JP3187344B2 - 付加架橋可能なシリコーンゴム材料、および該ゴム材料から架橋により得られる成形体 - Google Patents
付加架橋可能なシリコーンゴム材料、および該ゴム材料から架橋により得られる成形体Info
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- C08G77/26—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen nitrogen-containing groups
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１Ｈ−ベンゾトリ
アゾール−５−カルボン酸エステルおよび／または１Ｈ
−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸アミドを含有す
る、付加架橋可能なシリコーンゴム材料ならびにシリコ
ーンゴム材料の架橋により製造できる、残留ひずみが少
ない成形体に関する。
アゾール−５−カルボン酸エステルおよび／または１Ｈ
−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸アミドを含有す
る、付加架橋可能なシリコーンゴム材料ならびにシリコ
ーンゴム材料の架橋により製造できる、残留ひずみが少
ない成形体に関する。
【０００２】
【従来の技術】付加架橋したシリコーンエラストマーの
数多くの応用において、シリコーンエラストマーが圧力
荷重の際にひずみを残さないことは特に重要である。例
えばパッキングの機能特性は圧力荷重を受けて塑性挙動
をする場合、低下するかまたは完全に解消される、とい
うのは塑性変形の増加と共に、エラストマーの圧縮によ
り生じ、かつシール性を保証する応力が低下するからで
ある。従ってこのような応用に使用されるシリコーンエ
ラストマーの圧力荷重を受けた際の変形挙動の塑性成分
は可能な限り少ない方がよい。この材料特性はＤＩＮ５
３５１７により残留ひずみで定量化することができ、こ
れにより異なった材料を互いに比較することができる。
残留ひずみの測定は、温度１７５℃で２２時間行う持続
的圧縮２５％の前後での円柱形の試料体の厚さの測定に
より行う。完全に復元する、つまり試料体の厚さが荷重
処理の前後で同じである場合、残留ひずみは０％であ
る。これに対してテスト中に課した負荷の除去後でも圧
縮２５％が存在していれば、残留ひずみは１００％であ
る。
数多くの応用において、シリコーンエラストマーが圧力
荷重の際にひずみを残さないことは特に重要である。例
えばパッキングの機能特性は圧力荷重を受けて塑性挙動
をする場合、低下するかまたは完全に解消される、とい
うのは塑性変形の増加と共に、エラストマーの圧縮によ
り生じ、かつシール性を保証する応力が低下するからで
ある。従ってこのような応用に使用されるシリコーンエ
ラストマーの圧力荷重を受けた際の変形挙動の塑性成分
は可能な限り少ない方がよい。この材料特性はＤＩＮ５
３５１７により残留ひずみで定量化することができ、こ
れにより異なった材料を互いに比較することができる。
残留ひずみの測定は、温度１７５℃で２２時間行う持続
的圧縮２５％の前後での円柱形の試料体の厚さの測定に
より行う。完全に復元する、つまり試料体の厚さが荷重
処理の前後で同じである場合、残留ひずみは０％であ
る。これに対してテスト中に課した負荷の除去後でも圧
縮２５％が存在していれば、残留ひずみは１００％であ
る。
【０００３】付加架橋したシリコーンエラストマーは典
型的に、７０％以下の残留ひずみを有する。該残留ひず
みを減少させるためには通常、付加反応に引き続きシリ
コーンエラストマーをテンパリングする。テンパリング
はシリコーンエラストマーの熱的な後処理であり、これ
は例えば新鮮な空気を供給しながら２００℃で４時間貯
蔵することをいう。確かにテンパリングにより極めて少
ない残留ひずみを達成できるが、しかしこれは回避すべ
き、時間およびエネルギーを要する追加工程を意味す
る。特に、架橋後に既に極めて少ない残留ひずみを有
し、そのために製造した成形部品のテンパリングが不要
であるようなシリコーンゴム材料を開発することに対し
ては興味が持たれる。
型的に、７０％以下の残留ひずみを有する。該残留ひず
みを減少させるためには通常、付加反応に引き続きシリ
コーンエラストマーをテンパリングする。テンパリング
はシリコーンエラストマーの熱的な後処理であり、これ
は例えば新鮮な空気を供給しながら２００℃で４時間貯
蔵することをいう。確かにテンパリングにより極めて少
ない残留ひずみを達成できるが、しかしこれは回避すべ
