JP3197060B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents

スイッチング電源装置

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JP3197060B2 JP13965292A JP13965292A JP3197060B2 JP 3197060 B2 JP3197060 B2 JP 3197060B2 JP 13965292 A JP13965292 A JP 13965292A JP 13965292 A JP13965292 A JP 13965292A JP 3197060 B2 JP3197060 B2 JP 3197060B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング素子を用
いたスイッチング電源装置に関する。
【0002】
【従来の技術】昨今、電子機器は著しく小型化され、こ
れら電子機器には、小型・高効率のスイッチング電源装
置が広く用いられている。また電子機器の小型化はスイ
ッチング電源装置の小型化を更に要求し、そのニーズに
応えて高周波化による小型化が計られてきた。すなわ
ち、スイッチング周波数を高周波にすることで、トラン
ス、コンデンサ等の部品が小さくできることに着目さ
れ、それによってスイッチング電源装置の小型化が計ら
れてきた。
【0003】しかし、高周波化は、スイッチングロスの
増加(スイッチング素子の発熱増加)、スイッチングノ
イズの増加(ノイズ吸収回路素子の発熱損失の増加)等
の解決しなければならない問題を伴い、これらは装置を
小型化した場合熱集中という大きな問題を招くので、結
局装置の小型化に限界を生じることになっている。
【0004】このような問題を解決する手段として、共
振コンバータや部分共振コンバータの研究開発が進めら
れている。共振コンバータは大容量の電源では実用化さ
れているものの、部品点数が増えること、スイッチング
素子、トランス等に大きなストレスがかかることなどの
問題があり、一般的にはまだ実用化されていない。部分
共振コンバータは、共振コンバータのもつ低スイッチン
グロス、低ノイズの特徴を既存の方式の電源にてスイッ
チング部分に活かし周波数を上げていく方式で、現在最
も注目されている方式である。しかしこの共振コンバー
タ及び部分共振コンバータの考え方から各メーカーより
各種回路が提案されているが、ポイントとなる制御回路
の実設計に適応できるコストを考慮した提案は少ない。
【0005】この部分共振コンバータ方式についての、
従来の代表的な回路では、例えば図13、図14に示す
ように、トランスTに発生するスイッチング素子SW1
へのサージ電圧印加を抑える回路として、コンデンサC
および抵抗R(図13)又は、C、RおよびD(ダイオ
ード)(図14)を用いた、いわゆるスナバ回路が使用
されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図13
に示すC・Rスナバ回路においては、抵抗Rの発熱損失
が大きいという問題があり、発熱損失を抑えるため抵抗
Rの抵抗値を小さくすると起動不良になりやすいため、
結局抵抗値をそれ程小さくすることはできず、容量の小
さいスイッチング電源装置にしか適用できない。
【0007】また、図14に示すC・R・Dスナバ回路
においては、抵抗Rの発熱損失が大きいという問題の
他、次のような問題がある。すなわち、スイッチング素
子SW1のオンオフにより、トランスTには図示を省略
した電源から断続的に繰り返し電圧が印加されることに
なるが、スイッチング素子SW1がオフとなって電圧V
が印加されたとき図15に示すようにサージングを生じ
ようとする。この電圧立ち上がり時のリンギング成分は
ノイズとなる。この電圧立ち上がり時のリンギング成分
をC・R・Dスナバ回路で小さく抑えようとするもので
あるが、電圧上昇方向については効果はあるものの、下
降上昇方向については効果はなく、図16に示すような
波形にしかならない。つまり、サージ(リンギング)電
圧の片方向の吸収である為、ノイズ吸収効果が少ない。
【0008】また、従来のC・Rスナバ回路やC・R・
Dスナバ回路を用いたスイッチング電源装置には、次の
ような問題もある。たとえば、図17に、C・R・Dス
ナバ回路を用いたスイッチング電源装置のより詳しい回
路構成を示すが、このような回路では、回路や素子に電
圧が残っているうちにスイッチング素子SW1がオンし
て、スイッチング素子SW1で電力消費されることとな
る。そのため、図18に図17に示した回路の実動作ス
イッチング波形を示すように(VDSはスイッチング素子
SW1の印加電圧、ID はスイッチング素子SW1を流
れる電流)、スイッチング素子SW1がオンしたとき、
回路や素子に残っていた電荷により急激に電流が流れ、
スイッチング損失となる(図18におけるSL1部
分)。また、前述の如く、ノイズの発生、およびノイズ
を吸収するためのスナバ回路での発熱損失もある(図1
8におけるSL2部分)。これをより分かりやすく模式
的に示すと図19のようになる。このようなスイッチン
グ損失SL1やSL2は、周波数が高くなりスイッチン
グの繰り返しが増えるほど増大する。
【0009】本発明は、上記のような従来技術における
問題点に着目し、部分共振方式にて、発熱損失、発生ノ
イズを小さく抑え、全体としてスイッチング損失を小さ
く抑えることができ、しかも回路が簡単で、低コストを
実現でき、実設計に使用できるスイッチング電源装置の
回路構成を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的に沿う本発明の
スイッチング電源装置は、トランスの一次側に、電圧の
サージング吸収用コンデンサと、該トランスの一次側に
電圧を断続的に印加するためにオンオフを繰り返す第1
のスイッチング素子とを有するスイッチング電源装置に
おいて、前記サージング吸収用コンデンサと第1のスイ
ッチング素子の間に、前記トランスの一次側に接続され
て制御電圧がトランスの一次側から印加され、該トラン
スの一次側において第1のスイッチング素子がオフとな
る瞬間に生じるフライバック電圧発生時にのみオンとな
り、該オン作動により両方向に導通状態となる第2のス
イッチング素子を、前記サージング吸収用コンデンサに
対し直列に接続し、該第2のスイッチング素子が電界効
果トランジスタからなり、かつ、前記第1のスイッチン
グ素子が、印加電圧が0Vに低下された後オンされるも
のであることを特徴とするものからなる。
【0011】このスイッチング電源装置の回路は、第2
のスイッチング素子に電界効果トランジスタ(以下、F
ETという。)を使用し、第2のスイッチング素子のオ
ン−オフ制御をスイッチングトランスからの直接制御
で、フライバック電圧発生時にオンとなるように極性お
よびゲート電圧を設定し、第2のスイッチング素子のソ
ースゲート間に直接印加することで簡単に構成できる。
つまり、従来のリンギングチョーク方式のスイッチング
電源装置でスナバ回路を単純にサージング吸収用コンデ
ンサをFETでオン−オフ制御する回路に置き換えた回
路で簡単に構成できる。
【0012】
【作用】このようなスイッチング電源装置においては、
フライバック電圧発生時に第2のスイッチング素子がオ
ンとされる。第2のスイッチング素子はサージング吸収
用コンデンサに対し直列に接続されているので、フライ
バック電圧発生時には第2のスイッチング素子オンによ
り電流方向が両方向導通状態になり、サージング吸収用
コンデンサの充放電が可能になる。ノイズの原因となる
リンギング成分を含むサージ電圧の発生は、第1のスイ
ッチング素子がオフとなった瞬間のフライバック電圧に
よるので、フライバック電圧発生時に電流方向が両方向
導通となるように第2のスイッチング素子を制御してサ
ージング吸収用コンデンサの充放電を可能にすることに
より、サージ電圧のリンギング成分が、コンデンサの充
放電により、リンギング電圧上昇方向及び下降方向の両
方向について減衰できるようになる。その結果、ノイズ
が小さく抑えられ、発熱損失も小さく抑えられる。
【0013】また、上記第2のスイッチング素子オンに
より蓄えられていたエネルギが放出されるとフライバッ
ク電圧は低下し、やがて第2のスイッチング素子はオフ
となる。この時、第2のスイッチング素子の寄生容量に
より、サージング吸収用コンデンサに充電された電荷が
トランス側に戻ろうとするので、該コンデンサを充電し
た時とは逆の電圧極性となり、それに伴って第1のスイ
ッチング素子側からも電荷が引き抜かれる。つまり、第
1のスイッチング素子への印加電圧を押し下げる動作を
する。そして、第1のスイッチング素子への印加電圧が
完全に零まで低下され、第1のスイッチング素子は、0
Vの印加電圧状態でオン可能となる。そして、第1のス
イッチング素子がこのように印加電圧が0Vに低下され
た後にオンされることにより、回路や素子に残っていた
電荷により急激に電流が流れる事態は回避され、スイッ
チング損失が低減される。
【0014】
【実施例】以下に、本発明の望ましい実施例を図面を参
照して説明する。図1は、本発明の一実施例に係るスイ
ッチング電源装置の回路を示しており、図2は、その要
部を示している。図1において、トランス1の一次側に
は、電圧のサージング吸収用コンデンサ2(C)と、該
トランスの一次側に電圧を断続的に印加するためにオン
オフを繰り返す第1のスイッチング素子3(SW1)と
が設けられている。スイッチング素子3(SW1)は、
トランス1のフォワード電圧を利用して制御回路4によ
りオンオフ制御される。5は、トランス1の二次側を示
しており、一次側の電圧印加のオンオフ制御により誘起
される、ある周波数の電圧が負荷に印加される。
【0015】サージング吸収用コンデンサ2(C)と第
1のスイッチング素子3(SW1)との間には、トラン
ス1の一次側に接続され、該トランス1の一次側におけ
るフライバック電圧発生時にのみオンとなる第2のスイ
ッチング素子6(SW2)が、サージング吸収用コンデ
ンサ2(C)に対し直列に接続されている。この第2の
スイッチング素子6(SW2)は、ダイオードを内蔵し
た、FETから構成されている。図1のトランス1一次
側の要部は、図2に示す通りである。
【0016】図1のスイッチング電源装置回路の実動作
を観測した結果、図3に示すようなスイッチング波形と
なった。VDSは、第1のスイッチング素子3(SW1)
の印加電圧、ID は、第1のスイッチング素子3(SW
1)を流れる電流を示している。このスイッチング波形
および回路動作について、以下に説明する。なお、第1
のスイッチング素子3(SW1)と第2のスイッチング
素子6(SW2)が同時にオンするとスイッチング素子
の破壊につながるおそれがあるが、第1のスイッチング
素子3(SW1)はトランス1のフォワード電圧発生時
にオンとなり、第2のスイッチング素子6(SW2)は
フライバック電圧発生時にのみオンとなるので、両スイ
ッチング素子が同時にオンとなることはない。
【0017】次に、回路動作および得られる波形につい
て、図4ないし図12を参照して説明する。図4は、図
1の回路を、説明のためより模式的に示したものであ
る。まず、電源7から入力電圧VINを印加すると第1の
スイッチング素子3(SW1)がオンし、電流I1 が流
れ、トランス1(T)に磁気エネルギを蓄える。この
時、第2のスイッチング素子6(SW2)はオフ状態に
ある。つまり、トランス1の巻線NP2よりの第2のス
イッチング素子6(SW2)用の制御電圧VGSは逆バイ
アス電圧印加の状態にある。
【0018】次に制御回路4により第1のスイッチング
素子3(SW1)がオフとされる。蓄えられた磁気エネ
ルギは、フライバック電圧発生となり、トランス1の二
次側の巻線NS1より電流I2 として二次側へ放出され
る。
【0019】このフライバック電圧発生時に、第2のス
イッチング素子6(SW2)がオンとされる。その制御
回路は、NP2のフライバック電圧発生時にオンとなる
ように極性およびゲート電圧を設定し、第2のスイッチ
ング素子6(SW2)のソースゲート間に直接印加する
ことで簡単に構成できる。第1のスイッチング素子3
(SW1)がオフした瞬時に発生するサージ電圧(フラ
イバック電圧+サージ電圧)は、第2のスイッチング素
子6(SW2)の内蔵ダイオードを通してサージング吸
収用コンデンサ2(C)に充電され急瞬な電圧の立ち上
がりを吸収する。また、図5に従来のスナバ回路、図6
に本実施例の回路を比較して示すように、本実施例では
第2のスイッチング素子6(SW2)オンにより、電流
方向が両方向に導通状態になるので、電圧上昇、下降両
方向に対して、コンデンサ2(C)の充放電が可能とな
る。その結果、図7に従来のスナバ回路によるサージ
(リンギング)電圧波形(電圧上昇方向についてのみあ
るレベルでカットされたもの)、図8に本実施例の回路
によるサージ(リンギング)電圧波形を比較して示すよ
うに、本実施例ではVDSのリンギング波形は、電圧上
昇、下降両方向に小さく抑えられる。したがって、ノイ
ズが小さく抑えられる。また、本発明の回路では、本質
的に抵抗Rを必要としないので、抵抗Rによる発熱損失
がなく、極めて発熱損失の低い、したがって高周波であ
っても小型化、高効率化を容易に達成できるスイッチン
グ電源装置が得られる。
【0020】蓄えられたエネルギーが放出され続けると
フライバック電圧は低下し、NP2に発生しているフラ
イバック電圧も低下し、やがて第2のスイッチング素子
6(SW2)がオフとなる。この時、図9に示すよう
に、第2のスイッチング素子6(SW2)の寄生容量に
よりコンデンサ2(C)に充電された電荷がNP1に戻
ろうとするので、NP1は、コンデンサ2(C)を充電
した時とは逆の電圧となり、VDS<VINの状態から更に
DSは0Vまで低下し、第1のスイッチング素子3(S
W1)の寄生容量に蓄積された電荷が引抜かれる。いわ
ゆるコイルLとコンデンサCの共振現象が生じる。図1
0、11に示すように、コンデンサ2(C)とNP1と
の間で、コンデンサ2(C)を充電するときのNP1の
電圧極性(図10)と、コンデンサ2(C)から放電す
るときのNP1の電圧極性(図11)とが互いに逆極性
となる。
【0021】上記電荷引抜き現象、つまりVDSを低下さ
せる作用が更に進むと、VDSは、0Vよりも低下し、第
1のスイッチング素子3(SW1)内蔵ダイオードのV
Fをこえると、このダイオードを通して電流が流れる。
図3の電流ID 波形において、マイナス電流部分(A)
が生じるのはこの作用のためである。したがって、第1
のスイッチング素子3(SW1)の印加電圧VDSは、確
実に0Vに低下する。
【0022】再び第1のスイッチング素子3(SW1)
はオンとなるが、上記の電圧降下が速いのですぐには電
流ID は流れない。続いて第1のスイッチング素子3
(SW1)がオンになっているのでNP1を通じて電流
が流れ出し、図4に示した動作に戻り、以下同じ動作を
繰り返す。
【0023】上記の動作で得られる電圧VDSおよび電流
D の波形を、図19に示した従来の波形と比較するた
め、図12に模式的に示す。図12に示すように、第1
のスイッチング素子3(SW1)オン時のスイッチング
損失は無くなり、第1のスイッチング素子3(SW1)
オフ時の電圧立ち上がり部分でのリンギング波形も小さ
な変動に抑えられ、発熱損失、発生ノイズは小さく抑え
られる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスイッチ
ング電源装置によるときは、フライバック電圧発生時に
のみオンとなる第2のスイッチング素子をサージング吸
収用コンデンサに対し直列に接続し、抵抗を不要とする
とともにサージング電圧を両方向に吸収できるようにし
たので、抵抗による発熱損失がなく、全体としても発熱
損失の極めて小さい、かつ、低ノイズの回路を構成でき
る。したがって、高周波であっても、小型、高効率、低
ノイズのスイッチング電源装置を得ることができる。
【0025】また、第1のスイッチング素子の印加電圧
を確実に0Vに低下させた後、第1のスイッチング素子
をオンとして電流を流すことができるので、この部分で
のスイッチング損失を無くすこともでき、極めてスイッ
チング損失の小さい高効率のスイッチング電源装置を実
現できる。そして、本発明のスイッチング電源装置は、
高周波になるほど、その効果を発揮することができる。
【0026】さらに、抵抗が不要で、かつ、従来のスナ
バ回路の代わりにサージング吸収用コンデンサに対し直
列にFETからなる第2のスイッチング素子を接続する
だけの簡単な回路構成でよく、スイッチング電源装置の
一層の小型化、低コスト化をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るスイッチング電源装置
の回路図である。
【図2】図1の回路の要部を示す概略回路図である。
【図3】図1の装置の実動作を観測したスイッチング波
形図である。
【図4】図1の回路を模式的に示した概略回路図であ
る。
【図5】従来のスナバ回路の電流の流れ方向を示す概略
回路図である。
【図6】図1の回路の電流の流れ方向を示す概略部分回
路図である。
【図7】従来のスナバ回路を用いた場合の第1のスイッ
チング素子印加電圧の波形図である。
【図8】図6の回路を用いた場合の第1のスイッチング
素子印加電圧の波形図である。
【図9】図1の回路を模式的に示した、図4とは別の動
作状態を示す概略回路図である。
【図10】図1の回路におけるLとCの共振を示す概略
回路図である。
【図11】図1の回路におけるLとCの共振に関し、図
10とは逆電圧極性の状態を示す概略回路図である。
【図12】図1の回路における第1のスイッチング素子
印加電圧と電流の概略波形図である。
【図13】従来のスナバ回路の回路図である。
【図14】従来の別のスナバ回路の回路図である。
【図15】スイッチング電源装置において、一般的に生
じようとする電圧サージングを示す波形図である。
【図16】図14のスナバ回路を用いた場合の電圧波形
図である。
【図17】図14のスナバ回路を用いたスイッチング電
源装置の回路図である。
【図18】図17のスイッチング電源装置における実動
作を観測したスイッチング波形図である。
【図19】図18の波形を模式的に示した第1のスイッ
チング素子印加電圧と電流の概略波形図である。
【符号の説明】
1 トランス 2 サージング吸収用コンデンサ 3 第1のスイッチング素子 4 制御回路 5 トランスの二次側 6 第2のスイッチング素子 7 電源 VDS 第1のスイッチング素子の印加電圧 ID 第1のスイッチング素子の電流

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 トランスの一次側に、電圧のサージング
    吸収用コンデンサと、該トランスの一次側に電圧を断続
    的に印加するためにオンオフを繰り返す第1のスイッチ
    ング素子とを有するスイッチング電源装置において、前
    記サージング吸収用コンデンサと第1のスイッチング素
    子の間に、前記トランスの一次側に接続されて制御電圧
    がトランスの一次側から印加され、該トランスの一次側
    において第1のスイッチング素子がオフとなる瞬間に生
    じるフライバック電圧発生時にのみオンとなり、該オン
    作動により両方向に導通状態となる第2のスイッチング
    素子を、前記サージング吸収用コンデンサに対し直列に
    接続し、該第2のスイッチング素子が電界効果トランジ
    スタからなり、かつ、前記第1のスイッチング素子が、
    印加電圧が0Vに低下された後オンされるものであるこ
    とを特徴とするスイッチング電源装置。
JP13965292A 1992-05-06 1992-05-06 スイッチング電源装置 Expired - Lifetime JP3197060B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI627825B (zh) * 2014-10-02 2018-06-21 美商納維達斯半導體公司 電源轉換電路及其操作方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI627825B (zh) * 2014-10-02 2018-06-21 美商納維達斯半導體公司 電源轉換電路及其操作方法

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