JP3194419U - 基板 - Google Patents
基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3194419U JP3194419U JP2014004811U JP2014004811U JP3194419U JP 3194419 U JP3194419 U JP 3194419U JP 2014004811 U JP2014004811 U JP 2014004811U JP 2014004811 U JP2014004811 U JP 2014004811U JP 3194419 U JP3194419 U JP 3194419U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- bump
- substrate
- thickness
- nickel layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
H=12.289D+96.674 式1
本考案の基板の製造方法の一実施形態を図1A〜図1Hに基づいて説明する。本考案に係る基板の製造方法は、図1Aの「半導体基板を提供する」工程、図1Bの「バンプ下の金属層を形成させる」工程、図1Cの「フォトレジスト層を形成させる」工程、図1Dの「フォトレジスト層をパターン化させる」工程、図1Eの「銅層を形成させる」工程、図1Fの「ニッケル層を形成させる」工程、図1Gの「フォトレジスト層を除去させる」工程、及び図1Hの「バンプ下の金属層の除去待ち部を除去させる」工程を含む。
H=12.289D+96.674 式1
110:半導体基板、
111:本体、
112:結合パット、
113:保護層、
114:第一開口部、
120:バンプ下の金属層、
121:留保待ち領域、
122:除去待ち部、
130:フォトレジスト層、
131:第二開口部、
140:銅層、
141:上面、
142:底面、
150:ニッケル層、
151:上部表面、
152:下部表面、
160:接合層、
200:ガラス基板、
210:接合点、
A:バンプ、
D:ニッケル層の厚さ、
D1:銅層の厚さ、
H:バンプのアニール後の硬度。
Claims (3)
- 所定のアニール後の硬度を有するバンプを有する基板であって、
本体、少なくとも1つの結合パット、及び、保護層を有し、前記結合パットが前記本体に形成されており、前記保護層が前記本体を被覆しており少なくとも1つの第一開口部を有し、前記第一開口部が前記結合パットから露出している半導体基板と、
前記結合パットに電気的に接続されているバンプ下の金属層と、
銅層及びニッケル層で構成されており、前記銅層が前記バンプ下の金属層と前記ニッケル層との間に位置されており、前記銅層と前記バンプ下の金属層とが電気的に接続されており、前記ニッケル層が上部表面及び下部表面を有し、前記上部表面と前記下部表面との間の垂直距離を前記ニッケル層の厚さと定義し、前記ニッケル層の厚さが下記式1によりきめられており、Hがアニール後の硬度であり、アニール後の硬度の単位がHvであり、Dが前記ニッケル層の厚さであり、前記ニッケル層の厚さの単位がμmであるバンプとを、備えることを特徴とする基板。
H=12.289D+96.674 式1 - 前記銅層は、上面及び底面を有し、
前記上面と前記底面との間の垂直距離を前記銅層の厚さと定義し、
前記銅層は、厚さが前記ニッケル層の厚さ以上であることを特徴とする請求項1記載の基板。 - 前記ニッケル層の前記上部表面に形成されている接合層を更に備えることを特徴とする請求項1記載の基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014004811U JP3194419U (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014004811U JP3194419U (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3194419U true JP3194419U (ja) | 2014-11-20 |
Family
ID=52145304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014004811U Active JP3194419U (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3194419U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110796948A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-14 | 维沃移动通信有限公司 | 显示模组、电子设备及显示模组加工方法 |
-
2014
- 2014-09-09 JP JP2014004811U patent/JP3194419U/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110796948A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-14 | 维沃移动通信有限公司 | 显示模组、电子设备及显示模组加工方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016032090A (ja) | 基板及びその製造方法 | |
TW200849422A (en) | Wafer structure and method for fabricating the same | |
JP6406975B2 (ja) | 半導体素子および半導体装置 | |
TW201330206A (zh) | 高溫應用所用之銲錫凸塊/凸塊下金屬層結構 | |
KR20070082998A (ko) | 솔더 범프가 형성된 반도체 칩 및 제조 방법 | |
JP2016225466A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2003152014A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
CN108461406B (zh) | 衬底结构、半导体封装结构及其制造方法 | |
JP2010114140A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR102210802B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
CN110707013A (zh) | 一种电镀法制作大锡球方法 | |
TWI419284B (zh) | 晶片之凸塊結構及凸塊結構之製造方法 | |
JP3194419U (ja) | 基板 | |
JP2019161003A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007048919A (ja) | バンプの形成方法 | |
TWM629323U (zh) | 覆晶封裝結構 | |
KR101418440B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
JP5501940B2 (ja) | 回路板の製造方法 | |
US9974166B2 (en) | Circuit board and manufacturing method thereof | |
JP2006120803A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
TWI608775B (zh) | 焊墊及焊墊製作方法 | |
JP6392140B2 (ja) | 配線基板及び半導体パッケージ | |
JP6836615B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI278948B (en) | Wafer structure having bumps made of different material and fabricating method thereof | |
JP3178119U (ja) | 半導体装置及びそれを利用した半導体パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3194419 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |