JP3219349B2 - 波長コンペンセータ、該波長コンペンセータを用いたレーザ干渉測定装置、該レーザ干渉測定装置を有するステージ装置、該ステージ装置を有する露光システム、および該露光システムを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
波長コンペンセータ、該波長コンペンセータを用いたレーザ干渉測定装置、該レーザ干渉測定装置を有するステージ装置、該ステージ装置を有する露光システム、および該露光システムを用いたデバイスの製造方法Info
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Description
行なうレーザ干渉測定装置の測定光の波長変動による測
定エラーを補正するための波長コンペンセータやこれを
用いた各種システムに関する。
ステージ位置決めを始め、様々な分野で広く利用されて
いる。
囲気(圧力・温度・湿度)の変動は、測定光の波長変動
を引き起こし、高精度測定に悪影響を及ぼす。よってこ
の波長変動による影響を補正する機構として波長コンペ
ンセータが用いられている。従来の波長コンペンセータ
の一例を図8に示す。図中の符号800は、図示しない
レーザ干渉装置のレーザ源であるレーザチューブであ
り、ここからのレーザビームが分岐される。801はデ
ファレンシャルプレーンミラータイプの干渉計、802
は溶融石英製の基準真空チューブ、803は基準真空チ
ューブ802の両端に設けられた溶融石英製のフラン
ジ、804は測定ビーム、805は基準ビーム、806
は雰囲気中のターゲットミラー、807は真空中のター
ゲットミラーである。
を受けて、干渉計801は空間的に離れた測定ビーム8
04と基準ビーム805とに分離生成する。測定ビーム
804はフランジ803を透過し、雰囲気中を通過して
対向するフランジ803に装着された雰囲気中のターゲ
ットミラー806に入反射される。ダブルパスなので異
なる光路を2回通って干渉計801に戻る。一方、基準
ビーム805はフランジ803を透過後、基準真空チュ
ーブ802の中を通過して、フランジ803に装着され
た真空中のターゲットミラー807に入反射される。基
準ビーム805もバブルパスなので異なる光路を通って
干渉計801に戻る。ここで測定ビーム804と基準ビ
ーム805のそれぞれの光路長が等しくなるように各タ
ーゲットミラー806、807が配置されており、干渉
計801にて測定ビーム804と基準ビーム805とが
干渉する。この干渉ビームはレーザビームの波長変動に
関する情報を持っている。
02の各フランジ803間の間隔をLとすると、測定ビ
ーム804および基準ビーム805の光路長は4Lとな
る。このとき、基準真空チューブ802の外部の雰囲気
の初期の屈折率をn0、基準真空チューブ802内の屈
折率を1とすると、測定ビーム804と基準ビーム80
5との光路差D0は、 D0=4L(n0−1) …(1) である。ここで、雰囲気変動により基準真空チューブ8
02の外部の雰囲気の屈折率がn1に変化したとする
と、測定ビーム804と基準ビーム805との光路差D
nは、 Dn=4L(n1−1) …(2) となる。雰囲気変動による光路差の変化Dcは、
(1)、(2)式より、 Dc=Dn―D0 =4L(n1−n0) …(3) となる。
の光路差の変化De は、 De =Nλv /(2m −1) …(4) である。ただし、N=積算カウント、λv=真空中での
レーザの波長、m=A/D変換器のビット数とする。理
論的にはDc =De なので、(3)、(4)式より、 n1 =n0 +{Nλv /4L(2m −1)} …(5) が得られる。さらに、屈折率がn1 のときのレーザの波
長をλn1とすると、 λn1=λv /n1 …(6) となる。(5)、(6)式より、雰囲気変動による波長
を算出して、これを基にレーザ干渉測定装置の計測値の
補正を行なうことによって測定精度を維持している。
長コンペンセータでは、溶融石英製の基準真空チューブ
の内部が真空であって屈折率が1に保たれている、とい
う仮定で波長補正を行なっている。
