JP3219855B2 - ガス測定方法及びガス測定装置 - Google Patents
ガス測定方法及びガス測定装置Info
- Publication number
- JP3219855B2 JP3219855B2 JP18997792A JP18997792A JP3219855B2 JP 3219855 B2 JP3219855 B2 JP 3219855B2 JP 18997792 A JP18997792 A JP 18997792A JP 18997792 A JP18997792 A JP 18997792A JP 3219855 B2 JP3219855 B2 JP 3219855B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- gas
- measurement
- difference
- measurement sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガス測定方法及び該ガ
ス測定方法の実施に使用するガスセンサ、より詳細に
は、半導体ガスセンサの寿命を検知可能なガス測定方法
及び該ガス測定方法の実施に使用して好適なガスセンサ
測定装置に関する。
ス測定方法の実施に使用するガスセンサ、より詳細に
は、半導体ガスセンサの寿命を検知可能なガス測定方法
及び該ガス測定方法の実施に使用して好適なガスセンサ
測定装置に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体ガスセンサは、加熱した金属酸化物
半導体、例えば、ＳｎＯ2に還元ガスを反応させると抵
抗値が減少することを利用し、さまざまなガスを検出す
るようになっている。このセンサは加熱しないと作動し
ないため、ヒータを必要とし、このヒータの加熱のため
にかなりの電力を要し、従来のセンサではＡＣ電源が不
可欠であった。
半導体、例えば、ＳｎＯ2に還元ガスを反応させると抵
抗値が減少することを利用し、さまざまなガスを検出す
るようになっている。このセンサは加熱しないと作動し
ないため、ヒータを必要とし、このヒータの加熱のため
にかなりの電力を要し、従来のセンサではＡＣ電源が不
可欠であった。
【０００３】この点を改良すべく、架橋構造や片持梁構
造等、空気中に張り出させた張り出し部を設け、この張
り出し部の上に金属酸化物半導体を形成するようにし、
もって、熱容量を可及的に小さくして応答特性を上げ、
且つ消費電力を低下させる試みが成されている。
造等、空気中に張り出させた張り出し部を設け、この張
り出し部の上に金属酸化物半導体を形成するようにし、
もって、熱容量を可及的に小さくして応答特性を上げ、
且つ消費電力を低下させる試みが成されている。
【０００４】図５は、片持梁構造に形成されたガス検出
器の一例を説明するための構成図で、（ａ）図は平面
図、（ｂ）図は（ａ）図のＢ−Ｂ線断面図で、図中、１
０は基板、１１は該基板１０に形成された凹部、１２は
前記基板１０の上に形成されたシリコンチップの薄膜絶
縁体で、該薄膜絶縁体１２は前記凹部１１の上に片持梁
式に張り出す張り出し部又は前記凹部の上に両持梁式に
架橋される橋架部１２を有し、該張り出し部又は橋架部
１２の上に、抵抗発熱体１３及び該抵抗発熱体１３に近
接してガス検出素子１４が設けられている。なお、この
ガス検出素子１４は、具体的には、前述のようにＳｎＯ
2の金属酸化物半導体である。前記凹部１１、張り出し
部１２、抵抗発熱体部１３、ガス検出部１４は、好まし
くは、同一基板１０上に形成されている。
器の一例を説明するための構成図で、（ａ）図は平面
図、（ｂ）図は（ａ）図のＢ−Ｂ線断面図で、図中、１
０は基板、１１は該基板１０に形成された凹部、１２は
前記基板１０の上に形成されたシリコンチップの薄膜絶
縁体で、該薄膜絶縁体１２は前記凹部１１の上に片持梁
式に張り出す張り出し部又は前記凹部の上に両持梁式に
架橋される橋架部１２を有し、該張り出し部又は橋架部
１２の上に、抵抗発熱体１３及び該抵抗発熱体１３に近
接してガス検出素子１４が設けられている。なお、この
ガス検出素子１４は、具体的には、前述のようにＳｎＯ
2の金属酸化物半導体である。前記凹部１１、張り出し
部１２、抵抗発熱体部１３、ガス検出部１４は、好まし
くは、同一基板１０上に形成されている。
【０００５】上記従来技術によって、ＳｎＯ2の金属酸
化物半導体を薄膜化可能とし、かつ、該金属酸化物半導
体支持部材の熱容量を小さくすることを可能にし、もっ
て、微小なヒータで加熱が可能となり、更には、応答速
度が０.５〜０.６ｍｓと非常に速いため、ヒータをパル
ス駆動で使用することができるようになった。この結
果、消費電力は従来のものに比べて１／３０〜１／５０
で済むようになった。
化物半導体を薄膜化可能とし、かつ、該金属酸化物半導
体支持部材の熱容量を小さくすることを可能にし、もっ
て、微小なヒータで加熱が可能となり、更には、応答速
度が０.５〜０.６ｍｓと非常に速いため、ヒータをパル
ス駆動で使用することができるようになった。この結
果、消費電力は従来のものに比べて１／３０〜１／５０
で済むようになった。
【０００６】前述のごとく構成することによって、ヒー
タをパルス駆動することで消費電力を大幅に押えること
が可能となったが、その反面、センサ自体の性能劣化が
大きくなった。しかし、半導体ガスセンサは、測定動作
を繰り返すと、測定回数に比例する傾向でその感度が徐
々に低下し、センサの性能が劣化すると、空気中での抵
抗値と、ガス中での抵抗値の差が小さくなってくる。ま
た、半導体ガスセンサは製造ロットによる特性のバラツ
キがあるが、ガスの濃度がある一定値を越えた時に反応
するようなセンサにおいては、このような特性のバラツ
キ或いは前述のような特性の劣化は致命的である。
タをパルス駆動することで消費電力を大幅に押えること
が可能となったが、その反面、センサ自体の性能劣化が
大きくなった。しかし、半導体ガスセンサは、測定動作
を繰り返すと、測定回数に比例する傾向でその感度が徐
々に低下し、センサの性能が劣化すると、空気中での抵
抗値と、ガス中での抵抗値の差が小さくなってくる。ま
た、半導体ガスセンサは製造ロットによる特性のバラツ
キがあるが、ガスの濃度がある一定値を越えた時に反応
するようなセンサにおいては、このような特性のバラツ
キ或いは前述のような特性の劣化は致命的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、半導体
ガスセンサは、使用中に性能が劣化し、或いは、製造過
程でのバラツキがあり、性能がある値以下においては、
ガスを全く検知できなくなるため、従来より、予め、安
全を見込んだ使用可能回数を設定し、測定回数がその設
定値に達したらセンサを交換するようにしている。しか
し、その場合、特性の悪い（寿命回数が短い）センサに
使用可能回数を合わせざるをえないため、特性の良いセ
ンサを犠牲にしており、実質的なセンサの耐用年数を短
くしている。
ガスセンサは、使用中に性能が劣化し、或いは、製造過
程でのバラツキがあり、性能がある値以下においては、
ガスを全く検知できなくなるため、従来より、予め、安
全を見込んだ使用可能回数を設定し、測定回数がその設
定値に達したらセンサを交換するようにしている。しか
し、その場合、特性の悪い（寿命回数が短い）センサに
使用可能回数を合わせざるをえないため、特性の良いセ
ンサを犠牲にしており、実質的なセンサの耐用年数を短
くしている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）請求項１の発明は、ガス検出素子
と該ガス検出素子に近接して配設された抵抗発熱体とか
ら成り、かつ、形状、特性の揃った２個のセンサを近接
して有し、一方のセンサを通常の測定用センサとして常
時使用し、他方のセンサを前記測定用センサの特性劣化
を判定するための基準用センサとして時々使用し、前記
測定用センサの出力と基準用センサの出力との差より前
記測定用センサの特性劣化を検知するようにしたこと、
更には、（２）請求項１の発明において、前記測定用セ
ンサの出力と基準用センサの出力との差が閾値以上にな
ったとき、報知手段によって報知すること、更には、
（３）請求項１又は２の発明において、前記測定用セン
サが所定回数センシングすると、前記基準用センサが前
記測定用センサと同時にセンシングをして、両センサの
出力の差をとること、或いは、（４）ガス検出素子と該
ガス検出素子に近接して配設された抵抗発熱体とから成
り、かつ、形状、特性の揃った２個のセンサを近接して
有し、一方のセンサを通常の測定用センサとして常時使
用し、他方のセンサを前記測定用センサの特性劣化を判
定するための基準用センサとして時々使用するガス測定
装置であって、前記２個のセンサの検出出力の差を予め
記憶しておく記憶手段と、前記測定用センサを前記基準
用センサに切り換えて該測定用センサと基準用センサの
検出出力の差を求める計算をする演算手段と、前記記憶
手段に記憶された前記差と前記演算手段によって算出さ
れた前記差とを比較する比較回路とを有し、該比較回路
の差出力信号より前記測定用センサの劣化を検出するよ
うにしたことを特徴としたものである。
決するために、（１）請求項１の発明は、ガス検出素子