き、時間およびエネルギーを要する追加工程を意味す
る。特に、架橋後に既に極めて少ない残留ひずみを有
し、そのために製造した成形部品のテンパリングが不要
であるようなシリコーンゴム材料を開発することに対し
ては興味が持たれる。
【０００４】付加架橋したシリコーンエラストマーの残
留ひずみを適切に減少させる添加剤として様々なトリア
ゾール誘導体およびベンゾトリアゾール誘導体の使用は
欧州特許出願公開第５１７５２４号明細書および欧州特
許出願公開第３８８２０１号明細書に記載されている。
該実施例ではそのつど、有利であることが証明されてい
る１Ｈ−ベンゾトリアゾールのみを使用している。ここ
に記載されているトリアゾール誘導体およびベンゾトリ
アゾール誘導体は付加架橋するシリコーンゴム材料に不
溶性である、つまりこれらは容易に均一に組み込むこと
ができない。シリコーンゴム材料中にトリアゾール誘導
体およびベンゾトリアゾール誘導体が均一に分散してい
ないため、その結果として、低い残留ひずみ値を再現で
きるような調整が不可能である。トリアゾール誘導体お
よびベンゾトリアゾール誘導体の不溶性は、特に残留ひ
ずみの減少効果を低下させる。さらにトリアゾール誘導
体およびベンゾトリアゾール誘導体の濃度が局所的に過
剰に増加することにより、不完全な架橋が現れる。この
ような欠点は、トリアゾールまたはベンゾトリアゾール
を含有するシリコーンゴム材料を、通例の通りに、架橋
前に長時間貯蔵する場合に強く現れる、というのはトリ
アゾールないしはベンゾトリアゾール化合物の粗粒化お
よび分離が増加するからである。
留ひずみを適切に減少させる添加剤として様々なトリア
ゾール誘導体およびベンゾトリアゾール誘導体の使用は
欧州特許出願公開第５１７５２４号明細書および欧州特
許出願公開第３８８２０１号明細書に記載されている。
該実施例ではそのつど、有利であることが証明されてい
る１Ｈ−ベンゾトリアゾールのみを使用している。ここ
に記載されているトリアゾール誘導体およびベンゾトリ
アゾール誘導体は付加架橋するシリコーンゴム材料に不
溶性である、つまりこれらは容易に均一に組み込むこと
ができない。シリコーンゴム材料中にトリアゾール誘導
体およびベンゾトリアゾール誘導体が均一に分散してい
ないため、その結果として、低い残留ひずみ値を再現で
きるような調整が不可能である。トリアゾール誘導体お
よびベンゾトリアゾール誘導体の不溶性は、特に残留ひ
ずみの減少効果を低下させる。さらにトリアゾール誘導
体およびベンゾトリアゾール誘導体の濃度が局所的に過
剰に増加することにより、不完全な架橋が現れる。この
ような欠点は、トリアゾールまたはベンゾトリアゾール
を含有するシリコーンゴム材料を、通例の通りに、架橋
前に長時間貯蔵する場合に強く現れる、というのはトリ
アゾールないしはベンゾトリアゾール化合物の粗粒化お
よび分離が増加するからである。
【０００５】トリアゾール誘導体およびベンゾトリアゾ
ール誘導体の不溶性は、形成される微結晶の混濁および
シュリーレンにより、シリコーンエラストマーの透明性
を損なう。トリアゾール誘導体およびベンゾトリアゾー
ル誘導体の均一な分散は、欧州特許出願公開第３８８２
０１号明細書に記載のように、有機溶剤の助けを借りた
組み込みを行ってもまた達成できず、むしろその結果容
認できない量の溶剤がシリコーンゴム材料中に残留する
か、もしくは溶剤の除去後にトリアゾール化合物または
ベンゾトリアゾール化合物が再び析出する。シリコーン
ゴム材料の至る所で十分な濃度を確保するためにトリア
ゾール化合物またはベンゾトリアゾール化合物を大量に
使用してもまた目的を達成しない、というのは配量が多
すぎるとその結果架橋が妨げられるからである。付加架
橋するシリコーンゴム材料の特定の組成次第でトリアゾ
ールまたはベンゾトリアゾール化合物は著しい効果の違
いを示す。
ール誘導体の不溶性は、形成される微結晶の混濁および
シュリーレンにより、シリコーンエラストマーの透明性
を損なう。トリアゾール誘導体およびベンゾトリアゾー
ル誘導体の均一な分散は、欧州特許出願公開第３８８２
０１号明細書に記載のように、有機溶剤の助けを借りた
組み込みを行ってもまた達成できず、むしろその結果容
認できない量の溶剤がシリコーンゴム材料中に残留する
か、もしくは溶剤の除去後にトリアゾール化合物または
ベンゾトリアゾール化合物が再び析出する。シリコーン
ゴム材料の至る所で十分な濃度を確保するためにトリア
ゾール化合物またはベンゾトリアゾール化合物を大量に
使用してもまた目的を達成しない、というのは配量が多
すぎるとその結果架橋が妨げられるからである。付加架
橋するシリコーンゴム材料の特定の組成次第でトリアゾ
ールまたはベンゾトリアゾール化合物は著しい効果の違
いを示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、公知の添加剤の欠点を有さず、未架橋のシリコーン
ゴム材料に添加することができ、かつテンパリングをし
ないでシリコーンエラストマーの残留ひずみを減少させ
る添加剤を提供することである。
は、公知の添加剤の欠点を有さず、未架橋のシリコーン
ゴム材料に添加することができ、かつテンパリングをし
ないでシリコーンエラストマーの残留ひずみを減少させ
る添加剤を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明によ
り付加架橋することのできるシリコーンゴム材料におい
て、該シリコーンゴム材料が成分： （Ｉ）アルケニル官能性ポリオルガノシロキサン、（Ｉ
Ｉ）ＳｉＨ官能性架橋剤、（ＩＩＩ）ヒドロシリル化触
媒、および（ＩＶ）１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カ
ルボン酸エステル、および／または、１Ｈ−ベンゾトリ
アゾール−５−カルボン酸アミドを含有することを特徴
とする、シリコーンゴム材料により解決される。
り付加架橋することのできるシリコーンゴム材料におい
て、該シリコーンゴム材料が成分： （Ｉ）アルケニル官能性ポリオルガノシロキサン、（Ｉ
Ｉ）ＳｉＨ官能性架橋剤、（ＩＩＩ）ヒドロシリル化触
媒、および（ＩＶ）１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カ
ルボン酸エステル、および／または、１Ｈ−ベンゾトリ
アゾール−５−カルボン酸アミドを含有することを特徴
とする、シリコーンゴム材料により解決される。
【０００８】付加架橋可能なシリコーンゴム材料は残留
ひずみを減少させる目的のために、１Ｈ−ベンゾトリア
ゾール−５−カルボン酸エステル、および／または１Ｈ
−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸アミドを含有す
る。使用される１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボ
ン酸エステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール
−５−カルボン酸アミドの特徴は、未架橋のシリコーン
ゴム材料中に極めて良好に溶解し、かつここから製造す
るシリコーンエラストマーの透明性に不利な影響を与え
ないことにある。１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カル
ボン酸エステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸アミドはその溶解度によりシリコー
ンゴム材料に組み込む際に溶剤の助けを借りる必要がな
い。１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸エステ
ルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カル
ボン酸アミドの残留ひずみを減少する効果はシリコーン
ゴム材料を貯蔵する場合にも変化しない、つまり架橋特
性は損なわれない。また１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５
−カルボン酸エステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリ
アゾール−５−カルボン酸アミドは無色である。さらに
微量の１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸エス
テルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カ
ルボン酸アミドを含有するシリコーンエラストマーは直
接架橋反応に引き続き、既に極めて低い残留ひずみ値を
示すため、その後のテンパリングを完全に省略すること
ができる。架橋の完全性およびシリコーンゴム材料の架
橋速度は１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸エ
ステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−
カルボン酸アミドの含有量が多い場合でも損なわれな
い。同様にシリコーンエラストマーの機械的特性のプロ
フィール、例えば硬度、引裂強さおよび引裂伸びは維持
される。付加架橋するシリコーンゴム材料の特定の組成
とは関係なく、常に極めて低い残留ひずみ値が達成され
る。
ひずみを減少させる目的のために、１Ｈ−ベンゾトリア
ゾール−５−カルボン酸エステル、および／または１Ｈ
−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸アミドを含有す
る。使用される１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボ
ン酸エステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール
−５−カルボン酸アミドの特徴は、未架橋のシリコーン
ゴム材料中に極めて良好に溶解し、かつここから製造す
るシリコーンエラストマーの透明性に不利な影響を与え
ないことにある。１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カル
ボン酸エステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸アミドはその溶解度によりシリコー
ンゴム材料に組み込む際に溶剤の助けを借りる必要がな
い。１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸エステ
ルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カル
ボン酸アミドの残留ひずみを減少する効果はシリコーン
ゴム材料を貯蔵する場合にも変化しない、つまり架橋特
性は損なわれない。また１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５
−カルボン酸エステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリ
アゾール−５−カルボン酸アミドは無色である。さらに
微量の１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸エス
テルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カ
ルボン酸アミドを含有するシリコーンエラストマーは直
接架橋反応に引き続き、既に極めて低い残留ひずみ値を
示すため、その後のテンパリングを完全に省略すること
ができる。架橋の完全性およびシリコーンゴム材料の架
橋速度は１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸エ
ステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−
カルボン酸アミドの含有量が多い場合でも損なわれな
い。同様にシリコーンエラストマーの機械的特性のプロ
フィール、例えば硬度、引裂強さおよび引裂伸びは維持
される。付加架橋するシリコーンゴム材料の特定の組成
とは関係なく、常に極めて低い残留ひずみ値が達成され
る。
【０００９】本発明によるシリコーンゴム材料の成分
（Ｉ）は、分子当たり少なくとも２個のアルケニル基を
有するポリオルガノシロキサンであり、有利には２５℃
で粘度０．１〜５０００００Ｐａ．ｓ、特に１〜１００
Ｐａ．ｓを有する。
（Ｉ）は、分子当たり少なくとも２個のアルケニル基を
有するポリオルガノシロキサンであり、有利には２５℃
で粘度０．１〜５０００００Ｐａ．ｓ、特に１〜１００
Ｐａ．ｓを有する。
【００１０】アルケニル基を含有するポリオルガノシロ
キサン（Ｉ）の組成は有利には平均的な一般式（１）： ＲａＲ１ ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２ （１） ［式中、Ｒは脂肪族炭素−炭素の多重結合を有する、同
じかまたは異なっている１価の、場合によりハロゲン置
換またはシアノ置換の、場合により２価の有機基１つを
介してケイ素と結合しているＣ１〜Ｃ１０炭化水素基を
表し、Ｒ１は脂肪族炭素−炭素の多重結合を有さない、
同じかまたは異なっている１価の、場合によりハロゲン
置換またはシアノ置換の、ＳｉＣに結合しているＣ１〜
Ｃ１０炭化水素基を表し、ａはそれぞれの分子中に少な
くとも基Ｒ１が２つ存在しているような、負でない数を
表し、ｂは（ａ＋ｂ）が１．８〜２．５の範囲であるよ
うな、負でない数を表す］に相当する。
キサン（Ｉ）の組成は有利には平均的な一般式（１）： ＲａＲ１ ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２ （１） ［式中、Ｒは脂肪族炭素−炭素の多重結合を有する、同
じかまたは異なっている１価の、場合によりハロゲン置
換またはシアノ置換の、場合により２価の有機基１つを
