JP3206695B2 - 透明電極付薄膜二端子素子およびそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
透明電極付薄膜二端子素子およびそれを用いた液晶表示装置Info
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、スイッチング素子、特にアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置用スイッチング素子に
関する。
ィブマトリックス型液晶表示装置用スイッチング素子に
関する。
【０００２】
【従来技術】ＯＡ機器端末機や液晶ＴＶには大面積液晶
パネルの使用の要望が強く、そのため、アクティブマト
リックス方式では各画素ごとにスイッチを設け、電圧を
保持するように工夫されている。このようなスイッチと
しては三端子素子であるＴＦＴや二端子素子であるＭＩ
Ｍ素子などが知られている。特にＭＩＭ素子はＴＦＴに
比べて素子作製工程が短いため歩留りが高い。構造が簡
単であるため開口部を大きくできる等の長所がある。絶
縁層として陽極酸化膜を用いたＭＩＭ素子（例えば特開
昭６２−６２３３３号）あるいはＳｉＮｘ膜を用いたＭ
ＩＭ素子（例えば特開昭６１−２６０２１９号）等が知
られている。また、絶縁層に硬質炭素膜を用いたＭＩＭ
素子（例えば特開平２−２８９８２８号）が本発明者に
より提案されており、該素子は広範囲でのデバイス設計
が可能で、均一性に優れかつ素子特性の急峻性が高い等
の特徴を有しているため、特に液晶駆動用スイッチング
素子として好適である。従来のＭＩＭ素子の構成は図４
に示すごとく、透明電極４に接続して下部導体１、絶縁
層２、上部導体３がパターン形成されている。この際絶
縁層がプラズマＣＶＤ法のような気相合成によって製膜
される硬質炭素膜やＳｉＮｘ膜である場合、それらの製
膜時のプラズマ（特に活性水素）ダメージから透明電極
を保護するために、下部導体を一旦透明電極全体を覆う
ようにパターンニングし、最後に画素となる部分をエッ
チングするという方法がとられていた。また、一般に透
明電極材料として用いられるＩＴＯはＩｎとＯの結合エ
ネルギーが小さいため、下部導体がＯと結合しやすい金
属材料によって形成されると、界面に相互拡散層（高抵
抗層）ができてしまうため透明電極と下部導体の間にバ
ッファ層を設けなければならない場合があった。このよ
うに従来構成ではいくつかの問題があり、それを回避す
るために複雑な作製工程を必要とするため、本来ＭＩＭ
素子の作製工程が短く歩留りが高いという長所をスポイ
ルするものであった。
パネルの使用の要望が強く、そのため、アクティブマト
リックス方式では各画素ごとにスイッチを設け、電圧を
保持するように工夫されている。このようなスイッチと
しては三端子素子であるＴＦＴや二端子素子であるＭＩ
Ｍ素子などが知られている。特にＭＩＭ素子はＴＦＴに
比べて素子作製工程が短いため歩留りが高い。構造が簡
単であるため開口部を大きくできる等の長所がある。絶
縁層として陽極酸化膜を用いたＭＩＭ素子（例えば特開
昭６２−６２３３３号）あるいはＳｉＮｘ膜を用いたＭ
ＩＭ素子（例えば特開昭６１−２６０２１９号）等が知
られている。また、絶縁層に硬質炭素膜を用いたＭＩＭ
素子（例えば特開平２−２８９８２８号）が本発明者に
より提案されており、該素子は広範囲でのデバイス設計
が可能で、均一性に優れかつ素子特性の急峻性が高い等
の特徴を有しているため、特に液晶駆動用スイッチング
素子として好適である。従来のＭＩＭ素子の構成は図４
に示すごとく、透明電極４に接続して下部導体１、絶縁
層２、上部導体３がパターン形成されている。この際絶
縁層がプラズマＣＶＤ法のような気相合成によって製膜
される硬質炭素膜やＳｉＮｘ膜である場合、それらの製
膜時のプラズマ（特に活性水素）ダメージから透明電極
を保護するために、下部導体を一旦透明電極全体を覆う
ようにパターンニングし、最後に画素となる部分をエッ
チングするという方法がとられていた。また、一般に透
明電極材料として用いられるＩＴＯはＩｎとＯの結合エ
ネルギーが小さいため、下部導体がＯと結合しやすい金
属材料によって形成されると、界面に相互拡散層（高抵
抗層）ができてしまうため透明電極と下部導体の間にバ
ッファ層を設けなければならない場合があった。このよ
うに従来構成ではいくつかの問題があり、それを回避す
るために複雑な作製工程を必要とするため、本来ＭＩＭ
素子の作製工程が短く歩留りが高いという長所をスポイ
ルするものであった。
【０００３】
【目的】本発明の目的は上記問題点を解消し、欠陥が少
なく、信頼性の高い薄膜二端子素子を短い工程で形成す
ること及びそれによって低コストかつ高信頼性のアクテ
ッブマトリックス基板並びにアクティブマトリックス型
液晶表示装置を提供することにある。
なく、信頼性の高い薄膜二端子素子を短い工程で形成す
ること及びそれによって低コストかつ高信頼性のアクテ
ッブマトリックス基板並びにアクティブマトリックス型
液晶表示装置を提供することにある。
【０００４】
【構成】本発明の第１は、第一の導体（下部導体）と第
二の導体（上部導体）の間に絶縁体を介在させてなる薄
膜二端子素子と透明電極とからなる透明電極付薄膜二端
子素子において、透明電極が該薄膜二端子素子の最上層
の導体に接続され、かつ絶縁体が透明電極を除く全面に
形成されていることを特徴とする透明電極付薄膜二端子
素子に関する。本発明の第２は、透明電極が絶縁体をパ
ターンニングしたレジストを用いて第二導体（上部導
体）上に形成した導電性膜からリフトオフ法で形成され
たものであることを特徴とする上記透明電極付薄膜二端
子素子に関する。本発明の第３は、絶縁体に硬質炭素を
用いた上記第１および第２の透明電極付薄膜二端子素子
に関する。本発明の第４は、第一の導体（下部導体）上
に絶縁膜、特に硬質炭素膜を製膜し、該絶縁膜の上に第
二の導体（上部導体）を順次形成し、次に絶縁膜をパタ
ーンニングし、さらに該パターニングに用いたレジスト
を使用して第二導体（上部導体）上に形成した導電膜か
らリフトオフ法により透明電極を形成することを特徴と
する薄膜二端子素子の製造法に関する。本発明の第５
は、前記第１、２および３の透明電極付薄膜二端子素子
を、該素子の透明電極が画素電極を構成するように基板
上に複数個配設したことを特徴とするアクティブマトリ
ックス基板に関する。本発明の第６は、前記第５のアク
ティブマトリックス基板を一方の基板に用いた一対の基
板間に、液晶を含有する層を挟持して構成されることを
特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置に関
する。
二の導体（上部導体）の間に絶縁体を介在させてなる薄
膜二端子素子と透明電極とからなる透明電極付薄膜二端
子素子において、透明電極が該薄膜二端子素子の最上層
の導体に接続され、かつ絶縁体が透明電極を除く全面に
形成されていることを特徴とする透明電極付薄膜二端子
素子に関する。本発明の第２は、透明電極が絶縁体をパ
ターンニングしたレジストを用いて第二導体（上部導
体）上に形成した導電性膜からリフトオフ法で形成され
たものであることを特徴とする上記透明電極付薄膜二端
子素子に関する。本発明の第３は、絶縁体に硬質炭素を
用いた上記第１および第２の透明電極付薄膜二端子素子
に関する。本発明の第４は、第一の導体（下部導体）上
に絶縁膜、特に硬質炭素膜を製膜し、該絶縁膜の上に第
二の導体（上部導体）を順次形成し、次に絶縁膜をパタ
ーンニングし、さらに該パターニングに用いたレジスト
を使用して第二導体（上部導体）上に形成した導電膜か
らリフトオフ法により透明電極を形成することを特徴と
する薄膜二端子素子の製造法に関する。本発明の第５
は、前記第１、２および３の透明電極付薄膜二端子素子
を、該素子の透明電極が画素電極を構成するように基板
上に複数個配設したことを特徴とするアクティブマトリ
ックス基板に関する。本発明の第６は、前記第５のアク
ティブマトリックス基板を一方の基板に用いた一対の基
板間に、液晶を含有する層を挟持して構成されることを
特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置に関
する。
【０００５】本発明の透明電極付薄膜二端子素子の構成
及びその作製方法を図１〜３に基づき説明する。ガラ
ス、プラスチック等の基板上にＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｐｔ等の導電性薄膜
をスパッタリング、蒸着等の方法により数百〜数千Åの
厚さに製膜し、エッチングにより所定のパターンにパタ
ーニングして第一導体（下部導体）１を形成した（図
１）。この第一導体上にプラズマＣＶＤ法あるいはイオ
ンビーム法によって１００〜８０００Å、好ましくは２
００〜６０００Å、さらに好ましくは３００〜４０００
Åの硬質炭素膜（絶縁層）を製膜し、続いてＮｉ、Ｐ
ｔ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、
Ｔａ、Ｎｉ−Ｃｒ等の導電性薄膜をスパッタリング、蒸
着等の方法により数百〜数千Åの厚さに製膜したのちエ
ッチングして第二導体（上部導体）３を形成した（図
２）。次に絶縁層２をエッチングし、そのレジストを除
去することなく、ＩＴＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｚｎ
Ｏ：Ａｌ等の透明導電性薄膜をスパッタリング、蒸着等
の方法により数百〜数千Åの厚さに製膜したのち溶剤で
レジストを除去（リフトオフ）することによって透明電
極４を形成した（図３）。この方法によればマスク（フ
ォトリソ）数は３枚となり、従来の４〜５枚に比べ工程
が短縮される。さらに透明電極をエッチングによって形
成しないので透明導電性薄膜のエッチング液に冒される
材料でも導体に使用することができるという長所があ
る。上記透明電極付薄膜二端子素子をマトリックス状に
有する基板と、ストライプ状の透明電極を有する対向基
板に配向膜を形成し、ギャップ材を介して貼り合せ、液
晶を注入したのちシールすればアクティブマトリックス
型液晶表示装置が完成する。液晶に高分子−液晶複合体
を使用し、光散乱モードの表示を形成する場合には配向
膜を設ける必要はなくなる。
及びその作製方法を図１〜３に基づき説明する。ガラ
ス、プラスチック等の基板上にＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｐｔ等の導電性薄膜
をスパッタリング、蒸着等の方法により数百〜数千Åの
厚さに製膜し、エッチングにより所定のパターンにパタ
ーニングして第一導体（下部導体）１を形成した（図
１）。この第一導体上にプラズマＣＶＤ法あるいはイオ
ンビーム法によって１００〜８０００Å、好ましくは２
００〜６０００Å、さらに好ましくは３００〜４０００
Åの硬質炭素膜（絶縁層）を製膜し、続いてＮｉ、Ｐ
ｔ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、
Ｔａ、Ｎｉ−Ｃｒ等の導電性薄膜をスパッタリング、蒸
着等の方法により数百〜数千Åの厚さに製膜したのちエ
ッチングして第二導体（上部導体）３を形成した（図
２）。次に絶縁層２をエッチングし、そのレジストを除
去することなく、ＩＴＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｚｎ
Ｏ：Ａｌ等の透明導電性薄膜をスパッタリング、蒸着等
の方法により数百〜数千Åの厚さに製膜したのち溶剤で
レジストを除去（リフトオフ）することによって透明電
極４を形成した（図３）。この方法によればマスク（フ
ォトリソ）数は３枚となり、従来の４〜５枚に比べ工程
が短縮される。さらに透明電極をエッチングによって形
成しないので透明導電性薄膜のエッチング液に冒される
材料でも導体に使用することができるという長所があ
る。上記透明電極付薄膜二端子素子をマトリックス状に
有する基板と、ストライプ状の透明電極を有する対向基
板に配向膜を形成し、ギャップ材を介して貼り合せ、液
晶を注入したのちシールすればアクティブマトリックス
型液晶表示装置が完成する。液晶に高分子−液晶複合体
を使用し、光散乱モードの表示を形成する場合には配向
膜を設ける必要はなくなる。
【０００６】次に本発明で用いられる硬質炭素膜につい
て、膜の形成方法とその特性を述べる。これら硬質炭素
膜とその特性については、特開平３−２２３７２３号、
特開平３−１６３５３１〜１６３５３３号公報が参照さ
れる。原料ガスとしての炭化水素ガスは、例えばＣ
Ｈ4、Ｃ2Ｈ8、Ｃ4Ｈ10等のパラフィン系炭化水素、Ｃ2
Ｈ4等のオレフィン系炭化水素、ジオレフィン系炭化水
素、アセチレン系炭化水素、さらには芳香族炭化水素な
どすべての炭化水素を少なくとも含むガスが使用可能で
ある。また、炭化水素以外でも、例えば、アルコール
類、ケトン類、エーテル類、エステル類などであって少
なくとも炭素元素を含む化合物であれば使用可能であ
る。
て、膜の形成方法とその特性を述べる。これら硬質炭素
膜とその特性については、特開平３−２２３７２３号、
特開平３−１６３５３１〜１６３５３３号公報が参照さ
れる。原料ガスとしての炭化水素ガスは、例えばＣ
Ｈ4、Ｃ2Ｈ8、Ｃ4Ｈ10等のパラフィン系炭化水素、Ｃ2
Ｈ4等のオレフィン系炭化水素、ジオレフィン系炭化水
素、アセチレン系炭化水素、さらには芳香族炭化水素な
どすべての炭化水素を少なくとも含むガスが使用可能で
ある。また、炭化水素以外でも、例えば、アルコール
類、ケトン類、エーテル類、エステル類などであって少
なくとも炭素元素を含む化合物であれば使用可能であ
る。
【０００７】本発明における原料ガスからの硬質炭素膜
の形成方法としては、成膜活性種が、直流、低周波、高
周波、あるいはマイクロ波等を用いたプラズマ法により
生成されるプラズマ状態を経て形成される方法が好まし
いが、より大画積化、均一性向上及び／又は低温製膜の
目的で低圧下で蓄積を行わせしめるのには磁界効果を利
用する方法がさらに好ましい。また、高温における熱分
解によっても活性種を形成できる。その他にも、イオン
化蒸着法あるいはイオンビーム蒸着法等により生成され
るイオン状態を経て形成されてもよいし、真空蒸着法或
いはスパッタリング法等により生成される中性粒子から
形成されてもよいし、さらには、これらの組み合せによ
り形成されてもよい。
の形成方法としては、成膜活性種が、直流、低周波、高
周波、あるいはマイクロ波等を用いたプラズマ法により
生成されるプラズマ状態を経て形成される方法が好まし
いが、より大画積化、均一性向上及び／又は低温製膜の
目的で低圧下で蓄積を行わせしめるのには磁界効果を利
用する方法がさらに好ましい。また、高温における熱分
解によっても活性種を形成できる。その他にも、イオン
化蒸着法あるいはイオンビーム蒸着法等により生成され
るイオン状態を経て形成されてもよいし、真空蒸着法或
いはスパッタリング法等により生成される中性粒子から
形成されてもよいし、さらには、これらの組み合せによ
り形成されてもよい。
【０００８】こうして作製される硬質炭素膜の堆積条件
の一例はプラスマＣＶＤ法の場合、概ね次の通りであ
る。 ＲＦ出力：０．１〜５０Ｗ／ｃｍ2 圧 力：１０-3〜１０Ｔｏｒｒ 堆積温度：室温〜９５０℃で行うことができるが、好ま
しくは室温〜３００℃
の一例はプラスマＣＶＤ法の場合、概ね次の通りであ
る。 ＲＦ出力：０．１〜５０Ｗ／ｃｍ2 圧 力：１０-3〜１０Ｔｏｒｒ 堆積温度：室温〜９５０℃で行うことができるが、好ま
しくは室温〜３００℃
【０００９】このプラズマ状態により原料ガスがラジカ
ルとイオンとに分解され反応することによって、基板上
に炭素原子Ｃと水素原子Ｈとからなるアモルファス（非
晶質）及び微結晶質（結晶の大きさは数１０Å〜数μ
ｍ）の少くとも一方を含む硬質炭素膜が堆積する。硬質
炭素膜の諸特性を表１に示す。
ルとイオンとに分解され反応することによって、基板上
に炭素原子Ｃと水素原子Ｈとからなるアモルファス（非
晶質）及び微結晶質（結晶の大きさは数１０Å〜数μ
ｍ）の少くとも一方を含む硬質炭素膜が堆積する。硬質
炭素膜の諸特性を表１に示す。
【表１】
【００１０】注）測定法： 比抵抗（ρ）：コプレナー型セルによるＩ−Ｖ特性より
求める。 光学的バンドギャップ（Ｅｇｏｐｔ）：分光特性から吸
収係数（α）を求め
求める。 光学的バンドギャップ（Ｅｇｏｐｔ）：分光特性から吸
収係数（α）を求め
【数１】（αｈν）1/2＝β（ｈν−Ｅｇｏｐｔ） の関係より決定する。 膜中水素量〔Ｃ（Ｈ）〕：赤外線スペクトルから２９０
０ｃｍ-1付近のピークを積分し吸収断面積Ａをかけて求
める。すなわち、
０ｃｍ-1付近のピークを積分し吸収断面積Ａをかけて求
める。すなわち、
【数２】〔Ｃ（Ｈ）〕＝Ａ・∫α（ν）／ν・ｄν ＳＰ3／ＳＰ2比：赤外吸収スペクトルをＳＰ3、ＳＰ2に
それぞれ帰属されるガウス関数に分解し、その面積比よ
り求める。 ビッカース硬度（Ｈ）：マイクロビッカース計による。 屈折率（ｎ）：エリプソメータによる。 欠陥密度 ：ＥＳＲによる。
それぞれ帰属されるガウス関数に分解し、その面積比よ
り求める。 ビッカース硬度（Ｈ）：マイクロビッカース計による。 屈折率（ｎ）：エリプソメータによる。 欠陥密度 ：ＥＳＲによる。
【００１１】
実施例１ パイレックス基板上に図３に示す薄膜二端子素子を以下
のように作製した。蒸着法によりＡｌを５００Å厚に堆
積後、パターニングして下部導体１を形成した。その上
に硬質炭素膜をプラズマＣＶＤ法により１１００Å堆積
させたのち、ＮｉをＥＢ蒸着法により１０００Å堆積さ
せエッチングして上部導体３を形成した。次に硬質炭素
膜をドライエッチングによりパターニングしたのち、ス
パッタリング法によりＩＴＯ膜を１５００Åに堆積し、
リフトオフで透明電極４を形成した。この時硬質炭素膜
の製膜条件は以下の通りである。 圧 力 ：０．０３５Ｔｏｒｒ ＣＨ4流量 ：１０ＳＣＣＭ ＲＦパワー：０．３Ｗ／ｃｍ2
のように作製した。蒸着法によりＡｌを５００Å厚に堆
積後、パターニングして下部導体１を形成した。その上
に硬質炭素膜をプラズマＣＶＤ法により１１００Å堆積
させたのち、ＮｉをＥＢ蒸着法により１０００Å堆積さ
せエッチングして上部導体３を形成した。次に硬質炭素
膜をドライエッチングによりパターニングしたのち、ス
パッタリング法によりＩＴＯ膜を１５００Åに堆積し、
リフトオフで透明電極４を形成した。この時硬質炭素膜
の製膜条件は以下の通りである。 圧 力 ：０．０３５Ｔｏｒｒ ＣＨ4流量 ：１０ＳＣＣＭ ＲＦパワー：０．３Ｗ／ｃｍ2
【００１２】実施例２ ＳｉＯｘ膜を両面にコートしたポリアリレート基板上に
図３に示す薄膜二端子素子を以下のように作製した。蒸
着法によりＡｌを１０００Å厚に堆積後、パターニング
して下部導体１を形成した。その上に硬質炭素膜をプラ
ズマＣＶＤ法により１３００Å堆積させたのちＮｉをス
パッタリング法により１０００Å堆積させ、エッチング
して上部導体３を形成した。次に硬質炭素膜をドライエ
ッチングによりパターニングしたのち、スパッタリング
法によりＩＴＯ膜を２０００Å厚に堆積し、リフトオフ
で透明電極４を形成した。この時硬質炭素膜の製膜条件
は以下の通りである。 圧 力 ：０．０１Ｔｏｒｒ ＣＨ4流量 ：１０ＳＣＣＭ ＲＦパワー：０．５Ｗ／ｃｍ2
図３に示す薄膜二端子素子を以下のように作製した。蒸
着法によりＡｌを１０００Å厚に堆積後、パターニング
して下部導体１を形成した。その上に硬質炭素膜をプラ
ズマＣＶＤ法により１３００Å堆積させたのちＮｉをス
パッタリング法により１０００Å堆積させ、エッチング
して上部導体３を形成した。次に硬質炭素膜をドライエ
ッチングによりパターニングしたのち、スパッタリング
法によりＩＴＯ膜を２０００Å厚に堆積し、リフトオフ
で透明電極４を形成した。この時硬質炭素膜の製膜条件
は以下の通りである。 圧 力 ：０．０１Ｔｏｒｒ ＣＨ4流量 ：１０ＳＣＣＭ ＲＦパワー：０．５Ｗ／ｃｍ2
【００１３】実施例３ 図５に示す液晶表示装置を以下のように作製した。実施
例１あるいは２の薄膜二端子素子をマトリックス状に配
した基板５とＩＴＯ透明電極６をストライプ状に形成し
た対向基板７の各々にポリイミド膜８を設けラビング処
理をした。これら２枚の基板をギャップ材９を介して貼
合わせた後、ＴＮ液晶１０を封入した。これら基板の外
側に図示しない偏光板を配した。
例１あるいは２の薄膜二端子素子をマトリックス状に配
した基板５とＩＴＯ透明電極６をストライプ状に形成し
た対向基板７の各々にポリイミド膜８を設けラビング処
理をした。これら２枚の基板をギャップ材９を介して貼
合わせた後、ＴＮ液晶１０を封入した。これら基板の外
側に図示しない偏光板を配した。
【００１４】
【効果】本発明の透明電極付薄膜二端子素子は透明電極
が薄膜二端子素子を形成する最上層の導体に接続され、
かつ絶縁体が透明電極を除く全面に形成されているた
め、絶縁体形成時の透明電極へのダメージがなく、また
透明電極と導体界面の反応も防止できる。さらに透明電
極のパターニングが絶縁体をパターニングしたレジスト
を用いたリフトオフ法で行なわれため、マスク数（工程
数）を少なくできかつ、透明電極のエッチャントに冒さ
れる金属材料でも導体に使用できる。以上の点から本発
明によれば、信頼性の高い薄膜二端子素子を低コストで
作製できる。またこのような薄膜二端子素子を複数個有
する基板はアクティブマトリックス基板として好適であ
り、特にそのような基板と対向基板との間に液晶を含む
層を挟持してなる液晶表示装置は低コスト、高信頼性か
つ優れた表示品質を有するものとなる。
が薄膜二端子素子を形成する最上層の導体に接続され、
かつ絶縁体が透明電極を除く全面に形成されているた
め、絶縁体形成時の透明電極へのダメージがなく、また
透明電極と導体界面の反応も防止できる。さらに透明電
極のパターニングが絶縁体をパターニングしたレジスト
を用いたリフトオフ法で行なわれため、マスク数（工程
数）を少なくできかつ、透明電極のエッチャントに冒さ
れる金属材料でも導体に使用できる。以上の点から本発
明によれば、信頼性の高い薄膜二端子素子を低コストで
作製できる。またこのような薄膜二端子素子を複数個有
する基板はアクティブマトリックス基板として好適であ
り、特にそのような基板と対向基板との間に液晶を含む
層を挟持してなる液晶表示装置は低コスト、高信頼性か
つ優れた表示品質を有するものとなる。
【図１】（ａ）実施例１のパイレックス基板上に形成し
た第１の導体（下部導体）を示す平面図である。 （ｂ）前記（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図である。
た第１の導体（下部導体）を示す平面図である。 （ｂ）前記（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図である。
【図２】（ａ）前記図１の（ａ）の第１導体（下部導
体）上に形成された第２の導体（上部導体）および硬質
炭素膜を示す平面図である。 （ｂ）前記（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図である。
体）上に形成された第２の導体（上部導体）および硬質
炭素膜を示す平面図である。 （ｂ）前記（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図である。
【図３】（ａ）実施例１および２で作製した薄膜二端子
素子の平面図である。 （ｂ）前記（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図である。
素子の平面図である。 （ｂ）前記（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図である。
【図４】従来のＭＩＭ素子の構成を示す図である。
【図５】実施例３で作製した液晶表示装置の一部断面図
である。
である。
１ 第１の導体（下部導体） ２ 硬質炭素膜（絶縁層） ３ 第２の導体（上部導体） ４ 透明電極 ５ 基板 ６ 透明電極 ７ 対向基板 ８ 配向膜 ９ キャップ材 １０ 液晶 １１ 薄膜二端子素子 １２ バスライン
Claims (7)
- 【請求項１】 第一の導体（下部導体）と第二の導体
（上部導体）の間に絶縁体を介在させてなる薄膜二端子
と透明電極とからなる透明電極付薄膜二端子素子におい
て、透明電極が該薄膜二端子素子の最上層の導体に接続
され、かつ絶縁体が透明電極を除く全面に形成されてい
ることを特徴とする透明電極付薄膜二端子素子。 - 【請求項２】 透明電極が、絶縁体をパターンニングし
たレジストを用いて第二導体（上部導体）上に形成した
導電性膜からリフトオフ法で形成されたものである請求
項１記載の透明電極付薄膜二端子素子。 - 【請求項３】 絶縁体が硬質炭素膜である請求項１また
は２記載の透明電極付薄膜二端子素子。 - 【請求項４】 第一の導体（下部導体）上に絶縁膜およ
び第二の導体（上部導体）を順次形成し、次に絶縁膜を
パターンニングし、さらに該パターニングに用いたレジ
ストを使用して第二導体（上部導体）上に形成した導電
性膜からリフトオフ法により透明電極を形成したもので
あることを特徴とする請求項１または２記載の透明電極
付薄膜二端子素子の製造法。 - 【請求項５】 絶縁膜が硬質炭素膜である請求項４記載
の透明電極付薄膜二端子素子の製造法。 - 【請求項６】 請求項１、２または３記載の透明電極付
薄膜二端子素子を、該素子の透明電極が画素電極を構成
するように基板上に複数個配設したことを特徴とするア
クティブマトリックス基板。 - 【請求項７】 一方の基板に請求項６記載のアクティブ
マトリックス基板を用いた一対の基板間に、液晶を含有
する層を挟持して構成されることを特徴とするアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34729393A JP3206695B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 透明電極付薄膜二端子素子およびそれを用いた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34729393A JP3206695B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 透明電極付薄膜二端子素子およびそれを用いた液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07181520A JPH07181520A (ja) | 1995-07-21 |
| JP3206695B2 true JP3206695B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=18389234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34729393A Expired - Fee Related JP3206695B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 透明電極付薄膜二端子素子およびそれを用いた液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3206695B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP34729393A patent/JP3206695B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07181520A (ja) | 1995-07-21 |
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