JP2003224116A - エッチング液、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
エッチング液、エッチング方法及び半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ又はＡｌ合金を侵食することなく、Ａｕ
又はＡｕ合金をエッチングすることができるエッチング
液及びエッチング方法を提供する。さらに、これらを用
いて、金属電極の電極パターンを良好に形成できる半導
体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハＷ上に、Ａｕ又はＡｕ合
金にて構成される第一層１と、Ａｌ又はＡｌ合金にて構
成される第二層２と積層し、積層体３とする。フォトリ
ソグラフィ技術により、電極パターンに対応するフォト
レジスト層１３を形成したのち、露出する第二層２及び
第一層１をエッチングして金属電極１０とする。このと
き、第一層１を、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコール
とを含む溶液をエッチング液として用いてエッチングす
る。
又はＡｕ合金をエッチングすることができるエッチング
液及びエッチング方法を提供する。さらに、これらを用
いて、金属電極の電極パターンを良好に形成できる半導
体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハＷ上に、Ａｕ又はＡｕ合
金にて構成される第一層１と、Ａｌ又はＡｌ合金にて構
成される第二層２と積層し、積層体３とする。フォトリ
ソグラフィ技術により、電極パターンに対応するフォト
レジスト層１３を形成したのち、露出する第二層２及び
第一層１をエッチングして金属電極１０とする。このと
き、第一層１を、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコール
とを含む溶液をエッチング液として用いてエッチングす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング液、エ
ッチング方法及びこれらを用いる半導体装置の製造方法
に関する。
ッチング方法及びこれらを用いる半導体装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、発光素子、あるいは半導体集積
回路等の半導体装置においては、該半導体装置を駆動す
る駆動電圧を印加するための金属電極が表面に形成され
る。半導体装置への導電性を考慮すると、金属電極とし
て、例えば、Ａｕ又はＡｕ合金を含むものが採用され
る。図４に示すように、このような金属電極１０’（図
４（ｃ））は、半導体ウェーハＷの表面上に、Ａｕ又は
Ａｕ合金にて構成される層１１を少なくとも含む積層体
１０を形成し、さらに、フォトリソグラフィ技術によ
り、電極パターンに対応するフォトレジスト層１３を形
成するとともに（図（ａ））、該積層体１０の不要な部
分をエッチングして（図４（ｂ）、（ｃ））、電極パタ
ーンを形成することにより得られる。積層体１０のエッ
チングにおいて、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層１
１は、例えば、エッチング液としてシアン化カリウム
（ＫＣＮ）溶液を用いてエッチングされる。しかし、シ
アン化カリウム溶液は、毒性が非常に強いため取り扱い
が困難であるので、ヨウ素ヨウ化カリウム（Ｉ２：Ｋ
Ｉ）水溶液が用いられる場合もある。
回路等の半導体装置においては、該半導体装置を駆動す
る駆動電圧を印加するための金属電極が表面に形成され
る。半導体装置への導電性を考慮すると、金属電極とし
て、例えば、Ａｕ又はＡｕ合金を含むものが採用され
る。図４に示すように、このような金属電極１０’（図
４（ｃ））は、半導体ウェーハＷの表面上に、Ａｕ又は
Ａｕ合金にて構成される層１１を少なくとも含む積層体
１０を形成し、さらに、フォトリソグラフィ技術によ
り、電極パターンに対応するフォトレジスト層１３を形
成するとともに（図（ａ））、該積層体１０の不要な部
分をエッチングして（図４（ｂ）、（ｃ））、電極パタ
ーンを形成することにより得られる。積層体１０のエッ
チングにおいて、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層１
１は、例えば、エッチング液としてシアン化カリウム
（ＫＣＮ）溶液を用いてエッチングされる。しかし、シ
アン化カリウム溶液は、毒性が非常に強いため取り扱い
が困難であるので、ヨウ素ヨウ化カリウム（Ｉ２：Ｋ
Ｉ）水溶液が用いられる場合もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属電
極１０’となる積層体１０にＡｌ又はＡｌ合金にて構成
される層１２が含まれていると、エッチング中にヨウ素
ヨウ化カリウム水溶液と接触することにより、Ａｕ又は
Ａｕ合金にて構成される層１１とともに、Ａｌ又はＡｌ
合金にて構成される層１２も侵食されてしまう。例え
ば、図４のように、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成される層
１２の不要部分を除去したのち（図４（ｂ））、Ａｕ又
はＡｕ合金にて構成される層１１をヨウ素ヨウ化カリウ
ム水溶液によりエッチングすると（図４（ｃ））、Ａｌ
又はＡｌ合金にて構成される層１２の側面部１２ａにヨ
ウ素ヨウ化カリウム水溶液が接触して、図５（ａ）に示
すように、該側面部１２ａの侵食が顕著となる。その結
果、所望の形状の電極パターンが形成できないという問
題がある。また、半導体ウェーハＷの表面を構成する層
にＡｌが含まれていると、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成さ
れる層１１のエッチング中、ヨウ素ヨウ化カリウム水溶
液が、半導体ウェーハの表面に接触することにより、該
半導体ウェーハＷの表面が侵食されてしまう。そのた
め、図５（ｂ）に示すように、電極パターン形成後に、
半導体ウェーハＷの表面に面荒れが観察されるという問
題がある。これらの問題は、金属電極１０’が形成され
ている主表面の画像に基づいて、製造される半導体装置
の識別を行う場合、電極パターンの形状及び半導体ウェ
ーハの表面の特定が困難となる結果、半導体装置の識別
不良の原因となる。
極１０’となる積層体１０にＡｌ又はＡｌ合金にて構成
される層１２が含まれていると、エッチング中にヨウ素
ヨウ化カリウム水溶液と接触することにより、Ａｕ又は
Ａｕ合金にて構成される層１１とともに、Ａｌ又はＡｌ
合金にて構成される層１２も侵食されてしまう。例え
ば、図４のように、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成される層
１２の不要部分を除去したのち（図４（ｂ））、Ａｕ又