と該ガス検出素子に近接して配設された抵抗発熱体とか
ら成り、かつ、形状、特性の揃った２個のセンサを近接
して有し、一方のセンサを通常の測定用センサとして常
時使用し、他方のセンサを前記測定用センサの特性劣化
を判定するための基準用センサとして時々使用し、前記
測定用センサの出力と基準用センサの出力との差より前
記測定用センサの特性劣化を検知するようにしたこと、
更には、（２）請求項１の発明において、前記測定用セ
ンサの出力と基準用センサの出力との差が閾値以上にな
ったとき、報知手段によって報知すること、更には、
（３）請求項１又は２の発明において、前記測定用セン
サが所定回数センシングすると、前記基準用センサが前
記測定用センサと同時にセンシングをして、両センサの
出力の差をとること、或いは、（４）ガス検出素子と該
ガス検出素子に近接して配設された抵抗発熱体とから成
り、かつ、形状、特性の揃った２個のセンサを近接して
有し、一方のセンサを通常の測定用センサとして常時使
用し、他方のセンサを前記測定用センサの特性劣化を判
定するための基準用センサとして時々使用するガス測定
装置であって、前記２個のセンサの検出出力の差を予め
記憶しておく記憶手段と、前記測定用センサを前記基準
用センサに切り換えて該測定用センサと基準用センサの
検出出力の差を求める計算をする演算手段と、前記記憶
手段に記憶された前記差と前記演算手段によって算出さ
れた前記差とを比較する比較回路とを有し、該比較回路
の差出力信号より前記測定用センサの劣化を検出するよ
うにしたことを特徴としたものである。
【０００９】
【作用】隣接して作られた或いは特性の略等しい２個の
センサをペアで使い、一つを基準用センサとし、この基
準用センサは通常使用せず（＝特性を劣化させない）、
測定用のセンサをある使用回数使用する毎（例えば１０
００回の測定毎）に、前記基準用のセンサを使って測定
を行い、両者の測定値の差の変化を監視し、差が閾値以
上になった時、警報を発する。
センサをペアで使い、一つを基準用センサとし、この基
準用センサは通常使用せず（＝特性を劣化させない）、
測定用のセンサをある使用回数使用する毎（例えば１０
００回の測定毎）に、前記基準用のセンサを使って測定
を行い、両者の測定値の差の変化を監視し、差が閾値以
上になった時、警報を発する。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明が適用されるガスセンサの一
例を示す図で、（ａ）図は平面図、（ｂ）図は（ａ）図
のｂ−ｂ線断面図で、図中、１０は基板、１１ａ，１１
ｂは該基板に形成された凹部、１２は前記基板１０の上
に形成された薄膜絶縁体で、該薄膜絶縁体１２は前記凹
部１１ａ，１１ｂに上に片持梁式に張り出す張り出し部
又は前記凹部の上に両持梁式に架橋される橋架部１２
ａ，１２ｂを有し、該張り出し部又は橋架部１２ａ，１
２ｂの上に、それぞれ同一構造の抵抗発熱体１３ａ，１
３ｂ、及びこれら抵抗発熱体１３ａ，１３ｂにそれぞれ
近接してガス検出素子１４ａ，１４ｂが設けられてい
る。
例を示す図で、（ａ）図は平面図、（ｂ）図は（ａ）図
のｂ−ｂ線断面図で、図中、１０は基板、１１ａ，１１
ｂは該基板に形成された凹部、１２は前記基板１０の上
に形成された薄膜絶縁体で、該薄膜絶縁体１２は前記凹
部１１ａ，１１ｂに上に片持梁式に張り出す張り出し部
又は前記凹部の上に両持梁式に架橋される橋架部１２
ａ，１２ｂを有し、該張り出し部又は橋架部１２ａ，１
２ｂの上に、それぞれ同一構造の抵抗発熱体１３ａ，１
３ｂ、及びこれら抵抗発熱体１３ａ，１３ｂにそれぞれ
近接してガス検出素子１４ａ，１４ｂが設けられてい
る。
【００１１】上述のように、本発明においては、形状、
特性の揃った２つのセンサが隣接して設けられ、一方、
例えばＡ側が測定用、Ｂ側が基準用のセンサとして使用
されるが、このように、同一チップ上にまたは近接して
同一形状の素子を作ると、２つの素子の特性は揃ってい
るので、最初は、２個のセンサの測定値はほぼ同じであ
ることが期待できる。従って、ある測定回数後の両者の
測定値の差は、測定用センサの劣化の程度を表している
と考えることが出来、上記差の値がある閾値を越えた
時、測定用センサの寿命がきたと判定することができ
る。
特性の揃った２つのセンサが隣接して設けられ、一方、
例えばＡ側が測定用、Ｂ側が基準用のセンサとして使用
されるが、このように、同一チップ上にまたは近接して
同一形状の素子を作ると、２つの素子の特性は揃ってい
るので、最初は、２個のセンサの測定値はほぼ同じであ
ることが期待できる。従って、ある測定回数後の両者の
測定値の差は、測定用センサの劣化の程度を表している
