JP3214514U - Ledブラケット、ledブラケットアレイ、led素子及びledディスプレイスクリーン - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁材料がボンディング、テスト及びテーピング等の工程で外力衝撃を受ける確率を低下させ、LEDブラケットで製造されたLED素子の底部電極を脱落しにくくし、テスト時の接触不良発生を防止し、LED素子を表面実装してディスプレイスクリーンを形成する時、半田ペーストの溶接堅牢性を向上させるLEDブラケット、LEDブラケットアレイ、LED素子及びLEDディスプレイスクリーンを提供する。【解決手段】LEDブラケットはPCB回路基板20と絶縁材料21を備え、PCB回路基板が少なくとも2つの互いに電気的に絶縁される電極領域を備え、各電極領域が最上部、側面及び最下部の電極領域を備え、側面電極領域202が最上部と最下部の電極領域を一体構造に接続し、側面電極領域が外からPCB回路基板の内部へ窪んだ側面であり、絶縁材料が側面電極領域内に充填され、絶縁材料の上下端面がPCB回路基板の上下面を超えず、且つ絶縁材料の厚さhがPCB回路基板の厚さHより小さい。【選択図】図4
Description
本考案はLED技術分野に関し、特にLEDブラケット、LEDブラケットアレイ、LED素子及びLEDディスプレイスクリーンに関する。
チップLED素子(CHIP LED)の製造プロセスは、一般的に、回路基板の製造、ダイボンディング、ワイヤボンディング、実装、ダイシング、テスト及びテーピング等の工程を含む。
図1は、従来のチップLED素子の製造プロセスで得られた回路基板1の側面構造図であり、該回路基板1は、最上層銅10、中間層BT材料11及び最下層銅12からなる。回路基板の製造工程において、最上層銅10と最下層銅12の電気的接続を実現するために、回路基板1にスルーホールをドリリングし、次にスルーホールの内側壁にスルーホール銅14をめっきし、該スルーホール銅14を介して最上層銅10と最下層銅12を接続する必要がある。実装工程において、通常、モールドプレスの方式で実装接着剤を回路基板1に被覆し、実装接着剤層を形成して回路基板1に取り付けられたチップを密封保護する。実装工程で硬化していない実装接着剤がスルーホールに沿って下向きに流出するため、その前の回路基板の製造工程で樹脂15によってスルーホールを完全に塞ぐ必要があり、スルーホール内に充填された樹脂15は厚さがスルーホールの深さよりやや大きいことが多く、その両端が該スルーホールから突出する。
図2及び図3に示すように、図2は従来のチップLED素子の側面構造図であり、図3は従来のチップLED素子の背面図であり、ダイシング工程後に形成されたチップLED素子には依然として元の回路基板1のスルーホール内の樹脂15を有する。樹脂15の下端部が最下層銅12の下面を超え、且つスルーホール銅14の厚さが一般的に10μmだけであるため、後続のテストとテーピング工程において、樹脂15の下端部が外力による衝撃を受けやすく、スルーホール銅14との結合部に破断が発生し、該チップLED素子の底部電極とする最下層銅12が脱落してしまい、製品の破損を引き起こす。また、該樹脂15がLED素子の底部電極に接触不良という問題を発生させ、テスト結果の誤判断を引き起こし、生産効率を低下させ、且つLED素子の表面実装の使用に影響を与える。
本考案の実施例は、LEDブラケットを提供して、上記技術的問題を解決する。
第1の態様では、本考案の実施例はLEDブラケットを提供し、PCB回路基板と絶縁材料を備え、前記PCB回路基板が少なくとも2つの互いに電気的に絶縁される電極領域を備え、各前記電極領域が最上部電極領域、側面電極領域及び最下部電極領域を備え、前記側面電極領域が前記最上部電極領域と前記最下部電極領域を一体構造に接続し、前記側面電極領域が外から前記PCB回路基板の内部へ窪んだ側面であり、前記絶縁材料が前記側面電極領域内に充填され、前記絶縁材料の上下端面が前記PCB回路基板の上下面を超えず、且つ前記絶縁材料の厚さhが前記PCB回路基板の厚さHより小さい。
LEDブラケットに充填された絶縁材料の上下端面がPCB回路基板の上下面を超えないように限定することにより、絶縁材料がダイボンディング、ワイヤボンディング、テスト及びテーピング等の工程で外力による衝撃を受ける確率を低下させ、ディスペンサーノズル、ワイヤボンディングキャピラリ等の生産装置が衝突されることによる作動不良又は破損を回避し、同時にテスト際の接触不良問題の発生を防止し、テスト結果の精度を確保し、さらにLED素子製造の歩留まりと生産効率を向上させ、且つLED素子の表面実装の使用にも有利である。
第1の態様によれば、本考案の第1の態様の第1の実行可能な実施形態において、前記絶縁材料の上端面と前記PCB回路基板の上面とが同じ高さであり、又は、
前記絶縁材料の上下端面が前記PCB回路基板の上下面の間に位置するように配置される。
前記絶縁材料の上下端面が前記PCB回路基板の上下面の間に位置するように配置される。
第1の態様によれば、本考案の第1の態様の第2の実行可能な実施形態において、前記絶縁材料の厚さhと前記PCB回路基板の厚さHとが関係式1/2H≦h≦2/3Hを満たす。
第1の態様によれば、本考案の第1の態様の第3の実行可能な実施形態において、前記最上部電極領域、前記側面電極領域及び前記最下部電極領域にそれぞれ金属層が設置され、前記最上部電極領域の金属層、前記側面電極領域の金属層及び前記最下部電極領域の金属層が一体構造に接続される。
本考案の第1の態様の第3の実行可能な実施形態によれば、本考案の第1の態様の第4の実行可能な実施形態において、前記最上部電極領域に上から下へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最下部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最下部電極領域のニッケル層が一体構造に接続され、
又は、
前記最上部電極領域に上から下へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最上部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最上部電極領域のニッケル層が一体構造に接続される。
