抵抗器が
接続され、 少なくとも3つのエミッタ接地のトランジスタが設けら
れ、 これらエミッタ接地のトランジスタのベースが、上記ベ
ース接地のトランジスタのコレクタに接続され、 上記エミッタ接地のトランジスタのうち、第1のトラン
ジスタのコレクタが、上記ベース接地のトランジスタの
エミッタに接続され、 上記エミッタ接地のトランジスタうち、第2のトランジ
スタのコレクタが、カレントミラー回路に接続され、 上記抵抗器に信号電圧が供給されたとき、上記エミッタ
接地のトランジスタのうち、第3のトランジスタのコレ
クタ及び上記カレントミラー回路から、上記信号電圧か
ら変換され、かつ、互いに逆相の信号電流が取り出され
るようにした電圧/電流変換回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08948592A JP3221452B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 電圧/電流変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08948592A JP3221452B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 電圧/電流変換回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05259757A JPH05259757A (ja) | 1993-10-08 |
JP3221452B2 true JP3221452B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=13972049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08948592A Expired - Fee Related JP3221452B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 電圧/電流変換回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3221452B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP08948592A patent/JP3221452B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05259757A (ja) | 1993-10-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |