JP3190632B2 - 放射検出器を備えた光学装置 - Google Patents

放射検出器を備えた光学装置

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JP3190632B2 JP34840898A JP34840898A JP3190632B2 JP 3190632 B2 JP3190632 B2 JP 3190632B2 JP 34840898 A JP34840898 A JP 34840898A JP 34840898 A JP34840898 A JP 34840898A JP 3190632 B2 JP3190632 B2 JP 3190632B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも２つの
放射源から発せられた電磁放射を測定する少なくとも１
つの放射検出器を備えた光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この形式の装置はたとえば、半導体チッ
プを製造するための半導体基板熱処理用高速加熱炉との
関連で知られている。パラメータや特性たとえば温度、
放射率、反射率、透過率、および／または熱処理中に半
導体基板上に形成される層の特性や厚さを測定できるよ
うにする目的で、半導体基板から発する放射と、半導体
基板を加熱するために設けられた放射源から発する放射
とが求められる。そしてこれら両方の測定された放射値
を比較することで、半導体基板から発した放射と反射し
た放射とを区別できるようになる。この種の装置や方法
は、たとえばアメリカ合衆国特許 US 5 490 728 から公
知であり、これによれば個々の放射および殊に放射源か
ら送出される放射も放射検出器へ案内するために、光導
体が用いられる。しかし、この光導体の入射開口部は大
きくてはっきりしない開口角を有しており、その結果、
バックグラウンド放射もかなり多く取り込んで、それら
が放射検出器へ投射されることになる。このことから測
定値は、放射源から発した本来の放射に関してそもそも
僅かにしか表さず、特定の意味をもつものではない。
【０００３】また、ドイツ連邦共和国特許出願 DE 93 1
2 231 から、紫外線放射を測定する装置が公知である。
これによれば、放射源から発した紫外線放射を測定する
ため、開口部を備えた円筒状ケーシング内にホトダイオ
ードが設けられている。その際、開口部は部分的に、放
射チャネルを成す測定絞りにより閉鎖されている。
【０００４】さらに、ドイツ連邦共和国特許出願 DE 31
29 065 を参照すると、流動媒体を光電的に監視するた
めの装置が設けられており、その際、光源ならびにその
光源と対置された直接光受光器が設けられており、この
受光器は光チャネルを備えた受光バス内に配置されてい
る。また、ドイツ連邦共和国特許出願 DE 39 08 627に
よれば多素子赤外線検出器が知られており、これによれ
ば各検出素子の前に、１つのチャネルプレート内に形成
された複数の光案内チャネルの形態で光導体が配置され
ており、それらの寸法はレーダビームの減衰を生じさせ
るものである。さらにこの場合、チャネルプレートの前
に絞りプレートが配置されており、このプレートは光案
内チャネルと位置合わせられた絞り開口部を有してお
り、それには反射性内面が設けられている。さらにフラ
ンス国特許出願 FR 2 707 005 には半円状のホト検出器
アレイが開示されており、これによれば１つの半円状の
支持体に光案内チャネルが配置されており、それらの端
部にそれぞれ１つのホト検出器が設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、光学
的放射測定装置において、放射源から発せられた電磁放
射を簡単な手段できわめて精確に求めることができるよ
う構成することである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明によればこの課
題は、放射源と各放射源に共通の放射検出器との間の放
