JP3202576U - Icp分析装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】分析条件に応じて自動的に適切な酸素導入量を決定するICP分析装置を提供する。【解決手段】高周波電源44に出力値を出力するDC電源45と、プラズマトーチ10に試料Sとキャリアガスを流通させる試料ガス供給部30と、プラズマトーチ10に酸素含有ガスを流通させる酸素含有ガス供給部40と、DC電源45と試料ガス供給部30と酸素含有ガス供給部40とを用いてプラズマ炎22を形成し、有機溶媒と元素を含有する試料Sをプラズマ炎22に導入することにより元素を分析する分析部51fとを備え、酸素含有ガスの導入量を変化させながらDC電源45に出力する出力値を測定していき、出力値が最大となるときの酸素含有ガスの導入量に決定する制御部50を備えた構成とする。【選択図】図1
Description
本考案は、ICP分析用プラズマトーチを用いてプラズマ炎を形成し、有機溶媒と元素とを含有する試料をプラズマ炎に導入することにより元素を分析するICP分析装置(ICP−MSやICP−OES等)に関する。
ICP−OESでは、例えば、試料をプラズマ炎に導入して励起発光させ、その発光光を回折格子で波長分散させて光検出器で検出することにより発光スペクトルを取得する。そして、発光スペクトルに現れているスペクトル線(輝線スペクトル)の波長の種類から試料中に含有されている元素の定性分析(同定)を行い、さらにその輝線スペクトルの強度からその元素の定量分析を行っている(例えば特許文献1参照)。
なお、このようなICP−OES等のICP分析装置では、プラズマ炎を形成するために、ICP分析用プラズマトーチが用いられる。
なお、このようなICP−OES等のICP分析装置では、プラズマ炎を形成するために、ICP分析用プラズマトーチが用いられる。
図4は、従来のICP分析装置の一例を示す概略構成図である。なお、ICP分析用プラズマトーチの構成は断面図で示す。
ICP分析装置101は、プラズマ炎22を形成するためのICP分析用プラズマトーチ20と、キャリアガス供給部31とネプライザ32とスプレーチェンバ33とを有する試料ガス供給部30と、酸素含有ガス供給部40と、補助ガス供給部41と、プラズマ用ガス供給部42と、発光光やイオン等を検出する検出部43と、高周波電流を供給する高周波電源44と、高周波電源44に出力値Itを出力するDC電源45と、ICP分析装置101全体を制御する制御部150とを備える。
ICP分析装置101は、プラズマ炎22を形成するためのICP分析用プラズマトーチ20と、キャリアガス供給部31とネプライザ32とスプレーチェンバ33とを有する試料ガス供給部30と、酸素含有ガス供給部40と、補助ガス供給部41と、プラズマ用ガス供給部42と、発光光やイオン等を検出する検出部43と、高周波電流を供給する高周波電源44と、高周波電源44に出力値Itを出力するDC電源45と、ICP分析装置101全体を制御する制御部150とを備える。
ICP分析用プラズマトーチ20は、円筒形状の試料ガス管11と、試料ガス管11の外周面に対し空間をあけて覆う円筒形状の酸素含有ガス管12と、酸素含有ガス管12の外周面に対し空間をあけて覆う円筒形状の補助ガス管13と、補助ガス管13の外周面に対し空間をあけて覆う円筒形状のプラズマ用ガス管14とを有するプラズマトーチ10と、プラズマ用ガス管14の先端部分の外周面に対し空間をあけて2〜3ターン巻き付けられた高周波誘導コイル21とを備える。
なお、試料ガス管11、酸素含有ガス管12、補助ガス管13、プラズマ用ガス管14の各中心軸は、同一かつ上下方向となっている。
なお、試料ガス管11、酸素含有ガス管12、補助ガス管13、プラズマ用ガス管14の各中心軸は、同一かつ上下方向となっている。
補助ガス供給部41は、酸素含有ガス管12の外周面と補助ガス管13の内周面との間に、アルゴンガス(補助ガス)を比較的低速で上方向に流通させる。これにより、酸素含有ガス管12の外周面と補助ガス管13の内周面との間に形成された流路の上端部から噴出されたアルゴンガスが、高周波誘導コイル21の形成する高周波電磁界により加速された電子によって電離されることで、アルゴン陽イオンと電子とが生成される。そして、生成された電子がさらにアルゴンに衝突して電離を増殖させることにより、安定したプラズマ炎22が上端部に形成される。
プラズマ用ガス供給部42は、補助ガス管13の外周面とプラズマ用ガス管14の内周面との間に、アルゴンガス(プラズマ用ガス)を比較的高速で上方向に流通させる。これにより、補助ガス管13の外周面とプラズマ用ガス管14の内周面との間に形成された流路の上端部から噴出されたアルゴンガスが、上端部に形成されているプラズマ炎22の外側を上方向に流れるようになっている。
酸素含有ガス供給部40は、試料ガス管11の外周面と酸素含有ガス管12の内周面との間に、例えば30体積%の酸素(O2)と70体積%のアルゴン(不活性ガス)とを含有する酸素含有ガスを所定流量で上方向に流通させる。そして、試料ガス管11の外周面と酸素含有ガス管12の内周面との間に形成された流路の上端部から酸素(O2)とアルゴンが噴出される。これにより、有機溶媒(例えばキシレン(C8H10)等)中にアルカリ元素(例えばNa、K等)を含有する試料Sを分析する際に、ICP分析用プラズマトーチ20の上端部で、有機溶媒(CnHm)から発生する炭素(C)を二酸化炭素(CO2)や一酸化炭素(CO)に変換する反応を起こす。つまり、プラズマ先端部に配置される光(発光の軸方向観測時)またはイオン(ICP−MS)の取り込み部分(オリフィス43a)への煤の付着を抑制するとともに、炭素(C)由来の分光干渉を低減させることができる。
ネプライザ32は、試料Sを分析しないときには、キャリアガス供給部31から供給されるアルゴンガス(キャリアガス)のみをスプレーチェンバ33内に吹き込む。これにより、試料ガス管11の内周面で囲まれた空間には、アルゴンガスが所望流量で上方向に流通する。そして、試料ガス管11の上端部からアルゴンガスが上方向に吹き抜けることにより、上方から見ると中心部に低温のトンネル空洞部が形成されたプラズマ炎22が形成される。
一方、試料Sを分析するときには、ネプライザ32は、試料Sを霧吹きの原理によって吸い上げて霧滴化し、キャリアガス供給部31から供給されるアルゴンガスとともに霧滴化された試料Sをスプレーチェンバ33内に吹き込む。これにより、試料ガス管11の内周面で囲まれた空間には、試料Sとアルゴンガスとが上方向に流通する。そして、試料Sは、アルゴンガスに乗って試料ガス管11の先端部から噴出されることにより、プラズマ炎22のトンネル空洞部に導入される。その結果、試料S中に含まれる化合物は、プラズマ炎22と接することで、原子化されたりイオン化されたりして励起発光することになる。
一方、試料Sを分析するときには、ネプライザ32は、試料Sを霧吹きの原理によって吸い上げて霧滴化し、キャリアガス供給部31から供給されるアルゴンガスとともに霧滴化された試料Sをスプレーチェンバ33内に吹き込む。これにより、試料ガス管11の内周面で囲まれた空間には、試料Sとアルゴンガスとが上方向に流通する。そして、試料Sは、アルゴンガスに乗って試料ガス管11の先端部から噴出されることにより、プラズマ炎22のトンネル空洞部に導入される。その結果、試料S中に含まれる化合物は、プラズマ炎22と接することで、原子化されたりイオン化されたりして励起発光することになる。
検出部43は、例えば、光またはイオン取り込み用オリフィス43aと、発光スペクトルを検出する光検出器またはイオンを検出するMS(図示せず)とを有するもの等である。
制御部150は、CPU151と入力装置152とを備える。CPU151が処理する機能をブロック化して説明すると、DC電源45を制御するDC電源制御部51aと、入力装置152から入力される「試料ガス流量調整信号」に基づいて試料ガス供給部30を制御する試料ガス供給部制御部51bと、入力装置152から入力される「酸素含有ガス流量調整信号」に基づいて酸素含有ガス供給部40を制御する酸素含有ガス供給部制御部151cと、補助ガス供給部41を制御する補助ガス供給部制御部51dと、プラズマ用ガス供給部42を制御するプラズマ用ガス供給部制御部51eと、検出部43で検出された発光光(イオン)に基づいて元素の分析を行う分析部51fとを有する。
ところで、上述したようなICP分析装置101では、炭素(C)を燃焼させるために必要な酸素(O2)の導入量が、試料Sに含有される有機溶媒の種類、高周波電源44に出力される出力値It、試料ガス管11に導入されるキャリアガス導入量等の分析条件によって異なり、また、必要量以上の酸素を導入した場合にはプラズマ炎22の温度が下がり、分析対象の元素の発光強度を低下させることになる。そのため、分析者は、使用する有機溶媒に対し、入力装置152を用いて酸素の導入量を変えながら、状態を確認して適切な酸素導入量を決めていた。つまり、酸素導入量の決定に時間と手間がかかるという問題点があった。
そこで、出願人は、適切な酸素導入量を決める導入量決定方法について検討した。
プラズマ炎22中に酸素(O2)を導入して炭素(C)を燃焼させる場合、酸素(O2)導入量が増加するにしたがって高周波電源44の効率が低下していき、炭素(C)が完全に燃焼する時点をピークに再び高周波電源44の効率がよくなっていく。
また、高周波電源44の効率は、高周波電源44に出力されるDC電源45の出力値Itでモニタできる。そこで、試料Sに含有される有機溶媒の種類や、試料ガス管11に導入されるキャリアガス導入量等の分析条件を決定した後、DC電源45の出力値Itをモニタし、そのモニタ結果から酸素の導入量を制御することを見出した。図3は、酸素導入量とDC電源45の出力値Itとの関係の一例を示すグラフである。
プラズマ炎22中に酸素(O2)を導入して炭素(C)を燃焼させる場合、酸素(O2)導入量が増加するにしたがって高周波電源44の効率が低下していき、炭素(C)が完全に燃焼する時点をピークに再び高周波電源44の効率がよくなっていく。
また、高周波電源44の効率は、高周波電源44に出力されるDC電源45の出力値Itでモニタできる。そこで、試料Sに含有される有機溶媒の種類や、試料ガス管11に導入されるキャリアガス導入量等の分析条件を決定した後、DC電源45の出力値Itをモニタし、そのモニタ結果から酸素の導入量を制御することを見出した。図3は、酸素導入量とDC電源45の出力値Itとの関係の一例を示すグラフである。
すなわち、本考案のICP分析装置は、プラズマトーチと、前記プラズマトーチの先端部分の外周面に対し空間をあけて配置された誘導コイルとを備えるICP分析用プラズマトーチと、前記誘導コイルに高周波電流を供給する高周波電源と、前記高周波電源に出力値を出力するDC電源と、前記プラズマトーチに、霧滴化された試料をキャリアガスとともに流通させる試料ガス供給部と、前記プラズマトーチに、酸素を含有する酸素含有ガスを流通させる酸素含有ガス供給部と、前記DC電源と試料ガス供給部と酸素含有ガス供給部とを用いてプラズマ炎を形成し、有機溶媒と元素とを含有する試料をプラズマ炎に導入することにより、元素を分析する分析部とを備えるICP分析装置であって、前記酸素含有ガスの導入量を変化させながら、前記DC電源に出力する出力値を測定していき、前記出力値が最大となるときの前記酸素含有ガスの導入量に決定する制御部を備えるようにしている。
本考案のICP分析装置によれば、有機溶媒の種類やキャリアガス導入量等を変更しても、制御部が酸素の導入量を自動的に決定するので、分析者が酸素導入量を検討する必要がなくなる。
(他の課題を解決するための手段及び効果)
また、上記の考案において、前記ICP分析用プラズマトーチは、試料ガス管と、前記試料ガス管の外周面に対し空間をあけて覆う酸素含有ガス管と、前記酸素含有ガス管の外周面に対し空間をあけて覆う補助ガス管と、前記補助ガス管の外周面に対し空間をあけて覆うプラズマ用ガス管とを有するようにしてもよい。
また、上記の考案において、前記ICP分析用プラズマトーチは、試料ガス管と、前記試料ガス管の外周面に対し空間をあけて覆う酸素含有ガス管と、前記酸素含有ガス管の外周面に対し空間をあけて覆う補助ガス管と、前記補助ガス管の外周面に対し空間をあけて覆うプラズマ用ガス管とを有するようにしてもよい。
さらに、上記の考案において、前記試料ガス管の内周面で囲まれた空間には、霧滴化された試料をキャリアガスとともに流通させ、前記試料ガス管の外周面と酸素含有ガス管の内周面との間には、酸素含有ガスを流通させ、前記酸素含有ガス管の外周面と補助ガス管の内周面との間には、補助ガスを流通させ、前記補助ガス管の外周面とプラズマ用ガス管の内周面との間には、プラズマ用ガスを流通させるようにしてもよい。
以下、本考案の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本考案は、以下に説明するような実施形態に限定されるものではなく、本考案の趣旨を逸脱しない範囲で種々の態様が含まれる。
図1は、本考案に係るICP分析装置の一例を示す概略構成図である。なお、ICP分析用プラズマトーチの構成は断面図で示す。また、上述したICP分析装置101と同様のものについては、同じ符号を付すことにより説明を省略する。
ICP分析装置1は、プラズマ炎22を形成するためのICP分析用プラズマトーチ20と、キャリアガス供給部31とネプライザ32とスプレーチェンバ33とを有する試料ガス供給部30と、酸素含有ガス供給部40と、補助ガス供給部41と、プラズマ用ガス供給部42と、発光光やイオン等を検出する検出部43と、高周波電流を供給する高周波電源44と、高周波電源44に出力値Itを出力するDC電源45と、ICP分析装置1全体を制御する制御部50とを備える。
ICP分析装置1は、プラズマ炎22を形成するためのICP分析用プラズマトーチ20と、キャリアガス供給部31とネプライザ32とスプレーチェンバ33とを有する試料ガス供給部30と、酸素含有ガス供給部40と、補助ガス供給部41と、プラズマ用ガス供給部42と、発光光やイオン等を検出する検出部43と、高周波電流を供給する高周波電源44と、高周波電源44に出力値Itを出力するDC電源45と、ICP分析装置1全体を制御する制御部50とを備える。
制御部50は、CPU51と入力装置52とを備える。CPU51が処理する機能をブロック化して説明すると、DC電源45を制御するDC電源制御部51aと、入力装置52から入力される「試料ガス流量調整信号」に基づいて試料ガス供給部30を制御する試料ガス供給部制御部51bと、酸素含有ガス供給部40を制御する酸素含有ガス供給部制御部51cと、補助ガス供給部41を制御する補助ガス供給部制御部51dと、プラズマ用ガス供給部42を制御するプラズマ用ガス供給部制御部51eと、検出部43で検出された発光光(イオン)に基づいて元素の分析を行う分析部51fとを有する。
DC電源制御部51aは、発光光が所定強度値となるように、DC電源45から高周波電源44に出力値Itを出力する制御を行う。具体的には、発光光が所定強度値より低いときには、高周波電源44に出力する出力値Itを上げ、一方、発光光が所定強度値より高いときには、高周波電源44に出力する出力値Itを下げる。これにより、所定温度のプラズマ炎22が形成される。
酸素含有ガス供給部制御部51cは、酸素含有ガス供給部40を制御する。例えば、試料ガス管11の外周面と酸素含有ガス管12の内周面との間に流通させる酸素含有ガスの流量(酸素導入量)を変化させながら、DC電源制御部51aが高周波電源44に出力する出力値Itを測定(モニタ)していく(図3参照)。そして、出力値Itが最大Imaxとなるときの酸素含有ガスの流量を適切な導入量として決定する。
試料ガス供給部制御部51bは、入力装置52から入力される「試料ガス流量調整信号」に基づいて試料ガス供給部30を制御する。例えば、まず、入力装置52からの「試料ガス流量調整信号」に基づいた所望流量のアルゴンガス(キャリアガス)のみをスプレーチェンバ33内に吹き込む。その後、酸素含有ガス供給部制御部51cで酸素含有ガスの流量が決定されたときには、試料Sを霧吹きの原理によって吸い上げて霧滴化し、霧滴化された試料Sをアルゴンガスとともにスプレーチェンバ33内に吹き込む。
ここで、ICP分析装置1により元素を分析する分析方法の一例について図2のフローチャートを用いて説明する。
まず、ステップS101の処理において、分析者は、入力装置52を用いて「試料ガス流量調整信号」を入力する。
次に、ステップS102の処理において、試料ガス供給部制御部51bは、所望流量のアルゴンガス(キャリアガス)のみをスプレーチェンバ33内に吹き込む。このとき、補助ガス供給部制御部51dは、酸素含有ガス管12の外周面と補助ガス管13の内周面との間に、アルゴンガス(補助ガス)を比較的低速で上方向に流通させるとともに、プラズマ用ガス供給部制御部51eは、補助ガス管13の外周面とプラズマ用ガス管14の内周面との間に、アルゴンガス(プラズマ用ガス)を比較的高速で上方向に流通させる。
まず、ステップS101の処理において、分析者は、入力装置52を用いて「試料ガス流量調整信号」を入力する。
次に、ステップS102の処理において、試料ガス供給部制御部51bは、所望流量のアルゴンガス(キャリアガス)のみをスプレーチェンバ33内に吹き込む。このとき、補助ガス供給部制御部51dは、酸素含有ガス管12の外周面と補助ガス管13の内周面との間に、アルゴンガス(補助ガス)を比較的低速で上方向に流通させるとともに、プラズマ用ガス供給部制御部51eは、補助ガス管13の外周面とプラズマ用ガス管14の内周面との間に、アルゴンガス(プラズマ用ガス)を比較的高速で上方向に流通させる。
次に、ステップS103の処理において、DC電源制御部51aは、発光光が所定強度値となるように、高周波電源44に出力値Itを出力する。
次に、ステップS104の処理において、酸素含有ガス供給部制御部51cは、試料ガス管11の外周面と酸素含有ガス管12の内周面との間に流通させる酸素含有ガスの流量を変化させながら、DC電源制御部51aが高周波電源44に出力する出力値Itを測定していく。
次に、ステップS104の処理において、酸素含有ガス供給部制御部51cは、試料ガス管11の外周面と酸素含有ガス管12の内周面との間に流通させる酸素含有ガスの流量を変化させながら、DC電源制御部51aが高周波電源44に出力する出力値Itを測定していく。
次に、ステップS105の処理において、酸素含有ガス供給部制御部51cは、出力値Itが最大Imaxとなるときの酸素含有ガスの流量に決定する。
次に、ステップS106の処理において、試料ガス供給部制御部51bは、試料Sを霧吹きの原理によって吸い上げて霧滴化し、霧滴化された試料Sをアルゴンガスとともにスプレーチェンバ33内に吹き込む。
次に、ステップS107の処理において、分析部51fは、検出部43で検出された発光光(イオン)に基づいて、試料S中に含有される元素の定性分析を行い、さらにその強度からその元素の定量分析を行う。
次に、ステップS106の処理において、試料ガス供給部制御部51bは、試料Sを霧吹きの原理によって吸い上げて霧滴化し、霧滴化された試料Sをアルゴンガスとともにスプレーチェンバ33内に吹き込む。
次に、ステップS107の処理において、分析部51fは、検出部43で検出された発光光(イオン)に基づいて、試料S中に含有される元素の定性分析を行い、さらにその強度からその元素の定量分析を行う。
以上のように、本考案のICP分析装置1によれば、有機溶媒(試料S)の種類やキャリアガス導入量等を変更しても、酸素含有ガス供給部制御部51cが自動的に酸素含有ガスの導入量を決定するので、分析者が酸素含有ガス導入量を検討する必要がなくなる。
<他の実施形態>
(1)上述したICP分析装置1では、30体積%の酸素(O2)と70体積%のアルゴン(不活性ガス)とを含有する酸素含有ガスの流量を変化させる構成を示したが、アルゴン(不活性ガス)の流量を一定とし、酸素(O2)の流量を変化させるような構成としてもよい。
(1)上述したICP分析装置1では、30体積%の酸素(O2)と70体積%のアルゴン(不活性ガス)とを含有する酸素含有ガスの流量を変化させる構成を示したが、アルゴン(不活性ガス)の流量を一定とし、酸素(O2)の流量を変化させるような構成としてもよい。
(2)上述したICP分析装置1では、四重管構造のプラズマトーチ10である構成を示したが、三重管構造のプラズマトーチであるような構成としてもよい。
1 ICP分析装置
10 プラズマトーチ
20 ICP分析用プラズマトーチ
21 高周波誘導コイル
22 プラズマ炎
30 試料ガス供給部
40 酸素含有ガス供給部
44 高周波電源
45 DC電源
50 制御部
51f 分析部
S 試料
10 プラズマトーチ
20 ICP分析用プラズマトーチ
21 高周波誘導コイル
22 プラズマ炎
30 試料ガス供給部
40 酸素含有ガス供給部
44 高周波電源
45 DC電源
50 制御部
51f 分析部
S 試料
Claims (3)
- プラズマトーチと、前記プラズマトーチの先端部分の外周面に対し空間をあけて配置された誘導コイルとを備えるICP分析用プラズマトーチと、
前記誘導コイルに高周波電流を供給する高周波電源と、
前記高周波電源に出力値を出力するDC電源と、
前記プラズマトーチに、霧滴化された試料をキャリアガスとともに流通させる試料ガス供給部と、
前記プラズマトーチに、酸素を含有する酸素含有ガスを流通させる酸素含有ガス供給部と、
前記DC電源と試料ガス供給部と酸素含有ガス供給部とを用いてプラズマ炎を形成し、有機溶媒と元素とを含有する試料をプラズマ炎に導入することにより、元素を分析する分析部とを備えるICP分析装置であって、
前記酸素含有ガスの導入量を変化させながら、前記DC電源に出力する出力値を測定していき、前記出力値が最大となるときの前記酸素含有ガスの導入量に決定する制御部を備えることを特徴とするICP分析装置。 - 前記ICP分析用プラズマトーチは、試料ガス管と、
前記試料ガス管の外周面に対し空間をあけて覆う酸素含有ガス管と、
前記酸素含有ガス管の外周面に対し空間をあけて覆う補助ガス管と、
前記補助ガス管の外周面に対し空間をあけて覆うプラズマ用ガス管とを有することを特徴とする請求項1に記載のICP分析装置。 - 前記試料ガス管の内周面で囲まれた空間には、霧滴化された試料をキャリアガスとともに流通させ、
前記試料ガス管の外周面と酸素含有ガス管の内周面との間には、酸素含有ガスを流通させ、
前記酸素含有ガス管の外周面と補助ガス管の内周面との間には、補助ガスを流通させ、
前記補助ガス管の外周面とプラズマ用ガス管の内周面との間には、プラズマ用ガスを流通させることを特徴とする請求項2に記載のICP分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015006041U JP3202576U (ja) | 2015-11-27 | 2015-11-27 | Icp分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015006041U JP3202576U (ja) | 2015-11-27 | 2015-11-27 | Icp分析装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3202576U true JP3202576U (ja) | 2016-02-12 |
Family
ID=55300893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015006041U Active JP3202576U (ja) | 2015-11-27 | 2015-11-27 | Icp分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3202576U (ja) |
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2015
- 2015-11-27 JP JP2015006041U patent/JP3202576U/ja active Active
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