JP3215317B2 - 外部共振器型波長可変半導体レーザ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、外部共振器型波
長可変半導体レーザに関する。

【０００２】

【従来の技術】光通信や光計測等の光応用技術分野で
は、小型・軽量であり、注入電流に変調信号を重畳する
ことで直接変調が可能である等の半導体レーザの利点の
利用が要望されている。しかしながら、半導体レーザ
は、コヒーレンスが悪く、発振波長が半導体レーザ製造
時にほとんど決定されてしまうという問題点がある。半
導体レーザのこのような問題点を解決するために、外部
共振器型半導体レーザが開発されている。外部共振器構
造とすることで、共振器長が長くなり、半導体レーザに
比べて共振器のＱ値が高くなるのでスペクトル線幅が狭
搾化される。しかしながら、この場合半導体レーザが縦
マルチで発振する可能性があるので、共振器内に波長選
択素子を挿入して波長を安定させるようにしている。こ
のような共振器内に波長選択素子を挿入した外部共振器
型半導体レーザでは波長選択素子によって選択される波
長を変化させると外部共振器で共振するレーザ波長を変
化させることができるので、小型・軽量、狭スペクトル
線幅、広帯域波長可変特性等を有する外部共振器型波長
可変半導体レーザが注目されている。外部共振器型波長
可変半導体レーザとして、波長選択素子を回転させるこ
とにより波長選択素子によって選択される波長を変化さ
せるようにした外部共振器型波長可変半導体レーザが提
案されている。

【０００３】波長選択素子を回転させることにより波長
選択素子によって選択される波長を変化させるようにし
た外部共振器型波長可変半導体レーザの従来例を図３を
参照して説明する。図３は、従来の外部共振器型波長可
変半導体レーザの縦断面図である。図３において、外部
共振器型波長可変半導体レーザ１０２は、筐体１０４内
に半導体レーザ１１０、波長選択素子（例えば、波長選
択性光フィルタ）１２２等の光学部品が配置されてい
る。筐体１０４の底板の上には温度制御素子（例えば、
ペルチェ素子）１０６が固定され、この温度制御素子１
０６上には基板（例えば、金属基板）１０８が固定され
ている。この基板１０８上には半導体レーザ１１０が支
持台を介して固定され、その両側にはレンズ１１６及び
１２６が支持台を介して固定されている。半導体レーザ
１１０の一対の光出射端面のうちレンズ１１６の側には
反射防止膜１１２がコーティングされている。

【０００４】半導体レーザ１１０から反射防止膜１１２
を通過して出射した光は、レンズ１１６によって平行光
線とされる。この平行光線が通過する光路上に、波長選
択素子１２２が配置されている。波長選択素子１２２は
パルスモータ等の駆動機構を用いた回転機構１２０に取
り付けられており、回転機構１２０は筐体１０４の底板
上に固定されている。さらに、波長選択素子１２２の後
方には、全反射鏡１１８が支持台を介して筐体１０４の
底板上に固定されている。したがって、平行光線は、波
長選択素子１２２を通過した後全反射鏡１１８で反射さ
れ、再度波長選択素子１２２を通過し、レンズ１１６に
よって集光された後半導体レーザ１１０に注入される。
外部で波長選択された光は、半導体レーザ１１０の内部
で増幅され、半導体レーザ１１０の端面１１０ａで一部
が出射される。この端面１１０ａで反射した光は、半導
体レーザ１１０の内部で再度増幅された後反射防止膜１
１２がコーティングされている端面から出射されて上記
の過程を繰り返し、利得が十分であれば選択された波長
でレーザ発振する。以上のように、全反射鏡１１８と、
半導体レーザ１１０の反射防止膜１１２がコーティング
されていない端面１１０ａとで外部共振器が形成されて
いる。従って、従来の外部共振器型波長可変半導体レー
ザの共振器長は図３に示されるようにＬ１０となる。

