JP3217459B2 - 半導体チップ - Google Patents
半導体チップInfo
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- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/5448—Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動機によりダイボン
ディングやワイヤボンディングする半導体チップに関
し、詳細には半導体チップ上に設定されている認識マー
クを含む認識エリアと膜剥がれから保護するためのダミ
ーパターンを形成した半導体チップに関する。
ディングやワイヤボンディングする半導体チップに関
し、詳細には半導体チップ上に設定されている認識マー
クを含む認識エリアと膜剥がれから保護するためのダミ
ーパターンを形成した半導体チップに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばファクシミリ、プリンタ等に搭載
されるＬＥＤヘッドでは、その製造工程でＬＥＤチップ
とＩＣとを自動機によりワイヤボンディングするが、そ
の際に自動機はＬＥＤチップ上に設けられている認識マ
ークと認識エリアが持つ情報に基づいてワイヤボンディ
ングを行うようになっている。
されるＬＥＤヘッドでは、その製造工程でＬＥＤチップ
とＩＣとを自動機によりワイヤボンディングするが、そ
の際に自動機はＬＥＤチップ上に設けられている認識マ
ークと認識エリアが持つ情報に基づいてワイヤボンディ
ングを行うようになっている。
【０００３】これを図４についてもう少し詳しく説明す
る。一般に、ダイボンディングやワイヤボンディングを
行うＬＥＤチップ等の半導体チップ１０には、ダイシン
グライン３が周囲に引かれ、このライン３に沿ってダイ
シングにより個々のチップに分離され、分離された半導
体チップ１０が、更にその後の工程において自動機によ
って、基板上にダイボンディングされたり、ＩＣ等にワ
イヤボンディングされる。このダイボンディングやワイ
ヤボンディング時の基準として利用されるのが、認識マ
ーク１とその周囲の認識エリア２である。自動機は認識
マーク１と認識エリア２との２値化による情報を認識し
て、所定位置でダイボンディングやワイヤボンディング
を行う。
る。一般に、ダイボンディングやワイヤボンディングを
行うＬＥＤチップ等の半導体チップ１０には、ダイシン
グライン３が周囲に引かれ、このライン３に沿ってダイ
シングにより個々のチップに分離され、分離された半導
体チップ１０が、更にその後の工程において自動機によ
って、基板上にダイボンディングされたり、ＩＣ等にワ
イヤボンディングされる。このダイボンディングやワイ
ヤボンディング時の基準として利用されるのが、認識マ
ーク１とその周囲の認識エリア２である。自動機は認識
マーク１と認識エリア２との２値化による情報を認識し
て、所定位置でダイボンディングやワイヤボンディング
を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４から分かるよう
に、認識マーク１は半導体チップ１０の１隅のダイシン
グライン３付近に設定されるのが通常であり、当然なが
ら認識マーク１を含む認識エリア２もダイシングライン
３付近に存在する。ところが、ダイシング時に切断され
た端縁４（特にチップ１０の角）から、半導体チップ１
０の膜が剥離することがある。この膜剥がれが認識エリ
ア２まで及ばない場合は特に問題はないが、図示のよう
に膜剥がれ（図中の斜線領域）５が認識エリア２まで達
すると、自動機の認識エラーの発生が多くなる。特に膜
剥がれ５が認識マーク１にまで至ると、認識エラーにな
る確率が一気に高まる。これは、膜剥がれ５により、認
識マーク１や認識エリア２の表面状態が正常時とは異な
り、認識マーク１と認識エリア２が本来持つ情報が変化
するため、認識エラーが発生するものと考えられてい
る。
に、認識マーク１は半導体チップ１０の１隅のダイシン
グライン３付近に設定されるのが通常であり、当然なが
ら認識マーク１を含む認識エリア２もダイシングライン
３付近に存在する。ところが、ダイシング時に切断され
た端縁４（特にチップ１０の角）から、半導体チップ１
０の膜が剥離することがある。この膜剥がれが認識エリ
ア２まで及ばない場合は特に問題はないが、図示のよう
に膜剥がれ（図中の斜線領域）５が認識エリア２まで達
すると、自動機の認識エラーの発生が多くなる。特に膜
剥がれ５が認識マーク１にまで至ると、認識エラーにな
る確率が一気に高まる。これは、膜剥がれ５により、認
識マーク１や認識エリア２の表面状態が正常時とは異な
り、認識マーク１と認識エリア２が本来持つ情報が変化
するため、認識エラーが発生するものと考えられてい
る。
【０００５】従って、本発明の目的は、半導体チップの
ダイシング時に発生する膜剥がれに起因する認識エラー
を低減することにある。
ダイシング時に発生する膜剥がれに起因する認識エラー
を低減することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的は、本発明の半
導体チップ、即ちチップの一偶角と、この一偶角と結ぶ
線でチップの一端辺が形成される他偶角に、それぞれ各
角を含みダイシングラインに沿って形成されるＬ字状パ
ターンと、このＬ字状パターンの内側に形成される認識
マークとで、認識エリアを形成し、かつ前記一偶角と他
偶角のＬ字状パターンと認識マークの相対関係を互いに
