JP3191822B2 - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JP3191822B2 JP3191822B2 JP01760692A JP1760692A JP3191822B2 JP 3191822 B2 JP3191822 B2 JP 3191822B2 JP 01760692 A JP01760692 A JP 01760692A JP 1760692 A JP1760692 A JP 1760692A JP 3191822 B2 JP3191822 B2 JP 3191822B2
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- JP
- Japan
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- light receiving
- photodiode chip
- optical fiber
- light
- receiving device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信システムの受信
装置等に用いられる半導体受光装置に関するものであ
る。
装置等に用いられる半導体受光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバーを用いる光通信のための半
導体受光装置は、たとえば図３のようにフォトダイオー
ドッチップ１がヘッダー２上にマウントされ、リード３
を通じて外部に光電流を取り出すことにより光信号を電
気信号に変換している。キャップ４は透光性の窓５を有
しており、フォトダイオードチップを気密シールするた
めに用いられる。ここで、ハウジング８にフェルール７
を介して挿通された光ファイバー６からの光を効率よく
フォトダイオードチップ１に照射するために、集光レン
ズ９が用いられている。図３のような形状をコアキシャ
ルタイプと呼ぶ。
導体受光装置は、たとえば図３のようにフォトダイオー
ドッチップ１がヘッダー２上にマウントされ、リード３
を通じて外部に光電流を取り出すことにより光信号を電
気信号に変換している。キャップ４は透光性の窓５を有
しており、フォトダイオードチップを気密シールするた
めに用いられる。ここで、ハウジング８にフェルール７
を介して挿通された光ファイバー６からの光を効率よく
フォトダイオードチップ１に照射するために、集光レン
ズ９が用いられている。図３のような形状をコアキシャ
ルタイプと呼ぶ。
【０００３】図４の装置は、バタフライタイプと呼ばれ
るもので、ハウジング８が短形となっている。基本的に
は、図３と機能は同じであるが、ハウジング８の中にＩ
Ｃ（集積回路）チップなどを配置し、フォトダイオード
チップ１からの光電流信号をある程度増幅してから、外
部に取り出すような使い方もできる。
るもので、ハウジング８が短形となっている。基本的に
は、図３と機能は同じであるが、ハウジング８の中にＩ
Ｃ（集積回路）チップなどを配置し、フォトダイオード
チップ１からの光電流信号をある程度増幅してから、外
部に取り出すような使い方もできる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のこの種の装置
は、光ファイバーとしてシングルモードファイバーまた
はマルチモードファイバーを用いている。そのコア径は
たとえば１．３μｍ帯の光では、シングルモードファイ
バーで約１０μｍ、マルチモードファイバーで約５０μ
ｍである。光ファイバーの端面から出射される光は、そ
の光ファイバーのコアとクラッドの屈折率差に応じた角
度で空間に広がっていく。従って、この広がっていく光
を効率良くフォトダイオードの受光面に集光するため
に、レンズ９を用いる。特に、高速用の１００μｍ以下
の小受光径のフォトダイオードチップを用いるときは、
より集光特性の良い非球面レンズもしくは、セルフォッ
クレンズを用いることがよく行われ、高価な部品を使わ
ざるを得ないという状況にある。
は、光ファイバーとしてシングルモードファイバーまた
はマルチモードファイバーを用いている。そのコア径は
たとえば１．３μｍ帯の光では、シングルモードファイ
バーで約１０μｍ、マルチモードファイバーで約５０μ
ｍである。光ファイバーの端面から出射される光は、そ
の光ファイバーのコアとクラッドの屈折率差に応じた角
度で空間に広がっていく。従って、この広がっていく光
を効率良くフォトダイオードの受光面に集光するため
に、レンズ９を用いる。特に、高速用の１００μｍ以下
の小受光径のフォトダイオードチップを用いるときは、
より集光特性の良い非球面レンズもしくは、セルフォッ
クレンズを用いることがよく行われ、高価な部品を使わ
ざるを得ないという状況にある。
【０００５】また、たとえこれらのレンズを用いたとし
ても、光ファイバーとの調芯には非常に高い精度を要求
される。特に図３に示すＢ部分の固定時には、感度のば
らつきを±０．５ｄＢ以内に収めるには、±１５μｍ程
度の位置精度を必要とする。この種の部品の固定には、
ＹＡＧレーザによるスポット溶接が最もよく用いられる
が、それでも位置ずれが生じ、歩留りは７０〜８０％と
低い。また、１回の調芯に２０〜３０分の長時間を要し
ている。
ても、光ファイバーとの調芯には非常に高い精度を要求
される。特に図３に示すＢ部分の固定時には、感度のば
らつきを±０．５ｄＢ以内に収めるには、±１５μｍ程
度の位置精度を必要とする。この種の部品の固定には、
ＹＡＧレーザによるスポット溶接が最もよく用いられる
が、それでも位置ずれが生じ、歩留りは７０〜８０％と
低い。また、１回の調芯に２０〜３０分の長時間を要し
ている。
【０００６】特に問題となるは、集光された光ビームが
フォトダイオードチップのｐｎ接合の受光領域外に当た
った場合である。図５にその様子を示す。ファトダイオ
ードチップ１については、半導体基板１１上にエピタキ
シャル成長層１２が形成され、金属元素の拡散によって
層１２とは逆の極性の拡散領域１３が形成される。層１
２と領域１３との境界部分がｐｎ接合といわれ、この部
分に照射された光が主に光電流に寄与する。光電流は電
極１４、１５を通じて、外部に信号として取り出され
る。
フォトダイオードチップのｐｎ接合の受光領域外に当た
った場合である。図５にその様子を示す。ファトダイオ
ードチップ１については、半導体基板１１上にエピタキ
シャル成長層１２が形成され、金属元素の拡散によって
層１２とは逆の極性の拡散領域１３が形成される。層１
２と領域１３との境界部分がｐｎ接合といわれ、この部
分に照射された光が主に光電流に寄与する。光電流は電
極１４、１５を通じて、外部に信号として取り出され
る。
【０００７】ここで、符号１６は光ファバー６のコア６
´より放射された光ビームの広がりを示すものである。
このビームのうち領域１３およびそのごく近傍（たとえ
ば３〜５μｍ）で吸収された光は、ｐｎ接合に印加され
た電界によって高速に、かつ効率よく光電流に寄与する
が、それより外側では、電界が印加されていないので吸
収された光は非常に応答速度の遅い光電流を発生してし
まう。そうすると、アナログ信号光の再生においては、
位相のずれた信号となり歪みレベルが高くなってしま
い、再生画像にノイズが入る問題がある。また、デジタ
ル信号光の再生においては、パルス波形の歪みが出て
（特に矩形パルスの立ち下がり部分がμｓｅｃの尾をひ
く）、高速に通信ができないという問題が生じる。この
ような弊害がないよう、高級、高価な光学系で光ファイ
バーからの光をフォトダイオードチップに集光している
のが現状である。
´より放射された光ビームの広がりを示すものである。
このビームのうち領域１３およびそのごく近傍（たとえ
ば３〜５μｍ）で吸収された光は、ｐｎ接合に印加され
た電界によって高速に、かつ効率よく光電流に寄与する
が、それより外側では、電界が印加されていないので吸
収された光は非常に応答速度の遅い光電流を発生してし
まう。そうすると、アナログ信号光の再生においては、
位相のずれた信号となり歪みレベルが高くなってしま
い、再生画像にノイズが入る問題がある。また、デジタ
ル信号光の再生においては、パルス波形の歪みが出て
（特に矩形パルスの立ち下がり部分がμｓｅｃの尾をひ
く）、高速に通信ができないという問題が生じる。この
ような弊害がないよう、高級、高価な光学系で光ファイ
バーからの光をフォトダイオードチップに集光している
のが現状である。
【０００８】半導体受光装置は光通信に必須のものであ
るにもかかわらず、このような困難性を有し、高価であ
ることが光通信システムの急速な普及を阻害している。
本発明は、かかる問題点を解決することを課題としてい
る。
るにもかかわらず、このような困難性を有し、高価であ
ることが光通信システムの急速な普及を阻害している。
本発明は、かかる問題点を解決することを課題としてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、フォトダイオ
ードチップがマウントされたヘッダーに、光ファイバー
が挿通されたハウジングが固定されることにより一体構
造とされ、フォトダイオードチップの受光面が光ファイ
バーの光出射端面と対向するように配置された半導体受
光装置において、フォトダイオードチップは光電流を検
出信号として出力するためのｐｎ接合領域を受光面に有
すると共に、ｐｎ接合領域の周囲で生成されるキャリア
を捕獲する領域を有し、光ファイバーの出射光はレンズ
光学系を介することなく直ちに受光面に入射されている
ことを特徴とする。
ードチップがマウントされたヘッダーに、光ファイバー
が挿通されたハウジングが固定されることにより一体構
造とされ、フォトダイオードチップの受光面が光ファイ
バーの光出射端面と対向するように配置された半導体受
光装置において、フォトダイオードチップは光電流を検
出信号として出力するためのｐｎ接合領域を受光面に有
すると共に、ｐｎ接合領域の周囲で生成されるキャリア
を捕獲する領域を有し、光ファイバーの出射光はレンズ
光学系を介することなく直ちに受光面に入射されている
ことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の構造によれば、フォトダイオードチッ
プには無効とすべきキャリアの捕獲構造が設けられてい
るため、レンズ光学系を介在させることなく光ファイバ
からの信号光をフォトダイオードチップに入射しても、
信号の歪みなどを生じることがない。
プには無効とすべきキャリアの捕獲構造が設けられてい
るため、レンズ光学系を介在させることなく光ファイバ
からの信号光をフォトダイオードチップに入射しても、
信号の歪みなどを生じることがない。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面の図１，図２を参照して本発
明の一実施例を説明する。
明の一実施例を説明する。
【００１２】図１は要部を破砕断面にて示した半導体受
光装置の側面図であり、図２は要部の拡大図である。図
示のように、従来と異なる点は、フォトダイオードチッ
プ１として、受光領域であるｐｎ接合の外部に入射した
光によって発生した光電流を無効にする構造を有するタ
イプ（電荷捕獲型フォトダイオードチップと呼ぶ）を用
い、かつ、レンズ光学系を介在させることなく、このフ
ォトダイオードチップ１に光ファイバー６を接近させて
所望の感度を得るようにしたことである。
光装置の側面図であり、図２は要部の拡大図である。図
示のように、従来と異なる点は、フォトダイオードチッ
プ１として、受光領域であるｐｎ接合の外部に入射した
光によって発生した光電流を無効にする構造を有するタ
イプ（電荷捕獲型フォトダイオードチップと呼ぶ）を用
い、かつ、レンズ光学系を介在させることなく、このフ
ォトダイオードチップ１に光ファイバー６を接近させて
所望の感度を得るようにしたことである。
【００１３】図１のように、ヘッダー２にはフォトダイ
オードチップ１がマウントされ、これにハウジング８が
一体化されている。そして、ハウジング８にはフェルー
ル７によって光ファイバー６が挿通され、光ファイバー
６の光出射端面とフォトダイオードチップ１の受光面
が、光学レンズなどを介することなく対向している。
オードチップ１がマウントされ、これにハウジング８が
一体化されている。そして、ハウジング８にはフェルー
ル７によって光ファイバー６が挿通され、光ファイバー
６の光出射端面とフォトダイオードチップ１の受光面
が、光学レンズなどを介することなく対向している。
【００１４】このような、本発明の実施例に係る半導体
受光装置に用いることの出来るフォトダイオードチップ
１として、受光領域であるｐｎ接合の外部に入射した光
によって発生した光電流を無効にする構造を有する（電
荷捕獲型フォトダイオードチップ）を用いる事ができ、
図２にその一例を示す。この構造では、エピタキシャル
層１２に領域１３と同じ極性を持った領域１７を金属元
素の熱拡散によって形成する。領域１７で発生した光キ
ャリアーは領域１３の方には流れず、エピタキシャル層
１２と領域１７との間にあるｐｎ接合付近または、その
チップ端面に露出したｐｎ接合部で消滅してしまう。具
体的には、本出願人による特願平２−２３０２０６号に
その詳細が示されている。
受光装置に用いることの出来るフォトダイオードチップ
１として、受光領域であるｐｎ接合の外部に入射した光
によって発生した光電流を無効にする構造を有する（電
荷捕獲型フォトダイオードチップ）を用いる事ができ、
図２にその一例を示す。この構造では、エピタキシャル
層１２に領域１３と同じ極性を持った領域１７を金属元
素の熱拡散によって形成する。領域１７で発生した光キ
ャリアーは領域１３の方には流れず、エピタキシャル層
１２と領域１７との間にあるｐｎ接合付近または、その
チップ端面に露出したｐｎ接合部で消滅してしまう。具
体的には、本出願人による特願平２−２３０２０６号に
その詳細が示されている。
【００１５】このような改良されたフォトダイオードチ
ップを用いると、光ビームが広がった状態でも、何ら特
性に影響を与えないので、高価なレンズを用いる必要も
なく、また光ファイバーとの微妙な調芯も必要でなくな
り、非常に簡単に、安価な半導体受光装置が得られる。
ップを用いると、光ビームが広がった状態でも、何ら特
性に影響を与えないので、高価なレンズを用いる必要も
なく、また光ファイバーとの微妙な調芯も必要でなくな
り、非常に簡単に、安価な半導体受光装置が得られる。
【００１６】図１の構成で、長波長帯（１．１μｍ〜
１．６μｍ）の光通信に使用される半導体受光装置の実
施例を述べる。フォトダイオードチップ１としては、Ｉ
ｎＰを基板とし、ＩｎＧａＡｓのエピタキシャル層にＺ
ｎ拡散により１００μｍの受光領域のｐｎ接合を形成
し、さらに同じ方法で電荷捕獲領域を形成した電荷捕獲
型フォトダイオードチップを用いる。もちろん、このチ