はＡｕ合金にて構成される層１１をヨウ素ヨウ化カリウ
ム水溶液によりエッチングすると（図４（ｃ））、Ａｌ
又はＡｌ合金にて構成される層１２の側面部１２ａにヨ
ウ素ヨウ化カリウム水溶液が接触して、図５（ａ）に示
すように、該側面部１２ａの侵食が顕著となる。その結
果、所望の形状の電極パターンが形成できないという問
題がある。また、半導体ウェーハＷの表面を構成する層
にＡｌが含まれていると、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成さ
れる層１１のエッチング中、ヨウ素ヨウ化カリウム水溶
液が、半導体ウェーハの表面に接触することにより、該
半導体ウェーハＷの表面が侵食されてしまう。そのた
め、図５（ｂ）に示すように、電極パターン形成後に、
半導体ウェーハＷの表面に面荒れが観察されるという問
題がある。これらの問題は、金属電極１０’が形成され
ている主表面の画像に基づいて、製造される半導体装置
の識別を行う場合、電極パターンの形状及び半導体ウェ
ーハの表面の特定が困難となる結果、半導体装置の識別
不良の原因となる。
【０００４】本発明は、上記問題を鑑みてなされたもの
であり、Ａｌ又はＡｌ合金を侵食することなく、Ａｕ又
はＡｕ合金をエッチングすることができるエッチング液
及びエッチング方法を提供することを課題とする。さら
に、Ａｌ又はＡｌ合金の存在下において、Ａｕ又はＡｕ
合金にて構成される層をエッチングすることにより、金
属電極の電極パターンを形成し、半導体装置を製造する
方法において、所望の形状の電極パターンが得られると
ともに、半導体ウェーハの表面における面荒れを防止で
きる半導体装置の製造方法を提供することを課題とす
る。
であり、Ａｌ又はＡｌ合金を侵食することなく、Ａｕ又
はＡｕ合金をエッチングすることができるエッチング液
及びエッチング方法を提供することを課題とする。さら
に、Ａｌ又はＡｌ合金の存在下において、Ａｕ又はＡｕ
合金にて構成される層をエッチングすることにより、金
属電極の電極パターンを形成し、半導体装置を製造する
方法において、所望の形状の電極パターンが得られると
ともに、半導体ウェーハの表面における面荒れを防止で
きる半導体装置の製造方法を提供することを課題とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】上記課題
を解決するために、半導体装置の電極パターンの形成に
用いられる本発明のエッチング液は、ヨウ素とヨウ化カ
リウムとアルコールとを含む溶液であることを特徴とす
る。
を解決するために、半導体装置の電極パターンの形成に
用いられる本発明のエッチング液は、ヨウ素とヨウ化カ
リウムとアルコールとを含む溶液であることを特徴とす
る。
【０００６】さらに、上記エッチング液を用いる本発明
のエッチング方法の第一は、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成
される第一層と、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成される第二
層とを含む積層体を、電極パターンに形成する際、前記
第一層を、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコールとを含
む溶液によりエッチングすることを特徴とする。
のエッチング方法の第一は、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成
される第一層と、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成される第二
層とを含む積層体を、電極パターンに形成する際、前記
第一層を、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコールとを含
む溶液によりエッチングすることを特徴とする。
【０００７】また、上記エッチング液を用いる本発明の
エッチング方法の第二は、表面を構成する層がＡｌを含
む半導体ウェーハの該表面上に形成され、Ａｕ又はＡｕ
合金にて構成される層を含む積層体を、電極パターンに
形成する際、前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層
を、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコールとを含む溶液
によりエッチングすることを特徴とする。
エッチング方法の第二は、表面を構成する層がＡｌを含
む半導体ウェーハの該表面上に形成され、Ａｕ又はＡｕ
合金にて構成される層を含む積層体を、電極パターンに
形成する際、前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層
を、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコールとを含む溶液
によりエッチングすることを特徴とする。
【０００８】本発明者は、鋭意検討の結果、上記本発明
のエッチング液が、Ａｌ又はＡｌ合金の存在下でも、Ａ
ｌ又はＡｌ合金を過剰に侵食することなく、Ａｕ又はＡ
ｕ合金をエッチングできるものであることを見出した。
本発明のエッチング液が、Ａｌ又はＡｌ合金を侵食せず
にＡｕ又はＡｕ合金をエッチングできる詳細な作用は不
明であるが、アルコールの存在により、Ａｌに対する侵
食作用が低減するものと考えられる。そして、該エッチ
ング液を用いて、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される第一
層と、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成される第二層とを有す
る積層体を、電極パターンに形成する場合、Ａｌ又はＡ
ｌ合金にて構成される第二層に対して、Ａｕ又はＡｕ合
金にて構成される第一層を選択的にエッチングすること
が可能となり、所望の形状の電極パターンを得ることが
できる。また、表面を構成する層がＡｌを含む半導体ウ
ェーハの該表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される
層を含む積層体を形成し、該積層体を電極パターンに形
成する際、本発明にかかるエッチング液を用いれば、Ａ
ｌを含む半導体ウェーハの表面が侵食されることがない
ので、半導体ウェーハの表面に面荒れが生じなくなる。
のエッチング液が、Ａｌ又はＡｌ合金の存在下でも、Ａ
ｌ又はＡｌ合金を過剰に侵食することなく、Ａｕ又はＡ
ｕ合金をエッチングできるものであることを見出した。
本発明のエッチング液が、Ａｌ又はＡｌ合金を侵食せず
にＡｕ又はＡｕ合金をエッチングできる詳細な作用は不
明であるが、アルコールの存在により、Ａｌに対する侵
食作用が低減するものと考えられる。そして、該エッチ
ング液を用いて、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される第一
層と、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成される第二層とを有す
る積層体を、電極パターンに形成する場合、Ａｌ又はＡ
ｌ合金にて構成される第二層に対して、Ａｕ又はＡｕ合
金にて構成される第一層を選択的にエッチングすること
が可能となり、所望の形状の電極パターンを得ることが
できる。また、表面を構成する層がＡｌを含む半導体ウ
ェーハの該表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される
層を含む積層体を形成し、該積層体を電極パターンに形
成する際、本発明にかかるエッチング液を用いれば、Ａ
ｌを含む半導体ウェーハの表面が侵食されることがない
ので、半導体ウェーハの表面に面荒れが生じなくなる。
【０００９】上記本発明のエッチング液としては、例え
ば、ヨウ素（Ｉ２）とヨウ化カリウム（ＫＩ）とが溶解
した水溶液とアルコール溶液とを混合させたものや、ア
ルコール溶液にヨウ素及びヨウ化カリウムを溶解させた
ものを具体的に例示できる。
ば、ヨウ素（Ｉ２）とヨウ化カリウム（ＫＩ）とが溶解
した水溶液とアルコール溶液とを混合させたものや、ア
ルコール溶液にヨウ素及びヨウ化カリウムを溶解させた
ものを具体的に例示できる。
【００１０】さらに、本発明の半導体装置の製造方法の
第一は、半導体ウェーハの表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金
にて構成される第一層と、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成さ
れる第二層とを有する積層体を形成する工程と、前記第
二層にエッチング液が接触する状態で、前記第一層を該
エッチング液によりエッチングして、前記積層体を電極
パターンに形成する工程とを含む半導体装置の製造方法
であって、前記エッチング液として、ヨウ素とヨウ化カ
リウムとアルコールとを含む溶液を用いることを特徴と
する。
第一は、半導体ウェーハの表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金
にて構成される第一層と、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成さ
れる第二層とを有する積層体を形成する工程と、前記第
二層にエッチング液が接触する状態で、前記第一層を該
エッチング液によりエッチングして、前記積層体を電極
パターンに形成する工程とを含む半導体装置の製造方法
であって、前記エッチング液として、ヨウ素とヨウ化カ
リウムとアルコールとを含む溶液を用いることを特徴と
する。
【００１１】本発明の半導体装置の製造方法の第一によ
れば、本発明のエッチング液の効果により、Ａｌ又はＡ
ｌ合金にて構成される第一層を侵食することなく、Ａｕ
又はＡｕ合金にてなる第二層をエッチングできる。その
結果、所望の形状の電極パターンを形成することができ
る。
れば、本発明のエッチング液の効果により、Ａｌ又はＡ
ｌ合金にて構成される第一層を侵食することなく、Ａｕ
又はＡｕ合金にてなる第二層をエッチングできる。その
結果、所望の形状の電極パターンを形成することができ
る。
【００１２】また、本発明の半導体装置の製造方法の第
二は、表面を構成する層がＡｌを含む半導体ウェーハの
該表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層を含む
積層体を形成する工程と、前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構
成される層をエッチング液によりエッチングして、前記
積層体を電極パターンに形成する工程とを含む半導体装
置の製造方法であって、前記エッチング液として、ヨウ
素とヨウ化カリウムとアルコールとを含む溶液を用いる
ことを特徴とする。
二は、表面を構成する層がＡｌを含む半導体ウェーハの
該表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層を含む
積層体を形成する工程と、前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構
成される層をエッチング液によりエッチングして、前記
積層体を電極パターンに形成する工程とを含む半導体装
置の製造方法であって、前記エッチング液として、ヨウ
素とヨウ化カリウムとアルコールとを含む溶液を用いる
ことを特徴とする。
【００１３】上記方法により電極パターンを形成する場
合、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層のエッチング中
あるいはエッチング後に、半導体ウェーハの表面に本発
明にかかるエッチング液が接触しても、該半導体ウェー
ハの表面に面荒れが発生しない。これにより、得られる
金属電極に通電用ワイヤをボンディングする際等、半導
体装置を、半導体装置の表面の画像から画像処理装置に
より識別するとき、半導体装置の識別不良が解消され
る。
合、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層のエッチング中
あるいはエッチング後に、半導体ウェーハの表面に本発
明にかかるエッチング液が接触しても、該半導体ウェー
ハの表面に面荒れが発生しない。これにより、得られる
金属電極に通電用ワイヤをボンディングする際等、半導
体装置を、半導体装置の表面の画像から画像処理装置に
より識別するとき、半導体装置の識別不良が解消され
る。
【００１４】なお、エッチング液に含まれるアルコール
は、メタノール及びエタノールのうち少なくてもいずれ
かとすることができる。これにより、より一層、Ａｌ又
はＡｌ合金に対してＡｕ又はＡｕ合金を選択的にエッチ
ングできるようになる。これらのアルコールは、一種の
み使用してもよいし、二種を混合させて使用してもよ
い。また、上記のアルコールに代えて、イソプロピルア
ルコール（ＩＰＡ）や、グリセリン水溶液を使用しても
同様の効果を発揮する。また、イソプロピルアルコー
ル、グリセリン水溶液、メタノール及びエタノールから
選ばれる２種以上を混合させて使用してもよい。
は、メタノール及びエタノールのうち少なくてもいずれ
かとすることができる。これにより、より一層、Ａｌ又
はＡｌ合金に対してＡｕ又はＡｕ合金を選択的にエッチ
ングできるようになる。これらのアルコールは、一種の
み使用してもよいし、二種を混合させて使用してもよ
い。また、上記のアルコールに代えて、イソプロピルア
ルコール（ＩＰＡ）や、グリセリン水溶液を使用しても
同様の効果を発揮する。また、イソプロピルアルコー
ル、グリセリン水溶液、メタノール及びエタノールから
選ばれる２種以上を混合させて使用してもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を用いつつ、発
明の実施の形態について説明する。図２は、本発明の半
導体装置の第一の製造方法により得られる半導体装置の
一構成例を示す模式図である。ここで、半導体装置は発
光素子２０である。ＧａＡｓ基板４上にＧａＡｓエピタ
キシャル層５が形成された化合物半導体ウェーハＷの主
表面上に、第一層としてのＡｕＢｅ層１と、第二層とし
てのＡｌ層２が積層されて金属電極３’が形成されてい
る。また、化合物半導体ウェーハＷの主裏面には、Ａｕ
ＧｅＮｉ合金にて構成される裏面電極６が形成されてい
る。
明の実施の形態について説明する。図２は、本発明の半
導体装置の第一の製造方法により得られる半導体装置の
一構成例を示す模式図である。ここで、半導体装置は発
光素子２０である。ＧａＡｓ基板４上にＧａＡｓエピタ
キシャル層５が形成された化合物半導体ウェーハＷの主
表面上に、第一層としてのＡｕＢｅ層１と、第二層とし
てのＡｌ層２が積層されて金属電極３’が形成されてい
る。また、化合物半導体ウェーハＷの主裏面には、Ａｕ
ＧｅＮｉ合金にて構成される裏面電極６が形成されてい
る。
【００１６】以下、半導体装置２０の製造方法につい
て、図１を用いて簡単に説明する。まず、ＧａＡｓ基板
上に、ＧａＡｓエピタキシャル層を成長させて化合物半
導体ウェーハＷを得る（図１（ａ））。そして、該化合
物半導体ウェーハＷの主表面上にＡｕ合金のＡｕＢｅ層
１を、例えば真空蒸着法により形成する（図１
（ｂ））。ＡｕＢｅ層１の形成方法としては、他にも、
高周波スパッタリング等の製膜法が例示できる。つい
で、ＡｕＢｅ層１のさらに上部に、Ａｌ層２を形成する
（図１（ｃ））。このように形成されたＡｕＢｅ層１と
Ａｌ層２とにより積層体３が構成される。
て、図１を用いて簡単に説明する。まず、ＧａＡｓ基板
上に、ＧａＡｓエピタキシャル層を成長させて化合物半
導体ウェーハＷを得る（図１（ａ））。そして、該化合
物半導体ウェーハＷの主表面上にＡｕ合金のＡｕＢｅ層
１を、例えば真空蒸着法により形成する（図１
（ｂ））。ＡｕＢｅ層１の形成方法としては、他にも、
高周波スパッタリング等の製膜法が例示できる。つい
で、ＡｕＢｅ層１のさらに上部に、Ａｌ層２を形成する
（図１（ｃ））。このように形成されたＡｕＢｅ層１と
Ａｌ層２とにより積層体３が構成される。
【００１７】そして、該積層体３の表面にフォトレジス
ト層１３を形成して（図１（ｄ））、公知のフォトリソ
グラフィ技術により、電極パターンと対応する形状にフ
ォトレジスト層１３を加工する（図１（ｅ））。つい
で、露出する第二層としてのＡｌ層２をリン酸系エッチ
ング液によりエッチングする（図１（ｆ））。これによ
り、Ａｌ層２はエッチングされるものの、ＡｕＢｅ層１
はエッチングされないので、第一層としてのＡｕＢｅ層
１が露出する形態となる。リン酸系エッチング液として
は、例えば、リン酸、酢酸及び硝酸とを含むものが使用
できる。続いて、Ａｌ層２の周囲に露出するＡｕＢｅ層
１に、本発明にかかるエッチング液、つまりヨウ素とヨ
ウ化カリウムとアルコールとを含む溶液を接触させて、
ＡｕＢｅ層１を選択的にエッチングする（図１
（ｇ））。このとき、前述したように、第二層としての
Ａｌ層２の露出部、詳しくはＡｌ層２の側面部２ａに本
発明にかかるエッチング液が接触しても、該側面部２ａ
が侵食されない。最後に、フォトレジスト層１３を除去
して、熱処理により金属電極３’の密着性を向上させ
る。そして、裏面電極６を形成し、ダイシングソー等に
より化合物半導体ウェーハＷを素子化して、図２に示す
ような発光素子２０を得る。
ト層１３を形成して（図１（ｄ））、公知のフォトリソ
グラフィ技術により、電極パターンと対応する形状にフ
ォトレジスト層１３を加工する（図１（ｅ））。つい
で、露出する第二層としてのＡｌ層２をリン酸系エッチ
ング液によりエッチングする（図１（ｆ））。これによ
り、Ａｌ層２はエッチングされるものの、ＡｕＢｅ層１
はエッチングされないので、第一層としてのＡｕＢｅ層
１が露出する形態となる。リン酸系エッチング液として
は、例えば、リン酸、酢酸及び硝酸とを含むものが使用
できる。続いて、Ａｌ層２の周囲に露出するＡｕＢｅ層
１に、本発明にかかるエッチング液、つまりヨウ素とヨ
ウ化カリウムとアルコールとを含む溶液を接触させて、
ＡｕＢｅ層１を選択的にエッチングする（図１
（ｇ））。このとき、前述したように、第二層としての
Ａｌ層２の露出部、詳しくはＡｌ層２の側面部２ａに本
発明にかかるエッチング液が接触しても、該側面部２ａ
が侵食されない。最後に、フォトレジスト層１３を除去
して、熱処理により金属電極３’の密着性を向上させ
る。そして、裏面電極６を形成し、ダイシングソー等に
より化合物半導体ウェーハＷを素子化して、図２に示す
ような発光素子２０を得る。
【００１８】発光素子の素子本体部を構成するために、
半導体ウェーハとして上記のような化合物半導体ウェー
ハＷが採用される。ここで、素子本体部に効率的に素子
駆動電圧に基づく電流を導通させるためには、化合物半
導体ウェーハＷとの間で良好な導電性を有する金属電極
３’を形成する必要がある。そのため、化合物半導体ウ
ェーハＷとの間で、良好なオーミックコンタクトが形成
されるＡｕ又はＡｕ合金にて構成される層としてのＡｕ
Ｂｅ層１を、化合物半導体ウェーハＷ上に形成する。一
方、金属電極３’と、例えばＡｌにて構成される通電用
ワイヤとの間でボンディング性を向上させる必要があ
る。そこで、金属電極３’の表面をＡｌ又はＡｌ合金に
て構成される層としてのＡｌ層２にて形成するのがよ
い。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法を適用す
ることが好ましい例としては、半導体ウェーハが化合物
半導体ウェーハＷとされる発光素子を製造する場合であ
り、例えば、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される第一層
（ＡｕＢｅ層１）が、化合物半導体ウェーハＷとの間で
オーミックコンタクトを形成するコンタクト層１であ
り、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成される第二層（Ａｌ層
２）が、通電用ワイヤがボンディングされるボンディン
グパッド層２である場合である。このような場合には、
Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層１と、Ａｌ又はＡｌ
合金にて構成される層２とにより金属電極３’が構成さ
れるので、所望の電極パターンが形成されない場合が多
い。
半導体ウェーハとして上記のような化合物半導体ウェー
ハＷが採用される。ここで、素子本体部に効率的に素子
駆動電圧に基づく電流を導通させるためには、化合物半
導体ウェーハＷとの間で良好な導電性を有する金属電極
３’を形成する必要がある。そのため、化合物半導体ウ
ェーハＷとの間で、良好なオーミックコンタクトが形成
されるＡｕ又はＡｕ合金にて構成される層としてのＡｕ
Ｂｅ層１を、化合物半導体ウェーハＷ上に形成する。一
方、金属電極３’と、例えばＡｌにて構成される通電用
ワイヤとの間でボンディング性を向上させる必要があ
る。そこで、金属電極３’の表面をＡｌ又はＡｌ合金に
て構成される層としてのＡｌ層２にて形成するのがよ
い。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法を適用す
ることが好ましい例としては、半導体ウェーハが化合物
半導体ウェーハＷとされる発光素子を製造する場合であ
り、例えば、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される第一層
（ＡｕＢｅ層１）が、化合物半導体ウェーハＷとの間で
オーミックコンタクトを形成するコンタクト層１であ
り、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成される第二層（Ａｌ層
２）が、通電用ワイヤがボンディングされるボンディン
グパッド層２である場合である。このような場合には、
Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層１と、Ａｌ又はＡｌ
合金にて構成される層２とにより金属電極３’が構成さ
れるので、所望の電極パターンが形成されない場合が多
い。
【００１９】なお、金属電極３’がｐ型電極とされる場
合、コンタクト層１は、本実施の形態のようにＡｕＢｅ
合金にて構成する以外に、ＡｕＺｎ合金にて構成しても
よい。一方、金属電極層３’がｎ型電極とされる場合、
コンタクト層１は、ＡｕＧｅＮｉ合金にて構成されるも
のとできる。また、化合物半導体ウェーハＷとしては、
本実施の形態のようにＧａＡｓにて構成されるものの他
に、ＧａＰ、ＧａＡｓ ｚＰ１−ｚ（ただし、０＜ｚ＜
１）、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ただし、０＜ｘ≦１）等
を例示することができる。
合、コンタクト層１は、本実施の形態のようにＡｕＢｅ
合金にて構成する以外に、ＡｕＺｎ合金にて構成しても
よい。一方、金属電極層３’がｎ型電極とされる場合、
コンタクト層１は、ＡｕＧｅＮｉ合金にて構成されるも
のとできる。また、化合物半導体ウェーハＷとしては、
本実施の形態のようにＧａＡｓにて構成されるものの他
に、ＧａＰ、ＧａＡｓ ｚＰ１−ｚ（ただし、０＜ｚ＜
１）、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ただし、０＜ｘ≦１）等
を例示することができる。
【００２０】図３は、本発明の半導体装置の第二の製造
方法に好適な半導体装置の構成例を示す模式図である。
該半導体装置は発光素子３０である。表面を構成する層
がＡｌＧａＡｓにて構成されるＡｌを含む化合物半導体
ウェーハＷ上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層と
して、ＡｕＢｅ層７及びＡｕ層８がこの順序で積層され
ている。化合物半導体ウェーハＷは、半導体ウェーハで
あり、表面を構成する層にＡｌを含むものである。ま
た、ＡｕＢｅ層７は、化合物半導体ウェーハＷとの間で
良好なオーミックコンタクトを形成する。そのため、コ
ンタクト層７とすることができる。すなわち、本発明の
半導体装置の第二の製造方法を適用することが好ましい
例としては、半導体ウェーハが化合物半導体ウェーハＷ
とされる発光素子を製造する場合であり、例えば、Ａｕ
又はＡｕ合金にて構成される層としてのＡｕＢｅ層７
が、Ａｌを含む化合物半導体ウェーハＷの表面と接する
形で形成され、該化合物半導体ウェーハＷとの間でオー
ミックコンタクトを形成するコンタクト層７である場合
である。このような構成では、コンタクト層１とＡｌを
含む化合物半導体ウェーハの表面が接して形成されるの
で、コンタクト層１をエッチングする際に、Ａｌを含む
化合物半導体ウェーハの表面に面荒れが発生しやすい。
さらに、Ａｕ層８は、例えば、Ａｕにて構成される通電
用ワイヤとのボンディング性を向上させるボンディング
パッド層８とできる。これらＡｕＢｅ層７及びＡｕ層８
により金属電極９’が形成されている。なお、本実施の
形態においては、コンタクト層７は、ＡｕＺｎ合金等の
他のＡｕ合金にて構成してもよい。さらに、ボンディン
グパッド層８はＡｌを主体に構成してもよく、その場
合、通電用ワイヤとしてＡｌにて構成されるものが好適
に採用できる。
方法に好適な半導体装置の構成例を示す模式図である。
該半導体装置は発光素子３０である。表面を構成する層
がＡｌＧａＡｓにて構成されるＡｌを含む化合物半導体
ウェーハＷ上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層と
して、ＡｕＢｅ層７及びＡｕ層８がこの順序で積層され
ている。化合物半導体ウェーハＷは、半導体ウェーハで
あり、表面を構成する層にＡｌを含むものである。ま
た、ＡｕＢｅ層７は、化合物半導体ウェーハＷとの間で
良好なオーミックコンタクトを形成する。そのため、コ
ンタクト層７とすることができる。すなわち、本発明の
半導体装置の第二の製造方法を適用することが好ましい
例としては、半導体ウェーハが化合物半導体ウェーハＷ
とされる発光素子を製造する場合であり、例えば、Ａｕ
又はＡｕ合金にて構成される層としてのＡｕＢｅ層７
が、Ａｌを含む化合物半導体ウェーハＷの表面と接する
形で形成され、該化合物半導体ウェーハＷとの間でオー
ミックコンタクトを形成するコンタクト層７である場合
である。このような構成では、コンタクト層１とＡｌを
含む化合物半導体ウェーハの表面が接して形成されるの
で、コンタクト層１をエッチングする際に、Ａｌを含む
化合物半導体ウェーハの表面に面荒れが発生しやすい。
さらに、Ａｕ層８は、例えば、Ａｕにて構成される通電
用ワイヤとのボンディング性を向上させるボンディング
パッド層８とできる。これらＡｕＢｅ層７及びＡｕ層８
により金属電極９’が形成されている。なお、本実施の
形態においては、コンタクト層７は、ＡｕＺｎ合金等の
他のＡｕ合金にて構成してもよい。さらに、ボンディン
グパッド層８はＡｌを主体に構成してもよく、その場
合、通電用ワイヤとしてＡｌにて構成されるものが好適
に採用できる。
【００２１】このような、半導体装置３０の金属電極
９’を形成する際に、本発明を適用する場合について、
図１を流用して説明する。ボンディングパッド層８及び
コンタクト層７を、公知の製膜法により形成して積層体
９とする（図１（ｂ）及び図１（ｃ））。そして、電極
パターンに対応するフォトレジスト層１３を形成したの
ち（図１（ｄ）及び図１（ｅ））、本発明にかかるエッ
チング液、つまり、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコー
ルとを含む溶液を用いて、ボンディングパッド層８及び