ウムに対しては透過係数が7桁以上も大きいことが知ら
れている。例えば「稲葉文男 他、レーザハンドブッ
ク、朝倉書店、P.188、1973」に記載されるよ
うに、ヘリウムを密封して構成されるHe−Neレーザ
においても、レーザの細管部の材料としては初期の頃は
溶融石英が用いられることが多かった。しかし、溶融石
英は管球材料中のヘリウムの透過率が大きいことが欠点
となり、近年では硼珪酸ガラスを用いることが一般的と
なっている。また、ヘリウムガス等の希ガスに対する各
種物質の透過係数は、「F.J.NORTON, "Permeation of G
ases through Solids", J.Appl.Phys., pp.34-39, 195
7」に詳しい。
溶融石英製の真空チューブを用いているので、波長コン
ペンセータがヘリウム雰囲気中に置かれた際に、ヘリウ
ムが溶融石英を透過することにより真空チューブ内の真
空度が低下し、チューブ内の屈折率が変化してしまう。
そのため、前述の(1)〜(6)式の値に誤差が生じ、
レーザ干渉測定装置で位置決めする際の位置決め精度が
悪くなるという問題点があった。
変化する間に、真空チューブ内の屈折率が、ヘリウムの
漏れにより1から1+Δnに変化するため、漏れの有る
ときの測定ビームと基準ビームとの光路差Dn(He) は、 Dn(He) =4L(n1 −l−Δn) …(7) となる。雰囲気変動による光路差の変化Dc は、
(1)、(7)式より、 Dc(He) =Dn(He) −D0 =4L(n1 −Δn−n0 ) …(8) となる。
気中での屈折率n1(He)、およびこのときのレーザの波
長λn1(He)は、それぞれ n1(He) =n0 +Δn+{Nλv /4L(2m −1)} …(9) λn1(He)=λv /n1(He)≠λv /n1 …(10) となり、ヘリウム雰囲気中では、正確な計測値の補正が
困難であった。
ので、ヘリウム雰囲気中であってもより正確な計測が可
能なレーザ干渉測定装置を実現できる波長コンペンセー
タや、これを利用したステージ装置や露光システム等を
提供することを目的とする。
本発明の波長コンペンセータは、両端が密閉され、一端
から入射したレーザビームを他端で反射させて戻す基準
真空チューブと、前記レーザビームを干渉させる干渉手
段と、前記レーザビームの波長変動情報を持った干渉ビ
ームを受光する受光手段とを有する波長コンペンセータ
において、ヘリウム雰囲気中に配置された前記基準真空
チューブの真空劣化を減ずる手段であって該基準真空チ
ューブ内の排気を行う真空排気手段を設けたことを特徴
とする。
前記基準真空チューブ内を通過する基準ビームと、前記
基準真空チューブ内を通過しない測定ビームとに分離
し、前記基準ビームと測定ビームとを干渉させるもので
あってもよい。
に、ヘリウムガスの透過係数が溶融石英に比べて小さな
物質を用いたものであってもよく、この場合、前記ヘリ
ウムガスの透過係数が溶融石英に比べて小さな物質は、
ヘリウムガスの透過係数が溶融石英に比べて小さなガラ
スであってもよい。
ームを用いて物体の相対関係を測定する測定手段と、前
記レーザビームの波長変動に基づく測定誤差を補正する
ための波長コンペンセータとを有するレーザ干渉測定装
置において、前記波長コンペンセータとして、上記本発
明のいずれかの波長コンペンセータを用いたものであ
る。
る移動可能なステージと、前記ステージの位置情報を計
測するレーザ干渉装置とを有するステージ装置におい
て、前記レーザ干渉装置として上記本発明のレーザ干渉
測定装置を用いたものである。
置されるステージ装置と、前記被露光基板に露光を行な
う露光装置とを有する露光システムにおいて、前記ステ
ージ装置として上記本発明のステージ装置を用いたもの
である。
スクとウエハとを用い、フォトリソグラフィ技術によっ
て前記ウエハ上に回路を形成する工程を有するデバイス
の製造方法において、前記回路を形成する工程が、上記
本発明の露光システムを用いて前記マスクの回路パター
ンを前記ウエハに焼付露光する工程を含むことを特徴と
する。
セータでは、基準真空チューブ内を通過したレーザビー
ム(基準ビーム)と基準真空チューブ内を通過しないレ
ーザビーム(測定ビーム)とは、干渉手段により干渉さ
れ、受光手段で受光される。干渉手段で干渉された干渉
ビームは、雰囲気変動による波長変動情報を持ってお
り、この情報に基づき、レーザ干渉測定装置の測定値の
補正が行われる。波長コンペンセータには、ヘリウム雰
囲気中に配置された基準真空チューブの真空劣化を減ず
る手段が設けられているので、ヘリウム雰囲気中におい
ても基準真空チューブ内の真空が保たれる。その結果、
雰囲気変動によるレーザビームの波長変動の補正が理論
式どおりに行われる。
り、基準真空チューブ内を強制的に排気することによっ
て基準真空チューブ内の真空が保たれる。
上記本発明の波長コンペンセータを用いているので、雰
囲気変動に影響されずに正確な計測が可能となる。
レーザ干渉測定装置によりステージの位置情報が計測さ
れるので、より高精度なステージの位置決めが可能とな
る。
基板が載置されるステージ装置に上記本発明のステージ
装置を用いているので、より高精度な被露光基板の位置
決めが可能となり、この露光システムを用いて製造され
たデバイスは、より高集積度のものとなる。
て説明する。
ンセータの第1実施例の構成図である。
ンセータ10のユニットは、レーザチューブ11から生
成された、偏光状態の異なる2つの周波数成分を持つレ
ーザビーム12を光学的に2つに分離する一方、両者を
干渉させる干渉手段としての偏光シアプレート101
と、干渉計102と、干渉計102から出射されたP偏
光成分のビームを円偏光成分に変換するλ/4板103
と、ビーム引き回し用の2つのベンダーミラー104
と、両端がそれぞれ溶融石英製のフランジ105a、1
05bによって密閉された溶融石英製の基準真空チュー
ブ106と、偏光シアプレート101と干渉計102と
の間に配置され、偏光シアプレート101から出射され
たS偏光成分のビームをP偏光成分に変換して干渉計1
02へ出射し、あるいは干渉計102から出射されたP
偏光成分のビームをS偏光成分に変換して偏光シアプレ
ート101へ出射するλ/2板109と、偏光シアプレ
ート101から出射した干渉ビーム18を電気信号に変
換して信号処理系100に出力する受光手段としてのレ
シーバ21とを含む。
5a、105bのうち一方のフランジ105aには、従
来と同様に雰囲気中に配置されたターゲットミラー10
7と、真空中に配置されたターゲットミラー108とが
取り付けられている。また、基準真空チューブ106の
内部は真空ポンプ110によって排気され、真空状態が
保持されている。上述した構成のうち、各ビームの光路
上で偏光シアプレート101からベンダーミラー104
までの構成で、補正用干渉計が構成されている。
生成された、直交偏光された2つの異なる周波数成分
(f1、f2)を持つレーザビーム12の各成分は、偏光
シアプレート101により光学的に分離され、それぞれ
光路長は同一で、かつ異なる2つの光路を通り、再び偏
光シアプレート101上で合成されて干渉ビーム18を
生成し、レシーバ21に入射する。
f1成分が辿る光路を説明する。偏光シアプレート10
1で分離されたP偏向のf1成分は、干渉計102を透
過後、λ/4板103を通過して円偏光に変換され、2
つのベンダーミラー104によって折返されて、基準真
空チューブ106のフランジ105bを透過して、雰囲
気中のターゲットミラー107により反射される。戻り
光は干渉計に102に戻り、干渉計102内のコーナー
キューブにより反射され、今度は別の光路でターゲット
ミラ107に当たり、再び干渉計102に戻る。干渉計
102を出射後は、λ/2板109を通過してS偏光に
変換され、偏光シアプレート101に入射する。
様にしてダブルパスの光路で入反射されるが、f1成分
との違いは、基準真空チューブ106の内部を通過し
て、真空内のターゲットミラー108に入反射すること
である。
た各戻り光は、偏光シアプレート101上で結合されて
干渉ビーム18となり、レシーバ21に入射する。
囲気は、真空ポンプ110により少なくとも使用時は常
時排気され、常に屈折率が1に保たれているのが本実施
例の特徴である。すなわち、真空ポンプ110を含む真
空排気手段が、基準真空チューブ106の真空劣化を減
ずる手段となっており、高精度な波長コンペンセータを
達成している。
は、レーザの2つの周波数の差分(|f1−f2|)にな
る。ここで波長コンペンセータ付近の雰囲気の圧力・温
度・湿度などに揺らぎがあると、周波数f1はドップラ
効果(f1±Δf1)により、Δf1のドップラ偏移が発
生する。よって干渉ビーム18の周波数は{f2−(f1
±Δf1)}となる。この偏移はレシーバ21内のフォ
トディテクタにより検知されて電気信号に変換され、測
定信号として信号処理系100に出力される。
波数偏移器からは、安定した周波数の基準信号が出力さ
れており、信号処理系100ではこの基準信号と上記測
定信号との位相差をA/Dコンバータでサンプリング
し、アキュムレータに加算する。この加算値が先の
(4)式の積算カウントNとなり、先の(5)、(6)
式から雰囲気変動による波長を算出する。このとき、上
述したように基準真空チューブ106の内部は真空ポン
プ110により真空状態が保持されるので、基準真空チ
ューブ106および各フランジ105a、105bを溶
融石英で構成しても使用雰囲気によらずに屈折率が1に
保たれている。その結果、先の理論式どおりに雰囲気変
動による波長を算出でき、これを基にレーザ干渉測定装
置の計測値の補正を正確に行なうことができる。
た露光システムについて図2を参照して説明する。この
露光システムは、物体として被露光基板が載置されるス
テージの位置が移動可能に設けられ、その位置情報をレ
ーザ干渉測定装置によって計測しつつ位置決め制御する
ステージ装置と、被露光基板に露光を行なう露光装置と
を有するものであるが、図2においては露光装置は省略
している。レーザ干渉測定装置は、レーザビームを用い
てステージの相対位置を測定する測定手段と、レーザビ
ームの波長変動による測定誤差を補正するための波長コ
ンペンセータとを有するもので、この波長コンペンセー
タとして、図1に示したものが用いられている。なお、
この露光システムには、後述する他の実施例の波長コン
ペンセータのいずれかを用いることもできる。
ある。図2に示すように、Heチャンバ7内にはステー
ジ定盤6が設けられている。このステージ定盤6には、
Xステージガイド4に案内されてx方向に移動可能に設
けられたXステージ3、およびYステージガイド2に案
内されてy方向に移動可能に設けられたYステージ1を
介して、被露光基板としてのウエハ(不図示)を把持す
るためのウエハチャック32が支持されている。Yステ
ージ1には、各ステージ1、3の位置決め用のL型スコ
ヤーミラー5が固定されており、このL型スコヤーミラ
ー5までの、y方向の距離を測定するためのY軸測距用
プレーンミラー干渉計8、およびx方向の距離を測定す
るためのX軸測距用プレーンミラー干渉計9が、それぞ
れHeチャンバ7内に設けられている。
X軸測距用プレーンミラー干渉計9へは、Heチャンバ
7の外部に設けられたレーザチューブ11から出射さ
れ、Heチャンバ7の壁に設けられたガラス窓15を通
過してHeチャンバ7内に導入された2つの周波数成分
を持つレーザビーム12が、ビームスプリッタ13で2
つに分離された後、それぞれベンダーミラー14で反射
されて入射される。レーザチューブ11へは、Xステー
ジ3およびYステージ1の位置決め制御用のホストコン
ピュータ24からの指令で信号処理回路22から出力さ
れる電気的な基準信号が入力され、レーザチューブ11
はその基準信号に基づきレーザビーム12を出射する。
からの干渉ビーム16は、ベンダーミラー14で反射さ
れた後、ガラス窓15を通過してレシーバ19に入射さ
れる。X軸測距用プレーンミラー干渉計9からの干渉ビ
ーム17も同様に、ガラス窓15を通過してレシーバ2
0に入射される。これら2つのレシーバ19、20は、
それぞれ入射された干渉ビーム16、17を電気的な測
定信号に変換するものであり、これら測定信号が、信号
処理回路22に入力される。サーボ制御回路23は、信
号処理回路22からの指令に基づき、Xステージ3やY