介してケイ素と結合しているＣ１〜Ｃ１０炭化水素基を
表し、Ｒ１は脂肪族炭素−炭素の多重結合を有さない、
同じかまたは異なっている１価の、場合によりハロゲン
置換またはシアノ置換の、ＳｉＣに結合しているＣ１〜
Ｃ１０炭化水素基を表し、ａはそれぞれの分子中に少な
くとも基Ｒ１が２つ存在しているような、負でない数を
表し、ｂは（ａ＋ｂ）が１．８〜２．５の範囲であるよ
うな、負でない数を表す］に相当する。
【００１１】アルケニル基ＲはＳｉＯ官能性架橋剤での
付加反応により得ることができる。通常２〜６個の炭素
原子を有するアルケニル基、例えばビニル、アリル、メ
タリル、１−プロペニル、５−ヘキセニル、エチニル、
ブタジエニル、ヘキサジエニル、シクロペンテニル、シ
クロペンタジエニル、シクロヘキセニル、有利にはビニ
ルおよびアリルを使用する。
付加反応により得ることができる。通常２〜６個の炭素
原子を有するアルケニル基、例えばビニル、アリル、メ
タリル、１−プロペニル、５−ヘキセニル、エチニル、
ブタジエニル、ヘキサジエニル、シクロペンテニル、シ
クロペンタジエニル、シクロヘキセニル、有利にはビニ
ルおよびアリルを使用する。
【００１２】２価の有機基、該基を介してアルケニル基
がポリマー鎖のケイ素に結合していることができるのだ
が、は例えばオキシアルキレン単位、例えば一般式
（２）： −（Ｏ）ｃ［（ＣＨ２）ｄＯ］ｅ− （２） ［式中、ｃは０または１、特に０の値を表し、ｄは１〜
４、特に１または２の値を表し、かつｅは１〜２０、特
に１〜５の値を表す］のものである。一般式（２）のオ
キシアルキレン単位は左側でケイ素原子に結合してい
る。
がポリマー鎖のケイ素に結合していることができるのだ
が、は例えばオキシアルキレン単位、例えば一般式
（２）： −（Ｏ）ｃ［（ＣＨ２）ｄＯ］ｅ− （２） ［式中、ｃは０または１、特に０の値を表し、ｄは１〜
４、特に１または２の値を表し、かつｅは１〜２０、特
に１〜５の値を表す］のものである。一般式（２）のオ
キシアルキレン単位は左側でケイ素原子に結合してい
る。
【００１３】基Ｒはポリマー鎖のあらゆる位置で、特に
末端位のケイ素原子に結合している。
末端位のケイ素原子に結合している。
【００１４】Ｒ１の例はアルキル基、例えばメチル、エ
チル、プロピル、ブチル、およびヘキシル、アリール基
およびアルカリール基、例えばフェニル、トリル、キシ
リル、メシチル、ベンジル、β−フェニルエチル、およ
びナフチル、または置換された基、例えば３，３，３−
トリフルオロプロピル、ｏ−クロロフェニル、ｐ−クロ
ロフェニル、ｍ−クロロフェニル、ブロモトリル、およ
びβ−シアンエチル。有利な置換基はフッ素、塩素、お
よび臭素である。Ｒ１は有利には１〜６個の炭素原子を
有する。特に有利にはメチルおよびフェニルである。
チル、プロピル、ブチル、およびヘキシル、アリール基
およびアルカリール基、例えばフェニル、トリル、キシ
リル、メシチル、ベンジル、β−フェニルエチル、およ
びナフチル、または置換された基、例えば３，３，３−
トリフルオロプロピル、ｏ−クロロフェニル、ｐ−クロ
ロフェニル、ｍ−クロロフェニル、ブロモトリル、およ
びβ−シアンエチル。有利な置換基はフッ素、塩素、お
よび臭素である。Ｒ１は有利には１〜６個の炭素原子を
有する。特に有利にはメチルおよびフェニルである。
【００１５】成分（Ｉ）は、例えばアルケニル基含有
量、アルケニル基の種類、または構造が異なっている、
様々なアルケニル基を有するポリオルガノシロキサンの
混合物であってもよい。
量、アルケニル基の種類、または構造が異なっている、
様々なアルケニル基を有するポリオルガノシロキサンの
混合物であってもよい。
【００１６】アルケニル基を有するポリオルガノシロキ
サンの構造は線状、環状または分枝状であってもよい。
分枝状ポリオルガノシロキサンは１官能性単位、例えば
ＲＲ１ ２ＳｉＯ１／２およびＲ１ ３ＳｉＯ１／２、およ
び２官能性単位、例えばＲ１ ２ＳｉＯ２／２およびＲＲ
１ＳｉＯ２／２と並んで、３官能性単位、例えばＲＳｉ
Ｏ３／２およびＲ１ＳｉＯ３／２、および／または式Ｓ
ｉＯ４／２の４官能性単位を有する。分枝状のポリオル
ガノシロキサンになる３官能性および／または４官能性
のこれらの単位の含有量は典型的には極めて少量であ
る、つまり有利には最大２０モル％、特に最大０．１モ
ル％である。アルケニル基を有するポリオルガノシロキ
サン（Ｉ）は一般式（３）： −ＯＳｉ（Ｒ２Ｒ３）Ｒ５Ｓｉ（Ｒ２Ｒ３）− （３） ［式中、Ｒ２およびＲ３は前記でＲおよびＲ１のために
定義したのと同じものを表し、Ｒ５は２価の有機基、例
えばエチレン、プロピレン、フェニレン、ジフェニレ
ン、または一般式（２）の基を表す］の単位を有してい