射経路のために、１つのチャネル部材内に別個に形成さ
れた複数の放射チャネルが設けられており、該複数の放
射チャネルの放射源側開口部にじかに、それぞれ測定す
べき放射源が配置されていることにより解決される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明によれば、放射チャネルは
放射源に向けてきわめて精密に配向可能であるため、測
定結果を誤らせることになるバックグラウンド放射の成
分はまったくあるいはごく僅かしか放射検出器に投射し
ない。このことにより、放射源から発した電磁放射のパ
ラメータ、特性ならびに強度を著しく精確にかつ高い信
頼性で求めることができる。
【０００８】本発明の１つの格別有利な実施形態によれ
ば放射チャネルは、放射源の形状に対応する横断面の形
状を有している。チャネル横断面のこのような形状なら
びに寸法により、放射チャネルを放射源に対し精確に整
合させることができるようになり、その結果、放射源の
形状とは無関係にバックグラウンド放射を高い信頼性を
伴って排除できる。
【０００９】殊に有利であるのは、放射源が基準位置か
ら逸脱しても放射検出器へ向かって放射を通過させるこ
とのできるような横断面形状を放射チャネルがもつよう
構成することである。チャネルのこのような成形によっ
て、たとえば加熱プロセス中の振動や調整の狂いまたは
変形により生じる放射源たとえばランプフィラメントの
機械的な変動や位置偏移によっても、信号変動が引き起
こされないようになり、さもなくばこのことは測定結果
ならびに評価に悪影響を及ぼすおそれがある。
【００１０】また、放射チャネルまたは放射チャネルの
少なくとも１つの壁が構造化されていると殊に有利であ
り、たとえば波形、うねりあるいは非均等な壁構造を有
すると殊に有利である。このようにすると、放射チャネ
ル軸に対し平行には入射しない放射つまり放射源からの
ものでない放射が、反射したところで放射検出器まで導
かれることはなく吸収されることになる。したがって構
造化されたチャネル壁によって付加的に、望ましくない
あいまいなバックグラウンド放射や漂遊光が放射検出器
に投射しなくなり、それらによって測定結果を誤らせる
ことがなくなる。
【００１１】また、本発明の１つの実施形態によれば放
射チャネルは、放射チャネルの横断面積を変更可能な少
なくとも１つの装置を有している。チャネルの横断面積
を変えることにより、放射源から送出される放射が放射
検出器に投射する際の強度を調整することができる。そ
してこのことがきわめて有利になるのは、本発明の別の
実施形態の場合のように複数の照射源が設けられている
構成において、個々のランプが放射検出器に投射する放
射の相互間の割合を、個々のチャネルの横断面積を変え
ることで調整できるようにする場合である。チャネルの
横断面積ひいては放射検出器に投射する放射強度を変え
るためのきわめて簡単な装置は、放射方向を横切る方向
で放射チャネルにねじ込むことのできるねじである。し
かしこの場合、可変絞りも利用できる。
【００１２】半導体基板熱処理用のいくつかの高速加熱
システムの場合、特定の部材たとえば反応室を冷却する
目的で、各放射源の間に冷却空気が吹き込まれる。しか
しこの冷却空気は放射チャネルと個々の放射源との間で
乱流を生じさせ、このことによって強度変動が生じてし
まう。このような強度変動を避けるため、チャネル部材
は放射チャネルとともに放射源まで延びている。
【００１３】有利な実施形態によれば放射チャネルは、
放射チャネルの少なくとも１つの出口開口部と対応する
放射源との間で放射チャネルを延長する少なくとも１つ
の透光性の中間部材によって延長され、この場合、チャ
ネル部材を放射源のすぐ手前まで近づけて案内する必要
がない。有利にはこの目的で、複数の放射チャネルを延
長する１つの共通の中間部材が設けられる。本発明の１
つの実施形態によれば、延長部として石英のバーまたは
サファイアのバーが用いられ、その際、内壁における反
射はできるかぎり抑圧され、このことで放射源からダイ
レクトに到来する光だけが検出器に投射されるようにな
