JP3198165B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスクに用い
られる磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
られる磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体では、ノイズの低減、出力
の向上によるＳＮ比の増加が要求される。一般に、ノイ
ズを低減しようとすれば、出力が低下してしまうため、
高出力低ノイズ媒体を得るために、基板上に磁気特性の
異なる異種の磁性層、すなわちＣｏＰｔＣｒＳｉ層とＣ
ｏＣｒＰｔ層とを順次積層させ前者の層に高出力（低保
磁力）を、後者の層に低ノイズ（高保磁力）を担わせ、
その結果として高ＳＮ比を達成させる方法（ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．ｖｏ１２７，ｐｐ５２８０（１
９９１））があった。
の向上によるＳＮ比の増加が要求される。一般に、ノイ
ズを低減しようとすれば、出力が低下してしまうため、
高出力低ノイズ媒体を得るために、基板上に磁気特性の
異なる異種の磁性層、すなわちＣｏＰｔＣｒＳｉ層とＣ
ｏＣｒＰｔ層とを順次積層させ前者の層に高出力（低保
磁力）を、後者の層に低ノイズ（高保磁力）を担わせ、
その結果として高ＳＮ比を達成させる方法（ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．ｖｏ１２７，ｐｐ５２８０（１
９９１））があった。
【０００３】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスクに用い
られる磁気記録媒体の製造方法に関する。
られる磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００４】従って本発明はビットシフトを小さくする
ことによって高記録密度を実現すると共に、製造工程を
簡略化し、コストを低減させることができる磁気記録媒
体の製造方法を提供することを目的とする。
ことによって高記録密度を実現すると共に、製造工程を
簡略化し、コストを低減させることができる磁気記録媒
体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明の磁
気記録媒体の製造方法によって達成される。
気記録媒体の製造方法によって達成される。
【０００６】上記目的を達成する本発明の磁気記録媒体
の製造方法は、基板と、該基板上に直接又は間接的に成
膜された磁性層と、を少なくとも有する磁気記録媒体の
製造方法であって、前記基板上への前記磁性層の成膜中
に、磁性層の成膜速度を変化させる工程を含み、この工
程によって、成膜された磁性層が同一の物質で２層構造
を有し、基板側の第１の磁性層が、第１の磁性層上の第
２の磁性層より低い保磁力を有するようにしたことを特
徴とする。
の製造方法は、基板と、該基板上に直接又は間接的に成
膜された磁性層と、を少なくとも有する磁気記録媒体の
製造方法であって、前記基板上への前記磁性層の成膜中
に、磁性層の成膜速度を変化させる工程を含み、この工
程によって、成膜された磁性層が同一の物質で２層構造
を有し、基板側の第１の磁性層が、第１の磁性層上の第
２の磁性層より低い保磁力を有するようにしたことを特
徴とする。
【０００７】
【作用】本発明で得られる磁気記録媒体は、磁性層が低
保磁力の第１の磁性層と高保磁力の第２の磁性層からな
る２層構造を有し、２つの層は同一の物質からなる。こ
の２層構造からなる磁性層は、先ず基板上に第１の磁性
層を形成した後、同一ターゲットを用いて、成膜速度を
変化させることによって、第１の磁性層上に第２の磁性
層を形成することにより得られる。
保磁力の第１の磁性層と高保磁力の第２の磁性層からな
る２層構造を有し、２つの層は同一の物質からなる。こ
の２層構造からなる磁性層は、先ず基板上に第１の磁性
層を形成した後、同一ターゲットを用いて、成膜速度を
変化させることによって、第１の磁性層上に第２の磁性
層を形成することにより得られる。
【０００８】従って第１の磁性層形成後、第２の磁性層
の形成前に基板又はターゲットの移動の必要がなく、直
ちに第２の磁性層を形成できるので、第１の磁性膜上に
非磁性の酸化物膜が形成されることがない。従ってＳＮ
比の低下によりビットシフトが大きくなることがなく、
高い記録密度を達成することができる。
の形成前に基板又はターゲットの移動の必要がなく、直
ちに第２の磁性層を形成できるので、第１の磁性膜上に
非磁性の酸化物膜が形成されることがない。従ってＳＮ
比の低下によりビットシフトが大きくなることがなく、
高い記録密度を達成することができる。
【０００９】なお本発明で得られる磁気記録媒体は、基
板側の第１の磁性層が、第１の磁性層上の第２の磁性層
より低い保磁力を有する。すなわち、保磁力に関して
は、第２の磁性層＞第１の磁性層という関係にあり、高
保磁力の第２の磁性層が、メディア表面付近の磁化遷移
幅を小さくし、磁化転移領域にできるジグザグ磁壁によ
るノイズを小さくする作用を有する。また、基板側に低
保磁力（高出力）の第１の磁性層を形成しているため、
高保磁力の第２の磁性層のみでは不十分な出力を補なう
作用を有する。従って高出力低ノイズの磁気記録媒体を
得ることができる。
板側の第１の磁性層が、第１の磁性層上の第２の磁性層
より低い保磁力を有する。すなわち、保磁力に関して
は、第２の磁性層＞第１の磁性層という関係にあり、高
保磁力の第２の磁性層が、メディア表面付近の磁化遷移
幅を小さくし、磁化転移領域にできるジグザグ磁壁によ
るノイズを小さくする作用を有する。また、基板側に低
保磁力（高出力）の第１の磁性層を形成しているため、
高保磁力の第２の磁性層のみでは不十分な出力を補なう
作用を有する。従って高出力低ノイズの磁気記録媒体を
得ることができる。
【００１０】第２の磁性層の保磁力＞第１の磁性層の保
磁力の関係は、２つの磁性層の成膜速度を変化させるこ
とにより達成される。２つの磁性層を変化させる方法と
しては、成膜時の投入電力密度を変化させる方法を用い
るのが好ましい。
磁力の関係は、２つの磁性層の成膜速度を変化させるこ
とにより達成される。２つの磁性層を変化させる方法と
しては、成膜時の投入電力密度を変化させる方法を用い
るのが好ましい。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
る。
【００１２】（実施例１）図１は、本発明の磁気記録媒
体の製造方法に用いるＲＦマグネトロンスパッタ装置の
概略図である。また図２は本発明の方法により作製した
磁気記録媒体の膜構成図である。以下、本発明の一実施
例に係わる磁気記録媒体の製造方法について、これらの
図面を参照して説明する。チャンバー１０内には第１及
び第２のターゲットホルダー１０ａ及び１０ｂが備えら
れており、第１及び第２のターゲットホルダー１０ａ及
び１０ｂにはそれぞれターゲット１及びターゲット２が
配置される。
体の製造方法に用いるＲＦマグネトロンスパッタ装置の
概略図である。また図２は本発明の方法により作製した
磁気記録媒体の膜構成図である。以下、本発明の一実施
例に係わる磁気記録媒体の製造方法について、これらの
図面を参照して説明する。チャンバー１０内には第１及
び第２のターゲットホルダー１０ａ及び１０ｂが備えら
れており、第１及び第２のターゲットホルダー１０ａ及
び１０ｂにはそれぞれターゲット１及びターゲット２が
配置される。
【００１３】ターゲット１は磁性層材料のＣｏ80Ｐｔ20
（ａｔ％）磁性合金であり、ターゲット２は保護膜材料
のカーボン（Ｃ）である。各ターゲット１及び２は、ス
パッタリング中それぞれ冷却口１０ｃ及び１０ｄからの
冷水により冷却される。
（ａｔ％）磁性合金であり、ターゲット２は保護膜材料
のカーボン（Ｃ）である。各ターゲット１及び２は、ス
パッタリング中それぞれ冷却口１０ｃ及び１０ｄからの
冷水により冷却される。
【００１４】ガラス基板３を基板ホルダ４に装着し、基
板ホルダ軸４ａを中心として基板ホルダ４を回動してタ
ーゲット１と対向する位置にセットする。続いて、真空
ポンプ（図示せず）によって排気口７からチャンバー１
０内を排気して、１×１０-6Ｔｏｒｒ程度の圧力にした
後、ガス導入口８からＡｒガス（またはＫｒガス等の不
活性ガスであればよい）を導入して、２×１０-2Ｔｏｒ
ｒの圧力に保持する。
板ホルダ軸４ａを中心として基板ホルダ４を回動してタ
ーゲット１と対向する位置にセットする。続いて、真空
ポンプ（図示せず）によって排気口７からチャンバー１
０内を排気して、１×１０-6Ｔｏｒｒ程度の圧力にした
後、ガス導入口８からＡｒガス（またはＫｒガス等の不
活性ガスであればよい）を導入して、２×１０-2Ｔｏｒ
ｒの圧力に保持する。
【００１５】この雰囲気で、ガラス基板３上に、６．３
Ｗ／ｃｍ2 の投入電力密度により成膜速度を５２０Ａ／
分にしてスパッタリングすることにより低保磁力の第１
のＣｏ80Ｐｔ20磁性層２１（保磁力２０００（Ｏｅ））
を形成する。第１の磁性層２１の厚さが２５０Ａになっ
た時、投入電力密度を１．６Ｗ／ｃｍ2 に切り変え、成
膜速度を１３０Ａ／分にして、高保磁力の第２のＣｏ80
Ｐｔ20磁性層２２（保磁力２６００（Ｏｅ））を形成す
る。第２の磁性層２２の厚さが２５０Ａになった時、シ
ャッタ６をシャッタ軸６ａを中心として回動して、スパ
ッタリングを停止する。
Ｗ／ｃｍ2 の投入電力密度により成膜速度を５２０Ａ／
分にしてスパッタリングすることにより低保磁力の第１
のＣｏ80Ｐｔ20磁性層２１（保磁力２０００（Ｏｅ））
を形成する。第１の磁性層２１の厚さが２５０Ａになっ
た時、投入電力密度を１．６Ｗ／ｃｍ2 に切り変え、成
膜速度を１３０Ａ／分にして、高保磁力の第２のＣｏ80
Ｐｔ20磁性層２２（保磁力２６００（Ｏｅ））を形成す
る。第２の磁性層２２の厚さが２５０Ａになった時、シ
ャッタ６をシャッタ軸６ａを中心として回動して、スパ
ッタリングを停止する。
【００１６】次に、基板ホルダ４を基板ホルダ軸４ａを
中心として回動して、ガラス基板３をターゲット２に対
向するように配置し、さらにシャッタ６をシャッタ軸６
ａを中心として回動してターゲット２と基板３が直接対
面するようにする。そして、スパッタリングによって磁
性層の上にカーボン保護膜２３を形成する。保護膜の厚
さが２００Ａになった時、シャッタ６を回動してスパッ
タリングを停止する。以上のようにしてガラス基板３−
低保磁力の第１のＣｏＰｔ層２１（２５０Ａ）−高保磁
力の第２のＣｏＰｔ層２２（２５０Ａ）−カーボン保護
膜２３からなる構成の本発明の磁気記録媒体（以下第１
試料という）を得た。
中心として回動して、ガラス基板３をターゲット２に対
向するように配置し、さらにシャッタ６をシャッタ軸６
ａを中心として回動してターゲット２と基板３が直接対
面するようにする。そして、スパッタリングによって磁
性層の上にカーボン保護膜２３を形成する。保護膜の厚
さが２００Ａになった時、シャッタ６を回動してスパッ
タリングを停止する。以上のようにしてガラス基板３−
低保磁力の第１のＣｏＰｔ層２１（２５０Ａ）−高保磁
力の第２のＣｏＰｔ層２２（２５０Ａ）−カーボン保護
膜２３からなる構成の本発明の磁気記録媒体（以下第１
試料という）を得た。
【００１７】次に、図１に示すスパッタリング装置によ
って、ガラス基板３上に先ず１．６Ｗ／ｃｍ2 の投入電
力密度で高保磁力のＣｏＰｔ磁性層（上記の第１試料の
第２の磁性層に対応）を２５０Ａ形成し、次いで６．３
Ｗ／ｃｍ2 の投入電力密度で低保磁力のＣｏＰｔ磁性層
（上記第１試料の第１の磁性層に対応）を形成し、更に
保護膜を２００Ａ形成して、ガラス基板−高保磁力Ｃｏ
Ｐｔ層（２５０Ａ）−低保磁力ＣｏＰｔ層（２５０Ａ）
−カーボン保護膜からなる比較の磁気記録媒体（以下第
２試料という）を得た。
って、ガラス基板３上に先ず１．６Ｗ／ｃｍ2 の投入電
力密度で高保磁力のＣｏＰｔ磁性層（上記の第１試料の
第２の磁性層に対応）を２５０Ａ形成し、次いで６．３
Ｗ／ｃｍ2 の投入電力密度で低保磁力のＣｏＰｔ磁性層
（上記第１試料の第１の磁性層に対応）を形成し、更に
保護膜を２００Ａ形成して、ガラス基板−高保磁力Ｃｏ
Ｐｔ層（２５０Ａ）−低保磁力ＣｏＰｔ層（２５０Ａ）
−カーボン保護膜からなる比較の磁気記録媒体（以下第
２試料という）を得た。
【００１８】次に、図１に示すスパッタリング装置によ
って、ガラス基板上に、６．３Ｗ／ｃｍ2 で低保磁力の
ＣｏＰｔ磁性層（第１試料の第１の磁性層に対応）を５
００Ａ形成し、更に保護膜を２００Ａ形成して、ガラス
基板−低保磁力ＣｏＰｔ層（５００Ａ）−カーボン保護
膜からなる比較の磁気記録媒体（以下第３の試料とい
う）を得た。
って、ガラス基板上に、６．３Ｗ／ｃｍ2 で低保磁力の
ＣｏＰｔ磁性層（第１試料の第１の磁性層に対応）を５
００Ａ形成し、更に保護膜を２００Ａ形成して、ガラス
基板−低保磁力ＣｏＰｔ層（５００Ａ）−カーボン保護
膜からなる比較の磁気記録媒体（以下第３の試料とい
う）を得た。
【００１９】更に、図１に示すスパッタリング装置によ
って、ガラス基板上に、１．６Ｗ／ｃｍ2 で高保磁力の
ＣｏＰｔ磁性層（第１試料の第２の磁性層に対応）を５
００Ａ形成し、更に保護膜を２００Ａ形成して、ガラス
基板−高保磁力ＣｏＰｔ層（５００Ａ）−カーボン保護
膜からなる比較の磁気記録媒体（以下第４試料という）
を得た。
って、ガラス基板上に、１．６Ｗ／ｃｍ2 で高保磁力の
ＣｏＰｔ磁性層（第１試料の第２の磁性層に対応）を５
００Ａ形成し、更に保護膜を２００Ａ形成して、ガラス
基板−高保磁力ＣｏＰｔ層（５００Ａ）−カーボン保護
膜からなる比較の磁気記録媒体（以下第４試料という）
を得た。
【００２０】以上のように製造した第１，第２，第３，
第４試料の保磁力（Ｈｃ）及び残留磁化膜厚積（Ｍｒ・
δ）を振動試料型磁力計（ＶＳＭ）で測定し、出力
（Ｓ）、メディアノイズ（Ｎｍ）、ＳＮｍ比、ビットシ
フトを、フライングハイト０．０８５μｍ、ギャップ長
０．３μｍ、トラック幅９μｍの薄膜ヘッドを用いて６
３ｋｆｃｉの記録密度で測定した。なお、ビットシフト
は１０-9のエラーレート（誤り率）で測定した。その結
果を表１に示した。
第４試料の保磁力（Ｈｃ）及び残留磁化膜厚積（Ｍｒ・
δ）を振動試料型磁力計（ＶＳＭ）で測定し、出力
（Ｓ）、メディアノイズ（Ｎｍ）、ＳＮｍ比、ビットシ
フトを、フライングハイト０．０８５μｍ、ギャップ長
０．３μｍ、トラック幅９μｍの薄膜ヘッドを用いて６
３ｋｆｃｉの記録密度で測定した。なお、ビットシフト
は１０-9のエラーレート（誤り率）で測定した。その結
果を表１に示した。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から、保磁力の小さな第１の磁性層を
基板側に形成し、保磁力の大きな第２の磁性層を保護膜
側に形成した本発明の磁気記録媒体（第１試料）はビッ
トシフトが小さくなり、高密度記録に対応できるディス
クであることが判明した。これに対して比較の第２〜第
４試料はビットシフトが大きいことが分かった。
基板側に形成し、保磁力の大きな第２の磁性層を保護膜
側に形成した本発明の磁気記録媒体（第１試料）はビッ
トシフトが小さくなり、高密度記録に対応できるディス
クであることが判明した。これに対して比較の第２〜第
４試料はビットシフトが大きいことが分かった。
【００２３】さらに、図１に示すスパッタリング装置に
よって、ガラス基板上に６．３Ｗ／ｃｍ2 の投入電力密
度で低保磁力の第１のＣｏＰｔ磁性層を２５０Ａ形成し
た後、スパッタリングを停止し６０秒後、１．６Ｗ／ｃ
ｍ2 で高保磁力の第２の磁性層を形成し、更に保護膜を
２００Ａ形成して、ガラス基板−第１のＣｏＰｔ層（２
５０Ａ）−第２のＣｏＰｔ層（２５０Ａ）−カーボン保
護膜からなる比較の磁気記録媒体（以下第５試料とい
う）を得た。
よって、ガラス基板上に６．３Ｗ／ｃｍ2 の投入電力密
度で低保磁力の第１のＣｏＰｔ磁性層を２５０Ａ形成し
た後、スパッタリングを停止し６０秒後、１．６Ｗ／ｃ
ｍ2 で高保磁力の第２の磁性層を形成し、更に保護膜を
２００Ａ形成して、ガラス基板−第１のＣｏＰｔ層（２
５０Ａ）−第２のＣｏＰｔ層（２５０Ａ）−カーボン保
護膜からなる比較の磁気記録媒体（以下第５試料とい
う）を得た。
【００２４】その結果、第５試料は、保磁力、ノイズに
おいて第１試料と殆ど変わらないが、出力が２７０μ
Ｖ、ＳＮｍ比が３５ｄＢであり、ビットシフトは２０ｎ
ｓとなり、磁気特性の劣化が確認された。このことか
ら、第１の磁性層と第２の磁性層とを連続して成膜する
ことが好ましいことが明らかとなった。
おいて第１試料と殆ど変わらないが、出力が２７０μ
Ｖ、ＳＮｍ比が３５ｄＢであり、ビットシフトは２０ｎ
ｓとなり、磁気特性の劣化が確認された。このことか
ら、第１の磁性層と第２の磁性層とを連続して成膜する
ことが好ましいことが明らかとなった。
【００２５】更に、第１試料及び第５試料の深さ方向の
各成分の濃度分布をＸ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）によ
り測定した結果をそれぞれ図３及び図４に示す。図３及
び図４に於て、縦軸はＣ（炭素）、Ｃｏ，Ｐｔ，Ｏ（酸
素）を１００原子％としたときの各成分の比率であり、
横軸はミリング時間である。尚、横軸の０分から１５分
の領域がカーボンの保護膜であり、１５分から４５分が
磁性層であり、４５分以上がガラス基板である。
各成分の濃度分布をＸ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）によ
り測定した結果をそれぞれ図３及び図４に示す。図３及
び図４に於て、縦軸はＣ（炭素）、Ｃｏ，Ｐｔ，Ｏ（酸
素）を１００原子％としたときの各成分の比率であり、
横軸はミリング時間である。尚、横軸の０分から１５分
の領域がカーボンの保護膜であり、１５分から４５分が
磁性層であり、４５分以上がガラス基板である。
【００２６】図４を見ると第５試料では第１の磁性層と
第２の磁性層の界面近傍（ミリング時間約３０分）に酸
素が存在しており、第２の磁性層を形成するまでの間に
第１の磁性層の表面が酸化していることが分かる。これ
に対し、図３から明らかなように、第１試料では第１の
磁性層と第２の磁性層の界面には酸素が見られず、第１
の磁性層表面は酸化されていないことが判明した。この
ことから、第１の磁性層と第２の磁性層の界面での酸化
物などの異種物質の混入が磁気特性の劣化を招いている
ことが分かった。
第２の磁性層の界面近傍（ミリング時間約３０分）に酸
素が存在しており、第２の磁性層を形成するまでの間に
第１の磁性層の表面が酸化していることが分かる。これ
に対し、図３から明らかなように、第１試料では第１の
磁性層と第２の磁性層の界面には酸素が見られず、第１
の磁性層表面は酸化されていないことが判明した。この
ことから、第１の磁性層と第２の磁性層の界面での酸化
物などの異種物質の混入が磁気特性の劣化を招いている
ことが分かった。
【００２７】（実施例２）ターゲットにＣｏ78Ｃｒ12Ｐ
ｔ10（ａｔ％）を用いた以外は、実施例１と同じ構成の
磁気記録媒体を作製した。すなわち６．３Ｗ／ｃｍ2 の
投入電力密度で２５０Ａの第１のＣｏ78Ｃｒ12Ｐｔ10層
をガラス基板上に作製した後、投入電力密度を１．６Ｗ
／ｃｍ2 に変え２５０Ａの第２のＣｏ78Ｃｒ12Ｐｔ10層
を作製した。その後の工程は実施例１と同じである。磁
気測定の結果を表１に示す。表１から判るようにビット
シフトは１８．０ｎｓと良好な値を示した。
ｔ10（ａｔ％）を用いた以外は、実施例１と同じ構成の
磁気記録媒体を作製した。すなわち６．３Ｗ／ｃｍ2 の
投入電力密度で２５０Ａの第１のＣｏ78Ｃｒ12Ｐｔ10層
をガラス基板上に作製した後、投入電力密度を１．６Ｗ
／ｃｍ2 に変え２５０Ａの第２のＣｏ78Ｃｒ12Ｐｔ10層
を作製した。その後の工程は実施例１と同じである。磁
気測定の結果を表１に示す。表１から判るようにビット
シフトは１８．０ｎｓと良好な値を示した。
【００２８】（実施例３）ターゲットにＣｏ80Ｎｉ10Ｐ
ｔ10（ａｔ％）を用いた以外は、実施例１と同じ構成の
磁気記録媒体を作製した。すなわち６．３Ｗ／ｃｍ2 の
投入電力密度で２５０Ａの第１のＣｏ80Ｎｉ10Ｐｔ10層
をガラス基板上に作製した後、投入電力密度を１．６Ｗ
／ｃｍ2 に変え２５０Ａの第２のＣｏ80Ｎｉ10Ｐｔ10層
を作製した。その後の工程は実施例１と同じである。磁
気測定の結果を表１に示す。表１から分かるようにビッ
トシフトが１８．４ｎｓと良好な値を示した。
ｔ10（ａｔ％）を用いた以外は、実施例１と同じ構成の
磁気記録媒体を作製した。すなわち６．３Ｗ／ｃｍ2 の
投入電力密度で２５０Ａの第１のＣｏ80Ｎｉ10Ｐｔ10層
をガラス基板上に作製した後、投入電力密度を１．６Ｗ
／ｃｍ2 に変え２５０Ａの第２のＣｏ80Ｎｉ10Ｐｔ10層
を作製した。その後の工程は実施例１と同じである。磁
気測定の結果を表１に示す。表１から分かるようにビッ
トシフトが１８．４ｎｓと良好な値を示した。
【００２９】上述の実施例１（第１試料）および実施例
２〜３では、磁性材料として、Ｃｏ80Ｐｔ20合金、Ｃｏ
78Ｃｒ12Ｐｔ10合金、Ｃｏ80Ｎｉ10Ｐｔ10合金を用いた
が、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＮｉＰｔ合
金を構成する複数の金属種の比率は適宜変動させること
ができる。またＣｏとＰｔを含む合金であれば、上記３
種の合金以外の合金を用いることもできる。
２〜３では、磁性材料として、Ｃｏ80Ｐｔ20合金、Ｃｏ
78Ｃｒ12Ｐｔ10合金、Ｃｏ80Ｎｉ10Ｐｔ10合金を用いた
が、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＮｉＰｔ合
金を構成する複数の金属種の比率は適宜変動させること
ができる。またＣｏとＰｔを含む合金であれば、上記３
種の合金以外の合金を用いることもできる。
【００３０】また上述の実施例１（第１試料）および実
施例２〜３では第１の磁性層と第２の磁性層を共に２５
０Ａとしたが、各層の膜厚は、１５０Ａから４００Ａの
間であればよい。１５０Ａより薄いと出力が小さくなり
実用的な出力を十分にとれなくなり、４００Ａより厚く
なると保磁力が極度に小さくなりＳＮ比が悪くなる結果
ビットシフトが大きくなる。また、第１の磁性層と第２
の磁性層の膜厚比は１：１としたが、保磁力の小さな磁
性層の膜厚の比率を小さくしても同様の結果が得られ
る。しかし１：１の比率の時最も好ましい結果が得られ
る。なお、第１の磁性層の保磁力は１０００（Ｏｅ）以
上が好ましく、特に好ましくは１２００（Ｏｅ）以上で
あり、第２の磁性層の保磁力は１５００（Ｏｅ）以上が
好ましく、特に好ましくは１８００（Ｏｅ）以上であ
る。
施例２〜３では第１の磁性層と第２の磁性層を共に２５
０Ａとしたが、各層の膜厚は、１５０Ａから４００Ａの
間であればよい。１５０Ａより薄いと出力が小さくなり
実用的な出力を十分にとれなくなり、４００Ａより厚く
なると保磁力が極度に小さくなりＳＮ比が悪くなる結果
ビットシフトが大きくなる。また、第１の磁性層と第２
の磁性層の膜厚比は１：１としたが、保磁力の小さな磁
性層の膜厚の比率を小さくしても同様の結果が得られ
る。しかし１：１の比率の時最も好ましい結果が得られ
る。なお、第１の磁性層の保磁力は１０００（Ｏｅ）以
上が好ましく、特に好ましくは１２００（Ｏｅ）以上で
あり、第２の磁性層の保磁力は１５００（Ｏｅ）以上が
好ましく、特に好ましくは１８００（Ｏｅ）以上であ
る。
【００３１】また、第１の磁性層の保磁力と第２の磁性
層の保磁力との差は３００（Ｏｅ）以上が好ましく、特
に好ましくは６００（Ｏｅ）以上である。この条件を満
たすためには、投入電力密度を例えば２倍以上、望まし
くは４倍以上とすればよい。本発明に使用する基板は、
線記録密度をより高くするために、アルミニウムに比べ
てより平滑度の高いガラスであることが望ましい。更
に、本発明に使用する基板に含まれる水素、水あるいは
活性酸素等を除去するために、プラズマ処理あるいは成
膜前に基板を熱処理しても良い。
層の保磁力との差は３００（Ｏｅ）以上が好ましく、特
に好ましくは６００（Ｏｅ）以上である。この条件を満
たすためには、投入電力密度を例えば２倍以上、望まし
くは４倍以上とすればよい。本発明に使用する基板は、
線記録密度をより高くするために、アルミニウムに比べ
てより平滑度の高いガラスであることが望ましい。更
に、本発明に使用する基板に含まれる水素、水あるいは
活性酸素等を除去するために、プラズマ処理あるいは成
膜前に基板を熱処理しても良い。
【００３２】また、上述の実施例ではガラス基板上に下
地層を用いていないが、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒ等の下
地を形成した後、磁性層を形成しても同様の効果が得ら
れる。また、第１の磁性層と第２の磁性層の保磁力を変
化させるための成膜条件の変化は、上述の実施例では投
入電力密度を変えることによって行ったが、スパッタガ
ス圧を変化させても良い。スパッタガス圧が大きい程成
膜速度が小さくなり、かつ上述の実施例１〜３で用いた
ＣｏＰｔを含む層では成膜速度が小さい程形成される保
磁力が大きくなるため、例えば磁性層の成膜を初めはス
パッタガス圧１×１０-2ｍＴｏｒｒで行ない、第１の磁
性層を形成し、次いで２×１０-2ｍＴｏｒｒ（投入電力
密度は６．３Ｗ／ｃｍ2 のまま）として第２の磁性層を
形成することにより、保磁力の異なる２層構造を形成す
ることもできる。
地層を用いていないが、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒ等の下
地を形成した後、磁性層を形成しても同様の効果が得ら
れる。また、第１の磁性層と第２の磁性層の保磁力を変
化させるための成膜条件の変化は、上述の実施例では投
入電力密度を変えることによって行ったが、スパッタガ
ス圧を変化させても良い。スパッタガス圧が大きい程成
膜速度が小さくなり、かつ上述の実施例１〜３で用いた
ＣｏＰｔを含む層では成膜速度が小さい程形成される保
磁力が大きくなるため、例えば磁性層の成膜を初めはス
パッタガス圧１×１０-2ｍＴｏｒｒで行ない、第１の磁
性層を形成し、次いで２×１０-2ｍＴｏｒｒ（投入電力
密度は６．３Ｗ／ｃｍ2 のまま）として第２の磁性層を
形成することにより、保磁力の異なる２層構造を形成す
ることもできる。
【００３３】さらに上述の実施例では膜形成法としてＲ
Ｆマグネトロンスパッタリング法を用いたが、ＤＣマグ
ネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリン
グ法、電子ビームスパッタリング法等のスパッタリング
法、あるいは真空蒸着法、電子ビーム蒸着法等の蒸着法
等を用いてもよい。これらの方法の場合にも、例えば投
入電力密度を変化させることにより、磁性層の成膜速度
を変化させることができる。上記の方法ではいずれも投
入電力密度を小さくすると成膜速度が小さくなる。
Ｆマグネトロンスパッタリング法を用いたが、ＤＣマグ
ネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリン
グ法、電子ビームスパッタリング法等のスパッタリング
法、あるいは真空蒸着法、電子ビーム蒸着法等の蒸着法
等を用いてもよい。これらの方法の場合にも、例えば投
入電力密度を変化させることにより、磁性層の成膜速度
を変化させることができる。上記の方法ではいずれも投
入電力密度を小さくすると成膜速度が小さくなる。
【００３４】したがって、前記実施例１〜３で用いたＣ
ｏＰｔを含む層では成膜速度が小さい程形成される保磁
力が大きくなるため、例えば電子ビーム蒸着法では途中
投入電力密度を小さくすることにより電子ビームを弱く
して、磁性層の保磁力を大きくでき、例えば真空蒸着法
では途中投入電力密度を小さくすることにより蒸着源の
温度を小さくして磁性層の保磁力を大きくすることがで
きる。
ｏＰｔを含む層では成膜速度が小さい程形成される保磁
力が大きくなるため、例えば電子ビーム蒸着法では途中
投入電力密度を小さくすることにより電子ビームを弱く
して、磁性層の保磁力を大きくでき、例えば真空蒸着法
では途中投入電力密度を小さくすることにより蒸着源の
温度を小さくして磁性層の保磁力を大きくすることがで
きる。
【００３５】なお、上述のようにして得られた磁気記録
媒体の保護膜上には一般に、潤滑剤（例えばパーフルオ
ロポリエーテル、脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エステ
ル、フルオロカーボン等の単品もしくはそれらの混合
物）が塗布される。この潤滑剤の塗布方法としては、デ
ィップコート、スピンコート等の公知の手段を用いるこ
とができる。そして潤滑剤の厚さは５ｍｇ／ｍ2 から１
００ｍｇ／ｍ2 が好ましい。また、本実施例では保護膜
としてカーボンを使用しているが、ＳｉＯ 2 、ＺｒＯ 2
等を使用しても良い。 さらに、本実施例では基板とし
て、基板表面の平面度、表面粗さに優れているガラス基
板を用いたが、Ａｌ合金基板、カナサイト等のセラミッ
ク基板、カーボン基板等を用いても本発明の効果を達成
することができる。
媒体の保護膜上には一般に、潤滑剤（例えばパーフルオ
ロポリエーテル、脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エステ
ル、フルオロカーボン等の単品もしくはそれらの混合
物）が塗布される。この潤滑剤の塗布方法としては、デ
ィップコート、スピンコート等の公知の手段を用いるこ
とができる。そして潤滑剤の厚さは５ｍｇ／ｍ2 から１
００ｍｇ／ｍ2 が好ましい。また、本実施例では保護膜
としてカーボンを使用しているが、ＳｉＯ 2 、ＺｒＯ 2
等を使用しても良い。 さらに、本実施例では基板とし
て、基板表面の平面度、表面粗さに優れているガラス基
板を用いたが、Ａｌ合金基板、カナサイト等のセラミッ
ク基板、カーボン基板等を用いても本発明の効果を達成
することができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明で得られる磁気記録媒体によれば
ビットシフトを小さくできるために、高密度記録を実現
することができる。また、磁性層のためのターゲット材
料として同一の物質を使用し、成膜条件を変えることに
よってのみ第１の磁性層と第２の磁性層を形成している
ので、両層の界面に酸化物などの異種物質を形成するこ
とがないために、磁気特性の劣化を招くことがなく、良
好な磁気特性を実現できる。更に、磁性層のためのター
ゲットが１つで良いため、基板の移動などの工程の簡略
化が達成でき、また、コストを低減することができる。
ビットシフトを小さくできるために、高密度記録を実現
することができる。また、磁性層のためのターゲット材
料として同一の物質を使用し、成膜条件を変えることに
よってのみ第１の磁性層と第２の磁性層を形成している
ので、両層の界面に酸化物などの異種物質を形成するこ
とがないために、磁気特性の劣化を招くことがなく、良
好な磁気特性を実現できる。更に、磁性層のためのター
ゲットが１つで良いため、基板の移動などの工程の簡略
化が達成でき、また、コストを低減することができる。
【図１】本発明の一実施例において使用するＲＦマグネ
トロンスパッタ装置の概略図。
トロンスパッタ装置の概略図。
【図２】本発明の磁気記録媒体の断面図。
【図３】本発明の実施品である第１試料における磁気薄
膜の深さ方向の各成分の濃度分布図。
膜の深さ方向の各成分の濃度分布図。
【図４】比較品である第５試料における磁気薄膜の深さ
方向の各成分の濃度分布図。
方向の各成分の濃度分布図。
１，２ ターゲット ３ 基板 ４ 基板ホルダー ６ シャッタ ７ 排気口 ８ スパッタガス導入口 １０ チャンバー ２１ 第１のＣｏＰｔ磁性層 ２２ 第２のＣｏＰｔ磁性層 ２３ 保護膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−95720（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−102223（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/62 - 5/858
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に直接又は間接的に成
膜された磁性層と、を少なくとも有する磁気記録媒体の
製造方法であって、前記基板上への前記磁性層の成膜中
に、磁性層の成膜速度を変化させる工程を含み、この工
程により、成膜された磁性層が同一の物質で２層構造を
有し、基板側の第１の磁性層が、第１の磁性層上の第２
の磁性層より低い保磁力を有するようにしたことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 磁性層を成膜する方法がスパッタリング
法である、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 磁性層の成膜速度を変化させる方法が投
入電力密度を変化させることによる、請求項１に記載の
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24798592A JP3198165B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24798592A JP3198165B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103551A JPH06103551A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3198165B2 true JP3198165B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=17171484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24798592A Expired - Lifetime JP3198165B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3198165B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24798592A patent/JP3198165B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103551A (ja) | 1994-04-15 |
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