【０００５】半導体レーザ１１０の端面１１０ａから出
射したレーザ光は、レンズ１２６によって平行光線とさ
れる。そして、レンズ１２６と同じ支持台に固定されて
いる光アイソレータ１２８を通過し、レンズ１２９によ
り集光されて光ファイバ１３０に入射する。光ファイバ
１３０を保護する光ファイバーケーブル１３２は、筐体
１０４の側壁を貫通して外部に取り出される。

【０００６】一方、筐体１０４の底面には温度制御素子
１３４Ａ、１３４Ｂ、１３４Ｃが固定されており、これ
らの温度制御素子１３４Ａ、１３４Ｂ、１３４Ｃには放
熱板１３６が固定されている。また、基板１０８上の半
導体レーザ１１０の支持台の近傍には温度センサ（例え
ば、サーミスタ）１１４Ａが、筐体１０４の底板上には
温度センサ１１４Ｂが取り付けられている。そして、温
度センサ１１４Ａ、１１４Ｂからの温度測定データに基
づいて温度制御素子１０６、１３４Ａ、１３４Ｂ、１３
４Ｃを制御することにより、筐体１０４内に配置されて
いる各光学部品の温度が制御される。

【０００７】次に、従来の外部共振器型波長可変半導体
レーザ１０２における波長可変の機構を説明する。例え
ば、波長選択素子１２２が光路に垂直に向いているとき
の波長選択素子１２２内の光路長をＷ１とすると、回転
機構１２０によって波長選択素子１２２を光路に対して
斜めに回転させた時の波長選択素子１２２内の光路長は
Ｗ１より大きいＷ２に変化する。これにより、波長選択
素子１２２によって選択される波長が変化し、外部共振
器で共振するレーザ波長が変化することになる。なお、
波長選択素子１２２及び全反射鏡１１８の代わりに回折
格子を用い、波長選択素子と反射鏡の役割を兼用させる
ようにした外部共振器型波長可変半導体レーザも提案さ
れている。このような外部共振器型波長可変半導体レー
ザでは、パルスモータ等の駆動機構を用いた回転機構に
より回折格子を回転させ、回折格子で反射される波長を
変化させることによって外部共振器で共振するレーザ波
長を変化させている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術においては、波長選択素子あるいは回析格子を
回転させる回転機構としてパルスモータ等の駆動機構を
用いた回転機構を用いている。かかるパルスモータ等の
駆動機構を用いた回転機構は、駆動機構が大きいのみな
らず、ベアリング等の回転支持機構を用いているため、
回転機構全体の大きさを小さくすることには限界があ
る。したがって、共振器長Ｌ１０も長くなり、外部共振
器型波長可変半導体レーザ１０２全体としても大きくな
らざるを得ない。この結果、外部からの振動の影響を受
けやすくなり、振動によって発振レーザ波長やレーザ光
強度が不安定になるとういう問題点がある。また、パル
スモ−タ等の発熱のため図３に示されるように四つの温
度制御素子を用いて制御しても各光学部品の温度を正確
に制御することができず、発振レーザ波長やレーザ光強
度が不安定になるという問題点がある。さらに、共振器
長Ｌ１０が長くなるため、レーザ発振時における光子寿
命が長くなり、半導体レーザの直接変調による変調可能
な周波数限界が小さくなるといった問題点がある。

【０００９】このような問題点を解決するために、本発
明者は、回転機構１２０を筐体１０４の上板に取り付
け、波長選択素子１２２を筐体１０４内に垂下させる構
造の外部共振器型波長可変半導体レーザを開発した。回
転機構１２０を筐体１０４の上板に取り付けることによ
り、レンズ１１６と全反射鏡１１８間の距離を短縮する
ことができ、外部共振器型波長可変半導体レーザを小型
化することができる。しかしながら、かかる構造におい
ても、重量のある回転機構１２０が筐体１０４の上板に
取り付けられているため、外部からの振動の影響を受け
やすく、また、回転機構１２０のパルスモータ等の発熱
により各光学部品の温度を正確に制御することができ
ず、発振レーザ波長やレーザ光強度が不安定になるとい
う問題点は解消されなかった。