る。
【００１４】本発明の格別有利な実施形態によれば既述
のように複数の放射源が配置されていて、チャネル部材
は各放射源ごとに共通の放射検出器へ向かって延在する
別個の放射チャネルを有している。これにより、個々の
放射源の放射はバックグラウンド放射や干渉の排除を伴
って高い信頼性で確実に共通の放射検出器へ導かれ、こ
のことで測定精度を高めることができる。放射源がたと
えば個別ランプであって、それらがたとえば半導体基板
熱処理用の高速加熱装置の場合のようにランプバンクの
形態で一列に並置されているならば、チャネル部材にお
いて各ランプと共通の放射源との間にチャネルが扇状に
形成される。
【００１５】ランプは実質的に一列に配置されているの
で、本発明のさらに別の実施形態によれば、放射チャネ
ルにおいて放射検出器の側の端部と放射検出器との間に
シリンダレンズが配置されており、このレンズにより扇
状に放射検出器へ向かう個々の放射源の放射が放射検出
器上にフォーカシングされる。
【００１６】本発明による放射測定装置は、半導体基板
熱処理用の高速加熱炉との関連で大きな利点を伴って適
用可能である。
【００１７】次に、半導体基板熱処理用の高速加熱炉と
の関連で放射測定装置を適用した有利な実施形態に基づ
き、本発明について詳細に説明する。
【００１８】
【実施例】図１および図２に示されている高速加熱炉は
ケーシング１を有しており、その上方および下方の内壁
には、複数の個別ランプつまり個別ランプ管２，３から
成るランプバンク４，５がそれぞれ取り付けられてい
る。そしてこれらのランプバンクにより、ケーシング１
内でそれらランプバンクの間にある反応室７内に配置さ
れた半導体ウェハ６が加熱される。
【００１９】有利には反応室７は主として、ランプ放射
に対し実質的に透過性の材料から成り、その材料は高温
計または使用される放射検出器の測定波長や測定波長ス
ペクトルに関しても透過性ものである。ランプスペクト
ルに関して平均化された約０．１ １／ｃｍ〜０．００
１ １／ｃｍの吸収係数をもつ石英ガラスおよび／また
はサファイアによって、高速加熱システムに適した反応
室を構築することができ、その際、反応室壁の厚さは１
ｍｍ〜数ｃｍたとえば５ｃｍｍとすることができる。反
応室の壁厚に応じて、吸収係数に関して材料の選択を行
うことができる。
【００２０】反応室７内で（超高真空に及ぶ）負圧ある
いは正圧を発生させようとするならば、ｃｍの範囲の反
応室の壁厚が必要となる。たとえば反応室の直径が約３
００ｍｍであれば、約１２ｍｍ〜２０ｍｍの石英ガラス
の厚さで反応室７の十分な機械的安定性が得られ、した
がって真空排気が可能となる。反応室の壁厚は、壁の材
料、反応室の大きさ、ならびに圧力負荷状態に応じて選
定される。
【００２１】ランプとして有利には、少なくとも部分的
に螺旋構造をもつフィラメントを備えたハロゲンランプ
が使用される。少なくとも部分的な螺旋構造により有利
には、まえもって規定されたランプの幾何学的なおよび
スペクトルに関するランプ放射プロフィルを達成するこ
とができる。ここではランプのフィラメントをたとえ
ば、螺旋形にされたフィラメント部分と螺旋形にされて
いないフィラメント部分を交互に有するように構成する
ことができる。この場合、放射プロフィル（幾何学的プ
ロフィルおよびスペクトルに関するプロフィル）は実質
的に、螺旋形にされた隣り合うフィラメント部分の間隔
により決定される。ランプ放射プロフィルを規定するこ
とのできる別のやり方はたとえば、フィラメント構造の
密度（たとえば螺旋密度）をフィラメントに沿って変化
させることである。
【００２２】ランププロフィルを制御可能にすべき場
合、有利にはランプたとえば直管形ランプに個別制御可
能な複数のフィラメントを設けて組み込むことができ
る。制御可能なランププロフィルをもつランプは殊に、
たとえば３００ｍｍ半導体ウェハのように大面積の基板
を熱処理するための高速加熱装置の場合に有利である。
なぜならば、このようなランプおよび適切なランプ制御
装置によれば、基板表面に沿って著しく均一な温度プロ
フィルを達成することができるからである。各フィラメ