コンタクト層７の不用部分をエッチングして電極パター
ンを形成する（図１（ｆ）及び図１（ｇ））。このと
き、コンタクト層７のエッチング中に、本発明にかかる
エッチング液が、表面を構成する層にＡｌを含む化合物
半導体ウェーハＷの該表面Ｗ１に接触しても、該化合物
半導体ウェーハＷの表面Ｗ１上に面荒れが発生しない。
そして、化合物半導体ウェーハＷを素子化することによ
り、図３の半導体装置３０が得られる。
９’を形成する際に、本発明を適用する場合について、
図１を流用して説明する。ボンディングパッド層８及び
コンタクト層７を、公知の製膜法により形成して積層体
９とする（図１（ｂ）及び図１（ｃ））。そして、電極
パターンに対応するフォトレジスト層１３を形成したの
ち（図１（ｄ）及び図１（ｅ））、本発明にかかるエッ
チング液、つまり、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコー
ルとを含む溶液を用いて、ボンディングパッド層８及び
コンタクト層７の不用部分をエッチングして電極パター
ンを形成する（図１（ｆ）及び図１（ｇ））。このと
き、コンタクト層７のエッチング中に、本発明にかかる
エッチング液が、表面を構成する層にＡｌを含む化合物
半導体ウェーハＷの該表面Ｗ１に接触しても、該化合物
半導体ウェーハＷの表面Ｗ１上に面荒れが発生しない。
そして、化合物半導体ウェーハＷを素子化することによ
り、図３の半導体装置３０が得られる。
【００２２】なお、化合物半導体ウェーハＷの表面は、
ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ただし、０＜ｘ≦１）層あるい
はＡｌｙＧａ１−ｙＰ（ただし、０＜ｙ≦１）層により
構成されるものとできる。このような化合物半導体ウェ
ーハＷは、例えば、発光素子等の素子本体部として広く
使用される。本発明によれば、化合物半導体ウェーハＷ
のＡｌを含む表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成され
る層を含む積層体を電極パターンに形成する際、化合物
半導体ウェーハＷの表面における面荒れを防止できる。
ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ただし、０＜ｘ≦１）層あるい
はＡｌｙＧａ１−ｙＰ（ただし、０＜ｙ≦１）層により
構成されるものとできる。このような化合物半導体ウェ
ーハＷは、例えば、発光素子等の素子本体部として広く
使用される。本発明によれば、化合物半導体ウェーハＷ
のＡｌを含む表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成され
る層を含む積層体を電極パターンに形成する際、化合物
半導体ウェーハＷの表面における面荒れを防止できる。
【００２３】
【実施例】本発明の効果を調べるために、以下の実験を
行った。 （比較例１）厚さ約２００μｍのｎ型ＧａＡｓ単結晶基
板上に、ｎ型及びｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層を、そ
れぞれ５０μｍこの順序で液相成長させ、ＧａＡｓ化合
物半導体ウェーハを得る。その表面上に、コンタクト層
としてのＡｕＢｅ合金薄膜を真空蒸着により５μｍ形成
し、さらにその上に、ボンディングパッド層としてのＡ
ｌ薄膜を真空蒸着により４μｍ形成する。次に、フォト
リソグラフィ技術により電極パターンに対応する形状の
フォトレジスト層を形成して、Ａｌ薄膜を、リン酸、酢
酸及び硝酸を含むリン酸系エッチング液によりエッチン
グする。続いて、ＡｕＢｅ合金薄膜を、ヨウ素ヨウ化カ
リウム水溶液によりエッチングし、電極パターンを形成
する。具体的には、ヨウ素ヨウ化カリウム水溶液は、１
０００ｍｌの水に、２５０ｇのヨウ化カリウム（ＫＩ）
と、３０ｇのヨウ素（Ｉ２）が溶解してなるものを使用
する。ヨウ素ヨウ化カリウム溶液の使用温度は３５℃と
する。また、エッチング時間は１５秒とする。図６は、
ＡｕＢｅ合金にて構成されるコンタクト層をエッチング
した後の、化合物半導体ウェーハの表面観察像である。
図６の通り、ヨウ素ヨウ化カリウム水溶液によるエッチ
ングにより、金属電極の一部が侵食されており、所望の
電極パターンが得られていない。
行った。 （比較例１）厚さ約２００μｍのｎ型ＧａＡｓ単結晶基
板上に、ｎ型及びｐ型ＧａＡｓエピタキシャル層を、そ
れぞれ５０μｍこの順序で液相成長させ、ＧａＡｓ化合
物半導体ウェーハを得る。その表面上に、コンタクト層
としてのＡｕＢｅ合金薄膜を真空蒸着により５μｍ形成
し、さらにその上に、ボンディングパッド層としてのＡ
ｌ薄膜を真空蒸着により４μｍ形成する。次に、フォト
リソグラフィ技術により電極パターンに対応する形状の
フォトレジスト層を形成して、Ａｌ薄膜を、リン酸、酢
酸及び硝酸を含むリン酸系エッチング液によりエッチン
グする。続いて、ＡｕＢｅ合金薄膜を、ヨウ素ヨウ化カ
リウム水溶液によりエッチングし、電極パターンを形成
する。具体的には、ヨウ素ヨウ化カリウム水溶液は、１
０００ｍｌの水に、２５０ｇのヨウ化カリウム（ＫＩ）
と、３０ｇのヨウ素（Ｉ２）が溶解してなるものを使用
する。ヨウ素ヨウ化カリウム溶液の使用温度は３５℃と
する。また、エッチング時間は１５秒とする。図６は、
ＡｕＢｅ合金にて構成されるコンタクト層をエッチング
した後の、化合物半導体ウェーハの表面観察像である。
図６の通り、ヨウ素ヨウ化カリウム水溶液によるエッチ
ングにより、金属電極の一部が侵食されており、所望の
電極パターンが得られていない。
【００２４】（実施例１）比較例１と同様に、ＧａＡｓ
化合物半導体ウェーハを得る。次に、フォトリソグラフ
ィ技術により電極パターンに対応する形状のフォトレジ
スト層を形成して、Ａｌ薄膜を、リン酸、酢酸及び硝酸
を含むリン酸系エッチング液によりエッチングする。続
いて、ＡｕＢｅ合金薄膜を、本発明のエッチング液によ
りエッチングする。該エッチング液は、具体的には、１
００ｍｌの水に６４ｇのヨウ化カリウム（ＫＩ）と１６
ｇのヨウ素（Ｉ２）とが溶解した水溶液に、２４０ｍｌ
のエタノールを加えたものである。エッチング液の使用
温度は３５℃とする。また、エッチング時間は１５秒と
する。図７は、ＡｕＢｅ合金にて構成されるコンタクト
層をエッチングした後の化合物半導体ウェーハの表面観
察像である。図７の通り、本発明の方法によれば、金属
電極が侵食されておらず、所望の電極パターンが形成さ
れている。
化合物半導体ウェーハを得る。次に、フォトリソグラフ
ィ技術により電極パターンに対応する形状のフォトレジ
スト層を形成して、Ａｌ薄膜を、リン酸、酢酸及び硝酸
を含むリン酸系エッチング液によりエッチングする。続
いて、ＡｕＢｅ合金薄膜を、本発明のエッチング液によ
りエッチングする。該エッチング液は、具体的には、１
００ｍｌの水に６４ｇのヨウ化カリウム（ＫＩ）と１６
ｇのヨウ素（Ｉ２）とが溶解した水溶液に、２４０ｍｌ