ップ１には、ＳｉＮ膜による接合部分のパッシベーショ
ン、及び受光部分及び電荷捕獲領域の全面に反射防止膜
がそれぞれ形成されている。このチップ１をコバール製
のヘッダー２にＡｕＳｎを用いてボンディングし、３０
μｍの金線でリード３との電気的導通を取る。
１．６μｍ）の光通信に使用される半導体受光装置の実
施例を述べる。フォトダイオードチップ１としては、Ｉ
ｎＰを基板とし、ＩｎＧａＡｓのエピタキシャル層にＺ
ｎ拡散により１００μｍの受光領域のｐｎ接合を形成
し、さらに同じ方法で電荷捕獲領域を形成した電荷捕獲
型フォトダイオードチップを用いる。もちろん、このチ
ップ１には、ＳｉＮ膜による接合部分のパッシベーショ
ン、及び受光部分及び電荷捕獲領域の全面に反射防止膜
がそれぞれ形成されている。このチップ１をコバール製
のヘッダー２にＡｕＳｎを用いてボンディングし、３０
μｍの金線でリード３との電気的導通を取る。
【００１７】次に、戻り光を防止するために、端面を８
度に斜めカットしたシングルモードファイバー６をフェ
ルール７に固定し、これをステンレス製のハウジング８
に固定したものを用意する。この時のフェルール７の固
定位置は、チップ１の受光面積に応じて、フォトダイオ
ードチップ１の受光面とファイバー６先端との距離を幾
何光学を用いて計算した値に固定する。
度に斜めカットしたシングルモードファイバー６をフェ
ルール７に固定し、これをステンレス製のハウジング８
に固定したものを用意する。この時のフェルール７の固
定位置は、チップ１の受光面積に応じて、フォトダイオ
ードチップ１の受光面とファイバー６先端との距離を幾
何光学を用いて計算した値に固定する。
【００１８】次に光ファイバー６より１．３μｍのレー
ザ光をチップ１に照射し、光電流をモニターしながら、
ＹＡＧレーザ溶接機を用いて、図中のＡの部分で固定す
る。レンズがないため、短時間（２〜３分）で調芯、溶
接でき、しかも、全体の９５％が０．８Ａ／Ｗの高い感
度特性を示す。
ザ光をチップ１に照射し、光電流をモニターしながら、
ＹＡＧレーザ溶接機を用いて、図中のＡの部分で固定す
る。レンズがないため、短時間（２〜３分）で調芯、溶
接でき、しかも、全体の９５％が０．８Ａ／Ｗの高い感
度特性を示す。
【００１９】この半導体受光装置を用いて、デジタル通
信で１２５Ｍｂｐｓの光信号を受信しても、波形の歪み
や、時間的に波形の立ち上がりや立ち下がり部分がふら
つくジッターのような現象は全く観察されない。また、
４０チャンネルのアナログ画像伝送装置の受光部分にこ
の半導体受光装置を用いても、感度として０．８Ａ／Ｗ
は全く十分であり、かつ今まで高感度でもわずかの漏れ
光のため、位相のずれた信号で画面にちらつきが出てい
たものが、この半導体受光装置の採用により全く見られ
なくなる。さらに反射防止を施された電荷捕獲領域で、
不要な光をすべて吸収するため、光通信のノイズとなる
反射光や散乱光を生じない。
信で１２５Ｍｂｐｓの光信号を受信しても、波形の歪み
や、時間的に波形の立ち上がりや立ち下がり部分がふら
つくジッターのような現象は全く観察されない。また、
４０チャンネルのアナログ画像伝送装置の受光部分にこ
の半導体受光装置を用いても、感度として０．８Ａ／Ｗ
は全く十分であり、かつ今まで高感度でもわずかの漏れ
光のため、位相のずれた信号で画面にちらつきが出てい
たものが、この半導体受光装置の採用により全く見られ
なくなる。さらに反射防止を施された電荷捕獲領域で、
不要な光をすべて吸収するため、光通信のノイズとなる
反射光や散乱光を生じない。
【００２０】このように短時間で光ファバーとの実装が
できコストが下げられることや、多くの用途において波
形のふらつきや、ノイズがなくなることのため、本発明
の半導体受光装置は、今まで高価なために幅広い実用化
が遅れていた光による通信を一気に加速するものであ
る。また、本発明の他の実施例として、バタフライタイ
プのハウジングに適用しても同様の効果が得られる。
できコストが下げられることや、多くの用途において波
形のふらつきや、ノイズがなくなることのため、本発明
の半導体受光装置は、今まで高価なために幅広い実用化
が遅れていた光による通信を一気に加速するものであ
る。また、本発明の他の実施例として、バタフライタイ
プのハウジングに適用しても同様の効果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上の通り本発明では、フォトダイオー
ドチップには無効とすべきキャリアの捕獲構造が設けら
れているため、レンズ光学系を介在させることなく光フ
ァイバからの信号光をフォトダイオードチップに入射し
ても、信号の歪みなどを生じることがない。このよう
に、高価なレンズを用いない安価な半導体受光装置を構
成するものであるとともに、アナログ信号光の再生には
位相にずれた信号となり歪みレベルが高くなってしまう
とか、デジタル信号ではパルス波形の歪みが出て、高速
の通信ができないというような、従来の問題点を解決し
た半導体受光装置を供給することが可能となるものであ
る。
ドチップには無効とすべきキャリアの捕獲構造が設けら
れているため、レンズ光学系を介在させることなく光フ
ァイバからの信号光をフォトダイオードチップに入射し
ても、信号の歪みなどを生じることがない。このよう
に、高価なレンズを用いない安価な半導体受光装置を構
成するものであるとともに、アナログ信号光の再生には
位相にずれた信号となり歪みレベルが高くなってしまう
とか、デジタル信号ではパルス波形の歪みが出て、高速
の通信ができないというような、従来の問題点を解決し
た半導体受光装置を供給することが可能となるものであ
る。
【図１】実施例に係る半導体受光装置の全体構成を示す
図である。
図である。
【図２】実施例の要部に係るフォトダイオードチップと
光ファイバーの関係を示す図である。
光ファイバーの関係を示す図である。
【図３】従来例の全体構成図である。
【図４】従来例の全体構成図である。
【図５】従来例におけるフォトダイオードチップと光フ
ァイバーの関係図である。
ァイバーの関係図である。
１…フォトダイオードチップ、２…ヘッダー、３…リー
ド、４…キャップ、５…窓、６…光ファイバー、６´…
コア、７…フェルール、８…ハウジング、９…集光レン
ズ、１１…半導体基板、１２…エピタキシャル成長層、
１３…拡散領域、１４，１５…電極、１７…拡散領域。
ド、４…キャップ、５…窓、６…光ファイバー、６´…
コア、７…フェルール、８…ハウジング、９…集光レン
ズ、１１…半導体基板、１２…エピタキシャル成長層、
１３…拡散領域、１４，１５…電極、１７…拡散領域。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−224268（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−186050（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 31/00 - 31/20 G01J 1/02
Claims (1)
- 【請求項１】 フォトダイオードチップがマウントされ
たヘッダーに、光ファイバーが挿通されたハウジングが
固定されることにより一体構造とされ、前記フォトダイ
オードチップの受光面が前記光ファイバーの光出射端面
と対向するように配置された半導体受光装置において、 前記フォトダイオードチップは光電流を検出信号として
出力するためのｐｎ接合領域を前記受光面に有すると共
に、前記ｐｎ接合領域の周囲で生成されるキャリアを捕
獲する領域を有し、 前記光ファイバの出射光はレンズ光学系を介することな
く直ちに前記受光面に入射されていることを特徴とする
半導体受光装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01760692A JP3191822B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 半導体受光装置 |
| CA002088612A CA2088612C (en) | 1992-02-03 | 1993-02-02 | Semiconductor light detecting device |
| KR1019930001426A KR970005215B1 (ko) | 1992-02-03 | 1993-02-03 | 반도체수광장치 |
| EP93101639A EP0554849B1 (en) | 1992-02-03 | 1993-02-03 | Semiconductor light detecting device |
| DE69328579T DE69328579T2 (de) | 1992-02-03 | 1993-02-03 | Halbleiter-Lichtdetektorvorrichtung |
| DK93101639T DK0554849T3 (da) | 1992-02-03 | 1993-02-03 | Halvlederlysdetekteringsindretning |
| US08/159,577 US5412229A (en) | 1990-08-31 | 1993-12-01 | Semiconductor light detecting device making use of a photodiode chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01760692A JP3191822B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 半導体受光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218462A JPH05218462A (ja) | 1993-08-27 |
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