異なるように形成した半導体チップにより達成される。
導体チップ、即ちチップの一偶角と、この一偶角と結ぶ
線でチップの一端辺が形成される他偶角に、それぞれ各
角を含みダイシングラインに沿って形成されるＬ字状パ
ターンと、このＬ字状パターンの内側に形成される認識
マークとで、認識エリアを形成し、かつ前記一偶角と他
偶角のＬ字状パターンと認識マークの相対関係を互いに
異なるように形成した半導体チップにより達成される。
【０００７】本発明の半導体チップでは、ダミーパター
ンとしてのＬ字状パターンが膜剥がれの認識エリアへの
進入を阻止する作用を有するため、たとえダイシング時
にチップ端縁から膜が剥離しても、膜剥がれはダミーパ
ターンまでであり、ダミーパターンの内側に設定されて
いる認識マークを含む認識エリアには膜剥がれは生じ
ず、膜剥がれに因る認識エラーが激減する。
ンとしてのＬ字状パターンが膜剥がれの認識エリアへの
進入を阻止する作用を有するため、たとえダイシング時
にチップ端縁から膜が剥離しても、膜剥がれはダミーパ
ターンまでであり、ダミーパターンの内側に設定されて
いる認識マークを含む認識エリアには膜剥がれは生じ
ず、膜剥がれに因る認識エラーが激減する。
【０００８】なお、ダミーパターンは、ダイシングに因
る膜剥がれを阻止できれば、その素材や形状に制限はな
く、素材としてはパターン形成のし易さなどからアルミ
ニウムが最適である。又、パターン形状は、認識エリア
まで膜剥がれが及ぶのを阻止できるものであればよく、
その幅・長さに制約はない。
る膜剥がれを阻止できれば、その素材や形状に制限はな
く、素材としてはパターン形成のし易さなどからアルミ
ニウムが最適である。又、パターン形状は、認識エリア
まで膜剥がれが及ぶのを阻止できるものであればよく、
その幅・長さに制約はない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の半導体チップを実施例に基づ
いて説明する。図１はその一例の一部平面図（一偶角の
み）を示す。但し、従来と同じ構成要素には同一符号を
付してある。図に示す半導体チップ１０は、予め設定し
たダイシングライン３に沿ってダイシングにより分離さ
れたものであり、切断によりチップ１０の周囲に端縁４
が形成される。この半導体チップ１０の一偶角におい
て、ダイシングライン３の付近には所定の認識マーク１
と認識エリア２が設定されている。なお、この一偶角と
結ぶ線で半導体チップ１０の一端辺が形成される他偶角
にも、同様にダイシングライン３の付近に所定の認識マ
ーク１と認識エリア２が設定されている。
いて説明する。図１はその一例の一部平面図（一偶角の
み）を示す。但し、従来と同じ構成要素には同一符号を
付してある。図に示す半導体チップ１０は、予め設定し
たダイシングライン３に沿ってダイシングにより分離さ
れたものであり、切断によりチップ１０の周囲に端縁４
が形成される。この半導体チップ１０の一偶角におい
て、ダイシングライン３の付近には所定の認識マーク１
と認識エリア２が設定されている。なお、この一偶角と
結ぶ線で半導体チップ１０の一端辺が形成される他偶角
にも、同様にダイシングライン３の付近に所定の認識マ
ーク１と認識エリア２が設定されている。
【００１０】本発明の特徴であるダミーパターン（Ｌ字
状パターン）６は、アルミニウムからなり、認識エリア
２とダイシングライン３との間に位置し、ダイシングラ
イン３に沿って一定幅で延在する。特に、認識エリア２
のダイシングライン３寄りの２辺はダミーパターン６の
縁に一致しており、ダミーパターン６の縁が認識エリア
２の境界線を構成している。この実施例では、ダミーパ
ターン６は半導体チップ１０の周囲にダイシングライン
３に沿って設けられているが、必ずしも周囲に設ける必
要はなく、要するに前述したように認識エリア２に膜剥
がれが及ばなければよい。なお、この半導体チップ１０
の他偶角にも、同様にダイシングライン３に沿ってダミ
ーパターン（Ｌ字状パターン）が形成されているが、一
偶角と他偶角のＬ字状パターンと認識マークの相対関係
は互いに異なっている。
状パターン）６は、アルミニウムからなり、認識エリア
２とダイシングライン３との間に位置し、ダイシングラ
イン３に沿って一定幅で延在する。特に、認識エリア２
のダイシングライン３寄りの２辺はダミーパターン６の
縁に一致しており、ダミーパターン６の縁が認識エリア
２の境界線を構成している。この実施例では、ダミーパ
ターン６は半導体チップ１０の周囲にダイシングライン
３に沿って設けられているが、必ずしも周囲に設ける必
要はなく、要するに前述したように認識エリア２に膜剥
がれが及ばなければよい。なお、この半導体チップ１０
の他偶角にも、同様にダイシングライン３に沿ってダミ
ーパターン（Ｌ字状パターン）が形成されているが、一
偶角と他偶角のＬ字状パターンと認識マークの相対関係
は互いに異なっている。
【００１１】このような半導体チップ１０では、ダイシ
ング時に端縁４から膜が剥離しても、その進行がダミー
パターン６で食い止められ、ダミーパターン６の内側に
存在する認識マーク１は勿論のこと、認識エリア２には
膜剥がれが発生しない。従って、認識マーク１及び認識
エリア２の情報が変化しないので、自動機によるダイボ
ンディングやワイヤボンディング時に、認識エラーが起
こる可能性は極めて低い。
ング時に端縁４から膜が剥離しても、その進行がダミー
パターン６で食い止められ、ダミーパターン６の内側に
存在する認識マーク１は勿論のこと、認識エリア２には