と考えることが出来、上記差の値がある閾値を越えた
時、測定用センサの寿命がきたと判定することができ
る。
【００１２】図２は、本発明の動作説明するためのブロ
ック図、図３及び図４は、フローチャートで、図２にお
いて、Ｅｈはヒータ用パルス電流駆動源、Ｅｓは測定用
定電流パルス駆動源、ＳＷ１〜ＳＷ３はアナログスイッ
チ（マルチプレクサ）、Ａ／ＤはＡＤ変換器、Ｒは測定
ブロックＡ側のガス検出用抵抗（酸化スズ薄膜抵抗）、
Ｈは測定ブロックＡ側のヒータ、Ｒｒｅｆは基準ブロッ
クＢ側のガス検出用抵抗、Ｈｒｅｆは基準ブロックＢ側
のヒータ、２０は計算部、２１は記憶部を示し、記憶部
２１に測定回数カウンタＣＮＴＲ、基準ブロックの使用
を指示するための測定回数間隔の記憶レジスタＲＥＧ
ｎ、センサの寿命を判定するための予め求めた閾値を格
納するレジスタＲＥＧｄｉｆ等が設けられている。ま
た、２３は制御部、２４は操作部、２５は報告器で、操
作部２４は検出スイッチ操作部２４ａ、調整スイッチ操
作部２４ｂを有している。
ック図、図３及び図４は、フローチャートで、図２にお
いて、Ｅｈはヒータ用パルス電流駆動源、Ｅｓは測定用
定電流パルス駆動源、ＳＷ１〜ＳＷ３はアナログスイッ
チ（マルチプレクサ）、Ａ／ＤはＡＤ変換器、Ｒは測定
ブロックＡ側のガス検出用抵抗（酸化スズ薄膜抵抗）、
Ｈは測定ブロックＡ側のヒータ、Ｒｒｅｆは基準ブロッ
クＢ側のガス検出用抵抗、Ｈｒｅｆは基準ブロックＢ側
のヒータ、２０は計算部、２１は記憶部を示し、記憶部
２１に測定回数カウンタＣＮＴＲ、基準ブロックの使用
を指示するための測定回数間隔の記憶レジスタＲＥＧ
ｎ、センサの寿命を判定するための予め求めた閾値を格
納するレジスタＲＥＧｄｉｆ等が設けられている。ま
た、２３は制御部、２４は操作部、２５は報告器で、操
作部２４は検出スイッチ操作部２４ａ、調整スイッチ操
作部２４ｂを有している。
【００１３】（１）センサ出荷時の調整 センサを検出対象となるガス中におく。 制御部２３からの指示（図は省略）により調整ＳＷ
操作部２４ｂをＯＮしてＳＷ１〜ＳＷ３の端子１と２を
接続する。 基準ブロックＢのＨｒｅｆ，Ｒｒｅｆにそれぞれ所
定の電流値と時間幅をもったパルス電流を印加し、Ｒｒ
ｅｆの両端に発生する検出電圧Ｖｒｅｆ0をＡ／Ｄで測
定する。 同様にしてスイッチＳＷ１〜ＳＷ３を切り換え、こ
れらＳＷ１〜ＳＷ３の端子１と３を接続し、測定ブロッ
クＡのＲの両端の電圧Ｖ０を測定する。 計算部２０にて、 ΔＶ０＝｜Ｖ０−Ｖｒｅｆ0｜
を計算し、記憶部２１に格納する。 （２）測定動作 ＣＮＴＲに初期値０をセットし以下の動作を繰り返
す。 検出スイッチ操作部２４ｂを操作してスイッチＳＷ
１〜ＳＷ３を制御し、上記（１）の手順でガス検知の
ためのスイッチＳＷ１〜ＳＷ３を３側にＯＮして測定を
行い、その結果をＡ／Ｄ経由で計算部２０にて読み取
る。同時にＣＮＴＲの内容を＋１し、その値がＲＥＧｎ
の内容と等しいか否かを判定する。 での判定が等しくない時はの動作を繰り返す。
等しい時は、測定したＲの両端電圧Ｖと、（１）のと
同様にして測定したＲｒｅｆの両端電圧Ｖｒｅｆから ΔＶ０＝｜Ｖ−Ｖｒｅｆ｜ を計算し、（１）で求め記憶されているΔＶ０との間で
｜ΔＶ−ΔＶ０｜を計算し、ＲＥＧｄｉｆとの大小を比
較する。 の比較結果が、 ｜ΔＶ−ΔＶ０｜＞ＲＥＧｄｉｆの内容 であればガスセンサＲの特性劣化が限界に達したと判断
してその旨を使用者に警告する信号を報告器２５により
発する。比較結果が上記以外の時は〜の測定を繰り
返す。
操作部２４ｂをＯＮしてＳＷ１〜ＳＷ３の端子１と２を
接続する。 基準ブロックＢのＨｒｅｆ，Ｒｒｅｆにそれぞれ所
定の電流値と時間幅をもったパルス電流を印加し、Ｒｒ
ｅｆの両端に発生する検出電圧Ｖｒｅｆ0をＡ／Ｄで測
定する。 同様にしてスイッチＳＷ１〜ＳＷ３を切り換え、こ
れらＳＷ１〜ＳＷ３の端子１と３を接続し、測定ブロッ
クＡのＲの両端の電圧Ｖ０を測定する。 計算部２０にて、 ΔＶ０＝｜Ｖ０−Ｖｒｅｆ0｜
を計算し、記憶部２１に格納する。 （２）測定動作 ＣＮＴＲに初期値０をセットし以下の動作を繰り返
す。 検出スイッチ操作部２４ｂを操作してスイッチＳＷ
１〜ＳＷ３を制御し、上記（１）の手順でガス検知の
ためのスイッチＳＷ１〜ＳＷ３を３側にＯＮして測定を
行い、その結果をＡ／Ｄ経由で計算部２０にて読み取
る。同時にＣＮＴＲの内容を＋１し、その値がＲＥＧｎ
の内容と等しいか否かを判定する。 での判定が等しくない時はの動作を繰り返す。
等しい時は、測定したＲの両端電圧Ｖと、（１）のと
同様にして測定したＲｒｅｆの両端電圧Ｖｒｅｆから ΔＶ０＝｜Ｖ−Ｖｒｅｆ｜ を計算し、（１）で求め記憶されているΔＶ０との間で
｜ΔＶ−ΔＶ０｜を計算し、ＲＥＧｄｉｆとの大小を比
較する。 の比較結果が、 ｜ΔＶ−ΔＶ０｜＞ＲＥＧｄｉｆの内容 であればガスセンサＲの特性劣化が限界に達したと判断
してその旨を使用者に警告する信号を報告器２５により
発する。比較結果が上記以外の時は〜の測定を繰り
返す。
【００１４】なお、前記（２）において、Ｒの特性劣
化が限界に達したと判定した後で、いまだ測定回数の少
ないＲｒｅｆ（基準用のセンサ）を今度は測定用センサ
としてある許容回数内で使用するように制御することに
より基準用のセンサを更に有効に利用することができ
る。
化が限界に達したと判定した後で、いまだ測定回数の少
ないＲｒｅｆ（基準用のセンサ）を今度は測定用センサ
としてある許容回数内で使用するように制御することに
より基準用のセンサを更に有効に利用することができ
る。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、センサの耐用期間を延ばすことができるが、
耐用期間の増大は、センサの交換が難しい使用状況等で
特に有効である。また、特性の揃った素子の測定値を比
較して寿命を判定する方式であるので、使用される環境
条件の変動、たとえば、ガス流量の変化、ガス濃度の変
化、周囲温度の変化等による変動分の影響を軽減出来
る。従って、ガスセンサの寿命検知がより正確に行える
等の利点がある。
によると、センサの耐用期間を延ばすことができるが、
耐用期間の増大は、センサの交換が難しい使用状況等で
特に有効である。また、特性の揃った素子の測定値を比
較して寿命を判定する方式であるので、使用される環境
条件の変動、たとえば、ガス流量の変化、ガス濃度の変
化、周囲温度の変化等による変動分の影響を軽減出来
る。従って、ガスセンサの寿命検知がより正確に行える
等の利点がある。
【図１】 本発明が適用されたガスセンサの一例を示す
図である。
図である。
【図２】 本発明の動作説明をするためのブロック図で
ある。
ある。
【図３】 本発明の動作説明をするためのフローチャー
トである。
トである。
【図４】 本発明の動作説明をするためのフローチャー
トである。
トである。
【図５】 従来のガスセンサの一例を説明するための図
である。
である。
【符号の説明】 １０…基板、１１ａ，１１ｂ…凹部、１２…薄膜絶縁
体、１２ａ，１２ｂ…張り出し部、１３ａ，１３ｂ…抵
抗発熱体、１４ａ，１４ｂ…ガス検出部材、Ａ…測定用
のセンサ部、Ｂ…基準用のセンサ部、２０…計算部、２
１…記憶部、２３…制御部、２４…操作部、２５…報告
器。
体、１２ａ，１２ｂ…張り出し部、１３ａ，１３ｂ…抵
抗発熱体、１４ａ，１４ｂ…ガス検出部材、Ａ…測定用
のセンサ部、Ｂ…基準用のセンサ部、２０…計算部、２
１…記憶部、２３…制御部、２４…操作部、２５…報告
器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 27/12 G01N 27/04 G01N 27/26 G01N 27/28
Claims (4)
- 【請求項１】 ガス検出素子と該ガス検出素子に近接し
て配設された抵抗発熱体とから成り、かつ、形状、特性
の揃った２個のセンサを近接して有し、一方のセンサを
通常の測定用センサとして常時使用し、他方のセンサを
前記測定用センサの特性劣化を判定するための基準用セ
ンサとして時々使用し、前記測定用センサの出力と基準
用センサの出力との差より前記測定用センサの特性劣化
を検知するようにしたことを特徴とするガス測定方法。 - 【請求項２】 前記測定用センサの出力と基準用センサ
の出力との差が閾値以上になったとき、報知手段によっ
て報知することを特徴とする請求項１に記載のガス測定
方法。 - 【請求項３】 前記測定用センサが所定回数センシング
すると、前記基準用センサが前記測定用センサと同時に
センシングをして、両センサの出力の差をとることを特
徴とする請求項１又は２記載のガス測定方法。 - 【請求項４】 ガス検出素子と該ガス検出素子に近接し
て配設された抵抗発熱体とから成り、かつ、形状、特性
の揃った２個のセンサを近接して有し、一方のセンサを
通常の測定用センサとして常時使用し、他方のセンサを
前記測定用センサの特性劣化を判定するための基準用セ
ンサとして時々使用するガス測定装置であって、前記２
個のセンサの検出出力の差を予め記憶しておく記憶手段
と、前記測定用センサを前記基準用センサに切り換えて
前記測定用センサと基準用センサの検出出力の差を求め
る計算をする演算手段と、前記記憶手段に記憶された前
記差と前記演算手段によって算出された前記差とを比較