てもよい。
サンの構造は線状、環状または分枝状であってもよい。
分枝状ポリオルガノシロキサンは１官能性単位、例えば
ＲＲ１ ２ＳｉＯ１／２およびＲ１ ３ＳｉＯ１／２、およ
び２官能性単位、例えばＲ１ ２ＳｉＯ２／２およびＲＲ
１ＳｉＯ２／２と並んで、３官能性単位、例えばＲＳｉ
Ｏ３／２およびＲ１ＳｉＯ３／２、および／または式Ｓ
ｉＯ４／２の４官能性単位を有する。分枝状のポリオル
ガノシロキサンになる３官能性および／または４官能性
のこれらの単位の含有量は典型的には極めて少量であ
る、つまり有利には最大２０モル％、特に最大０．１モ
ル％である。アルケニル基を有するポリオルガノシロキ
サン（Ｉ）は一般式（３）： −ＯＳｉ（Ｒ２Ｒ３）Ｒ５Ｓｉ（Ｒ２Ｒ３）− （３） ［式中、Ｒ２およびＲ３は前記でＲおよびＲ１のために
定義したのと同じものを表し、Ｒ５は２価の有機基、例
えばエチレン、プロピレン、フェニレン、ジフェニレ
ン、または一般式（２）の基を表す］の単位を有してい
てもよい。
【００１７】一般式（３）の単位は（Ｉ）中５０モル％
の割合まで含有されていてもよい。特に有利であるのは
ビニル基を有するポリジメチルシロキサンを使用するこ
とであり、その分子は一般式（４）： （ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）２（ＶｉＭｅＳｉＯ）ｆ（Ｍｅ２ＳｉＯ）ｇ （４） ［式中、負でない整数ｆおよびｇは次の関係を満たす：
ｆ＋１＞０、５０＜（ｆ＋ｇ）＜２００００、有利には
２００＜（ｆ＋ｇ）＜１０００、および０＜（ｆ＋１）
／（ｆ＋ｇ）＜０．２］に相当する。
の割合まで含有されていてもよい。特に有利であるのは
ビニル基を有するポリジメチルシロキサンを使用するこ
とであり、その分子は一般式（４）： （ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）２（ＶｉＭｅＳｉＯ）ｆ（Ｍｅ２ＳｉＯ）ｇ （４） ［式中、負でない整数ｆおよびｇは次の関係を満たす：
ｆ＋１＞０、５０＜（ｆ＋ｇ）＜２００００、有利には
２００＜（ｆ＋ｇ）＜１０００、および０＜（ｆ＋１）
／（ｆ＋ｇ）＜０．２］に相当する。
【００１８】本発明によるシリコーンゴム材料の成分
（ＩＩ）はＳｉＨ官能性架橋剤であり、該架橋剤の組成
は以下の平均式（５）： ＨｈＲ６ ｉＳｉＯ（４−ｈ−ｉ）／２ （５） ［式中、Ｒ６はＲ１と同じものを表し、ｈおよびｉは負
でない整数、ただし０．５＜（ｈ＋ｉ）＜３．０、およ
び０＜ｈ＜２であるので、分子当たり少なくともケイ素
に結合している水素原子２個が存在している］に相当す
る。
（ＩＩ）はＳｉＨ官能性架橋剤であり、該架橋剤の組成
は以下の平均式（５）： ＨｈＲ６ ｉＳｉＯ（４−ｈ−ｉ）／２ （５） ［式中、Ｒ６はＲ１と同じものを表し、ｈおよびｉは負
でない整数、ただし０．５＜（ｈ＋ｉ）＜３．０、およ
び０＜ｈ＜２であるので、分子当たり少なくともケイ素
に結合している水素原子２個が存在している］に相当す
る。
【００１９】有利であるは分子当たりＳｉＨ結合を３つ
以上有する架橋剤（ＩＩ）を使用することである。分子
当たりＳｉＨ結合を２つ有するのみの架橋剤を使用する
場合、分子当たり少なくともアルケニル基を３つ以上有
する、アルケニル基を含有するポリオルガノシロキサン
（Ｉ）の使用が推薦される。
以上有する架橋剤（ＩＩ）を使用することである。分子
当たりＳｉＨ結合を２つ有するのみの架橋剤を使用する
場合、分子当たり少なくともアルケニル基を３つ以上有
する、アルケニル基を含有するポリオルガノシロキサン
（Ｉ）の使用が推薦される。
【００２０】直接ケイ素原子に結合している水素原子の
みに関して、架橋剤（ＩＩ）の水素含有量は、有利には
水素０．００２〜１．７重量％、特に水素０．１〜１．
７重量％の範囲である。
みに関して、架橋剤（ＩＩ）の水素含有量は、有利には
水素０．００２〜１．７重量％、特に水素０．１〜１．
７重量％の範囲である。
【００２１】ＳｉＨ官能性架橋剤（ＩＩ）は有利には分
子当たり最低３および最高６００のケイ素原子を有す
る。有利であるのは、分子当たり４〜２００のケイ素原
子を有するＳｉＨ架橋剤（ＩＩ）である。
子当たり最低３および最高６００のケイ素原子を有す
る。有利であるのは、分子当たり４〜２００のケイ素原
子を有するＳｉＨ架橋剤（ＩＩ）である。
【００２２】ＳｉＨ架橋剤（ＩＩ）の構造は線状、分枝
状、環状または網状であってもよい。線状および環状Ｓ
ｉＨ架橋剤（ＩＩ）は分子の組成が式ＨＲ６ ２ＳｉＯ
１／２、Ｒ６ ３ＳｉＯ１／２、ＨＲ６ＳｉＯ２／２、お
よびＲ６ ２ＳｉＯ２／２（式中、Ｒ６は前記に定義した
ものと同じものを表す）の単位からなるオルガノシロキ
サンである。分枝状または網状ＳｉＨ架橋剤（ＩＩ）は
付加的に式ＨＳｉ０３／２および／またはＲ６ＳｉＯ
３／２の３官能性単位および／または式ＳｉＯ４／２．
の４官能性単位を有する。３官能性および／または４官
能性単位の含有量が増加すると、該架橋剤（ＩＩ）は樹
脂状の網状構造を示す。ＳｉＨ架橋剤（ＩＩ）に含有さ
れている有機基Ｒ６は通常、該基が成分（Ｉ）中にある
基と相容性であるため、成分（Ｉ）および（ＩＩ）が混
和可能であるように選択する。
状、環状または網状であってもよい。線状および環状Ｓ
ｉＨ架橋剤（ＩＩ）は分子の組成が式ＨＲ６ ２ＳｉＯ
１／２、Ｒ６ ３ＳｉＯ１／２、ＨＲ６ＳｉＯ２／２、お
よびＲ６ ２ＳｉＯ２／２（式中、Ｒ６は前記に定義した
ものと同じものを表す）の単位からなるオルガノシロキ
サンである。分枝状または網状ＳｉＨ架橋剤（ＩＩ）は
付加的に式ＨＳｉ０３／２および／またはＲ６ＳｉＯ
３／２の３官能性単位および／または式ＳｉＯ４／２．
の４官能性単位を有する。３官能性および／または４官
能性単位の含有量が増加すると、該架橋剤（ＩＩ）は樹
脂状の網状構造を示す。ＳｉＨ架橋剤（ＩＩ）に含有さ
れている有機基Ｒ６は通常、該基が成分（Ｉ）中にある
基と相容性であるため、成分（Ｉ）および（ＩＩ）が混
和可能であるように選択する。
【００２３】ＳｉＨ架橋剤（ＩＩ）としてここに記載の
ＳｉＨ−官能性架橋剤（ＩＩ）の組合せおよび混合物を
使用することもできる。
ＳｉＨ−官能性架橋剤（ＩＩ）の組合せおよび混合物を
使用することもできる。
【００２４】特に有利なＳｉＨ架橋剤は一般式（７）： （ＨＲ７ ２ＳｉＯ１／２）ｊ（Ｒ７ ３ＳｉＯ１／２）ｋ（ＨＲ７ＳｉＯ２ ／２ ）ｌ（Ｒ７ ２ＳｉＯ２／２）ｍ （７） ［式中、Ｒ７はＲ１と同じものを表し、かつ、負でない
整数ｊ、ｋ、ｌおよびｍは次の関係を満たす：（ｊ＋
ｋ）＝２、（ｊ＋ｌ）＞２、５＜（ｌ＋ｍ）＜２００お
よび１＜ｌ／（ｌ＋ｍ）＜０．１］の線状のポリオルガ
ノシロキサンである。
整数ｊ、ｋ、ｌおよびｍは次の関係を満たす：（ｊ＋
ｋ）＝２、（ｊ＋ｌ）＞２、５＜（ｌ＋ｍ）＜２００お
よび１＜ｌ／（ｌ＋ｍ）＜０．１］の線状のポリオルガ
ノシロキサンである。
【００２５】ＳｉＨ官能性架橋剤は有利には架橋可能な
シリコーンゴム材料中、ＳｉＨ基のアルケニル基に対す
るモル比が０．５〜５、特に１．０〜３．０であるよう
な量で含有されている。
シリコーンゴム材料中、ＳｉＨ基のアルケニル基に対す
るモル比が０．５〜５、特に１．０〜３．０であるよう
な量で含有されている。
【００２６】成分（ＩＩＩ）は、ヒドロシリル化と称す
る、成分（Ｉ）のアルケニル基および成分（ＩＩ）のケ
イ素に結合している水素原子との付加反応のための触媒
として使用する。文献中に数多くの適切なヒドロシリル
化触媒が記載されている。原則として従来の技術に相当
し、かつ付加架橋するシリコーンゴム材料中で使用され
るヒドロシリル化触媒は全て使用することができる。
る、成分（Ｉ）のアルケニル基および成分（ＩＩ）のケ
イ素に結合している水素原子との付加反応のための触媒
として使用する。文献中に数多くの適切なヒドロシリル
化触媒が記載されている。原則として従来の技術に相当
し、かつ付加架橋するシリコーンゴム材料中で使用され
るヒドロシリル化触媒は全て使用することができる。
【００２７】ヒドロシリル化触媒（ＩＩＩ）として金属
およびその化合物、例えば白金、ロジウム、パラジウ
ム、ルテニウム、およびイリジウム、有利には白金を使
用することができる。金属は場合により微粒子状の担体
材料、例えば活性炭、金属酸化物、例えば酸化アルミニ
ウム、または酸化ケイ素に固定する。
およびその化合物、例えば白金、ロジウム、パラジウ
ム、ルテニウム、およびイリジウム、有利には白金を使
用することができる。金属は場合により微粒子状の担体
材料、例えば活性炭、金属酸化物、例えば酸化アルミニ
ウム、または酸化ケイ素に固定する。
【００２８】有利には白金および白金化合物を使用す
る。特に有利にはポリオルガノシロキサン中に可溶であ
る白金化合物を使用する。可溶な白金化合物として例え
ば式（ＰｔＣｌ２ ．オレフィン）２およびＨ（ＰｔＣｌ
３ ．オレフィン）の白金−オレフィン錯体を使用するこ
とができ、この場合有利には２〜８個の炭素原子を有す
るアルケン、例えばエチレン、プロピレン、ブテンおよ
びオクテンの異性体、または５〜７個の炭素原子を有す
るシクロアルカン、例えばシクロペンテン、シクロヘキ
セン、およびシクロヘプテンを使用する。その他の可溶
な白金触媒は式（ＰｔＣｌ２Ｃ３Ｈ６）２の白金−シク
ロプロパン錯体であり、これはエタノール溶液中重炭酸
ナトリウムの存在下でのヘキサクロロ白金酸とアルコー