ントの個別放射プロフィルを重ね合わせることで、広範
囲にわたり調整可能なランプの全体的な放射プロフィル
が得られる。最も簡単な事例の場合、たとえばハロゲン
ランプは２つのフィラメントを有しており、それらはそ
れぞれ螺旋構造を備えあるいは少なくとも部分的に螺旋
構造を備えている。その際、第１のフィラメントにおけ
る螺旋密度および／または螺旋構造にされた各フィラメ
ント間隔は、ランプの一方の端部から他方の端部へ向か
って増加し、第２のフィラメントにおける螺旋密度およ
び／または螺旋構造にされた各フィラメント間の間隔
は、相応にこれとは逆にランプの一方の端部から他方の
端部へ向かって減少するように構成されている。このよ
うにすることで、両方のフィラメント中の電流強度の選
定により放射プロフィル全体を広範囲にわたり変化させ
ることができる。制御可能な放射プロフィルを有するラ
ンプの別の実施形態として、ランプのフィラメントが少
なくとも３つの電気的端子を有するように構成され、こ
の場合、各端子の間にそれぞれ異なる動作電圧が印加さ
れる。これにより部分的にフィラメントの温度つまりは
ランプの放射特性を、フィラメントに沿って制御するこ
とができる。
【００２３】これまで説明してきたランプの代案とし
て、プラズマランプまたはアークランプを使用すること
ができ、この場合も放射プロフィルを調整可能である。
したがってたとえばランプスペクトルを電流密度に関し
て、ＵＶ領域から近赤外線まで調整することができる。
【００２４】図２に示されているように、ケーシング１
の下側に配置されたウェハ高温計８は、有利にはしかし
必須ではないが、処理すべきウェハ６の中心でありケー
シング壁部に形成された小開口部９を介して、ウェハ６
から発せられた反射した電磁放射が測定される。しか
し、ランプ軸に平行に配置された複数のウェハ高温計を
使用することもできる。
【００２５】これまで述べてきた形式の装置は、たとえ
ばアメリカ合衆国特許 US 5 490 728 から公知である。
さらにこの種の装置は、未公開のドイツ連邦共和国特許
出願DE 197 37 802 A および同一出願人による同じ出願
日の DE 197 54 386.3 に記載されており、繰り返しを
避けるためそれを参照されたい。これらは本出願の参考
文献とする。
【００２６】高速加熱炉の下側には本発明による光学的
放射測定装置が配置されており、これには高温計１０と
チャネル部材１１が含まれ、このチャネル部材には放射
チャネル１２が形成され、あるいは切削されており、こ
れについては以下で図３〜図５に基づき詳細に説明す
る。
【００２７】チャネル部材１１は、図１〜図５に示され
ているように縦断面が扇形であり、横断面はディスク状
またはプレート状である。チャネル部材１１は上方およ
び下方のケーシング壁中の相応の切り欠き１３内に組み
込まれており、ケーシング１にねじ止めされている。チ
ャネル部材１１においてランプバンク５とは反対側にレ
ンズ光学系１４有利にはシリンダレンズが配置されてい
て、このレンズの焦点は放射チャネル１２の軸と交差す
る個所付近におかれ、したがってレンズ光学系１４に投
射する放射が高温計１０に到達するようになる。
【００２８】図１に一番よく描かれているように、個別
ランプ３における個々のフィラメント１５が個々の放射
チャネル１２の長手軸１６の延長線上に位置するよう、
放射チャネル１２はチャネル部材１１内に形成され配向
されている。したがって高温計１０またはそのレンズ光
学系１４は、個々のランプフィラメント１５の方に精確
に向いており、それゆえランプフィラメント１５から到
来したものではないバックグラウンド放射などそもそ
も、高温計１０に投射する光全体のうち無視できる程度
の僅かな成分にすぎない。
【００２９】図３には、チャネル部材１１の拡大図が描
かれている。この図に示されているように放射チャネル
１２の壁は構造化されていて、たとえばそこには小さい
湾曲部が設けられており、これによって漂遊放射が高温
計１０に到達するのが防止される。相応に構造化された
放射チャネル１２は、チャネル部材１１内に切削により
形成されている。
【００３０】放射チャネル１２において高温計１０と向
き合った端部付近にそれぞれねじ１６が設けられてお
り、これらのねじは程度の差こそあれ放射チャネル１２
中に深くねじ込むことができ、このことで放射チャネル
１２の直径を変化させることができ、したがって個々の
放射チャネル１２を通って到来する放射の強度を変化さ
せたり調整したりすることができる。そしてこのことに
よって実質的に、高温計１０に投射する個々のランプ３
の放射強度についてそのつど望ましい割合を設定するこ
とができる。
【００３１】各ランプがそれぞれ同じ放射強度をもつと
すれば、チャネル部材１１の中心軸１７のすぐ次に位置
する放射チャネル１２を介した方が、ずっと外側に位置
する放射チャネル１２を介した場合よりも、強い放射強
度が高温計１０に到達することになる。このことを補償
するため、かなり内側に位置する放射チャネル１２のチ
ャネル断面積をねじ１６をさらにねじ込むことで小さく
し、これにより高温計１０に投射する種々の放射強度を
補償することができる。このようにすることで、各放射
強度間で任意の割合を設定可能である。
【００３２】図６に示されている実施例のように、放射
チャネル１２の直径または断面積はランプ３またはその
フィラメント１５の形態に最適に整合されており、この
ことは高温計１０に投射するバックグラウンド放射や漂
遊放射をいっそう低減するのに役立つ。チャネル部材１
１におけるチャネル１２の配向つまりチャネル部材１１
におけるチャネル窓は、図６に示されているように寸法
に関して次のように選定されている。すなわち、フィラ
メント１５が震えたり揺れ動いたりたとえば過熱過程中
に変形したりしても、フィラメントが依然としてチャネ
ル窓１８内にあるように選定されているのである。これ
により、ランプ高温計１０に投射する光強度がフィラメ
ント１５の揺れや震え、あるいは変形によっても変化せ
ず、測定および測定精度が損なわれないようになる。
【００３３】一般に、放射源および／または放射チャネ
ルは有利には次のように配置されている。すなわち、フ
ィラメント保持装置あるいは、放射チャネルにより監視
されるフィラメントまたはランプ区間の放射流束や温度
を損なう他の手段の影響を受けないランプ高温計信号
が、ランプ区間またはフィラメント区間から結果として
生じるように配置されている。
【００３４】ランプ高温計１０はシリンダレンズによる
レンズ光学系１４を有している一方、ウェハ高温計８に
は丸形レンズ９、シリンダレンズあるいは他の形式のレ
ンズ手段（たとえばゾーンプレート、フレネルレンズな
ど）を設けることができ、この場合、それらの手段はラ
ンプ放射の幾何学的形状に応じて整合させることができ
る。たとえば、ランプバンクが平行な直管ランプから成
る場合に有利であるのは、ランプに対し平行に配向され
た円筒軸をもつシリンダレンズを利用するのが有利であ
る。したがって一般に、できるかぎり広い空間領域つま
りたとえばウェハ６の半球反射ができるかぎり制約され
ずに測定される。
【００３５】図７には本発明の別の実施例が示されてい
る。この場合、放射チャネル１２を延長する中間部材２
０たとえば石英またはサファイアのバーが、放射チャネ
ル１２の出口開口部とランプ３との間に挿入されてい
る。この部材２０は放射チャネルをランプ直前まで延長
する役割を果たし、その際、この部材の端部とランプと
の間隔は数ｍｍ程度しかない。このことで、個々のチャ
ネル１２の出口開口部と対応するランプとの間で発生す
る可能性のある乱流により、測定に際して強度の変動が
生じるのが回避される。
【００３６】中間部材２０はバーとして構成されている
けれども、個々の石英部材を扇の全領域にわたり個々の
ケーシング壁とランプとの間に配置させることもでき
る。また、ファンをランプのすぐ手前まで延長すること
も可能である。
【００３７】これまで、１つの有利な実施形態に基づき
本発明について説明してきたが、当業者であれば本発明
の技術思想を逸脱することなく数多くの変形実施形態を
実現可能である。たとえば、本発明による光学的放射測
