KR20020065047A - 웨이퍼의 절삭 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 절삭 방법에 대한 것이다. 종래 기술에 따른 웨이퍼의 절삭 공정은, 패브리케이션 공정에서 집적회로가 형성되지 않았으나 양품 개별 칩과 유사한 형태와 크기를 갖는 불량 개별 칩이 절삭 후 선별 과정에서 양품으로 오인식되는 불량을 발생시킨다. 본 발명의 웨이퍼 절삭 방법은 집적회로가 형성되지 않은 부분에 위치한 불량 개별 칩의 내부를 절삭하도록 함으로써 불량 개별 칩이 양품으로 오인식되는 것을 방지할 수 있다.

Description

웨이퍼의 절삭 방법{Method for sawing wafer}

본 발명은 웨이퍼의 절삭 방법에 대한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 가장자리에 형성되고 집적회로가 형성되지 않은 불량 개별 칩의 내부를 절삭함으로써, 불량 개별 칩과 양품 개별 칩으로의 선별 과정시 오인식되는 것을 방지하기 위한 웨이퍼 절삭 방법에 관한 것이다.

반도체 패키지 제작 공정은 일반적으로 패브리케이션(fabrication; FAB) 공정과 조립 공정, 테스트 공정 등으로 이루어지는데, 여기서 조립 공정은 패브리케이션 공정을 거친 상태의 반도체 칩을 개개로 분리시키는 웨이퍼 절삭 공정, 분리된 반도체 칩을 리드 프레임과 같은 전기적 연결 수단에 부착하는 칩 부착(chip attach) 공정, 반도체 칩과 전기적 연결 수단과의 전기적 연결을 위해 와이어를 부착하는 와이어 본딩 공정 및 이를 외부 환경으로부터 보호하기 위한 봉지부의 형성 공정 등으로 이루어져 있다.

도면을 참조하여 종래 기술에 따른 웨이퍼 절삭 방법을 설명하겠다.

도 1은 종래 기술에 따른 절삭된 웨이퍼의 평면도이다.

도 1에 따른 종래 기술에 따른 웨이퍼(1)의 절삭 방법은 다음과 같다.

먼저, 패브리케이션 공정을 거쳐 집적회로가 형성된 복수개의 개별 칩(10)으로 이루어진 웨이퍼(1)를 준비하는 단계를 거친다. 집적회로는 패브리케이션 공정에서 형성되는데, 패브리케이션 공정에서 사용되는 마스크의 형태나 집적 회로의 크기 및 웨이퍼(1)의 크기 등에 따라서 집적회로가 형성되지 않은 A와 같은 영역이 형성된다.

이 단계에 이어, 웨이퍼(1)에 형성된 인식 마크를 인식하는 단계를 거친다. 인식 마크는 패브리케이션 공정에서 개별 칩(10) 사이에 형성되며, 웨이퍼(1)의 정렬 상태를 확인하는 기준이 되는 기능을 수행한다. 이를 위해서는 인식 마크를 절삭 장치의 제어부에 미리 인식시키는 별도의 과정이 필요하며, 카메라에 의해 인식된 이미지와 제어부에 인식된 이미지를 비교하여 소정의 기준 이상인 경우 인식 마크인 것으로 인식한다. 따라서 인식 마크는 명암이 뚜렷하고, 주위 환경과 혼동되지 않는 고유한 형태로 형성된다.

이 단계에 이어, 소정의 간격으로 배열된 복수개의 절삭선(30)을 검출하는 단계를 거친다. 절삭선(30)은 개별 칩(10) 사이에 위치하여 개별 칩(10)이 정상적으로 분리되는 위치에서 검출되도록 한다.

이 단계에 이어, 절삭선(30)을 따라 웨이퍼(1)를 절삭한다. 절삭 장치의 절삭 날은 절삭선(30)을 따라 웨이퍼(1)를 개별 칩(10)으로 분리시킨다. 이때 패브리케이션 공정에서 웨이퍼(1)의 가장자리에 형성된 집적회로가 형성되지 않은 영역인 A에서는 개별 칩(10)으로의 절삭 공정 이후, 집적회로가 형성되지 않았으나 그 형태와 크기가 양품과 동일한 불량 개별 칩(10)이 형성된다.

절삭 공정이 끝난 개별 칩(10)이 다음 공정으로 이송되기 위해서는 양품 개별 칩(10)과 불량 개별 칩(10)으로 선별되는 과정을 거친다. 이때 모서리가 깨진 부분을 갖고 있거나, 양품 개별 칩(10)의 크기와 상이한 크기를 갖는 경우, 또는 제조 공정에서 형성된 오염물 흔적 등을 갖는 칩은 불량 개별 칩(10)으로 선별되어 다음 공정으로 이송되지 않는다. 그러나 불량 개별 칩(10) 중 형상과 크기가 정상적이나 집적회로가 형성되지 않은 것은 양품 개별 칩(10)으로 오인식되어 다음 공정으로 이송된다.