する比較回路とを有し、該比較回路の差出力信号より前
記測定用センサの劣化を検出するようにしたことを特徴
とするガス測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18997792A JP3219855B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | ガス測定方法及びガス測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18997792A JP3219855B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | ガス測定方法及びガス測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0611472A JPH0611472A (ja) | 1994-01-21 |
| JP3219855B2 true JP3219855B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=16250343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18997792A Expired - Fee Related JP3219855B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | ガス測定方法及びガス測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219855B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006095719A1 (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ガスセンサ |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04501108A (ja) * | 1988-09-22 | 1992-02-27 | イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 置換インダゾール殺節足動物剤 |
| JP3836440B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2006-10-25 | 本田技研工業株式会社 | ガスセンサの劣化診断方法 |
| DE102006020113A1 (de) * | 2006-04-29 | 2007-11-08 | Paragon Ag | Sensor |
| US7515039B2 (en) * | 2006-06-05 | 2009-04-07 | Kavlico Corporation | Method and apparatus for tire pressure monitoring |
| JP5442934B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2014-03-19 | 株式会社東洋マーク製作所 | 運転管理システム、携帯子機、及びプログラム |
| JP5154112B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2013-02-27 | 株式会社東洋マーク製作所 | 呼気検査器 |
| JP4613184B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2011-01-12 | 東海電子株式会社 | アルコール検知システム |
| JP5216443B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-06-19 | アズビル株式会社 | 湿度計測装置 |
| JP2010019732A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Honda Motor Co Ltd | ガスセンサ |
| JP2011237407A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 可燃性ガス検出装置および可燃性ガス検出素子の制御方法 |
| JP5568488B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2014-08-06 | アズビル株式会社 | 温湿度測定装置 |