又は、
前記最上部電極領域に上から下へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最上部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最上部電極領域のニッケル層が一体構造に接続される。
本考案の第1の態様の第4の実行可能な実施形態によれば、本考案の第1の態様の第5の実行可能な実施形態において、前記側面電極領域は、銅層の厚さd3≧10μm、ニッケル層の厚さd2≧2.5μm、金層の厚さd1≧0.1μmである。
本考案の第1の態様の第3の実行可能な実施形態によれば、本考案の第1の態様の第6の実行可能な実施形態において、前記最上部電極領域に上から下へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最下部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の銀層と前記最下部電極領域の銀層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最下部電極領域のニッケル層が一体構造に接続され、
又は、
前記最上部電極領域に上から下へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最上部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の銀層と前記最上部電極領域の銀層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最上部電極領域のニッケル層が一体構造に接続される。
又は、
前記最上部電極領域に上から下へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最上部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の銀層と前記最上部電極領域の銀層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最上部電極領域のニッケル層が一体構造に接続される。
本考案の第1の態様の第6の実行可能な実施形態によれば、本考案の第1の態様の第7の実行可能な実施形態において、前記側面電極領域は、銅層の厚さd3≧10μm、ニッケル層の厚さd2≧2.5μm、銀層の厚さd4≧0.25μm、金層の厚さd1≧0.1μmである。
本考案の第1の態様の第3の実行可能な実施形態によれば、本考案の第1の態様の第8の実行可能な実施形態において、前記最上部電極領域に上から下へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最下部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のパラジウム層と前記最下部電極領域のパラジウム層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最下部電極領域のニッケル層が一体構造に接続され、
又は、
前記最上部電極領域に上から下へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最上部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のパラジウム層と前記最上部電極領域のパラジウム層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最上部電極領域のニッケル層が一体構造に接続される。
又は、
前記最上部電極領域に上から下へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最上部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のパラジウム層と前記最上部電極領域のパラジウム層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最上部電極領域のニッケル層が一体構造に接続される。
本考案の第1の態様の第8の実行可能な実施形態によれば、本考案の第1の態様の第9の実行可能な実施形態において、前記側面電極領域は、銅層の厚さd3≧10μm、ニッケル層の厚さd2≧2.5μm、パラジウム層の厚さd5≧0.1μm、金層の厚さd1≧0.1μmである。
第1の態様によれば、本考案の第1の態様の第1の0の実行可能な実施形態における、前記絶縁材料は樹脂又はグリーンオイルである。
第2の態様では、本考案の実施例は、第1の態様、又は第1の態様の第1の〜第1の0の実行可能な実施形態のいずれかに記載のLEDブラケットを複数備えるLEDブラケットアレイを更に提供する。
第2の態様によれば、本考案の第2の態様の第1の実行可能な実施形態において、前記LEDブラケットが4つの互いに電気的に絶縁される電極領域を備え、各電極領域の側面電極領域が外から前記ブラケット内部へ窪んだ側面であり、前記LEDブラケットアレイにおいて、4つごとの隣接するLEDブラケットの側面電極領域が1つのスルーホールを囲んで形成する。
第3の態様では、本考案の実施例は、LEDブラケットと、LEDチップと、ボンディングワイヤと、実装接着剤層とを備えるLED素子を更に提供し、前記LEDブラケットが第1の態様、又は第1の態様の第1の〜第1の0の実行可能な実施形態のいずれかに記載のLEDブラケットであり、前記LEDチップがボンディングワイヤを介して前記LEDブラケットの前記PCB回路基板の溶接領域に溶接され、前記実装接着剤層が前記LEDチップとボンディングワイヤを覆う。
第3の態様によれば、本考案の第3の態様の第1の実行可能な実施形態において、前記ボンディングワイヤは直線部分及び前記直線部分に接続された曲線部分を備え、前記曲線部分の水平面での投影が曲線である。
第3の態様の第1の実行可能な実施形態によれば、本考案の第3の態様の第2の実行可能な実施形態において、前記ボンディングワイヤの最上部の最高点の前記PCB回路基板の頂面に対する垂直高さが≦200μmである。
第3の態様の第1の実行可能な実施形態によれば、本考案の第3の態様の第3の実行可能な実施形態において、前記直線部分の一端がLEDチップに接続され、前記直線部分の他端が前記曲線部分に接続され、前記曲線部分の他端が前記PCB回路基板のワイヤボンディング領域に溶接される。
第3の態様の第3の実行可能な実施形態によれば、本考案の第3の態様の第4の実行可能な実施形態において、前記曲線部分の直線部分に接続された一端とLEDチップの最上部電極面の垂直線との夾角が0°〜45°である。
第3の態様の第1の実行可能な実施形態によれば、本考案の第3の態様の第5の実行可能な実施形態において、前記LEDチップが、赤色LEDチップ、緑色LEDチップ及び青色LEDチップを備え、前記赤色LEDチップ、前記緑色LEDチップ及び前記青色LEDチップがそれぞれ前記PCB回路基板のワイヤボンディング領域に配置され、前記赤色LEDチップのボンディングワイヤが直線部分及び前記直線部分に接続された曲線部分を備え、前記曲線部分の水平面での投影が曲線である。
第3の態様の第1の実行可能な実施形態によれば、本考案の第3の態様の第6の実行可能な実施形態において、前記ボンディングワイヤの直線部分の高さが15μm〜60μmである。
第3の態様の第1の実行可能な実施形態によれば、本考案の第3の態様の第7の実行可能な実施形態において、前記曲線部分の水平面での投影が弧状又はS字状である。
第4態様では、本考案の実施例は、複数のLED素子とPCB回路基板を備え、前記LED素子が前記PCB回路基板に取り付けられるLEDディスプレイスクリーンを更に提供し、前記LED素子が第3の態様、又は第3の態様の第1の〜第7の実行可能な実施形態のいずれかに記載のLED素子であることを特徴とする。
本考案の実施例又は関連技術の技術案をより明瞭に説明するために、以下で実施例又は関連技術の記載に必要な図面を簡単に説明する。明らかなように、以下で説明される図面は単に本考案の一部の実施例又は関連技術の簡略模式図であり、当業者にとっては、進歩的労働を払わずに、これらの図面に基づいて他の図面を想到し得る。
図1は従来のチップLED素子の製造プロセスで得られたLEDブラケットの側面構造図である。
図2は従来のチップLED素子の側面構造図である。
図3は従来のチップLED素子の底面構造図である。
図4は本考案の実施例のLEDブラケットの側面構造図である。
図5は本考案の実施例のLEDブラケットの上面構造図である。
図6は本考案の実施例のLEDブラケットの底面構造部図である。
図7は本考案の実施例の別のLEDブラケットの側面構造図である。
図8は本考案の実施例の別のLEDブラケットの側面構造図である。
図9は本考案の実施例のLEDブラケットアレイの側面構造図である。
図10は本考案の実施例のLEDブラケットアレイの上面の部分的構造図である。
図11は本考案の実施例のLEDブラケットアレイの底面の部分的構造図である。
図12は本考案の実施例のLED素子の側面構造図である。
図13は本考案の実施例のLED素子の上面構造図である。
図14は本考案の実施例の別のLED素子の側面構造図である。
図15は本考案の実施例の別のLED素子の上面構造図である。
図16は本考案の実施例の別のLED素子の側面構造図である。
以下では、本考案の実施例の図面を参照しながら、本考案の実施例の技術案を明瞭且つ完全に説明するが、勿論、説明する実施例は本考案の一部の実施例に過ぎず、全ての実施例ではない。本考案の実施例に基づいて、当業者が進歩的労働を払わずに想到し得る他の実施例は、すべて本考案の保護範囲に属する。
本考案の実施例の説明において、特に断りのない限り、「連結」、「接続」、「固定」等の用語は広い意味を持っている。たとえば、固定して接続されてもよく、取り外し可能に接続され、又は一体的に接続されてもよい。機械的に接続されてもよく、電気的に接続されてもよい。直接接続されてもよく、中間媒体を介して間接接続されてもよい。2つの素子の内部の連通であってもよく、又は2つの素子の相互作用関係であってもよい。当業者は、具体的な状況に応じて上記用語の本考案の実施例での具体的な意味を理解することができる。
本考案の実施例において、特に断りのない限り、第1の特徴が第2の特徴の「上」又は「下」に位置することは、第1の特徴と第2の特徴とが直接接触することを含んでもよく、第1の特徴と第2の特徴とが直接接触せず、別の特徴を介して接触することを含んでもよい。また、第1の特徴が第2の特徴の「上」、「上方」及び「上面」に位置することは、第1の特徴が第2の特徴の真上と斜め上方に位置することを含み、又は単に第1の特徴の水平高さが第2の特徴より高いことを表す。第1の特徴が第2の特徴の「下」、「下方」及び「下面」に位置することは、第1の特徴が第2の特徴の真下と斜め下方に位置することを含み、又は単に第1の特徴の水平高さが第2の特徴より小さいことを表す。
図4は本考案の実施例のLEDブラケットの側面構造図である。図5は本考案の実施例のLEDブラケットの上面構造図である。図6は本考案の実施例のLEDブラケットの底面構造部図である。図4〜6に示すように、本考案の実施例に係るLEDブラケット2はPCB回路基板20と絶縁材料21を備える。前記PCB回路基板20は少なくとも2つの互いに電気的に絶縁される電極領域を備え、各前記電極領域が最上部電極領域201、側面電極領域202及び最下部電極領域203を備え、前記側面電極領域202が最上部電極領域201と最下部電極領域203を一体構造に接続して電気的接続を実現し、前記側面電極領域202が外から前記PCB回路基板20の内部へ窪んだ側面である。前記絶縁材料21が前記側面電極領域202内に充填され、前記絶縁材料21の上下端面が前記PCB回路基板20の上下面を超えず、前記絶縁材料21の厚さhが前記PCB回路基板20の厚さHより小さい。
LEDブラケット2に充填された絶縁材料21の上下端面がPCB回路基板20の上下面を超えないように限定することにより、絶縁材料21がダイボンディング、ワイヤボンディング、テスト及びテーピング等の工程で外力による衝撃を受ける確率を低下させ、ディスペンサーノズル、ワイヤボンディングキャピラリ等の生産装置が衝突されることによる作動不良又は破損を回避し、同時にテスト際の接触不良問題の発生を防止し、テスト結果の精度を確保し、さらにLED素子製造の歩留まりと生産効率を向上させ、且つLED素子の表面実装の使用にも有利である。
本実施例では、図5及び図6に示すように、前記LEDブラケット2のPCB回路基板20は四角形であり、該PCB回路基板20は4つの互いに電気的に絶縁される電極領域を備え、各電極領域の側面電極領域202が外から前記PCB回路基板20の内部へ窪んだ1/4円筒側面である。
最上部電極領域201、側面電極領域202及び最下部電極領域203にそれぞれ金属層が設置され、前記最上部電極領域201の金属層、前記側面電極領域202の金属層及び前記最下部電極領域203の金属層が一体構造に接続される。
本考案の例示では、各電極領域の最上部電極領域201に上から下へ第1の金層2011、第1のニッケル層2012及び第1の銅層2013がめっきされ、各電極領域の側面電極領域202に外から前記PCB回路基板20方向に第2の金層2021、第2のニッケル層2022及び第2の銅層2023がめっきされ、各電極領域の最下部電極領域203に下から上へ第3の金層2031、第3のニッケル層2032及び第3の銅層2033がめっきされる。各電極領域において、最上部電極領域201の第1の銅層2013、側面電極領域202の第2の銅層2023及び最下部電極領域203の第3の銅層2033が一体構造に接続され、側面電極領域202の第2の金層2021と最下部電極領域203の第3の金層2031が一体構造に接続され、側面電極領域202の第2のニッケル層2022と最下部電極領域203の第3のニッケル層2032が一体構造に接続される。
電極領域に銅層、ニッケル層及び金層を設置することにより、LEDブラケット2の導電性能を向上させ、側面電極領域202と最下部電極領域203が銅層によって結合されるだけでなく、ニッケル層及び金層によって結合され、両者の結合力を強化し、且つ結合部の破断を防止し、LEDブラケット2の信頼性をさらに向上させる。
本考案の他の実施例では、最上部電極領域201の第1の銅層2013、側面電極領域202の第2の銅層2023及び最下部電極領域203の第3の銅層2033が一体構造に接続され、側面電極領域202の第2の金層2021と最上部電極領域201の第1の金層2011が一体構造に接続され、側面電極領域202の第2のニッケル層2022と最上部電極領域201の第1のニッケル層2012が一体構造に接続される。
本考案のいくつかの実施例では、各電極領域の側面電極領域202は、第2の銅層2023の厚さd3≧10μm、第2のニッケル層2022の厚さd2≧2.5μm、第2の金層2021の厚さd1≧0.1μmである。側面電極領域202の銅層の厚さ、ニッケル層の厚さ及び金層の厚さを限定することにより、側面電極領域202と最下部電極領域203との間が十分な結合力を有することを確保するとともに、不要な銅、ニッケル及び金の使用量を減少させ、生産コストを低減させる。
図7は本考案の実施例の別のLEDブラケットの側面構造図である。図7に示すように、本考案のいくつかの実例では、前記最上部電極領域201に上から下へ第1の金層2011、第1の銀層2014、第1のニッケル層2012及び第1の銅層2013が設置され、前記側面電極領域202に外から前記PCB回路基板20方向へ第2の金層2021、第2の銀層2024、第2のニッケル層2022及び第2の銅層2023が設置され、前記最下部電極領域203に下から上へ第3の金層2031、第3の銀層2034、第3のニッケル層2032及び第3の銅層2033が設置され、各電極領域において、最上部電極領域201の第1の銅層2013、側面電極領域202の第2の銅層2023及び最下部電極領域203の第3の銅層2033が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2の金層2021と前記最下部電極領域203の第3の金層2031が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2の銀層2024と前記最下部電極領域203の第3の銀層2034が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2のニッケル層2022と前記最下部電極領域203の第3のニッケル層2032が一体構造に接続される。
本考案の他の実施例では、各電極領域において、最上部電極領域201の第1の銅層2013、側面電極領域202の第2の銅層2023及び最下部電極領域203の第3の銅層2033が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2の金層2021と前記最上部電極領域201の第1の金層2011が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2の銀層2024と前記最上部電極領域201の第1の銀層2014が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2のニッケル層2022と前記最上部電極領域201の第1のニッケル層2012が一体構造に接続される。
本考案のいくつかの実施形態では、前記側面電極領域202は、第2の銅層2023の厚さd3≧10μm、第2のニッケル層2022の厚さd2≧2.5μm、第2の銀層2024の厚さd4≧0.25μm、第2の金層2021の厚さd1≧0.1μmである。
図8は本考案の実施例の別のLEDブラケットの側面構造図である。図8に示すように、本考案の別の例では、前記最上部電極領域201に上から下へ第1の金層2011、第1のパラジウム層2015、第1のニッケル層2012及び第1の銅層2013が設置され、前記側面電極領域202に外から前記PCB回路基板20方向へ第2の金層2021、第2のパラジウム層2025、第2のニッケル層2022及び第2の銅層2023が設置され、前記最下部電極領域203に下から上へ第3の金層2031、第3のパラジウム層2035、第3のニッケル層2032及び第3の銅層2033が設置され、各電極領域において、最上部電極領域201の第1の銅層2013、側面電極領域202の第2の銅層2023及び最下部電極領域203の第3の銅層2033が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2の金層2021と前記最下部電極領域203の第3の金層2031が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2のパラジウム層2025と前記最下部電極領域203の第3のパラジウム層2035が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2のニッケル層2022と前記最下部電極領域203の第3のニッケル層2032が一体構造に接続される。
本考案の他の実施例では、各電極領域において、最上部電極領域201の第1の銅層2013、側面電極領域202の第2の銅層2023及び最下部電極領域203の第3の銅層2033が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2の金層2021と前記最上部電極領域201の第1の金層2011が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2のパラジウム層2025と前記最上部電極領域201の第1のパラジウム層2015が一体構造に接続され、前記側面電極領域202の第2のニッケル層2022と前記最上部電極領域201の第1のニッケル層2012が一体構造に接続される。
本考案のいくつかの実施形態では、前記側面電極領域202は、第2の銅層2023の厚さd3≧10μm、第2のニッケル層2022の厚さd2≧2.5μm、第2のパラジウム層2025の厚さd5≧0.1μm、第2の金層2021の厚さd1≧0.1μmである。
前記絶縁材料21は樹脂又はグリーンオイルのいずれか1種であり、グリーンオイルはPCB産業で通常のアクリルオリゴマーである。具体的には、各電極領域の側面電極領域202内に充填された絶縁材料21の厚さhと、前記PCB回路基板20の厚さHとが関係式1/2H≦h≦2/3Hを満たす。各電極領域の側面電極領域202内に充填された絶縁材料21の上端面と、前記PCB回路基板20の上面とが同じ高さであり、該側面電極領域202内の絶縁材料21が充填された部分に第2の銅層2023のみが設置され、第2の金層2021、第2のニッケル層2022、第2の銀層2024又は第2のパラジウム層2025は設置されず、側面電極領域202内の絶縁材料21が充填されていない部分に、第2の金層2021、第2のニッケル層2022、第2の銀層2024又は第2のパラジウム層2025が設置され、前記金属層の設置は、側面電極領域202の第2の銅層2023が基板から離脱することを防止するという役割を果たし、半田付け面積を増加することもでき、他の実施例では、各電極領域の側面電極領域202内に充填された絶縁材料21の上端面が前記PCB回路基板20の上面より低く、絶縁材料21の下端面が前記PCB回路基板20の下面より高く、すなわち絶縁材料21の上下端面が前記PCB回路基板20の上下面の間に限定され、このように充填するのは、後続の素子実装時、エポキシ樹脂と基板の結合力を強化し、さらに底部の半田付けの面積を増加できるという利点を有する。本考案の実施例に記載の金属層は金、銀、パラジウム、ニッケル、銅及びそれらの組み合わせに制限されず、他の金属材料又は合金材料、たとえば、鉄を用いてもよい。
絶縁材料21の位置と厚さを限定することにより、実装接着剤がスルーホールに沿って流出することを防止すると同時に、側面電極領域202により多くの空間を残して金属をめっきすることに用いられ、底部電極とする最下部電極領域203との相互接続を実現し、側面電極領域202と最下部電極領域203との結合力を強化し、且つ絶縁材料21の使用量を減少させる。
本考案のいくつかの実施例では、LEDブラケット2は複数の変形を有してもよく、たとえば、前記PCB回路基板20は具体的に正方形、平行四辺形、正六角形又は正三角形等の形状であってもよく、前記PCB回路基板20は2つ、3つ、5つ又はそれ以上の電極領域を有してもよい。
図9は本考案の実施例のLEDブラケットアレイの側面構造図である。図10は本考案の実施例のLEDブラケットアレイの上面の部分的構造図である。図11は本考案の実施例のLEDブラケットアレイの底面の部分的構造図である。本考案の実施例に係るLEDブラケットアレイ3は、マトリクス状に配列され、互いに接続されたLEDブラケット2を複数備える。前記LEDブラケット2は上記いずれか1つの実施例に記載のLEDブラケット2であり、前記LEDブラケットアレイ3において、4つごとの隣接するLEDブラケット2の側面電極領域202が1つのスルーホール30を囲んで形成し、前記絶縁材料21が前記スルーホール30内に充填される。
実際のLED素子製造プロセスにおいて、本実施例のLEDブラケットアレイ3は、ダイボンディング、ワイヤボンディング及び実装工程を経た後、ダイシング工程では、横方向及び縦方向に前記スルーホール30に沿って切断して単一のLED素子が形成される。本考案の実施例はLEDブラケット2を備えるLEDブラケットアレイ3を提供し、LED素子製造の歩留まりと生産効率を向上させることに有利であり、且つLED素子の信頼性と使用効果を確保する。
図12は本考案の実施例のLED素子の側面構造図である。図13は本考案の実施例のLED素子の上面構造図である。本考案の実施例に係るLED素子4は、LEDブラケット2、LEDチップ41及び実装接着剤層40を備える。前記LEDチップ41が前記LEDブラケット2上に設置され、前記実装接着剤層40が前記LEDチップ41を覆う。
本実施例では、前記LED素子4はフルカラーLED素子4である。前記LEDブラケット2は上記いずれか1つの実施例に記載のLEDブラケット2であり、LED素子4の信頼性と使用効果の確保に有利である。前記LED素子4の3つの最上部電極領域201は3つのワイヤボンディング部として、それぞれ前記PCB回路基板20の3つの角部に設置され、残りの1つの最上部電極領域201はチップ取付部として、該PCB回路基板20の中央部に設置されて該PCB回路基板20の残りの角部まで延びる。前記チップ取付部と前記3つのワイヤボンディング部との間は互いに電気的に絶縁される。