따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 가장자리에 위치하고 집적회로가 형성되지 않은 불량 개별 칩이 양품 개별 칩으로 오인식되는 것을 방지하는데 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 절삭된 웨이퍼의 평면도,

도 2는 본 발명에 따른 절삭된 웨이퍼의 평면도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *

웨이퍼 : 1, 101

개별 칩 : 10, 110

절삭선 : 30, 130a

추가 절삭선 : 130b

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 웨이퍼 절삭 방법은, (a) 인식 마크가 형성된 웨이퍼를 준비하는 단계; (b) 인식 마크를 인식하여 웨이퍼의 정렬 상태를 확인하는 단계; (c) 인식 마크를 기준으로 개별 칩으로 분리하기 위한 소정의 간격으로 배열된 복수개의 절삭선과, 집적회로가 형성되지 않은 영역에 위치한 불량 개별 칩의 내부를 절삭하기 위해 웨이퍼의 가장자리에서 복수개의 추가 절삭선을 검출하는 단계; (d) 절삭선과 추가 절삭선을 따라 웨이퍼를 절삭하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도 2는 본 발명에 의한 절삭된 웨이퍼의 평면도이다. 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.

먼저, 집적회로가 형성된 복수개의 개별 칩(110)으로 이루어진 웨이퍼(101)를 준비하는 단계를 거친다. 집적회로는 패브리케이션 공정에서 형성되는데, 패브리케이션 공정에서 사용되는 마스크의 형태나 집적 회로의 크기 및 웨이퍼(101)의 크기 등에 따라서 집적회로가 형성되지 않은 A'와 같은 영역이 형성된다.

이 단계에 이어, 인식 마크를 인식하여 웨이퍼(101)의 정렬 상태를 확인하는 단계를 거친다. 이 단계는 카메라에 의해 얻어진 이미지에서 절삭 장치에 기억된 인식 마크와 유사한 명암과 형태를 찾아냄으로써 인식된다. 인식 마크는 패브리케이션 공정에서 개별 칩(110) 사이에 형성된 형상으로, 웨이퍼(101)의 정렬 상태를 확인하는 기준이 되는 기능을 수행한다. 이를 위해서는 인식 마크를 절삭 장치의 제어부에 미리 인식시키는 별도의 과정이 필요하며, 인식 마크는 카메라에 의해 인식된 이미지와 제어부에 인식된 이미지와 비교하여 소정의 기준 이상인 경우 인지되므로, 명암과 형태가 뚜렷하고 주위 환경과 혼동되지 않는 고유한 형태로 패브리케이션 공정에서 형성되도록 한다.

이 단계에 이어, 인식 마크를 기준으로 개별 칩(110)으로 분리하기 위한 소정의 간격으로 배열된 복수개의 절삭선(130a)과, 웨이퍼의 가장자리에 위치하고 집적회로가 형성되지 않은 불량 개별 칩(110)의 내부를 절삭하기 위한 복수개의 추가 절삭선(130b)을 검출하는 단계를 거친다. 이때 패브리케이션 공정 중 집적회로가 형성되지 않은 웨이퍼(101)의 가장자리인 A'영역에는, 양품 개별 칩(110)의 너비보다 좁은 간격으로 위치하는 추가 절삭선(130b)이 검출되도록 한다.

이 단계에 이어, 절삭선(130a)과 추가 절삭선(130b)을 따라 웨이퍼(101)를 절삭하는 단계를 거치면 본 발명에 의한 웨이퍼(101)의 절삭은 완료된다. 이때 추가 절삭선(120b)을 따라 절삭 공정이 이루어지므로 A'영역에 위치한 불량 개별 칩(110)은 그 내부가 절삭된다. 따라서 A'영역에 형성되어 내부가 절삭된 불량 개별 칩(110)은, 다음 공정으로의 이송 시의 선별 과정에서 불량 개별 칩(110)으로 인식되어 다음 공정으로 이송되지 않는다.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.

따라서, 본 발명의 구조를 따르면 웨이퍼의 가장자리에 위치한 불량 개별 칩의 내부를 절삭하여 그 형태를 양품 개별 칩과 다르게 함으로써 절삭 공정 후 선별 과정에서 불량 개별 칩이 양품 개별 칩으로 오인식되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (1)

1. (a) 집적회로가 형성된 복수개의 개별 칩을 갖는 웨이퍼를 준비하는 단계;

   (b) 상기 개별 칩 사이에 위치한 인식 마크를 인식하여 상기 웨이퍼의 정렬 상태를 확인하는 단계;

   (c) 상기 인식 마크를 기준으로 개별 칩으로 분리하기 위한 소정의 간격으로 배열된 복수개의 절삭선과, 집적회로가 형성되지 않은 영역에 위치한 불량 개별 칩의 내부를 절삭하기 위해 상기 웨이퍼의 가장자리에서 복수개의 추가 절삭선을 검출하는 단계;

   (d) 상기 절삭선과 상기 추가 절삭선을 따라 상기 웨이퍼를 절삭하는 단계;

   를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 절삭 방법.