【００１０】本発明は、上記問題点を解決するために創
案されたものであり、小型で、発熱しない回転機構を提
供することを課題とする。また、本発明は、このような
小型で、発熱しない回転機構を用いることによって、外
部からの振動を受けにくく、かつ各光学部品の温度を正
確に制御することができる外部共振器型波長可変半導体
レーザを提供することを課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明は、光出射面となる二つの
端面のうち一方の端面に反射防止膜がコーティングされ
た半導体レーザと、前記半導体レーザの前記反射防止膜
のある端面から出射した光を平行光線とするレンズと、
前記レンズからの平行光線を同一光路上を逆行するよう
に反射させる反射鏡と、前記レンズと前記反射鏡との間
に設けられた波長選択素子と、前記波長選択素子を回転
させる回転機構と、筐体とを備え、前記半導体レーザ、
前記レンズ及び前記反射鏡は筐体の底板上に配置される
とともに、前記回転機構は前記筐体の上板に取り付けら
れており、前記回転機構は、前記筐体の上板に設けられ
た貫通孔に回転可能に嵌合され、鍔部を有するとともに
前記波長選択素子が取り付けられる回転子と、前記回転
子を前記筐体の上板との間に挟持する回転子受け部材と
により構成されていることを特徴とする外部共振器型波
長可変半導体レーザ である。 請求項１に記載の外部共振
器型波長可変半導体レーザは、波長選択素子を回転させ
る回転機構として、筐体と回転子受け部材との間に回転
可能に挟持された鍔部を有する回転子を設けた回転機構
を用いている。このため、回転子は外部から加えられる
回転力によって適度の抵抗力をもって微小角度ずつ回転
させられ、外部から回転力が加えられない場合には回転
子と筐体及び回転子受け部材間の静止摩擦力によって静
止状態を維持する。このように、パルスモータ等の駆動
機構やベアリング等の回転支持機構を用いていないの
で、小型で、発熱しない回転機構を得ることができる。
また、このような回転機構を用いたので、半導体レーザ
と反射鏡間の距離を短縮することができ、共振器長を短
くすることができる。 この結果、外部共振器型波長可変
半導体レーザ全体の長さが短くなって剛性が増すため、
外部からの振動による影響を受けにくくなる。また、共
振器長さが短縮した分だけ直接変調による変調可能な周
波数限界が大きくなる。さらに、外部共振器型波長可変
半導体レーザが小型化されるとともに、回転機構が発熱
要素を有していないので、温度制御素子により各光学部
品の温度を正確に制御することができる。

【００１２】また、請求項２に記載の発明は、光出射面
となる二つの端面のうち一方の端面に反射防止膜がコー
ティングされた半導体レーザと、前記半導体レーザの前
記反射防止膜のある端面から出射した光を平行光線とす
るレンズと、前記レンズからの平行光線のうち選択され
た波長の光を同一光路上を逆行するように反射させる回
折格子と、前記回析格子を回転させる回転機構と、筐体
とを備え、前記半導体レーザ及び前記レンズは筐体の底
板上に配置されるとともに、前記回転機構は前記筐体の
上板に取り付けられており、前記回転機構は、前記筐体
の上板に設けられた貫通孔に回転可能に嵌合され、鍔部
を有するとともに前記回折格子が取り付けられる回転子
と、前記回転子を前記筐体の上板との間に挟持する回転
子受け部材とにより構成されていることを特徴とする外
部共振器型波長可変半導体レーザである。 請求項２に記
載の外部共振器型波長可変半導体レーザは、波長選択素
子及び反 射鏡に代えて回折格子を用い、かつ回析格子を
回転させる回転機構として、筐体と回転子受け部材との
間に回転可能に挟持された鍔部を有する回転子を設けた
回転機構を用いている。このため、半導体レーザと反射
鏡間の距離をさらに短縮することができる。 したがっ
て、一層、外部からの振動による影響を受けにくくな
り、また、各光学部品の温度を正確に制御することがで
き、さらに、直接変調による変調可能な周波数限界が大
きくなる。