ステージ1を駆動するステージアクチュエータ(不図
示)にパルス信号を出力するものである。
よるX軸測距用プレーンミラー干渉計8およびY軸測距
用プレーンミラー干渉計9の測定光の波長変動を補正す
るために、Heチャンバ7内には、図1に示した構成の
波長コンペンセータ10が配置されている。波長コンペ
ンセータ10へは、レーザチューブ11からのレーザビ
ーム12がビームスプリッタ13で反射されて入射され
る。波長コンペンセータ10からの干渉ビーム18は、
ガラス窓15を通過してレシーバ21に入射され、ここ
で電気的な測定信号に変換されて信号処理回路22に入
力される。
チューブ106(図1参照)を排気するための排気ポン
プ110はHeチャンバ7の外部に設けられている。排
気ポンプ110は、基準真空チューブ106の排気の他
に、Heチャンバ7内のHeガスをコントロールするた
め、あるいはチャンババックグラウンド純度を上げるた
めにHeチャンバ7の排気も行なえる機能を有してお
り、基準真空チューブ106の排気とHeチャンバ7の
排気を切り替えるための切り替え弁111が設けられて
いる。
ームを用いてステージの相対位置を測定する測定手段
は、レーザチューブ11と、Y軸測距用プレーンミラー
干渉計8と、X軸測距用プレーンミラー干渉計9と、L
型スコヤーミラー5とを有する構成であり、これらと波
長コンペンセータ10とを組み合せてレーザ干渉測定装
置が構成されている。さらに、このレーザ干渉測定装置
にXステージ3およびYステージ1を加えて、ステージ
装置が構成される。
に把持されているウエハ上に、図面の手前側からパター
ンを露光転写する。露光転写の方式としては、X線や紫
外線を用いてマスクパターンをウエハ上に焼き付ける方
式や、電子線を偏向してウエハ上にパターンを直接描画
する方式などがある。半導体デバイスはパターン転写を
何層も繰り返して製造されるため、ウエハとマスクとの
位置決め、あるいはウエハと露光ビームとの位置決め、
すなわちXステージ3およびYステージ1の位置決め
は、極めて高い精度が要求される。
度位置決めは、ホストコンピュータ24より目標値を信
号処理回路22に対して指令すると、信号処理回路22
内で目標値と現在のステージ位置との偏差を演算し、サ
ーボ制御回路23へ偏差信号として出力する。サーボ制
御回路23はXステージ3を駆動するためのステージア
クチュエータに所定パルスを出力してXステージ3を移
動させる。
ビーム17は、図1でも説明したように周波数f1のド
ップラ現象により、L型スコヤーミラー5の運動方向に
応じてΔf1分の増減を示し、レシーバ20で電気的な
測定信号に変換される。レーザチューブ11からの基準
信号とレシーバ20からの測定信号との位相差を、信号
処理回路22内の位相検出器で演算し、同じく信号処理
回路22内のアキュムレータで位相差を積算し、Xステ
ージ3の移動量が算出され、目標値との偏差が0(ゼ
ロ)になるように常にフィードバックがかかっている。
この際、Xステージ3の現在位置から目標値までの移動
の間、常時あるいは必要間隔毎に、波長コンペンセータ
10によってレーザの波長変動を計測してこれを基にX
軸測距用プレーンミラー干渉計9の測定値の補正(Xス
テージ3の駆動指令値の補正)を行なっている。
ージ3の移動量Lを達成するための指令値は、L・λv
/λn1である。また、雰囲気変動により波長がλn2に変
化した場合、指令値はL・λv /λn2としてXステージ
3の移動量Lを達成する。
べたが、Yステージ1の位置決めについても同様であ
る。
グストロームの軟X線を使用する場合、X線の減衰を少
なくするためと線幅均一性の向上のために、露光雰囲気
を高純度のHe雰囲気に保つ必要がある。そのためにH
eチャンバ7は上述した真空ポンプ110を備え、本実
施例では、この真空ポンプ110を利用して、切替弁1
11により波長コンペンセータ10の基準真空チューブ
106も排気できるように構成している。
補正する手段として本発明の波長コンペンセータを用い
ることにより、使用雰囲気に影響されずにステージ位置
をより正確に測定可能なレーザ干渉測定装置が実現され