前記LEDチップ41は、1つの赤色LEDチップ411、1つの緑色LEDチップ412及び1つの青色LEDチップ413を備え、前記赤色LEDチップ411、緑色LEDチップ412及び青色LEDチップ413がいずれも前記LEDブラケット2のチップ取付部に設置され、且つそれぞれリードを介して前記3つのワイヤボンディング部に電気的に接続される。
前記実装接着剤層40は透明実装接着剤層である。
実際のLED素子4の製造プロセスでは、本実施例のLED素子4は、LEDブラケットアレイ3がダイボンディング、ワイヤボンディング、実装及びダイシング工程を経て形成されるものである。
本考案の実施例のLED素子4は、複数の変形を有してもよく、たとえば、前記LED素子4は単色素子又は2色素子であってもよく、そのLEDチップ41は1つの単色LEDチップであり、又は2つの異なる色のLEDチップを備え、前記LED素子4のLEDブラケット2は、1つのチップ取付部と1つのワイヤボンディング部を備えるもの、又は1つのチップ取付部と2つのワイヤボンディング部を備えるもの、又は3つのチップ取付部と3つのワイヤボンディング部を備えるもの等々である。
図14は本考案の実施例に係る別のLED素子の側面構造図である。前記LED素子4は、少なくとも1つのLEDチップ41と、LEDチップ41を載置するためのPCB回路基板20と、LEDチップ41の電極とPCB回路基板20を接続するボンディングワイヤ45と、前記LEDチップ41とボンディングワイヤ45を覆う実装接着剤層40と、を備える。前記LEDチップ41はボンディングワイヤ45を介してワイヤボンディング領域に溶接される。
本実施例では、前記LED素子は3つのLEDチップを備え、それぞれ赤色LEDチップ、緑色LEDチップ及び青色LEDチップである。
図15は本考案の実施例に係る別のLED素子の上面構造図である。図15に示すように、本考案の実施例の前記ボンディングワイヤ45は直線部分451及び前記直線部分451に接続された曲線部分452を備える。前記曲線部分452の水平面での投影が曲線である。前記曲線部分452の投影が弧状又はS字状であるが、それらに制限されない。前記直線部分451の一端がLEDチップ41に接続され、前記直線部分451の他端が前記曲線部分452の一端に接続され、前記曲線部分452の他端が前記PCB回路基板20のワイヤボンディング領域に溶接される。
本考案の実施例では、前記ボンディングワイヤ45の最上部の最高点のPCB回路基板20の頂面に対する垂直高さが≦200μmである。前記ボンディングワイヤ45の直線部分451の高さが15μm〜60μmであり、すなわちLEDチップ41の最上部からボンディングワイヤ45の直線部分451までの垂直高さが15μm〜60μmである。
図16は本考案の実施例の別のLED素子の側面構造図である。前記曲線部分452の前記直線部分451に接続された一端とLEDチップ41の最上部電極面の垂直線との夾角αが0°〜45°である。
前記PCB回路基板20の長さ及び幅が1.0mm×1.0mmである。前記PCB回路基板20は黒色BT基板又はFR4基板である。前記PCB回路基板20は一般的なPCB基板又はTOP−LEDブラケットであってもよい。前記PCB回路基板20が黒色BT基板である場合、前記LED素子の出射光のコントラストを大幅に向上させることができる。
前記LED素子は単色素子、2色素子、フルカラー素子又は白色素子である。前記LED素子が白色光を発するLED素子である場合、前記LEDチップは青光チップであり、前記実装接着剤層に黄色蛍光体が混合されている。前記LED素が単色LED素子である場合、前記LEDチップは任意の色であってもよく、例えば前記LEDチップは赤色LEDチップ、オレンジLEDチップ、黄色LEDチップ、緑色LEDチップ又は青色LEDチップ等のいずれか1種であってもよく、LEDチップの色は本実施例に制限されず、前記実装接着剤層は透明実装接着剤層である。前記LED素子が2色素子である場合、前記LEDチップは上記各色LEDチップの任意2つの色の組合せであり、前記実装接着剤層は透明実装接着剤層である。前記LED素子がフルカラー素子である場合、前記LEDチップは赤色LEDチップ、緑色LEDチップ及び青色LEDチップの組合せであり、前記実装接着剤層は透明実装接着剤層である。
前記LED素子が少なくとも1つの赤色LEDチップを備える場合、赤色LEDチップの高さが比較的高いため、前記赤色LEDチップのボンディングワイヤは本実施例に記載のボンディングワイヤ構造を用い、他のLEDチップのボンディングワイヤ構造は制限されず、本実施例の溶接構造を用いてもよく、他のボンディングワイヤ構造を用いてもよい。具体的には、前記LED素子がフルカラー素子である場合、前記赤色LEDチップのボンディングワイヤは本実施例に記載のボンディングワイヤ構造を用い、他のLEDチップは一般的なボンディングワイヤ構造を用い、この時、前記LED素子の寸法が1.0mm×1.0mmであってもよい。
本実施例では、フォワードワイヤボンディングを例として、前記LED素子の製造は以下のステップを含む。
S1:PCB回路基板20の最上部にLEDチップ41を固定する。
S2:前記LEDチップ41を前記PCB回路基板20のワイヤボンディング領域に溶接し、そのうち、ボンディングワイヤは、直線部分451及び前記直線部分451に接続された曲線部分452を備え、前記曲線部分452の水平面での投影が曲線であり、前記直線部分451の他端がLEDチップ41の最上部電極に溶接され、前記曲線部分452の他端がPCB回路基板20のワイヤボンディング領域に溶接される。具体的には、先ずワイヤボンダでワイヤの一端をLEDチップ41の最上部電極に溶接し、次に溶接ヘッドを持ち上げてLEDチップ41の最上部電極から離した後、曲線方向に沿ってワイヤの他端をPCB回路基板20のワイヤボンディング領域に溶接する。
S3:PCB回路基板20の最上部に接着剤を実装し、実装接着剤層40を形成し、実装接着剤層40がLEDチップ41とボンディングワイヤ45を覆い、LED素子を得る。
本考案の実施例のLED素子は、曲線部分452の水平面での投影が曲線であるボンディングワイヤ構造を用いることにより、ボンディングワイヤ45の高さを著しく低下させ、後続の加工中に電極を破損することによるLED素子の欠陥を回避し、LED素子の製品品質を向上させ、及び耐用年数を延ばす。且つ、前記LED素子のボンディングワイヤ構造はプロセスが簡単で、操作しやすい。
本考案の実施例はLEDディスプレイスクリーンを更に提供し、前記ディスプレイスクリーンは、複数のLED素子4、PCB回路基板及びマスクを備える。前記LED素子は上記いずれか1つの実施例に記載のLED素子であり、前記PCB回路基板に取り付けられて電気的に接続され、前記マスクが前記PCB回路基板の上方に配置されてPCB回路基板と係合される。前記LED素子をディスプレイスクリーンの製造に用いる時、LEDチップが曲線ボンディングワイヤの構造を用いて、ボンディングワイヤが高すぎて後続の加工中に電極を破損することを回避し、さらにLED素子の製品欠陥を回避し、LEDディスプレイスクリーンの品質を向上させ、耐用年数を延ばす。
本明細書の説明において、用語「1つの実施例」、「例示」等の説明は、該実施例又は例と合わせて説明された具体的な特徴、構造、材料又は特性が、本考案の少なくとも1つの実施例又は例示に含まれることを意味する。本明細書において、上記用語の例示的な表現は必ずしも同じ実施例又は例示を指さない。また、任意の1つ又は複数の実施例又は例示において、説明された具体的な特徴、構造、材料又は特性を適切な方式で組み合わせることができる。
以上、具体的な実施例と合わせて本考案の技術的原理を説明した。これらの説明は本考案の原理を解釈するものに過ぎず、本考案の保護範囲を制限するものではない。ここでの解釈に基づき、当業者が進歩的労働を払わずに想到し得る本考案の他の実施形態はいずれも本考案の保護範囲に属する。
1 回路基板
10 最上層銅
11 中間層BT材料
12 最下層銅
14 スルーホール銅
15 樹脂;
2 LEDブラケット
20 PCB回路基板
21 絶縁材料
201 最上部電極領域
202 側面電極領域
203 最下部電極領域
2011 第1の金層
2012 第1のニッケル層
2013 第1の銅層
2014 第1の銀層
2015 第1のパラジウム層
2021 第2の金層
2022 第2のニッケル層
2023 第2の銅層
2024 第2の銀層
2025 第2のパラジウム層
2031 第3の金層
2032 第3のニッケル層
2033 第3の銅層
2034 第3の銀層
2035 第3のパラジウム層
3 LEDブラケットアレイ
30 スルーホール
4 LED素子
40 実装接着剤層
41 LEDチップ
411 赤色LEDチップ
412 緑色LEDチップ
413 青色LEDチップ
45 ボンディングワイヤ
451 直線部分
452 曲線部分
10 最上層銅
11 中間層BT材料
12 最下層銅
14 スルーホール銅
15 樹脂;
2 LEDブラケット
20 PCB回路基板
21 絶縁材料
201 最上部電極領域
202 側面電極領域
203 最下部電極領域
2011 第1の金層
2012 第1のニッケル層
2013 第1の銅層
2014 第1の銀層
2015 第1のパラジウム層
2021 第2の金層
2022 第2のニッケル層
2023 第2の銅層
2024 第2の銀層
2025 第2のパラジウム層
2031 第3の金層
2032 第3のニッケル層
2033 第3の銅層
2034 第3の銀層
2035 第3のパラジウム層
3 LEDブラケットアレイ
30 スルーホール
4 LED素子
40 実装接着剤層
41 LEDチップ
411 赤色LEDチップ
412 緑色LEDチップ
413 青色LEDチップ
45 ボンディングワイヤ
451 直線部分
452 曲線部分
Claims (22)
- PCB回路基板と絶縁材料を備え、前記PCB回路基板が少なくとも2つの互いに電気的に絶縁される電極領域を備え、各前記電極領域が最上部電極領域、側面電極領域及び最下部電極領域を備え、前記側面電極領域が前記最上部電極領域と前記最下部電極領域を一体構造に接続し、前記側面電極領域が外から前記PCB回路基板の内部へ窪んだ側面であり、前記絶縁材料が前記側面電極領域内に充填されたLEDブラケットであって、前記絶縁材料の上下端面が前記PCB回路基板の上下面を超えず、且つ前記絶縁材料の厚さhが前記PCB回路基板の厚さHより小さい、ことを特徴とするLEDブラケット。
- 前記絶縁材料の上端面と前記PCB回路基板の上面とが同じ高さであり、又は、
前記絶縁材料の上下端面が前記PCB回路基板の上下面の間に位置するように配置される、ことを特徴とする請求項1に記載のLEDブラケット。 - 前記絶縁材料の厚さhと前記PCB回路基板の厚さHとが関係式1/2H≦h≦2/3Hを満たす、ことを特徴とする請求項1に記載のLEDブラケット。
- 前記最上部電極領域、前記側面電極領域及び前記最下部電極領域にそれぞれ金属層が設置され、前記最上部電極領域の金属層、前記側面電極領域の金属層及び前記最下部電極領域の金属層が一体構造に接続される、ことを特徴とする請求項1に記載のLEDブラケット。
- 前記最上部電極領域に上から下へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最下部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最下部電極領域のニッケル層が一体構造に接続され、
又は、
前記最上部電極領域に上から下へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最上部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最上部電極領域のニッケル層が一体構造に接続される、ことを特徴とする請求項4に記載のLEDブラケット。 - 前記側面電極領域は、銅層の厚さd3≧10μm、ニッケル層の厚さd2≧2.5μm、金層の厚さd1≧0.1μmである、ことを特徴とする請求項5に記載のLEDブラケット。