【００１３】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の外部共振器型波長可変半導体レーザにおいて、
前記半導体レーザ、前記レンズ及び前記反射鏡を共通の
基板に固定し、前記基板には温度制御素子を設ける。 請
求項３に記載の外部共振器型波長可変半導体レーザは、
半導体レーザ、レンズ及び反射鏡を共通の基板に固定し
たので、さらに剛性が増して外部からの振動による影響
をより受けにくくなる。 また、この基板に温度制御素子
を設けたので、各光学部品の温度を正確に制御すること
ができ、外部の温度変化による擾乱が起こりにくくな
る。

【００１４】また、請求項４に記載の発明は、請求項２
に記載の外部共振器型波長可変半導体レーザにおいて、
前記半導体レーザ及び前記レンズを共通の基板に固定
し、前記基板には温度制御素子を設ける。 請求項４に記
載の外部共振器型波長可変半導体レーザは、半導体レー
ザ及びレンズを共通の基板に固定したので、さらに剛性
が増して外部からの振動による影響をより受けにくくな
る。 また、この基板に温度制御素子を設けたので、各光
学部品の温度を正確に制御することができ、外部の温度
変化による擾乱が起こりにくくなる。

【００１５】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
〜４のいずれかに記載の外部共振器型波長可変半導体レ
ーザにおいて、前記筐体の上板及び前記回転子受け部材
と前記回転子とが互いに接触する面にはそれぞれ鏡面加
工を施す。 請求項５に記載の外部共振器型波長可変半導
体レーザは、回転子と筐体の上板あるいは回転子受け部
材が互いに接触する面に鏡面加工を施しているため、小
さい回転力によって回転子を回転させることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に本発明の外部共振器型波長
可変半導体レーザを具現化した実施の形態を図１及び図
２を参照して説明する。まず、本実施の形態の全体構造
を図１を参照して説明する。図１は、外部共振器型波長
可変半導体レーザ２の縦断面図である。図１において、
外部共振器型波長可変半導体レーザ２は、筐体４内に半
導体レーザ１０、波長選択素子（例えば、波長選択性光
フィルタ）２２等の光学部品が配置されて構成されてい
る。筐体４の底板の上には温度制御素子（例えば、ペル
チェ素子）６が固定され、このペルチェ素子６上には基
板（例えば、金属基板）８が固定されている。この基板
８上には半導体レーザ１０が固定され、その両側にはレ
ンズ１６及び２６が固定されている。半導体レーザ１０
の一対の光出射端面のうちレンズ１６の側には反射防止
膜１２がコーティングされている。

【００１７】半導体レーザ１０から反射防止膜１２を通
過して出射した光は、レンズ１６によって平行光線とさ
れる。この平行光線が通過する光路上に、波長選択素子
２２が配置されている。波長選択素子２２は後述する回
転機構２０に取り付けられており、回転機構２０は筐体
４の上板の下側に取り付けられている。さらに、波長選
択素子２２の後方には、反射鏡１８が基板８上に固定さ
れている。この反射鏡１８と半導体レーザ１０の反射防
止膜１２がコーティングされていない端面１０ａとで外
部共振器が形成されている。従って、共振器長は図１に
示されるようにＬとなる。この外部共振器によって発生
したレーザ光は、半導体レーザ１０の反射防止膜１２が
コ−ティングされていない端面１０ａから出射し、レン
ズ２６により集光されて光ファイバ３０に入射する。光
ファイバ３０を保護する光ファイバーケーブル３２は、
筐体４の側壁を貫通して固定されている。なお、レンズ
２６と光ファイバ３０の間には光アイソレータ２８が配
置されており、この光アイソレータ２８も基板８上に固
定されている。

【００１８】なお、外部共振器波長可変半導体レ−ザの
出力をモニターするために、反射鏡１８の反射率を約９
５％程度とし、数％のレーザ光が反射鏡１８を通過して
後方にある光センサ（フォトディテクタ）２４に当たる
ようにしている。この光センサ２４も基板８上に固定さ
れている。さらに、基板８上の半導体レーザ１０の近傍
には、温度センサ（例えば、サーミスタ）１４が取り付
けられている。そして、この温度センサ１４からの温度
測定データに基づいて温度制御素子６を制御することに
より筐体４内の各光学部品の温度が制御される。

【００１９】かかる構成によって、半導体レーザ１０の
反射防止膜のない端面１０ａと反射鏡１８との間で外部
共振器が形成され、レーザ光の発振が起こる。また、レ
ンズ１６と反射鏡１８との間に配置した波長選択素子２
２を回転させることにより、波長選択素子２２内の実効
光路長が変化して発振するレーザ光の波長が変化する。

【００２０】次に、波長選択素子２２を回転させる回転
機構２０の一実施の形態の構造を、図２を参照して説明
する。図２（Ａ）は回転機構２０の縦断面図であり、図
２（Ｂ）は回転機構２０の平面図である。図２（Ａ）、
（Ｂ）に示されるように、回転機構２０は、回転子４０
を有している。この回転子４０は、円柱形状の上部４０
ｂと、上部４０ｂより直径の大きい円柱形状の鍔部４０
ｃと、鍔部４０ｃから下方に伸びた細い円柱形状の部品
取付け部４０ｄとを有している。上部４０ｂは、筐体４
の上板に設けられた貫通孔に回転可能に嵌合される。回
転子受け部材４２は、内側の形状が回転子４０の鍔部４
０ｃと同一形状に形成されているとともに、部品取付け
部４０ｄが貫通する貫通孔が設けられており、この貫通
孔に部品取付け部４０ｄが貫通した状態で回転子受け部
材４２と筐体とによって鍔部４０ｃを回転可能に挟持す
るように筐体４にネジ４４等によって密着固定される。
そして、部品取付け部４０ｄの下部に波長選択素子２２
が取り付けられる。

【００２１】筐体４内を気密封止するために、回転機構
２０と筐体４間に封止部材を設ける。封止部材の種類及
び封止部材の取付け位置は任意であるが、本実施の形態
では筐体４と回転子４０の鍔部４０ｃとの間にＯリング
４５を設けた。上部４０ｂの上面には、マイナスドライ
バーやプラスドライバー等の部材によって回転子４０を
回転させることができるように、マイナスドライバーや
プラスドライバー等の部材の先端が係合する溝４０ａが
設けられている。また、鍔部４０ｃと回転子受け部材４
２及び筐体４の互いに接触する面には、それぞれ鏡面加
工が施されている。これにより、マイナスドライバー等
によって回転子４０を回転させる際の抵抗力を小さくす
ることができる。なお、減速ドライバーを用いれば、回
転子４０より微小角度ずつ回転させることができる。以
上のように構成されている回転機構２０は、パルスモー
タ等の駆動機構やベアリング等の回転支持機構を備えて
いないので、回転機構全体が小型化され、また、パルス
モータ等からの発熱もない。

【００２２】そして、上記したような回転機構２０を波
長選択素子２２を回転させる回転機構として用いること
により、半導体レーザ１０と反射鏡１８間の距離を短縮
することができ、共振器長Ｌを短かくすることができ
る。この結果、共振器長Ｌが短かくなった分だけ直接変
調による変調可能な周波数限界が大きくなる。例えば、
共振器長を従来技術に比べて約五分の一とすることがで
き、変調可能な周波数はおよそ五倍程度大きくなってい
る。また、共振器長Ｌが短かくなった分だけ外部共振器
型波長可変半導体レーザ２全体の長さを短くすることが
でき、剛性が増して外部からの振動による影響を受けに
くくなる。

【００２３】さらに、半導体レーザ１０、レンズ１６、
２６、反射鏡１８、光センサ２４、光アイソレータ２８
等を共通の基板８に固定することにより、一層剛性が増
して外部からの振動による影響をより受けにくくなる。
また、小型化によって外部共振器型波長可変半導体レー
ザ２全体の温度が均一になる。さらに、外部共振器型波
長可変半導体レーザ２の小型化及び共通の金属基板８を
ペルチェ素子等の温度制御素子６によって温度制御する
ことにより、各光学部品の温度を正確に制御することが
でき、外部の温度変化による擾乱も起こりにくくなる。

【００２４】図１に示す実施の形態では、外部共振器を
波長選択素子２２及び反射鏡１８により構成したが、波
長選択素子２２及び反射鏡１８に代えて回折格子を用い
ることもできる。この場合には、回析格子を図２に示し
たような回転機構により回転させる。波長選択素子及び
反射鏡に代えて回析格子を用いると、部品数が少なくな
るため、一層共振器長を短縮することができる。

【００２５】なお、前記実施の形態では、回転子４０の
上部４０ｂの直径を部品取付け部４０ｄの直径より大き
くしたが、上部４０ｂ及び部品取付け部４０ｄの直径
は、例えば同じにする等種々変更可能である。また、回
転子受け部材４２の形状は、回転子４０が回転可能に回
転子受け部材４２と筐体４との間に回転子４０の鍔部４
０ｃを挟持する構造であればどのような形状でもよい。
また、回転機構２０を筐体４の上板の下側に取り付けた
が、回転機構２０を筐体４の上板の上側に取り付けるよ
うにしてもよい。すなわち、筐体４の上板に設けられた
貫通孔に部品取付け部材を回転可能に嵌合するととも
に、鍔部及び上部を筐体４の上板の上側に載置し、回転
子受け部材と筐体４とによって鍔部が回転可能に挟持す
るように回転子受け部材を筐体４の上板の上側にネジ等
によって密着固定する。また、回転機構２０を筐体４の
上板に取り付けたが、回転機構２０を筐体４の側壁の内
側あるいは外側に取り付けるようにしてもよい。

【００２６】また、回転機構２０を筐体４の上板に取り
付けて波長選択素子２２を垂下させるようにしたが、回
転機構２０を基板８上に取付けて波長選択素子２２を基
板８上に載置するようにしてもよい。すなわち、回転子
を円柱形状の鍔部と鍔部から上方に伸びた細い円柱形状
の部品取付け部材とにより形成し、部品取付け部材の先
端に波長選択素子を取り付ける。そして、基板８と回転
子受け部材とによって回転子の鍔部が垂直軸に対して回
転可能に挟持するように回転子受け部材を基板８の上面
にネジ等によって固定する。一方、筐体４の上板に貫通
孔を設け、この貫通孔に波長選択素子の先端を回転可能
に嵌合する。あるいは、回転子を円柱形状の鍔部と鍔部
から上方に伸びた細い円柱形状の部品取付け部材とによ
り形成し、部品取付け部材の先端に波長選択素子を取り
付ける。そして、回転子の鍔部を水平軸に対して回転可
能に挟持する回転子受け部材を基板８の上面にネジ等に
よって固定する。一方、筐体４の側壁に貫通孔を設け、
この貫通孔に波長選択素子の先端を回転可能に嵌合す
る。いずれの場合においても、波長選択素子の先端への
ドライバー用の溝の形成、筐体内の気密封止のための波
長選択素子の先端と筐体間へのＯリング等の封止部材の
設置等は必要に応じて行う。また、回転機構を外部共振
器型波長可変半導体レーザの波長選択素子あるいは回析
格子を回転させるために用いたが、本発明の回転機構は
波長選択素子や回析格子の回転用に限定されるものでは
ない。

【００２７】

【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の外部共
振器型波長可変半導体レーザを用いれば、波長選択素子
を回転させる回転機構として、パルスモータ等の駆動機
構やベアリング等の回転支持機構を用いていないので、
共振器長を短縮することができる。これにより、剛性が
増して外部からの振動による影響を受けにくく、直接変
調による変調可能な周波数限界が大きく、各光学部品の
温度を正確に制御することができる。また、請求項２に
記載の外部共振器型波長可変半導体レーザを用いれば、
波長選択素子及び反射鏡に代えて回折格子を用いたの
で、一層共振器長を短縮することができる。また、請求
項３及び請求項４に記載の外部共振器型波長可変半導体
レーザを用いれば、各光学部品を共通の基板に固定した
ので、一層剛性が増し、また共通の基板に温度制御素子
を設けたので、一層外部の温度変化による擾乱が起こり
にくくなる。また、請求項５に記載の外部共振器型波長
可変半導体レーザを用いれば、小さい回転力によって回
転子を回転させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の外部共振器型波長可変半導体レーザの
実施の形態の縦断面図である。