る。また、このようなレーザ干渉測定装置を用いたステ
ージ装置は、ステージの高精度な位置決めを達成するも
のである。さらに、このステージ装置を用いた露光シス
テムは、ウエハの位置あわせ精度が高いものとなり、こ
れによって製造されたデバイスは、より高集積度のもの
とすることができる。
ペンセータの基準真空チューブを溶融石英製としたが、
本実施例ではこれをヘリウムガスの透過係数が溶融石英
よりも小さな物質、具体的にはガラスで構成した点が、
第1実施例と異なる。その他の構成および動作は第1実
施例と同様であるので、その説明は省略する。
ムの透過係数が溶融石英に比べて小さなガラス、ヘリウ
ムの透過係数Kで説明すると、絶対温度をTとしたと
き、 K=0.075{-1.1(1000/T)-7.25}(cc・mm/sec・cm
2・Pa) よりも小さな透過係数を持つガラス、より好ましくは、
これよりさらに1桁以上小さな透過係数を持つガラス等
で構成している。
ヘリウムの漏れが少なくなるので、その屈折率n=1.
0が良好に保たれ、前述した(4)式を用いた動作理論
通りに、積算カウントNから正確に波長コンペンセータ
の周囲の雰囲気の屈折率変動を計測することが可能とな
る。すなわち、基準真空チューブをヘリウムの透過係数
が溶融石英に比べて小さなガラスで構成したことが、基
準真空チューブの真空劣化を減ずる手段となっており、
これにより高精度な波長コンペンセータを達成してい
る。
質を例示すると、パイレックス(登録商標)、硼珪酸ガ
ラス、リン酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、珪酸アルミナ
ガラス、X線シールドガラス、硼酸鉛ガラスなどがあ
る。また、これらのガラスはヘリウムより原子番号の大
きいガスに対する透過特性が優れているので、水素を除
くいかなる雰囲気であっても、同様の効果が期待でき
る。
たような真空排気手段は必ずしも必要はないが、あれば
より高い精度で真空状態を保つことができる。
る。 (第1参考例) 図3は、本発明の波長コンペンセータの第1参考例の構
成図である。図3には、基準真空チューブ206と補正
用干渉計201が示されているが、補正用干渉計201
を含むその他の構成については第1実施例と同様である
のでその詳細な説明は省略する。
ヘリウムの透過係数が溶融石英に比べて小さな金属で構
成するとともに、基準真空チューブ206のフランジ2
05a、205bのうち、測定ビーム214および基準
ビーム215が入出射する部位に、それぞれレーザビー
ムを透過可能な部材からなるレーザ光透過用ウィンドウ
210を設けている。金属は、ヘリウム等の希ガスの透
過係数が溶融石英に比べて小さいので、基準真空チュー
ブ206の主要部を金属で構成することにより、基準真
空チューブ206内の真空が良好に保たれる波長コンペ
ンセータを構成することが可能である。すなわち、基準
真空チューブ206の主要部をヘリウムの透過係数が溶
融石英に比べて小さな金属で構成したことが、基準真空
チューブ206の真空劣化を減ずる手段となっており、
これにより高精度な波長コンペンセータを達成してい
る。
しては、一般に真空チャンバに用いられている放出ガス
量の少ない、表面処理したステンレス鋼やアルミニウム
等が好ましい。また、レーザ光透過用ウィンドウ210
は、ヘリウムの透過率が低く、かつ可視光の透過率の高
いガラス等で構成するのが好ましい。
成図である。図4には、基準真空チューブ306と補正
用干渉計301が示されているが、補正用干渉計301
を含むその他の構成については第1実施例と同様である
のでその詳細な説明は省略する。
成される基準真空チューブ306の周囲を、ヘリウムの
透過係数の小さなガラスや金属等の物質からなるコーテ
ィング材311で被覆したものである。基準真空チュー
ブ306の各フランジ305a、305bのうち、測定
ビーム314および基準ビーム315が入出射する部位
に、それぞれレーザビームを透過可能な部材からなるレ
ーザ光透過用ウィンドウ310を設けている。また、レ
ーザ光透過用ウィンドウ310は、ヘリウムの透過率が
低く、かつ可視光の透過率の高いガラス等で構成するの
が好ましい。コーティング材311として金属を用いる
場合には、蒸着等による被覆が可能である。
融石英製であっても、その周囲を溶融石英よりもヘリウ
ムの透過係数が小さなコーティング材311で被覆する
事により、ヘリウム雰囲気中においても基準真空チュー
ブ306内へのヘリウムの漏れの少ない波長コンペンセ
ータを構成することが可能である。すなわち、基準真空
チューブ306の周囲をヘリウムの透過係数が溶融石英
に比べて小さな物質でコーティングしたことが、基準真
空チューブ306の真空劣化を減ずる手段となってお
り、これにより高精度な波長コンペンセータを達成して
いる。
準ビーム315が入出射する部位に、それぞれレーザビ
ームを透過可能な部材からなるレーザ光透過用ウィンド
ウ310を設けた例を示したが、コーティング材311
がレーザビームの透過性に優れた物質ならば、レーザ光
透過用ウィンドウ310は必ずしも必要なものではな
く、基準真空チューブ306の周囲全体をコーティング
材311で被覆してもよい。
成図である。図5には、基準真空チューブ406と補正
用干渉計401が示されているが、補正用干渉計401
を含むその他の構成については第1実施例と同様である
のでその詳細な説明は省略する。
筒状部が、第1の隔壁406aとそれを取り囲む第2の
隔壁406bとを有する2重構造となっており、第1の
隔壁406aで囲まれた空間Aは真空、第1の隔壁40
6aと第2の隔壁406bとで囲まれた空間Bは、ヘリ
ウムより原子番号の大きなガスで満たされている。従っ
て、真空中のターゲットミラー408は第1の隔壁40
6aの内部に配置され、雰囲気中のターゲットミラー4
07は第2の隔壁406bの外部に配置されている。ま
た、第1の隔壁406aと第2の隔壁406bとで囲ま
れた空間Bの圧力は、外部雰囲気の圧力と同程度が好ま
しい。
状部を2重構造とすることにより、ヘリウム雰囲気中に
おいても基準真空チューブ406内へのヘリウムの漏れ
の少ない波長コンペンセータを構成することが可能であ
る。ここでは、基準真空チューブ406の筒状部を2重
構造とした例を示したが、2重以上の多重構造としても
よいし、さらに筒状部の他に、フランジ405を2重構
造またはそれ以上の多重構造としてもよい。すなわち本
実施例では、基準真空チューブ406を多重構造とした
ことが、基準真空チューブの真空劣化を減ずる手段とな
っており、これにより高精度な波長コンペンセータを達
成している。
たデバイスの製造方法の一例について説明する。
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)ではデバイスの回路設計を行なう。ステッ
プ2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)
ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステ
ップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5
(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、
パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ス
テップ6(検査)ではステップ5で作製されたデバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こ
うした工程を経てデバイスが完成し、これが出荷(ステ
ップ7)される。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光システムによ
ってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ス
テップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ス
テップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエ
ハ上に多重に回路パターンが形成される。上述した製造
方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデ
バイスを製造することができる。
ム雰囲気中に配置された基準真空チューブの真空劣化を
減ずる手段である真空排気手段が設けられているので、
ヘリウム雰囲気中においても基準真空チューブ内の真空
を保つことができ、雰囲気変動によるレーザビームの波
長変動の補正を正確に行なうことができる。
明の波長コンペンセータを用いることにより、雰囲気変
動に影響されずに距離等の計測を正確に行なうことがで
きるようになる。
ーザ干渉測定装置によりステージの位置情報を計測する
ことにより、より高精度なステージの位置決めを行なう
ことができる。
基板が載置されるステージ装置に上記本発明のステージ
装置を用いることにより、被露光基板の位置決めをより
高精度に行なうことができ、この露光システムを用いて
製造されたデバイスは、より高集積度のものが可能とな
る。
成図である。
システムの構成図である。
成図である。
成図である。
成図である。
る。
305b、405フランジ 106、206、306、406 基準真空チューブ 107、108、407、408 ターゲットミラー 109 λ/2板 110 真空ポンプ 111 切り替え弁 201、301、401 補正用干渉計 210、310 レーザ光透過用ウィンドウ 214、314 測定ビーム 215、315 基準ビーム 311 コーティング材 406a 第1の隔壁 406b 第2の隔壁
Claims (8)
- 【請求項1】 両端が密閉され、一端から入射したレー
ザビームを他端で反射させて戻す基準真空チューブと、
前記レーザビームを干渉させる干渉手段と、前記レーザ
ビームの波長変動情報を持った干渉ビームを受光する受
光手段とを有する波長コンペンセータにおいて、ヘリウム雰囲気中に配置された 前記基準真空チューブの
真空劣化を減ずる手段であって該基準真空チューブ内の
排気を行う真空排気手段を設けたことを特徴とする波長
コンペンセータ。 - 【請求項2】 前記干渉手段は、レーザビームを、前記基
準真空チューブ内を通過する基準ビームと、前記基準真
空チューブ内を通過しない測定ビームとに分離し、前記
基準ビームと測定ビームとを干渉させるものである請求
項1に記載の波長コンペンセータ。 - 【請求項3】 前記基準真空チューブを構成する材質
に、ヘリウムガスの透過係数が溶融石英に比べて小さな
物質を用いた請求項1又は2に記載の波長コンペンセー
タ。 - 【請求項4】 前記ヘリウムガスの透過係数が溶融石英
に比べて小さな物質は、ヘリウムガスの透過係数が溶融
石英に比べて小さなガラスである請求項3に記載の波長
コンペンセータ。 - 【請求項5】 レーザビームを用いて物体の相対関係を
測定する測定手段と、前記レーザビームの波長変動に基
づく測定誤差を補正するための波長コンペンセータとを
有するレーザ干渉測定装置において、前記波長コンペン
セータとして、請求項1ないし4のいずれか1項に記載
の波長コンペンセータを用いたことを特徴とするレーザ
干渉測定装置。 - 【請求項6】 物体が載置される移動可能なステージ
と、前記ステージの位置情報を計測するレーザ干渉装置
とを有するステージ装置において、前記レーザ干渉装置
として請求項5に記載のレーザ干渉測定装置を用いた事
を特徴とするステージ装置。 - 【請求項7】 被露光基板が載置されるステージ装置
と、前記被露光基板に露光を行う露光装置とを有する露
光システムにおいて、前記ステージ装置として請求項6
に記載のステージ装置を用いた事を特徴とする露光シス
テム。 - 【請求項8】 マスクとウエハとを用い、フォトリソグ
ラフィ技術によって前記ウエハ上に回路を形成する工程
を有するデバイスの製造方法において、 前記回路を形成する工程が、 請求項7に記載の露光シス
テムを用いて前記マスクの回路パターンを前記ウエハに
焼付露光する工程を含むことを特徴とするデバイスの製
造方法。
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