- 前記最上部電極領域に上から下へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最下部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の銀層と前記最下部電極領域の銀層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最下部電極領域のニッケル層が一体構造に接続され、
又は、
前記最上部電極領域に上から下へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、銀層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最上部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の銀層と前記最上部電極領域の銀層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最上部電極領域のニッケル層が一体構造に接続される、ことを特徴とする請求項4に記載のLEDブラケット。 - 前記側面電極領域は、銅層の厚さd3≧10μm、ニッケル層の厚さd2≧2.5μm、銀層の厚さd4≧0.25μm、金層の厚さd1≧0.1μmである、ことを特徴とする請求項7に記載のLEDブラケット。
- 前記最上部電極領域に上から下へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最下部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のパラジウム層と前記最下部電極領域のパラジウム層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最下部電極領域のニッケル層が一体構造に接続され、
又は、
前記最上部電極領域に上から下へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記側面電極領域に外から前記PCB回路基板方向へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最下部電極領域に下から上へ金層、パラジウム層、ニッケル層及び銅層が設置され、前記最上部電極領域の銅層、前記側面電極領域の銅層及び前記最下部電極領域の銅層が一体構造に接続され、前記側面電極領域の金層と前記最上部電極領域の金層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のパラジウム層と前記最上部電極領域のパラジウム層が一体構造に接続され、前記側面電極領域のニッケル層と前記最上部電極領域のニッケル層が一体構造に接続される、ことを特徴とする請求項4に記載のLEDブラケット。 - 前記側面電極領域は、銅層の厚さd3≧10μm、ニッケル層の厚さd2≧2.5μm、パラジウム層の厚さd5≧0.1μm、金層の厚さd1≧0.1μmである、ことを特徴とする請求項9に記載のLEDブラケット。
- 前記絶縁材料が樹脂又はグリーンオイルである、ことを特徴とする請求項1に記載のLEDブラケット。
- 複数のLEDブラケットを備えるLEDブラケットアレイであって、前記LEDブラケットが請求項1〜11のいずれか1項に記載のLEDブラケットである、ことを特徴とするLEDブラケットアレイ。
- 前記LEDブラケットが4つの互いに電気的に絶縁される電極領域を備え、各電極領域の側面電極領域が外から前記ブラケット内部へ窪んだ側面であり、前記LEDブラケットアレイにおいて、4つごとの隣接するLEDブラケットの側面電極領域が1つのスルーホールを囲んで形成する、ことを特徴とする請求項12に記載のLEDブラケットアレイ。
- LEDブラケット、LEDチップ、ボンディングワイヤ及び実装接着剤層を備えるLED素子であって、前記LEDブラケットが請求項1〜11のいずれか1項に記載のLEDブラケットであり、前記LEDチップがボンディングワイヤを介して前記LEDブラケットの前記PCB回路基板の溶接領域に溶接され、前記実装接着剤層が前記LEDチップとボンディングワイヤを覆う、ことを特徴とするLED素子。
- 前記ボンディングワイヤは、直線部分及び前記直線部分に接続された曲線部分を備え、前記曲線部分の水平面での投影が曲線である、ことを特徴とする請求項14に記載のLED素子。
- 前記ボンディングワイヤの最上部の最高点の前記PCB回路基板の頂面に対する垂直高さが≦200μmである、ことを特徴とする請求項15に記載のLED素子。
- 前記直線部分の一端がLEDチップに接続され、前記直線部分の他端が前記曲線部分に接続され、前記曲線部分の他端が前記PCB回路基板のワイヤボンディング領域に溶接される、ことを特徴とする請求項15に記載のLED素子。
- 前記曲線部分の直線部分に接続された一端とLEDチップの最上部電極面の垂直線との夾角が0°〜45°である、ことを特徴とする請求項17に記載のLED素子。
- 前記LEDチップは、赤色LEDチップ、緑色LEDチップ及び青色LEDチップを備え、前記赤色LEDチップ、前記緑色LEDチップ及び前記青色LEDチップがそれぞれ前記PCB回路基板のワイヤボンディング領域に配置され、前記赤色LEDチップのボンディングワイヤが直線部分及び前記直線部分に接続された曲線部分を備え、前記曲線部分の水平面での投影が曲線である、ことを特徴とする請求項15に記載のLED素子。
- 前記ボンディングワイヤの直線部分の高さが15μm〜60μmである、ことを特徴とする請求項15に記載のLED素子。
- 前記曲線部分の水平面での投影が弧状又はS字状である、ことを特徴とする請求項15に記載のLED素子。
- 複数のLED素子とPCB回路基板を備え、前記LED素子が前記PCB回路基板に取り付けられるLEDディスプレイスクリーンであって、前記LED素子が請求項14〜20のいずれかに記載のLED素子である、ことを特徴とするLEDディスプレイスクリーン。
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