【図２】本発明の回転機構の実施の形態の縦断面図及び
平面図である。

【図３】外部共振器型波長可変半導体レーザの従来例の
縦断面図である。

【符号の説明】

２、１０２；外部共振器型波長可変半導体レーザ ４、１０４；筐体 ６、１０６、１３４Ａ、１３４Ｂ、１３４Ｃ；ペルチェ
素子 ８、１０８；金属基板 １２、１１２；反射防止膜 １０、１１０；半導体レーザ １６、２６、１１６、１２６；レンズ １８、１１８；反射鏡 ２０、１２０；回転機構 ２２、１２２；波長選択素子 ４０；回転子 ４０ａ；溝 ４０ｂ；上部 ４０ｃ；鍔部 ４２；回転子受け部材 ４５；Ｏリング

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−190244（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−326382（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−350170（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−150146（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−132530（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−61811（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光出射面となる二つの端面のうち一方の
   端面に反射防止膜がコーティングされた半導体レーザ
   と、前記半導体レーザの前記反射防止膜のある端面から
   出射した光を平行光線とするレンズと、前記レンズから
   の平行光線を同一光路上を逆行するように反射させる反
   射鏡と、前記レンズと前記反射鏡との間に設けられた波
   長選択素子と、前記波長選択素子を回転させる回転機構
   と、筐体とを備え、 前記半導体レーザ、前記レンズ及び前記反射鏡は筐体の
   底板上に配置されるとともに、前記回転機構は前記筐体
   の上板に取り付けられており、 前記回転機構は、前記筐体の上板に設けられた貫通孔に
   回転可能に嵌合され、鍔部を有するとともに前記波長選
   択素子が取り付けられる回転子と、前記回転子を前記筐
   体の上板との間に挟持する回転子受け部材とにより構成
   されている、ことを特徴とする外部共振器型波長可変半
   導体レーザ。
2. 【請求項２】 光出射面となる二つの端面のうち一方の
   端面に反射防止膜がコーティングされた半導体レーザ
   と、前記半導体レーザの前記反射防止膜のある端面から
   出射した光を平行光線とするレンズと、前記レンズから
   の平行光線のうち選択された波長の光を同一光路上を逆
   行するように反射させる回折格子と、前記回析格子を回
   転させる回転機構と、筐体とを備え、 前記半導体レーザ及び前記レンズは筐体の底板上に配置
   されるとともに、前記回転機構は前記筐体の上板に取り
   付けられており、 前記回転機構は、前記筐体の上板に設けられた貫通孔に
   回転可能に嵌合され、鍔部を有するとともに前記回折格
   子が取り付けられる回転子と、前記回転子を前記筐体の
   上板との間に挟持する回転子受け部材とにより構成され
   ている、 ことを特徴とする外部共振器型波長可変半導体レーザ。
3. 【請求項３】 前記半導体レーザ、前記レンズ及び前記
   反射鏡が共通の基板に固定され、前記基板には温度制御
   素子が設けられていることを特徴とする請求項１に記載
   の外部共振器型波長可変半導体レーザ。
4. 【請求項４】 前記半導体レーザ及び前記レンズが共通
   の基板に固定され、前記基板には温度制御素子が設けら
   れていることを特徴とする請求項２に記載の外部共振器
   型波長可変半導体レーザ。
5. 【請求項５】 前記筐体の上板及び前記回転子受け部材
   と前記回転子とが互いに接触する面にはそれぞれ鏡面加
   工が施されていることを特徴とする請求項１〜４のいず
   れかに記載の外部共振器型波長可変半導体レーザ。