定装置の用途は、ウェハ熱処理用の高速加熱システムに
限定されるものではない。また、放射源の配置、形態、
ならびに構成に応じて、扇状とは別のチャネル部材とす
ることもできる。また、放射チャネル１２の構成も、図
３に示した実施例に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による放射測定装置を利用した高速加熱
炉の断面図である。
【図２】図１に書き込まれたカットラインＩＩ−ＩＩに
沿ってカットした断面を示す図である。
【図３】図１および図２に示したチャネル部材の拡大断
面図である。
【図４】図３に書き込まれたカットラインＩＶ−ＩＶに
沿ってカットした断面を示す図である。
【図５】チャネル部材においてランプと向き合った狭い
側面へ向かって見た部分断面図である。
【図６】放射チャネルの配向と配置を説明するためのチ
ャネル部材の部分拡大図である。
【図７】放射チャネルの出口開口部と放射源との間の領
域を示す本発明による別の実施形態に関する部分拡大図
である。
【符号の説明】
１ ケーシング ２，３ 個別ランプ管 ４，５ ランプバンク ６ ウェハ ７ 反応室 ８ ウェハ高温計 １０ 高温計 １１ チャネル部材 １２ 放射チャネル １３ 切り欠き １４ シリンダレンズ １５ フィラメント １６ ねじ １７ チャネル中心軸 １８ チャネル窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01J 1/02 G01J 1/04 G01J 5/06

Claims (27)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも２つの放射源（３）から発せ
    られた電磁放射を測定する少なくとも１つの放射検出器
    （１０）を備えた光学装置において、 放射源（３）と各放射源に共通の放射検出器（１０）と
    の間の放射経路のために、１つのチャネル部材（１１）
    内に別個に形成された複数の放射チャネル（１２）が設
    けられており、該複数の放射チャネル（１２）の放射源
    側開口部にじかに、それぞれ測定すべき放射源（３）が
    配置されていることを特徴とする、 光学装置。
  2. 【請求項２】 前記放射チャネル（１２）は、放射源
    （３）の対応する断面よりも大きい断面を有する、請求
    項１記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記放射チャネル（１２）の少なくとも
    １つの壁は非平坦である、請求項１または２記載の装
    置。
  4. 【請求項４】 前記放射チャネル（１２）は、該放射チ
    ャネル（１２）の断面積を変更可能な装置（１６）を有
    する、請求項１から３のいずれか１項記載の装置。
  5. 【請求項５】 放射チャネル（１２）の断面積を変更可
    能な前記装置（１６）はねじを有しており、該ねじは放
    射方向を横切る方向で放射チャネル（１２）にねじ込み
    可能である、請求項４記載の装置。
  6. 【請求項６】 複数の放射源（３）が並置されており、
    前記チャネル部材（１１）は各放射源（３）ごとに、共
    通の放射検出器（１０）の方へ向かって別個に配向され
    た放射チャネル（１２）を有している、請求項１から５
    のいずれか１項記載の装置。
  7. 【請求項７】 前記チャネル部材（１１）は放射チャネ
    ル（１２）とともに放射源（３）まで延びている、請求
    項１から６のいずれか１項記載の装置。
  8. 【請求項８】 放射チャネル（１２）の少なくとも１つ
    の出口開口部と対応する放射源（３）との間に、透光性
    であり放射チャネル（１２）を延長する少なくとも１つ
    の中間部材（２０）が設けられている、請求項１から７
    のいずれか１項記載の装置。
  9. 【請求項９】 複数の放射チャネル（１２）を延長する
    １つの共通の中間部材が設けられている、請求項８記載
    の装置。