| JP6330492B2 (ja) * | 2014-06-02 | 2018-05-30 | Tdk株式会社 | ガスセンサ素子 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP18997792A patent/JP3219855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006095719A1 (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ガスセンサ |
| US7631537B2 (en) | 2005-03-08 | 2009-12-15 | Panasonic Corporation | Gas sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0611472A (ja) | 1994-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3219855B2 (ja) | ガス測定方法及びガス測定装置 | |
| US20040113802A1 (en) | Gas detection instrument and method for its operation | |
| US8918289B2 (en) | Combustible gas detection apparatus and combustible gas sensor control method | |
| US6812708B2 (en) | Combustible-gas measuring instrument | |
| EP0749013B1 (en) | Humidity sensor | |
| JPH0113531B2 (ja) | ||
| US6742382B2 (en) | Combustible gas detector and method for its operation | |
| JP3969167B2 (ja) | 流体流量測定装置 | |
| JP3167798B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JPH06300721A (ja) | 結露を予知するための方法及び装置 | |
| JPH11160267A (ja) | 感応膜アレイ型ガス検出器 | |
| US6437331B1 (en) | Bolometer type infrared sensor with material having hysterisis | |
| US6130414A (en) | Systems and methods for controlling semiconductor processing tools using measured current flow to the tool | |
| JP6300203B2 (ja) | ガス検知器 | |
| JP3300110B2 (ja) | ガス検出器 | |
| JP2840652B2 (ja) | ガス検知装置 | |
| JPH06265565A (ja) | 気体の流速検出装置 | |
| JP3178702B2 (ja) | ガス検出装置 | |
| JPH0943184A (ja) | ガスセンサおよびそのガスセンサの駆動方法 | |
| JP3363983B2 (ja) | ヒートワイヤ型加速度検出器 | |
| JPH0663800B2 (ja) | ヒータ温度制御回路 | |
| JP2019070608A (ja) | ガス検知器 | |
| JP2885581B2 (ja) | 温湿度検出回路 | |
| JPH04109157A (ja) | ガス検知素子 | |
| JPH07198672A (ja) | 酸素センサの寿命診断装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080810 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080810 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090810 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090810 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |