JP3193864B2 - 化合物半導体素子の製造方法 - Google Patents
化合物半導体素子の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体素子の
製造方法、特に化合物半導体素子の電極の形成方法に関
する。
製造方法、特に化合物半導体素子の電極の形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の化合物半導体素子の製造方法につ
いて、図３を参照して説明する。図３（ａ）乃至（ｇ）
は従来例による化合物半導体素子の製造工程図である。
図３（ａ）は、ｎ型ＧａＰ基板１の上にｎ型ＧａＰエピ
タキシャル層２、ｐ型ＧａＰエピタキシャル層３を順次
成長させたウェハ４の状態を示している。
いて、図３を参照して説明する。図３（ａ）乃至（ｇ）
は従来例による化合物半導体素子の製造工程図である。
図３（ａ）は、ｎ型ＧａＰ基板１の上にｎ型ＧａＰエピ
タキシャル層２、ｐ型ＧａＰエピタキシャル層３を順次
成長させたウェハ４の状態を示している。
【０００３】次に図３（ｂ）に示すように、ウェハ厚み
を制御した（バックラップ工程）後、図１（ｃ）に示す
ように、ｎ型ＧａＰ基板１の裏面側にＡｕ合金層を形成
後、エッチングによってカソード電極５を形成する。
を制御した（バックラップ工程）後、図１（ｃ）に示す
ように、ｎ型ＧａＰ基板１の裏面側にＡｕ合金層を形成
後、エッチングによってカソード電極５を形成する。
【０００４】次に図３（ｄ）に示すように、ｐ型ＧａＰ
エピタキシャル層３の上面にアノード電極層６をＥＢ
（ELECTRON BEAM：以下、単にＥＢと記す）蒸着法によ
り形成する。このアノード電極層６は例えば下層がＡｕ
Ｂｅ層、上層がＡｕ層から構成される。ここで、アノー
ド電極層６の厚みは通常、１．５〜２．０μｍ程度であ
る。
エピタキシャル層３の上面にアノード電極層６をＥＢ
（ELECTRON BEAM：以下、単にＥＢと記す）蒸着法によ
り形成する。このアノード電極層６は例えば下層がＡｕ
Ｂｅ層、上層がＡｕ層から構成される。ここで、アノー
ド電極層６の厚みは通常、１．５〜２．０μｍ程度であ
る。
【０００５】次に図３（ｅ）に示すように、通常のフォ
トリソ工程を行う。即ち、ウェハー上をフォトマスク７
でカバーし、図３（ｆ）のように不要部をエッチング除
去してアノード電極６’を得る。
トリソ工程を行う。即ち、ウェハー上をフォトマスク７
でカバーし、図３（ｆ）のように不要部をエッチング除
去してアノード電極６’を得る。
【０００６】最後に図３（ｇ）に示すように、ウェハ４
を素子毎に分断して（ダイシング工程）、最終的な素子
を得る。
を素子毎に分断して（ダイシング工程）、最終的な素子
を得る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来例
では、ＡｕＢｅ／Ａｕ構造のアノード電極６’をＥＢ蒸
着法によって形成しているが、この場合、ＡｕＢｅイン
ゴット中のＢｅ濃度はＡｕとＢｅの蒸気圧の違いから蒸
着の度に低減してしまう傾向にある。
では、ＡｕＢｅ／Ａｕ構造のアノード電極６’をＥＢ蒸
着法によって形成しているが、この場合、ＡｕＢｅイン
ゴット中のＢｅ濃度はＡｕとＢｅの蒸気圧の違いから蒸
着の度に低減してしまう傾向にある。
【０００８】また、Ｂｅ元素は小さく軽いことから（Ｂ
ｅの原子量１９７、Ａｕの原子量９）、ＥＢ用電磁気の
影響を受けウェハーまで到達されないＢｅ元素が多い。
このため、蒸着の都度、ＡｕＢｅ材料を補充しても蒸着
回数とともに形成されたＡｕＢｅ層中のＢｅ濃度が低下
し、安定したＡｕＢｅ層の形成が困難となる。
ｅの原子量１９７、Ａｕの原子量９）、ＥＢ用電磁気の
影響を受けウェハーまで到達されないＢｅ元素が多い。
このため、蒸着の都度、ＡｕＢｅ材料を補充しても蒸着
回数とともに形成されたＡｕＢｅ層中のＢｅ濃度が低下
し、安定したＡｕＢｅ層の形成が困難となる。
【０００９】この結果、良好なオーミックコンタクトが
安定して得られず、電極６’とウェハー界面での接触抵
抗が高まったり、ノンオーミックになったりする。
安定して得られず、電極６’とウェハー界面での接触抵
抗が高まったり、ノンオーミックになったりする。
【００１０】また、従来、アノード電極６’は、ワイヤ
ーボンディングを良好とするために、Ａｕのキャップ層
を厚く積み（例えば０．５μｍ〜２μｍ）、アノード電
極６’のトータルの厚みを１．５〜２．０μｍ程度形成
していたが、一方、電極厚を厚くする程その引っ張り応
力も増加する。さらに、電極形状が例えば４角形の場
合、その角部分に応力が集中し易く、特に図３（ｇ）の
Ａ部拡大図である図４に示すように、アノード電極６’
周辺下部Ｐ部が光取り出し効率向上のために粗面処理さ
れていると、その応力により電極下部表面層３のウェハ
ー結晶が破壊される不具合が生じる。
ーボンディングを良好とするために、Ａｕのキャップ層
を厚く積み（例えば０．５μｍ〜２μｍ）、アノード電
極６’のトータルの厚みを１．５〜２．０μｍ程度形成
していたが、一方、電極厚を厚くする程その引っ張り応
力も増加する。さらに、電極形状が例えば４角形の場
合、その角部分に応力が集中し易く、特に図３（ｇ）の
Ａ部拡大図である図４に示すように、アノード電極６’
周辺下部Ｐ部が光取り出し効率向上のために粗面処理さ
れていると、その応力により電極下部表面層３のウェハ
ー結晶が破壊される不具合が生じる。
【００１１】また、ＡｕＢｅ／Ａｕ構造のアノード電極
６’を形成する際には、前述のように通常のフォトリソ
工程、即ち、ＡｕＢｅ／Ａｕ層６上に電極部のみ被覆す
るように配したフォトマスク７を介してケミカルエッチ
ングを行う。ここで、エッチング溶液としては、ヨウ化
アンモニウム系Ａｕエッチャントを使用するが、この
際、ＡｕＢｅ層とＡｕ層界面で部分的にエッチングが進
行せず、特にＡｕ層の外周がオーバーエッチングとなっ
てしまう場合があった。
６’を形成する際には、前述のように通常のフォトリソ
工程、即ち、ＡｕＢｅ／Ａｕ層６上に電極部のみ被覆す
るように配したフォトマスク７を介してケミカルエッチ
ングを行う。ここで、エッチング溶液としては、ヨウ化
アンモニウム系Ａｕエッチャントを使用するが、この
際、ＡｕＢｅ層とＡｕ層界面で部分的にエッチングが進
行せず、特にＡｕ層の外周がオーバーエッチングとなっ
てしまう場合があった。
【００１２】そこで、本発明の目的は、素子に対して常
に安定したオーミックコンタクトがとれる電極構造を有
する化合物半導体素子を実現すること、また、電極形成
のためのエッチングをスムーズに行え安定した電極形状
が得られる化合物半導体素子の製造方法を提供すること
にある。
に安定したオーミックコンタクトがとれる電極構造を有
する化合物半導体素子を実現すること、また、電極形成
のためのエッチングをスムーズに行え安定した電極形状
が得られる化合物半導体素子の製造方法を提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の請求項１は、第１金属層と該第１金属層上に
積層される第２金属層とからなる電極構造を有する化合
物半導体素子の製造方法において、前記第１金属層を抵
抗加熱蒸着にて形成する工程と、次いで前記第１金属層
上にＥＢ蒸着にて前記第２金属層を形成する工程と、を
含むことを特徴とする。
に本発明の請求項１は、第１金属層と該第１金属層上に
積層される第２金属層とからなる電極構造を有する化合
物半導体素子の製造方法において、前記第１金属層を抵
抗加熱蒸着にて形成する工程と、次いで前記第１金属層
上にＥＢ蒸着にて前記第２金属層を形成する工程と、を
含むことを特徴とする。
【００１４】請求項２の発明は、請求項１に記載の化合
物半導体素子の製造方法において、前記抵抗加熱蒸着と
前記ＥＢ蒸着とを同一の蒸着装置内にて行うことを特徴
とする。
物半導体素子の製造方法において、前記抵抗加熱蒸着と
前記ＥＢ蒸着とを同一の蒸着装置内にて行うことを特徴
とする。
【００１５】請求項３の発明は、請求項１または２のい
づれかに記載の化合物半導体素子の製造方法において、
前記電極構造は前記第１金属層及び第２金属層がそれぞ
れ、ＡｕＢｅ層及びＡｕ層からなるＡｕＢｅ／Ａｕ電極
であることを特徴とする。
づれかに記載の化合物半導体素子の製造方法において、
前記電極構造は前記第１金属層及び第２金属層がそれぞ
れ、ＡｕＢｅ層及びＡｕ層からなるＡｕＢｅ／Ａｕ電極
であることを特徴とする。
【００１６】請求項４の発明は、請求項３に記載の化合
物半導体素子の製造方法において、ＡｕＢｅ層を抵抗加
熱蒸着にて形成する工程と、次いで前記ＡｕＢｅ層上に
ＥＢ蒸着にてＡｕ層を形成する工程と、前記ＡｕＢｅ／
Ａｕ層をヨウ化アンモニウム系Ａｕエッチャントにバッ
ファードフッ酸を混入させたエッチャントによって選択
的にエッチングしてＡｕＢｅ／Ａｕ電極を得ることを特
徴とする。
物半導体素子の製造方法において、ＡｕＢｅ層を抵抗加
熱蒸着にて形成する工程と、次いで前記ＡｕＢｅ層上に
ＥＢ蒸着にてＡｕ層を形成する工程と、前記ＡｕＢｅ／
Ａｕ層をヨウ化アンモニウム系Ａｕエッチャントにバッ
ファードフッ酸を混入させたエッチャントによって選択
的にエッチングしてＡｕＢｅ／Ａｕ電極を得ることを特
徴とする。
【００１７】
【００１８】
【００１９】以下、各請求項による作用について説明す
る。
る。
【００２０】請求項１の発明によれば、第１金属層の形
成をＥＢ蒸着ではなく抵抗加熱蒸着によって行ってお
り、１バッチ毎に処理材料を使い切るので、第１金属層
を構成する各元素の濃度は常に安定した状態となって、
オーミック性に優れた電極構造を実現できる。
成をＥＢ蒸着ではなく抵抗加熱蒸着によって行ってお
り、１バッチ毎に処理材料を使い切るので、第１金属層
を構成する各元素の濃度は常に安定した状態となって、
オーミック性に優れた電極構造を実現できる。
【００２１】請求項２の発明によれば、第１金属層の形
成及びこの後に行う第２金属層のＥＢ蒸着による形成も
同一蒸着装置内で行うので、蒸着工程をスムーズに行え
るだけでなく、両層の密着性も保証できる。
成及びこの後に行う第２金属層のＥＢ蒸着による形成も
同一蒸着装置内で行うので、蒸着工程をスムーズに行え
るだけでなく、両層の密着性も保証できる。
【００２２】請求項１の実際の電極構造例としては、請
求項３に示すようなＡｕＢｅ／Ａｕ層があり、このよう
な構造の場合に本発明は有効である。特にこの構造の場
合、従来のＥＢ蒸着によればＢｅ濃度が不安定になって
いたが、本発明の方法によれば極めて安定したＢｅ濃度
を確保でき、安定したオーミックコンタクトを保証でき
る化合物半導体素子を実現できる。
求項３に示すようなＡｕＢｅ／Ａｕ層があり、このよう
な構造の場合に本発明は有効である。特にこの構造の場
合、従来のＥＢ蒸着によればＢｅ濃度が不安定になって
いたが、本発明の方法によれば極めて安定したＢｅ濃度
を確保でき、安定したオーミックコンタクトを保証でき
る化合物半導体素子を実現できる。
【００２３】請求項４の発明によれば、ＡｕＢｅ／Ａｕ
層をヨウ化アンモニウム系Ａｕエッチャントにバッファ
ードフッ酸を混入させたエッチャントによって選択的に
エッチングする工程をとる。このように、エッチャント
にバッファードフッ酸を混入させることによってＡｕＢ
ｅ層に形成される酸化膜を除去できるので、ＡｕＢｅ層
からＡｕ層にわたってスムーズなエッチングを行うこと
ができる。
層をヨウ化アンモニウム系Ａｕエッチャントにバッファ
ードフッ酸を混入させたエッチャントによって選択的に
エッチングする工程をとる。このように、エッチャント
にバッファードフッ酸を混入させることによってＡｕＢ
ｅ層に形成される酸化膜を除去できるので、ＡｕＢｅ層
からＡｕ層にわたってスムーズなエッチングを行うこと
ができる。
【００２４】
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例について、図１
を参照して説明する。図１（ａ）乃至（ｆ）は本実施例
による化合物半導体素子の製造方法を示す工程図であ
る。ここで、カソード電極の形成までは従来と同じであ
るので省略する。なお、図３と同一機能部分には同一記
号を付している。
を参照して説明する。図１（ａ）乃至（ｆ）は本実施例
による化合物半導体素子の製造方法を示す工程図であ
る。ここで、カソード電極の形成までは従来と同じであ
るので省略する。なお、図３と同一機能部分には同一記
号を付している。
【００２６】まず、図１（ａ）の状態において、電極形
成の前処理としてウェハー４表面を硫酸＋過酸化水素系
エッチャントにより清浄化する。
成の前処理としてウェハー４表面を硫酸＋過酸化水素系
エッチャントにより清浄化する。
【００２７】そして、抵抗加熱方式とＥＢ蒸着方式の両
方の機構を併せ持つ蒸着機にウェハー及び蒸着材料をセ
ットする。ここで、Ｂｅを１重量％含有したＡｕＢｅ材
料を抵抗加熱用Ｗボートに、また、Ａｕ材料をＥＢ蒸着
用ハースに１回の蒸着に必要な所定量をセットする。こ
こで、ＡｕＢｅ材料については１バッチ毎の使い切りと
する。
方の機構を併せ持つ蒸着機にウェハー及び蒸着材料をセ
ットする。ここで、Ｂｅを１重量％含有したＡｕＢｅ材
料を抵抗加熱用Ｗボートに、また、Ａｕ材料をＥＢ蒸着
用ハースに１回の蒸着に必要な所定量をセットする。こ
こで、ＡｕＢｅ材料については１バッチ毎の使い切りと
する。
【００２８】この状態で、図１（ｂ）に示すように、自
動蒸着によりＡｕＢｅ層６１を抵抗加熱方式により形成
する。次いで図１（ｃ）に示すように、ＡｕＢｅ層６１
の上にＡｕ層６２をＥＢ方法により高真空下において連
続蒸着する。ここで、各層の厚みについては、水晶振動
子の周波数にて制御する成膜コントローラーによって、
ＡｕＢｅ層６１の厚みを２００ｎｍ、Ａｕ層６２の厚み
を１１００ｎｍ（電極全厚：１３００ｎｍ）となるよう
に設定した。
動蒸着によりＡｕＢｅ層６１を抵抗加熱方式により形成
する。次いで図１（ｃ）に示すように、ＡｕＢｅ層６１
の上にＡｕ層６２をＥＢ方法により高真空下において連
続蒸着する。ここで、各層の厚みについては、水晶振動
子の周波数にて制御する成膜コントローラーによって、
ＡｕＢｅ層６１の厚みを２００ｎｍ、Ａｕ層６２の厚み
を１１００ｎｍ（電極全厚：１３００ｎｍ）となるよう
に設定した。
【００２９】次に、所定の形状のアノード電極を得るた
めにフォトリソ工程を行う。まず、図１（ｄ）に示すよ
うに、フォトマスクとなるフォトレジスト７によって電
極パターン保護膜を形成するが、これによって最終的に
得られる電極パターン６’の外周形状は角部のない曲面
形状、ここでは図２に模式的に示した上面図に示すよう
な円形状となるようにしている。
めにフォトリソ工程を行う。まず、図１（ｄ）に示すよ
うに、フォトマスクとなるフォトレジスト７によって電
極パターン保護膜を形成するが、これによって最終的に
得られる電極パターン６’の外周形状は角部のない曲面
形状、ここでは図２に模式的に示した上面図に示すよう
な円形状となるようにしている。
【００３０】そして、上記フォトレジストを薬液によっ
て電極形状に除去することになるが、ここで、ＡｕＢｅ
／Ａｕ層のエッチャントとしては、ヨウ素＋ヨウ化アン
モニウム＋エタノール＋ＤＩＷ（DE-IONIZED WATER:純
水）を混合させた従来のＡｕエッチャントに、フッ化ア
ンモニウムを主成分とするＢＨＦ（バッファードフッ
酸：以下、ＢＨＦと記す）を約１０％程度混合させたも
のを使用している。
て電極形状に除去することになるが、ここで、ＡｕＢｅ
／Ａｕ層のエッチャントとしては、ヨウ素＋ヨウ化アン
モニウム＋エタノール＋ＤＩＷ（DE-IONIZED WATER:純
水）を混合させた従来のＡｕエッチャントに、フッ化ア
ンモニウムを主成分とするＢＨＦ（バッファードフッ
酸：以下、ＢＨＦと記す）を約１０％程度混合させたも
のを使用している。
【００３１】このようにエッチャントにＢＨＦを混合さ
せることにより、従来のＡｕエッチャントを使用した場
合の問題点、即ちＡｕＢｅ層とＡｕ界面で部分的にエッ
チングの進行が止まる、特にＡｕ層の側面部がオーバー
エッチングされるという現象を解消することができる。
せることにより、従来のＡｕエッチャントを使用した場
合の問題点、即ちＡｕＢｅ層とＡｕ界面で部分的にエッ
チングの進行が止まる、特にＡｕ層の側面部がオーバー
エッチングされるという現象を解消することができる。
【００３２】このＢＨＦの作用は以下の通りである。
【００３３】即ち、従来の製造方法において部分的にエ
ッチングの進行が止まっていた理由は、ＡｕＢｅ層６２
の表面に形成された酸化膜が原因であると考えられる。
そこで、この酸化膜を除去するために本発明では、ＢＨ
Ｆをエッチャントに混合するようにしている。
ッチングの進行が止まっていた理由は、ＡｕＢｅ層６２
の表面に形成された酸化膜が原因であると考えられる。
そこで、この酸化膜を除去するために本発明では、ＢＨ
Ｆをエッチャントに混合するようにしている。
【００３４】以上のようにＢＨＦを混合したエッチャン
トを使用することにより、ＡｕＢｅ層６１からＡｕ層６
２へと連続したスムーズなエッチングが可能となる。
トを使用することにより、ＡｕＢｅ層６１からＡｕ層６
２へと連続したスムーズなエッチングが可能となる。
【００３５】次に、電極エッチングが終了した後、図１
（ｅ）に示すように、レジスト７を除去しアロイを行っ
て良好なオーミックコンタクトを有するアノード電極
６’が得られる。
（ｅ）に示すように、レジスト７を除去しアロイを行っ
て良好なオーミックコンタクトを有するアノード電極
６’が得られる。
【００３６】このようにして得られたウェハーを図１
（ｆ）に示すように、ダイシングによってＰＮ接合分断
を行って１チップずつの素子形成を行う。
（ｆ）に示すように、ダイシングによってＰＮ接合分断
を行って１チップずつの素子形成を行う。
【００３７】最後に、ダイシングを行ったダイシング面
のダメージ層除去のために硫酸系エッチャントによるエ
ッチングの後、光の取り出し効率を高めるために塩酸ボ
イルにて粗面化処理を行い最終素子を得る。
のダメージ層除去のために硫酸系エッチャントによるエ
ッチングの後、光の取り出し効率を高めるために塩酸ボ
イルにて粗面化処理を行い最終素子を得る。
【００３８】以上説明したように、本実施例において
は、抵抗加熱方式とＥＢ方式の両工程を取り得る蒸着装
置を使用し、ＡｕＢｅ層を抵抗加熱方式にて、またＡｕ
層をＥＢ方式にて連続形成するので、ＡｕＢｅ層、Ａｕ
層の密着強度を損ねることなく電極層を形成できる。こ
こで、ＡｕＢｅ層は抵抗加熱方式によって形成している
ことから、ＡｕＢｅ材料をバッチ毎に必要な量のみセッ
トし、１回毎に使い切っているので、ＥＢ方式のインゴ
ットを使用する方式とは異なり、常にＢｅ濃度の安定し
たＡｕＢｅ層の形成が可能となる。この結果、アノード
電極６’は素子に対して安定したオーミックコンタクト
をとれるようにできる。
は、抵抗加熱方式とＥＢ方式の両工程を取り得る蒸着装
置を使用し、ＡｕＢｅ層を抵抗加熱方式にて、またＡｕ
層をＥＢ方式にて連続形成するので、ＡｕＢｅ層、Ａｕ
層の密着強度を損ねることなく電極層を形成できる。こ
こで、ＡｕＢｅ層は抵抗加熱方式によって形成している
ことから、ＡｕＢｅ材料をバッチ毎に必要な量のみセッ
トし、１回毎に使い切っているので、ＥＢ方式のインゴ
ットを使用する方式とは異なり、常にＢｅ濃度の安定し
たＡｕＢｅ層の形成が可能となる。この結果、アノード
電極６’は素子に対して安定したオーミックコンタクト
をとれるようにできる。
【００３９】なお、Ａｕ層６２については、ワイヤーボ
ンディングを良好にするために、その層厚を１μｍ以上
にする必要があるが、抵抗加熱方式では通常その材料セ
ット量に制限があり厚膜形成には向かないことから、従
来通りＥＢ蒸着によって形成する。
ンディングを良好にするために、その層厚を１μｍ以上
にする必要があるが、抵抗加熱方式では通常その材料セ
ット量に制限があり厚膜形成には向かないことから、従
来通りＥＢ蒸着によって形成する。
【００４０】また、最終工程では光の取り出し効率を向
上させるために、粗面化処理を行っているが、この工程
の際、電極周囲下部も粗面化されるので、図４から明ら
かなように外力や応力に対して弱くなっており、電極下
部が結晶破壊してしまう場合がある。
上させるために、粗面化処理を行っているが、この工程
の際、電極周囲下部も粗面化されるので、図４から明ら
かなように外力や応力に対して弱くなっており、電極下
部が結晶破壊してしまう場合がある。
【００４１】しかしながら本実施例においては、上述し
たように電極膜厚を１３００ｎｍと従来構造よりも薄く
形成しており、また、電極形状を円形状としていること
により、電極剥離等が生じにくくなっており信頼性が高
い。ここで、実験の結果、明らかになった電極形成方
法、電極膜厚、電極形状と各評価項目との関係を示す
と、下記表の通りである。
たように電極膜厚を１３００ｎｍと従来構造よりも薄く
形成しており、また、電極形状を円形状としていること
により、電極剥離等が生じにくくなっており信頼性が高
い。ここで、実験の結果、明らかになった電極形成方
法、電極膜厚、電極形状と各評価項目との関係を示す
と、下記表の通りである。
【００４２】
【表１】
【００４３】上記のように、電極膜厚については、１．
０μｍ〜１．５μｍにすることによって電極剥離を防止
できることが分かった。
０μｍ〜１．５μｍにすることによって電極剥離を防止
できることが分かった。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、素子に対して常に安定したオーミックコンタ
クトをとれる電極を有する化合物半導体素子を実現でき
る。また、電極形成のためのエッチングをスムーズに行
え、安定した電極形状を得ることができる。
によれば、素子に対して常に安定したオーミックコンタ
クトをとれる電極を有する化合物半導体素子を実現でき
る。また、電極形成のためのエッチングをスムーズに行
え、安定した電極形状を得ることができる。
【００４５】また、電極構造は素子への密着性が優れて
おり剥離等の問題が生じず、信頼性が高い。
おり剥離等の問題が生じず、信頼性が高い。
【図１】（ａ）乃至（ｆ）はそれぞれ、本発明の一実施
例による化合物半導体素子の製造方法を示す工程図であ
る。
例による化合物半導体素子の製造方法を示す工程図であ
る。
【図２】図１の工程に使用されるフォトレジストの上面
図である。
図である。
【図３】（ａ）乃至（ｇ）はそれぞれ、従来例による化
合物半導体素子の製造方法を示す工程図である。
合物半導体素子の製造方法を示す工程図である。
【図４】図３（ｇ）のＡ部拡大図である。
６’ アノード電極 ６１ 第１金属層 ６２ 第２金属層 ７ フォトレジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/43 H01L 29/47 H01L 29/872
Claims (4)
- 【請求項１】 第１金属層と該第1金属層上に積層され
る第2の金属層とからなる電極構造を有する化合物半導
体素子の製造方法において、 前記第1金属層を抵抗加熱蒸着にて形成する工程と、 次いで前記第1金属層上にＥＢ蒸着にて前記第2金属層を
形成する工程と、を含むことを特徴とする化合物半導体
素子の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の化合物半導体素子の製
造方法において、 前記抵抗加熱蒸着と前記ＥＢ蒸着とを同一蒸着装置にて
行うことを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２のいづれかに記載の化
合物半導体素子の製造方法において、 前記電極構造は前記第1金属層及び第2金属層がそれぞれ
ＡｕＢｅ層及びＡｕ層からなるＡｕＢｅ／Ａｕ電極であ
ることを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の化合物半導体素子の製
造方法において、 前記ＡｕＢｅ層を抵抗加熱蒸着にて形成する工程と、 次いで前記ＡｕＢｅ層上にＥＢ蒸着にてＡｕ層を形成す
る工程と、 前記ＡｕＢｅ／Ａｕ層をヨウ化アンモニウム系Ａｕエッ
チャントにバッファードフッ酸を混入させたエッチャン
トによって選択的にエッチングしてＡｕＢｅ／Ａｕ電極
を得ることを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04105996A JP3193864B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 化合物半導体素子の製造方法 |
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| JPH09232255A (ja) | 1997-09-05 |
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