  10. 【請求項１０】 前記中間部材（２０）は石英部材また
    はサファイア部材である、請求項８または９記載の装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記放射源（３）は、ランプバンク
    （４，５）として一列に並置された個別ランプであり、
    前記放射チャネル（１２）はチャネル部材（１１）にお
    いて、各ランプ（３）と１つの共通の放射検出器（１
    ０）との間に扇状に形成されている、請求項６から１０
    のいずれか１項記載の装置。
  12. 【請求項１２】 放射検出器（１０）に投射する個々の
    ランプ（３）からの放射の割合は、個々の放射チャネル
    （１２）の断面積を変更可能な前記装置（１６）により
    調整される、請求項６から１１のいずれか１項記載の装
    置。
  13. 【請求項１３】 前記放射チャネル（１２）において放
    射検出器（１０）の側の端部と該放射検出器（１０）と
    の間に、シリンダレンズ（１４）が配置されている、請
    求項１から１２のいずれか１項記載の装置。
  14. 【請求項１４】 半導体基板熱処理用の高速加熱システ
    ムとの関連で使用する、請求項１から１３のいずれか１
    項記載の装置。
  15. 【請求項１５】 半導体基板の熱処理は反応室内で行わ
    れ、該反応室は実質的に、前記放射源の電磁放射と前記
    放射検出器の測定波長のスペクトルとに対し透過性の材
    料から成る、請求項１４記載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記透過性の材料は石英ガラスおよび
    ／またはサファイアを含む、請求項１５記載の装置。
  17. 【請求項１７】 前記材料は、ランプスペクトルについ
    て平均化された０．００１ １／ｃｍ〜０．１ １／ｃ
    ｍの吸収係数を有する、請求項１５または１６記載の装
    置。
  18. 【請求項１８】 前記反応室の壁厚は１ｍｍ〜５ｃｍで
    ある、請求項１５から１７のいずれか１項記載の装置。
  19. 【請求項１９】 前記放射源は、少なくとも部分的に螺
    旋形にされたフィラメント構造をもつ少なくとも１つの
    フィラメントを含む、請求項１から１８のいずれか１項
    記載の装置。
  20. 【請求項２０】 前記ランプのフィラメント構造によ
    り、まえもって規定された幾何学的なおよびスペクトル
    に関する放射プロフィルが達成される、請求項１９記載
    の装置。
  21. 【請求項２１】 前記放射源のフィラメントは、螺旋形
    にされたフィラメント構造と螺旋形にされていないフィ
    ラメント構造を交互に有する、請求項２０記載の装置。
  22. 【請求項２２】 前記放射源は個別に制御可能な２つの
    フィラメントを有する、請求項２０または２１記載の装
    置。
  23. 【請求項２３】 少なくとも１つのフィラメントは少な
    くとも３つの電気端子を有する、請求項１９から２２の
    いずれか１項記載の装置。
  24. 【請求項２４】 前記放射源は少なくとも１つのハロゲ
    ンランプを有する、請求項１から２３のいずれか１項記
    載の装置。
  25. 【請求項２５】 少なくとも１つのフィラメント構造の
    密度はフィラメントに沿って変化している、請求項１９
    から２４のいずれか１項記載の装置。
  26. 【請求項２６】 前記放射源は少なくとも１つのアーク
    ランプを含む、請求項１から１８のいずれか１項記載の
    装置。
  27. 【請求項２７】 放射検出器に対する放射源および放射
    チャネルの配置により、フィラメント保持装置あるいは
    放射源の放射流束または放射温度を損なう手段の影響を
    受けない信号が形成される、請求項１から２６のいずれ
    か１項記載の装置。
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