膜剥がれが発生しない。従って、認識マーク１及び認識
エリア２の情報が変化しないので、自動機によるダイボ
ンディングやワイヤボンディング時に、認識エラーが起
こる可能性は極めて低い。
【００１２】図２は、本発明の他の実施例を示すＬＥＤ
チップの一部平面図であり、図２の（ａ）は、ＬＥＤチ
ップ１０の一方端のパターンを、図２の（ｂ）はＬＥＤ
チップ１０の他方端のパターンを示している。図２にお
いて、７は、マスクアライメントであり、８は各ＬＥＤ
のワイヤボンディング用のパッドである。また、この実
施例ＬＥＤチップ１０の偶角１０ａには、ダイシングラ
イン３に沿ってＬ字状のパターン６ａが形成されてお
り、このＬ字状のパターン６ａは、図１のダミーパター
ン６と同機能を持つものである。さらに、このＬ字状パ
ターン６ａの内側に認識マーク１ａが形成されている。
ＬＥＤ１０の同端辺１０ｃ上にある他の偶角１０ｂに
も、同様にＬ字状パターン６ｂと認識マーク１ｂが形成
されている。
チップの一部平面図であり、図２の（ａ）は、ＬＥＤチ
ップ１０の一方端のパターンを、図２の（ｂ）はＬＥＤ
チップ１０の他方端のパターンを示している。図２にお
いて、７は、マスクアライメントであり、８は各ＬＥＤ
のワイヤボンディング用のパッドである。また、この実
施例ＬＥＤチップ１０の偶角１０ａには、ダイシングラ
イン３に沿ってＬ字状のパターン６ａが形成されてお
り、このＬ字状のパターン６ａは、図１のダミーパター
ン６と同機能を持つものである。さらに、このＬ字状パ
ターン６ａの内側に認識マーク１ａが形成されている。
ＬＥＤ１０の同端辺１０ｃ上にある他の偶角１０ｂに
も、同様にＬ字状パターン６ｂと認識マーク１ｂが形成
されている。
【００１３】もっとも、偶角１０ａに形成されるＬ字状
パターン６ａと認識マーク１ａと、他偶角１０ｂに形成
されるＬ字状パターン６ｂと認識マーク１ｂは、それぞ
れＬ字状パターンの２辺の長さの比と、２辺から認識マ
ークまでの距離比を異なるように設定している。これら
により、例えば認識マークを認識して、その後連続的に
ワイヤボンディングを行う際に、ＬＥＤチップ１０の、
いずれの端から行うかを、十分に識別でき、パッドに正
確にワイヤボンディングできるようにしている。
パターン６ａと認識マーク１ａと、他偶角１０ｂに形成
されるＬ字状パターン６ｂと認識マーク１ｂは、それぞ
れＬ字状パターンの２辺の長さの比と、２辺から認識マ
ークまでの距離比を異なるように設定している。これら
により、例えば認識マークを認識して、その後連続的に
ワイヤボンディングを行う際に、ＬＥＤチップ１０の、
いずれの端から行うかを、十分に識別でき、パッドに正
確にワイヤボンディングできるようにしている。
【００１４】図３は、図２で示したＬＥＤチップ１０の
Ｌ字状パターンと認識マークの異なる態様のパターン例
を示している。図３の（ａ）は、Ｌ字状パターン６ａ、
６ｂの２辺の長さ比、及びＬ字状パターン６ａ、６ｂと
認識マーク１ａ、１ｂの距離は同じであるが、認識マー
ク６ａと６ｂが長方形であり、その姿勢を横型と縦型に
している。
Ｌ字状パターンと認識マークの異なる態様のパターン例
を示している。図３の（ａ）は、Ｌ字状パターン６ａ、
６ｂの２辺の長さ比、及びＬ字状パターン６ａ、６ｂと
認識マーク１ａ、１ｂの距離は同じであるが、認識マー
ク６ａと６ｂが長方形であり、その姿勢を横型と縦型に
している。
【００１５】図３の（ｂ）は、認識マーク１ａと１ｂの
姿勢を異ならせるとともに、各Ｌ字状パターン６ａ、６
ｂへの距離も異なるものとしている。また、図３の
（ｃ）は、認識マーク１ａ、１ｂの姿勢は同じである
が、Ｌ字状パターン６ａ、６ｂへの距離を異なるものと
している。いずれの場合も、自動機でワイヤボンディン
グ等を行う場合に、ＬＥＤチップ１０の、いずれの端部
から行うか、この相違を読取ることにより、方向性を識
別できるようにしている。
姿勢を異ならせるとともに、各Ｌ字状パターン６ａ、６
ｂへの距離も異なるものとしている。また、図３の
（ｃ）は、認識マーク１ａ、１ｂの姿勢は同じである
が、Ｌ字状パターン６ａ、６ｂへの距離を異なるものと
している。いずれの場合も、自動機でワイヤボンディン
グ等を行う場合に、ＬＥＤチップ１０の、いずれの端部
から行うか、この相違を読取ることにより、方向性を識
別できるようにしている。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体チ
ップは、上記のように構成されるので、下記の効果を奏
する。 （１）ダイシング時に起こる膜剥がれが認識マークを含
む認識エリアまではＬ字状パターンによって進行しない
ので、認識マーク及び認識エリアが持つ本来の情報が変
化せず、自動機によるダイボンディングやワイヤボンデ
ィング時における認識エラーの発生が激減する。 （２）（１）の結果、製造工程内での直行率の向上、及
びリワーク率の低減等によりコストが削減される。
ップは、上記のように構成されるので、下記の効果を奏
する。 （１）ダイシング時に起こる膜剥がれが認識マークを含
む認識エリアまではＬ字状パターンによって進行しない
ので、認識マーク及び認識エリアが持つ本来の情報が変
化せず、自動機によるダイボンディングやワイヤボンデ
ィング時における認識エラーの発生が激減する。 （２）（１）の結果、製造工程内での直行率の向上、及
びリワーク率の低減等によりコストが削減される。
【００１７】また、認識マークとＬ字状パターンの相対
関係を一偶角と他偶角のもので異なるようにしているの
で、これを読取ることにより、その方向性を識別でき、
ワイヤボンディング等を確実正確に行うことができる。
関係を一偶角と他偶角のもので異なるようにしているの
で、これを読取ることにより、その方向性を識別でき、
ワイヤボンディング等を確実正確に行うことができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体チップの一部平
面図である。
面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す、ＬＥＤチップの一
部平面図である。
部平面図である。
【図３】図２に示すＬＥＤチップのＬ字状パターンと認
識マークの相対関係の異なる他の態様例を示す図であ
る。
識マークの相対関係の異なる他の態様例を示す図であ
る。
【図４】従来例に係る半導体チップの一部平面図であ
る。
る。
１ 認識マーク ２ 認識エリア ３ ダイシングライン ４ 半導体チップの端縁 ６ ダミーパターン １０ 半導体チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−309351（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−65153（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−313812（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−166129（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/301
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップにおいて、チップの一偶角
と、この一偶角と結ぶ線でチップの一端辺が形成される
他偶角に、それぞれ各角を含みダイシングラインに沿っ
て形成されるＬ字状パターンと、このＬ字状パターンの
内側に形成される認識マークとで、認識エリアを形成
し、かつ前記一偶角と他偶角のＬ字状パターンと認識マ
ークの相対関係を互いに異なるように形成したことを特
徴とする半導体チップ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17141692A JP3217459B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-06-30 | 半導体チップ |
| US08/081,392 US5430325A (en) | 1992-06-30 | 1993-06-22 | Semiconductor chip having dummy pattern |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27392 | 1992-01-06 | ||
| JP4-273 | 1992-01-06 | ||
| JP17141692A JP3217459B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-06-30 | 半導体チップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251556A JPH05251556A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3217459B2 true JP3217459B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=26333213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17141692A Expired - Fee Related JP3217459B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-06-30 | 半導体チップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3217459B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006134968A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Sharp Corp | 分割位置認識マークの形成方法、半導体回路基板の製造方法、半導体回路基板、半導体回路基板母材、液晶表示パネル基板、液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
| US8786092B2 (en) | 2005-06-17 | 2014-07-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP17141692A patent/JP3217459B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05251556A (ja) | 1993-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110803 Year of fee payment: 10 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |