JP3201637B2 - 半導体素子用のはんだバンプ形成材料 - Google Patents
半導体素子用のはんだバンプ形成材料Info
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- JP3201637B2 JP3201637B2 JP04985692A JP4985692A JP3201637B2 JP 3201637 B2 JP3201637 B2 JP 3201637B2 JP 04985692 A JP04985692 A JP 04985692A JP 4985692 A JP4985692 A JP 4985692A JP 3201637 B2 JP3201637 B2 JP 3201637B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子用のはんだバ
ンプ形成材料、詳しくは、ワイヤレスボンディング法、
特にフリップチップボンディング法またはテープキャリ
アボンディング法により半導体素子（以下、チップとい
う）を基板に実装する際に用いるはんだバンプの形成材
料に関する。
ンプ形成材料、詳しくは、ワイヤレスボンディング法、
特にフリップチップボンディング法またはテープキャリ
アボンディング法により半導体素子（以下、チップとい
う）を基板に実装する際に用いるはんだバンプの形成材
料に関する。
【０００２】
【従来の技術】本願出願人は、細い合金ワイヤ状に作製
され、そのワイヤ先端を加熱して形成したボールをチッ
プ表面のＡｌ電極上に熱圧着した後そのボールをワイヤ
から切断してＡｌ電極上面にバンプを形成する、ワイヤ
ボンディング装置を用いたバンプ形成に特に有用なはん
だバンプの形成材料を発明し、先に出願した（特願平２
−304509号）。
され、そのワイヤ先端を加熱して形成したボールをチッ
プ表面のＡｌ電極上に熱圧着した後そのボールをワイヤ
から切断してＡｌ電極上面にバンプを形成する、ワイヤ
ボンディング装置を用いたバンプ形成に特に有用なはん
だバンプの形成材料を発明し、先に出願した（特願平２
−304509号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、上記ワイ
ヤを用いてチップのＡｌ電極上にバンプを形成し、この
バンプによりチップを基板上に実装せしめてなる半導体
装置で、高温・高湿環境下（温度85℃，湿度85％）にて
100 時間放置する耐久試験を行ったところ、前記バンプ
とＡｌ電極との接合部分で局部電池反応が起こり、その
接合部分の電気的腐食によりＡｌ電極が溶け出す虞れが
あることが判明した。
ヤを用いてチップのＡｌ電極上にバンプを形成し、この
バンプによりチップを基板上に実装せしめてなる半導体
装置で、高温・高湿環境下（温度85℃，湿度85％）にて
100 時間放置する耐久試験を行ったところ、前記バンプ
とＡｌ電極との接合部分で局部電池反応が起こり、その
接合部分の電気的腐食によりＡｌ電極が溶け出す虞れが
あることが判明した。
【０００４】本発明はこのような従来事情に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、チップ表面
のＡｌ電極と、その電極上に形成するバンプとの接合信
頼性、特に高温・高湿状態での信頼性をより確かなもの
として、高温・高湿環境下での耐久性に優れた半導体装
置を製作し得るはんだバンプの形成材料を提供すること
にある。
れたものであり、その目的とするところは、チップ表面
のＡｌ電極と、その電極上に形成するバンプとの接合信
頼性、特に高温・高湿状態での信頼性をより確かなもの
として、高温・高湿環境下での耐久性に優れた半導体装
置を製作し得るはんだバンプの形成材料を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願発明者は上述の局部
電池反応について、Ａｌの電極電位値（−1.66Ｖ）と、
Ｐｂ（＋1.5 Ｖ），Ｓｎ（−0.14Ｖ），Ｉｎ（＋0.21
Ｖ）の夫々の電極電位値との開きが大きいことに着目
し、Ａｌとの電位値差が少なく上記局部電池反応を小さ
くできる、即ち、Ａｌに対するはんだ用に適するものと
して周知なＺｎを添加することで、上述の目的を達成し
得ると想定した。
電池反応について、Ａｌの電極電位値（−1.66Ｖ）と、
Ｐｂ（＋1.5 Ｖ），Ｓｎ（−0.14Ｖ），Ｉｎ（＋0.21
Ｖ）の夫々の電極電位値との開きが大きいことに着目
し、Ａｌとの電位値差が少なく上記局部電池反応を小さ
くできる、即ち、Ａｌに対するはんだ用に適するものと
して周知なＺｎを添加することで、上述の目的を達成し
得ると想定した。
【０００６】しかし乍ら、Ｚｎ単独の添加ではバンプ形
成直後における接合強度は向上し得るものの、高温・高
湿環境下、特に高湿環境下では上記の従来不具合が解消
されないことが判明し、さらに鋭意研究を行った結果、
Ｚｎを所定範囲量添加することで高温環境下において所
望の効果を得られると共に、これと同時にＳｂを所定範
囲量添加することで高湿環境下において所望の効果を得
られることを見出だし、本発明のはんだバンプ形成材料
を提供するに至った。
成直後における接合強度は向上し得るものの、高温・高
湿環境下、特に高湿環境下では上記の従来不具合が解消
されないことが判明し、さらに鋭意研究を行った結果、
Ｚｎを所定範囲量添加することで高温環境下において所
望の効果を得られると共に、これと同時にＳｂを所定範
囲量添加することで高湿環境下において所望の効果を得
られることを見出だし、本発明のはんだバンプ形成材料
を提供するに至った。
【０００７】すなわち、本発明は、ワイヤボンディング
装置を用いてチップ電極上にバンプを形成するための形
成材料であって、Ｓｎを主要元素とし、0.1wt％〜10wt
％のＺｎ及び0.1wt％〜10wt％のＳｂをその合計量が1.1
wt％〜20wt％になるよう添加せしめたことを特徴とする
半導体素子用のはんだバンプ形成材料である。
装置を用いてチップ電極上にバンプを形成するための形
成材料であって、Ｓｎを主要元素とし、0.1wt％〜10wt
％のＺｎ及び0.1wt％〜10wt％のＳｂをその合計量が1.1
wt％〜20wt％になるよう添加せしめたことを特徴とする
半導体素子用のはんだバンプ形成材料である。
【０００８】
【作用】本発明の形成材料を用いて作製した細い合金ワ
イヤ、すなわちワイヤボンディング装置を用いてチップ
電極上にバンプを形成するための合金ワイヤの先端を加
熱すると、酸素との親和力が強いＺｎ、Ｓｂが夫々ボー
ル表面に濃縮して、表面側のＺｎ、Ｓｂ濃度が高く、そ
の内側が主要元素（Ｓｎ）濃度の高い二層構造の疑似Ｚ
ｎボールが形成される。よって、このボールにより形成
されるバンプは、Ａｌとの固溶限が広いＺｎと、Ａｌと
の金属間化合物を形成するＳｂの特性によりＡｌ電極と
の接合強度が向上し、且つＺｎとＳｂに富んだ表面層
は、高温・高湿環境下における局部電池反応を小さくさ
せ、接合強度向上に所望の効果を得る。しかも表面Ｚ
ｎ、Ｓｂ層の内側は主要元素濃度の高いものとするの
で、所定の柔らかさを必要とするバンプ特性を低下させ
る虞れもない。
イヤ、すなわちワイヤボンディング装置を用いてチップ
電極上にバンプを形成するための合金ワイヤの先端を加
熱すると、酸素との親和力が強いＺｎ、Ｓｂが夫々ボー
ル表面に濃縮して、表面側のＺｎ、Ｓｂ濃度が高く、そ
の内側が主要元素（Ｓｎ）濃度の高い二層構造の疑似Ｚ
ｎボールが形成される。よって、このボールにより形成
されるバンプは、Ａｌとの固溶限が広いＺｎと、Ａｌと
の金属間化合物を形成するＳｂの特性によりＡｌ電極と
の接合強度が向上し、且つＺｎとＳｂに富んだ表面層
は、高温・高湿環境下における局部電池反応を小さくさ
せ、接合強度向上に所望の効果を得る。しかも表面Ｚ
ｎ、Ｓｂ層の内側は主要元素濃度の高いものとするの
で、所定の柔らかさを必要とするバンプ特性を低下させ
る虞れもない。
【０００９】しかし、Ｚｎ及びＳｂの各々の添加量が0.
1wt％未満、Ｚｎ及びＳｂの添加合計量が1.1wt％未満で
は上記の特性を得ることができない。また、Ｚｎ及びＳ
ｂの各々の添加量が10wt％を越えると、ワイヤ先端にボ
ールを形成する際、ボール表面に厚い酸化膜が形成され
てボール形状がいびつになり、Ａｌ電極への接合強度が
低下するので好ましくない。従って、Ｚｎ及びＳｂの添
加量を上述の範囲に設定するものである。
1wt％未満、Ｚｎ及びＳｂの添加合計量が1.1wt％未満で
は上記の特性を得ることができない。また、Ｚｎ及びＳ
ｂの各々の添加量が10wt％を越えると、ワイヤ先端にボ
ールを形成する際、ボール表面に厚い酸化膜が形成され
てボール形状がいびつになり、Ａｌ電極への接合強度が
低下するので好ましくない。従って、Ｚｎ及びＳｂの添
加量を上述の範囲に設定するものである。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。表１は主
要元素Ｓｎに対して各種添加元素を表中の記載量配合せ
しめてなるバンプ形成材料で、各試料 No.１〜16は、夫
々の組成（不可避不純物を含む）にしたものを溶解鋳造
し、次いで線引加工で線径60μｍのワイヤ、すなわちワ
イヤボンディング装置を用いてチップ電極上にバンプを
形成するための合金ワイヤに作製した。
要元素Ｓｎに対して各種添加元素を表中の記載量配合せ
しめてなるバンプ形成材料で、各試料 No.１〜16は、夫
々の組成（不可避不純物を含む）にしたものを溶解鋳造
し、次いで線引加工で線径60μｍのワイヤ、すなわちワ
イヤボンディング装置を用いてチップ電極上にバンプを
形成するための合金ワイヤに作製した。
【００１１】尚、試料 No.１，２はＺｎ，Ｓｂの何か一
方を単独で添加した比較例、 No.３はＺｎ及びＳｂを添
加しない比較例、 No.４，５，９〜11，14，15はＺｎ，
Ｓｂの添加量が本発明の規定範囲外である比較例、 No.
６〜８，12，13，16はＺｎ，Ｓｂの添加量が本発明の規
定範囲である実施例である。
方を単独で添加した比較例、 No.３はＺｎ及びＳｂを添
加しない比較例、 No.４，５，９〜11，14，15はＺｎ，
Ｓｂの添加量が本発明の規定範囲外である比較例、 No.
６〜８，12，13，16はＺｎ，Ｓｂの添加量が本発明の規
定範囲である実施例である。
【００１２】そして、各試料についてボンディング直後
の剪断強度、高温・高湿環境下での剪断強度、剪断試験
後のはんだ残留物の割合、ボール形状の真球性、Ｓｎホ
イスカ発生の有無についてテストした。
の剪断強度、高温・高湿環境下での剪断強度、剪断試験
後のはんだ残留物の割合、ボール形状の真球性、Ｓｎホ
イスカ発生の有無についてテストした。
【００１３】ボンディング直後の剪断強度は、ワイヤボ
ンディング装置により各試料の先端にボールを形成し、
そのボールをＡｌ電極上に熱圧着した後ワイヤから切断
してバンプを形成し、その直後にバンプとＡｌ電極間の
接合強度を測定した値である。
ンディング装置により各試料の先端にボールを形成し、
そのボールをＡｌ電極上に熱圧着した後ワイヤから切断
してバンプを形成し、その直後にバンプとＡｌ電極間の
接合強度を測定した値である。
【００１４】高温・高湿環境下での剪断強度は、上記ボ
ンディング法によりＡｌ電極上にバンプを形成し、温度
85℃，湿度85％の状態で100 時間放置した後、バンプと
Ａｌ電極間の接合強度を測定した値である。はんだ残留
物の割合については、高温・高湿環境下での剪断強度の
測定後、Ａｌ電極上のはんだ残留物を目視観察し、はん
だ残留物がＡｌ電極上の接合部の９０％以上の状態であ
る場合を○、１０％以上９０％未満の状態である場合を
△、１０％未満の状態である場合を×として評価した。
ンディング法によりＡｌ電極上にバンプを形成し、温度
85℃，湿度85％の状態で100 時間放置した後、バンプと
Ａｌ電極間の接合強度を測定した値である。はんだ残留
物の割合については、高温・高湿環境下での剪断強度の
測定後、Ａｌ電極上のはんだ残留物を目視観察し、はん
だ残留物がＡｌ電極上の接合部の９０％以上の状態であ
る場合を○、１０％以上９０％未満の状態である場合を
△、１０％未満の状態である場合を×として評価した。
【００１５】ボール形状の真球性は、放電時間を３ｍｓ
一定とし、ボールの直径が線径の2.5 倍となるように放
電電流を調整してボールを形成し、該ボールにゆがみが
あるか否かで測定した。測定の結果、ゆがみがない場合
を良で、ゆがみがあった場合を不可で、夫々表記した。
Ｓｎホイスカ発生の有無は、上記ボンディング法により
Ａｌ電極上にバンプを形成し、温度85℃，湿度85％の高
温・高湿環境下で20Ｖの電流を流してＳｎホイスカ発生
の有無を観察した結果である。
一定とし、ボールの直径が線径の2.5 倍となるように放
電電流を調整してボールを形成し、該ボールにゆがみが
あるか否かで測定した。測定の結果、ゆがみがない場合
を良で、ゆがみがあった場合を不可で、夫々表記した。
Ｓｎホイスカ発生の有無は、上記ボンディング法により
Ａｌ電極上にバンプを形成し、温度85℃，湿度85％の高
温・高湿環境下で20Ｖの電流を流してＳｎホイスカ発生
の有無を観察した結果である。
【００１６】
【表１】
【００１７】上記表１によれば、添加元素ＺｎとＳｂを
添加しない場合（試料 No.３）ではボンディング直後、
高温・高湿環境下の双方の剪断強度が２ｇ程度であり、
これにＳｂを単独で添加（試料 No.１）、若しくはＺｎ
の添加量が0.001 wt％未満（試料 No.４）した場合では
前記夫々の強度値がほとんど改善されないことが確認さ
れる。また、Ｚｎの単独添加（試料 No.２）若しくはＳ
ｂの添加量が0.001 wt％未満（試料 No.10）ではボンデ
ィング直後の剪断強度に改善が見られるものの、高温・
高湿環境下での剪断強度にはほとんど効果が現れないこ
とが確認される。また、Ｚｎ，Ｓｂの一方又は双方の添
加量が0.1wt％未満（試料 No.５，11，15）の場合、ボ
ンディング直後、高温・高湿環境下の双方の剪断強度が
15ｇ前後であり、ある程度の改善が見られるものの、本
願発明の要求に対しては満足し得ないことが確認され
る。
添加しない場合（試料 No.３）ではボンディング直後、
高温・高湿環境下の双方の剪断強度が２ｇ程度であり、
これにＳｂを単独で添加（試料 No.１）、若しくはＺｎ
の添加量が0.001 wt％未満（試料 No.４）した場合では
前記夫々の強度値がほとんど改善されないことが確認さ
れる。また、Ｚｎの単独添加（試料 No.２）若しくはＳ
ｂの添加量が0.001 wt％未満（試料 No.10）ではボンデ
ィング直後の剪断強度に改善が見られるものの、高温・
高湿環境下での剪断強度にはほとんど効果が現れないこ
とが確認される。また、Ｚｎ，Ｓｂの一方又は双方の添
加量が0.1wt％未満（試料 No.５，11，15）の場合、ボ
ンディング直後、高温・高湿環境下の双方の剪断強度が
15ｇ前後であり、ある程度の改善が見られるものの、本
願発明の要求に対しては満足し得ないことが確認され
る。
【００１８】また、添加元素Ｚｎ或いはＳｂの何か一方
の添加量が10wt％を越えると（試料No.９，14）ボール
表面に厚い酸化膜が形成され、適正なボール形成が不可
能なことが確認される。また、上記各比較例（試料 No.
１〜５，９〜11，14，15）は、高温・高湿環境下での剪
断試験後のはんだ残留物の割合が１０％未満であり、は
んだバンプとＡｌ電極の接合部の接合強度が微弱で、該
接合部で剥離が生じていることがわかる。 さらに上記各
比較例中、Ｚｎ及びＳｂの双方を添加しない場合はＳｎ
ホイスカが発生し、Ｚｎ或いはＳｂの何か一方を所定量
添加した場合はホイスカが発生しないことを確認でき
た。これは、Ｚｎ或いはＳｂがボール表面に濃縮するこ
とで、Ｓｎホイスカの発生が抑えられたものと考えられ
る。
の添加量が10wt％を越えると（試料No.９，14）ボール
表面に厚い酸化膜が形成され、適正なボール形成が不可
能なことが確認される。また、上記各比較例（試料 No.
１〜５，９〜11，14，15）は、高温・高湿環境下での剪
断試験後のはんだ残留物の割合が１０％未満であり、は
んだバンプとＡｌ電極の接合部の接合強度が微弱で、該
接合部で剥離が生じていることがわかる。 さらに上記各
比較例中、Ｚｎ及びＳｂの双方を添加しない場合はＳｎ
ホイスカが発生し、Ｚｎ或いはＳｂの何か一方を所定量
添加した場合はホイスカが発生しないことを確認でき
た。これは、Ｚｎ或いはＳｂがボール表面に濃縮するこ
とで、Ｓｎホイスカの発生が抑えられたものと考えられ
る。
【００１９】これに対し本願の実施例になる試料 No.６
〜８、12，13，16は、ボンディング直後、高温・高湿環
境下の双方の剪断強度が20ｇ以上で上記比較例５，11，
15と比べても顕著な改善が見られる。またこれら実施例
は、高温・高湿環境下での剪断試験後のはんだ残留物の
割合が９０％以上であり、はんだ本体で剥離が生じてい
るので、高温・高湿状態に保持した後に剪断剥離した場
合でも、はんだバンプとＡｌ電極の接合部の接合強度が
強固であることが分かる。またこれら実施例は、ボール
の真球性が良好で、Ｓｎホイスカの発生も無いことがわ
かる。従って、表１の測定結果により明らかな如く、本
発明実施品（試料 No.６〜８，12，13，16）によれば、
半導体素子のバンプ形成用として、極めて顕著な特性が
えられることが確認できた。
〜８、12，13，16は、ボンディング直後、高温・高湿環
境下の双方の剪断強度が20ｇ以上で上記比較例５，11，
15と比べても顕著な改善が見られる。またこれら実施例
は、高温・高湿環境下での剪断試験後のはんだ残留物の
割合が９０％以上であり、はんだ本体で剥離が生じてい
るので、高温・高湿状態に保持した後に剪断剥離した場
合でも、はんだバンプとＡｌ電極の接合部の接合強度が
強固であることが分かる。またこれら実施例は、ボール
の真球性が良好で、Ｓｎホイスカの発生も無いことがわ
かる。従って、表１の測定結果により明らかな如く、本
発明実施品（試料 No.６〜８，12，13，16）によれば、
半導体素子のバンプ形成用として、極めて顕著な特性が
えられることが確認できた。
【００２０】また、上記試料 No.２，３，７のワイヤを
用いて上記ボンディング法により形成したボールのオー
ジュ分析を行った。結果を図１のグラフ中に示す。同グ
ラフ中、（イ）は試料 No.３を、（ロ）は試料 No.２
を、（ハ）は試料 No.７を、夫々表す。
用いて上記ボンディング法により形成したボールのオー
ジュ分析を行った。結果を図１のグラフ中に示す。同グ
ラフ中、（イ）は試料 No.３を、（ロ）は試料 No.２
を、（ハ）は試料 No.７を、夫々表す。
【００２１】このグラフによれば、グラフ（イ）ではＺ
ｎ及びＳｂの添加がない場合はボール表面におけるＳｎ
濃度がある程度の数値を示すことが示される。また、グ
ラフ（ロ），（ハ）ではＺｎ単独の添加、若しくはＺｎ
とＳｂの同時添加により、ボール表面においてはＺｎ濃
度，Ｓｂ濃度が高く、Ｓｎ濃度が低いのに対し、ボール
中心に近づくれＳｎ濃度が高く、Ｚｎ濃度，Ｓｂ濃度が
低くなることが示される。
ｎ及びＳｂの添加がない場合はボール表面におけるＳｎ
濃度がある程度の数値を示すことが示される。また、グ
ラフ（ロ），（ハ）ではＺｎ単独の添加、若しくはＺｎ
とＳｂの同時添加により、ボール表面においてはＺｎ濃
度，Ｓｂ濃度が高く、Ｓｎ濃度が低いのに対し、ボール
中心に近づくれＳｎ濃度が高く、Ｚｎ濃度，Ｓｂ濃度が
低くなることが示される。
【００２２】これにより、Ｚｎ単独の添加、若しくはＺ
ｎとＳｂの同時添加により、表面側のＺｎ、Ｓｂ濃度が
高く、その内側が主要元素（この場合Ｓｎ）濃度の高い
二層構造の疑似Ｚｎボールが形成されることが確認でき
た。
ｎとＳｂの同時添加により、表面側のＺｎ、Ｓｂ濃度が
高く、その内側が主要元素（この場合Ｓｎ）濃度の高い
二層構造の疑似Ｚｎボールが形成されることが確認でき
た。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、ワイヤボ
ンディング装置を用いてチップ電極上にバンプを形成す
るための形成材料であって、Ｓｎを主要元素とし、0.1w
t％〜10wt％のＺｎ及び0.1wt％〜10wt％のＳｂをその合
計量が1.1wt％〜20wt％になるよう添加せしめた構成と
したので、ワイヤボンディング装置を用いてチップのＡ
ｌ電極上にバンプを形成する際の特性（ボールの真球
度，硬度等）は従来同様に維持しつつ、バンプとＡｌ電
極との接合部分の特性をさらに改善して、高温・高湿環
境下においてＡｌ電極が溶け出すような従来不具合を解
消することが可能になった。
ンディング装置を用いてチップ電極上にバンプを形成す
るための形成材料であって、Ｓｎを主要元素とし、0.1w
t％〜10wt％のＺｎ及び0.1wt％〜10wt％のＳｂをその合
計量が1.1wt％〜20wt％になるよう添加せしめた構成と
したので、ワイヤボンディング装置を用いてチップのＡ
ｌ電極上にバンプを形成する際の特性（ボールの真球
度，硬度等）は従来同様に維持しつつ、バンプとＡｌ電
極との接合部分の特性をさらに改善して、高温・高湿環
境下においてＡｌ電極が溶け出すような従来不具合を解
消することが可能になった。
【００３０】従って、ワイヤボンディング装置を用いた
バンプ形成に有用で、しかも高温・高湿環境下における
特性に特に優れ、耐久性，信頼性の高い半導体装置の製
作に有用なはんだバンプの形成材料を提供することがで
きた。
バンプ形成に有用で、しかも高温・高湿環境下における
特性に特に優れ、耐久性，信頼性の高い半導体装置の製
作に有用なはんだバンプの形成材料を提供することがで
きた。
【図１】試料 No.２，３，７からなるワイヤを用いて形
成したボールのオージュ分析結果を示すグラフ。
成したボールのオージュ分析結果を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−205551（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−283542（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60
Claims (1)
- 【請求項１】ワイヤボンディング装置を用いてチップ電
極上にバンプを形成するための形成材料であって、Ｓｎ
を主要元素とし、0.1wt％〜10wt％のＺｎ及び0.1wt％〜
10wt％のＳｂをその合計量が1.1wt％〜20wt％になるよ
う添加せしめたことを特徴とする半導体素子用のはんだ
バンプ形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04985692A JP3201637B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体素子用のはんだバンプ形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04985692A JP3201637B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体素子用のはんだバンプ形成材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251451A JPH05251451A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3201637B2 true JP3201637B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=12842702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04985692A Expired - Fee Related JP3201637B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体素子用のはんだバンプ形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201637B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2944449B2 (ja) | 1995-02-24 | 1999-09-06 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケージとその製造方法 |
| EP0763853A1 (en) * | 1995-09-18 | 1997-03-19 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuits |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP04985692A patent/JP3201637B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05251451A (ja) | 1993-09-28 |
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