のエタノールを加えたものである。エッチング液の使用
温度は３５℃とする。また、エッチング時間は１５秒と
する。図７は、ＡｕＢｅ合金にて構成されるコンタクト
層をエッチングした後の化合物半導体ウェーハの表面観
察像である。図７の通り、本発明の方法によれば、金属
電極が侵食されておらず、所望の電極パターンが形成さ
れている。
【００２５】（比較例２）厚さ約２００μｍのｎ型Ｇａ
Ａｓ単結晶基板上に、ｎ型及びｐ型のＡｌＧａＡｓエピ
タキシャル層を、それぞれ５０μｍこの順序で液相成長
させ、化合物半導体ウェーハを得る。その表面上に、Ａ
ｕＢｅ層を真空蒸着により２μｍ形成し、さらにその上
に、Ａｕ層を真空蒸着により２μｍ形成して積層体とす
る。そして、フォトリソグラフィ技術により電極パター
ンに対応する形状のフォトレジスト層を形成して、Ａｕ
層及びＡｕＢｅ層をヨウ素ヨウ化カリウム水溶液により
エッチングする。具体的には、ヨウ素ヨウ化カリウム水
溶液は、１０００ｍｌの水に、２３０ｇのヨウ化カリウ
ム（ＫＩ）と、３０ｇのヨウ素（Ｉ２）を溶解させたも
のである。ヨウ素ヨウ化カリウム水溶液の使用温度は４
０℃とする。また、エッチング時間は９０秒とする。図
８は、ＡｕＢｅ層をエッチング後の化合物半導体ウェー
ハの表面観察像である。図８の通り、エッチングによ
り、化合物半導体ウェーハの表面に面荒れが生じている
ことがわかる。
Ａｓ単結晶基板上に、ｎ型及びｐ型のＡｌＧａＡｓエピ
タキシャル層を、それぞれ５０μｍこの順序で液相成長
させ、化合物半導体ウェーハを得る。その表面上に、Ａ
ｕＢｅ層を真空蒸着により２μｍ形成し、さらにその上
に、Ａｕ層を真空蒸着により２μｍ形成して積層体とす
る。そして、フォトリソグラフィ技術により電極パター
ンに対応する形状のフォトレジスト層を形成して、Ａｕ
層及びＡｕＢｅ層をヨウ素ヨウ化カリウム水溶液により
エッチングする。具体的には、ヨウ素ヨウ化カリウム水
溶液は、１０００ｍｌの水に、２３０ｇのヨウ化カリウ
ム（ＫＩ）と、３０ｇのヨウ素（Ｉ２）を溶解させたも
のである。ヨウ素ヨウ化カリウム水溶液の使用温度は４
０℃とする。また、エッチング時間は９０秒とする。図
８は、ＡｕＢｅ層をエッチング後の化合物半導体ウェー
ハの表面観察像である。図８の通り、エッチングによ
り、化合物半導体ウェーハの表面に面荒れが生じている
ことがわかる。
【００２６】（実施例２）比較例２と同様に、積層体が
形成された化合物半導体ウェーハを得る。そして、フォ
トリソグラフィ技術により電極パターンに対応する形状
のフォトレジスト層を形成して、Ａｕ層及びＡｕＢｅ層
を、本発明のエッチング液によりエッチングする。具体
的には、該エッチング液は、２００ｍｌの水に、３００
ｇのヨウ化カリウム（ＫＩ）と、１３２ｇのヨウ素（Ｉ
２）とが溶解された水溶液に、５０ｍｌのエタノールを
加えたものである。混合溶液の温度は２０℃とする。ま
た、エッチング時間は１２０秒とする。図９は、ＡｕＢ
ｅ層をエッチング後の化合物半導体ウェーハの表面観察
像である。図９の通り、本発明にかかるエッチング液に
よってエッチングすれば、化合物半導体ウェーハのＡｌ
を含む表面に面荒れが生じないことがわかる。
形成された化合物半導体ウェーハを得る。そして、フォ
トリソグラフィ技術により電極パターンに対応する形状
のフォトレジスト層を形成して、Ａｕ層及びＡｕＢｅ層
を、本発明のエッチング液によりエッチングする。具体
的には、該エッチング液は、２００ｍｌの水に、３００
ｇのヨウ化カリウム（ＫＩ）と、１３２ｇのヨウ素（Ｉ
２）とが溶解された水溶液に、５０ｍｌのエタノールを
加えたものである。混合溶液の温度は２０℃とする。ま
た、エッチング時間は１２０秒とする。図９は、ＡｕＢ
ｅ層をエッチング後の化合物半導体ウェーハの表面観察
像である。図９の通り、本発明にかかるエッチング液に
よってエッチングすれば、化合物半導体ウェーハのＡｌ
を含む表面に面荒れが生じないことがわかる。
【００２７】以上のように、本発明の方法によれば、金
属電極の電極パターン形成に伴うエッチングに、本発明
にかかるエッチング液を使用することで、Ａｌ又はＡｌ
合金を侵食せずに、所望の形状の電極パターンが形成で
きるとともに、半導体ウェーハのＡｌを含む表面におけ
る面荒れを防止することができる。
属電極の電極パターン形成に伴うエッチングに、本発明
にかかるエッチング液を使用することで、Ａｌ又はＡｌ
合金を侵食せずに、所望の形状の電極パターンが形成で
きるとともに、半導体ウェーハのＡｌを含む表面におけ
る面荒れを防止することができる。
【図１】半導体装置の製造方法を説明する図。
【図２】半導体装置の一例を示す図。
【図３】半導体装置の一例を示す図。
【図４】金属電極の作成方法を簡単に説明する図。
【図５】従来の金属電極の作成方法における問題点を示
す図。
す図。
【図６】比較例１における半導体ウェーハ表面の観察
像。
像。
【図７】実施例１における半導体ウェーハ表面の観察
像。
像。
【図８】比較例２における半導体ウェーハ表面の観察
像。
像。
【図９】実施例２における半導体ウェーハ表面の観察
像。
像。
１ ＡｕＢｅ層（コンタクト層、第一層）
２ Ａｌ層（ボンディングパッド層、第二層）
３、９、１０ 積層体
３’、９’、１０’ 金属電極
７ ＡｕＢｅ層（コンタクト層、Ａｕ又はＡｕ合金にて
構成される層） １３ フォトレジスト層 Ｗ 半導体ウェーハ（化合物半導体ウェーハ）
構成される層） １３ フォトレジスト層 Ｗ 半導体ウェーハ（化合物半導体ウェーハ）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｅ
(72)発明者 山田 雅人
群馬県安中市磯部二丁目13番１号 信越半
導体株式会社磯部工場内
Ｆターム(参考） 4K057 WA13 WB01 WB05 WE01 WE30
4M104 AA04 BB09 BB11 CC01 DD64
FF13 GG04
5F041 CA34 CA36 CA74 CA85 CA87
CA92 CA98
5F043 AA24 AA25 BB16 BB17 GG02
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体装置の電極パターンの形成に用い
られるエッチング液であって、ヨウ素とヨウ化カリウム
とアルコールとを含む溶液であることを特徴とするエッ
チング液。 - 【請求項２】 前記アルコールは、メタノール及びエタ
ノールのうち少なくともいずれかであることを特徴とす
る請求項１に記載のエッチング液。 - 【請求項３】 Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される第一層
と、Ａｌ又はＡｌ合金にて構成される第二層とを含む積
層体を、電極パターンに形成する際、前記第一層を、ヨ
ウ素とヨウ化カリウムとアルコールとを含む溶液により
エッチングすることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項４】 表面を構成する層がＡｌを含む半導体ウ
ェーハの該表面上に形成され、Ａｕ又はＡｕ合金にて構
成される層を含む積層体を、電極パターンに形成する
際、前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層を、ヨウ素
とヨウ化カリウムとアルコールとを含む溶液によりエッ
チングすることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項５】 前記アルコールは、メタノール及びエタ
ノールのうち少なくともいずれかであることを特徴とす
る請求項３又は４に記載のエッチング方法。 - 【請求項６】 半導体ウェーハの表面上に、Ａｕ又はＡ
ｕ合金にて構成される第一層と、Ａｌ又はＡｌ合金にて
構成される第二層とを有する積層体を形成する工程と、 前記第二層にエッチング液が接触する状態で、前記第一
層を該エッチング液によりエッチングして、前記積層体
を電極パターンに形成する工程とを含む半導体装置の製
造方法であって、 前記エッチング液として、ヨウ素とヨウ化カリウムとア
ルコールとを含む溶液を用いることを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記第二層をリン酸系エッチング液によ
りエッチングすることを特徴とする請求項６に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記半導体ウェーハが化合物半導体ウェ
ーハとされる発光素子の製造方法であり、 前記第一層は、前記化合物半導体ウェーハとの間でオー
ミックコンタクトを形成するコンタクト層であり、前記
第二層は、通電用ワイヤがボンディングされるボンディ
ングパッド層であることを特徴とする請求項６又は７に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 表面を構成する層がＡｌを含む半導体ウ
ェーハの該表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される
層を含む積層体を形成する工程と、 前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層をエッチング液
によりエッチングして、前記積層体を電極パターンに形
成する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、 前記エッチング液として、ヨウ素とヨウ化カリウムとア
ルコールとを含む溶液を用いることを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記半導体ウェーハの表面は、Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘＡｓ（ただし、０＜ｘ≦１）層あるいはＡｌ
ｙＧａ１−ｙＰ（ただし、０＜ｙ≦１）層により構成さ
れていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１１】 前記半導体ウェーハが化合物半導体ウ
ェーハとされる発光素子の製造方法であり、 前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層は、前記化合物
半導体ウェーハの表面と接する形で形成され、該化合物
半導体ウェーハとの間でオーミックコンタクトを形成す
るコンタクト層であることを特徴とする請求項９又は１
０に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記アルコールは、メタノール及びエ
タノールのうち少なくともいずれかであることを特徴と
する請求項６ないし１１のいずれか１項に記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002022500A JP2003224116A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | エッチング液、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002022500A JP2003224116A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | エッチング液、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003224116A true JP2003224116A (ja) | 2003-08-08 |
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ID=27745473
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|---|---|---|---|
| JP2002022500A Pending JP2003224116A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | エッチング液、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003224116A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002330968A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超音波診断装置及び画像処理装置 |
| JP2006291341A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Kanto Chem Co Inc | 金属選択性エッチング液 |
| JP2008130799A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Sharp Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| JP2008235729A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Fupo Electronics Corp | Ｌｅｄエピウエハに用いるランドパッドの製造工程及び構造 |
| JP2012204687A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 湿式エッチング方法 |
| KR101777909B1 (ko) | 2015-04-27 | 2017-09-13 | 길기환 | 액의 수명을 연장시키는 금 박막 식각액 조성물 |
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