ル、エーテル、およびアルデヒドないしはこれらの混合
物との反応生成物またはヘキサクロロ白金酸とメチルビ
ニルシクロテトラシロキサンとの反応生成物である。特
に有利であるのは白金とビニルシロキサンとの錯体、例
えばｓｙｍ−ジビニルテトラメチルジシロキサンであ
る。
る。特に有利にはポリオルガノシロキサン中に可溶であ
る白金化合物を使用する。可溶な白金化合物として例え
ば式（ＰｔＣｌ２ ．オレフィン）２およびＨ（ＰｔＣｌ
３ ．オレフィン）の白金−オレフィン錯体を使用するこ
とができ、この場合有利には２〜８個の炭素原子を有す
るアルケン、例えばエチレン、プロピレン、ブテンおよ
びオクテンの異性体、または５〜７個の炭素原子を有す
るシクロアルカン、例えばシクロペンテン、シクロヘキ
セン、およびシクロヘプテンを使用する。その他の可溶
な白金触媒は式（ＰｔＣｌ２Ｃ３Ｈ６）２の白金−シク
ロプロパン錯体であり、これはエタノール溶液中重炭酸
ナトリウムの存在下でのヘキサクロロ白金酸とアルコー
ル、エーテル、およびアルデヒドないしはこれらの混合
物との反応生成物またはヘキサクロロ白金酸とメチルビ
ニルシクロテトラシロキサンとの反応生成物である。特
に有利であるのは白金とビニルシロキサンとの錯体、例
えばｓｙｍ−ジビニルテトラメチルジシロキサンであ
る。
【００２９】ヒドロシリル化触媒（ＩＩＩ）はマイクロ
カプセル化した形で使用することもでき、この場合触媒
を含有しかつポリオルガノシロキサン中に不溶の微粒子
固体は例えば熱可塑性樹脂、例えばポリエステル樹脂ま
たはシリコーン樹脂である。ヒドロシリル化触媒（ＩＩ
Ｉ）は包接化合物の形、例えばシクロデキストリン内で
使用することも可能である。
カプセル化した形で使用することもでき、この場合触媒
を含有しかつポリオルガノシロキサン中に不溶の微粒子
固体は例えば熱可塑性樹脂、例えばポリエステル樹脂ま
たはシリコーン樹脂である。ヒドロシリル化触媒（ＩＩ
Ｉ）は包接化合物の形、例えばシクロデキストリン内で
使用することも可能である。
【００３０】使用されるヒドロシリル化触媒（ＩＩＩ）
の量は所望の架橋速度ならびに経済性の観点次第であ
る。通例の白金触媒を使用する場合、架橋可能なシリコ
ーンゴム材料中の白金金属の含有量は有利には白金金属
０．１〜５００重量ｐｐｍ、特に１０〜１００重量ｐｐ
ｍの範囲である。
の量は所望の架橋速度ならびに経済性の観点次第であ
る。通例の白金触媒を使用する場合、架橋可能なシリコ
ーンゴム材料中の白金金属の含有量は有利には白金金属
０．１〜５００重量ｐｐｍ、特に１０〜１００重量ｐｐ
ｍの範囲である。
【００３１】本発明によるシリコーンゴム材料の成分
（ＩＶ）は１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸
エステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５
−カルボン酸アミドである。エステル結合に含有される
１価の基はシリコーンゴム材料中の１Ｈ−ベンゾトリア
ゾール−５−カルボン酸エステルおよび／または１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸アミド（ＩＶ）の
溶解性を促進する。有利には一般式（８）：
（ＩＶ）は１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸
エステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５
−カルボン酸アミドである。エステル結合に含有される
１価の基はシリコーンゴム材料中の１Ｈ−ベンゾトリア
ゾール−５−カルボン酸エステルおよび／または１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸アミド（ＩＶ）の
溶解性を促進する。有利には一般式（８）：
【００３２】
【化２】
【００３３】［式中、Ｒ８は場合によりハロゲン置換ま
たはシアノ置換Ｃ２〜Ｃ２０炭化水素基またはオルガノ
シロキサン基を表し、Ｘは２価の基−Ｏ−または−ＮＲ
１１−を表し、この場合Ｒ１１はＨ−またはＲ８と同じ
ものを表す］の１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボ
ン酸エステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール
−５−カルボン酸アミド（ＩＶ）である。
たはシアノ置換Ｃ２〜Ｃ２０炭化水素基またはオルガノ
シロキサン基を表し、Ｘは２価の基−Ｏ−または−ＮＲ
１１−を表し、この場合Ｒ１１はＨ−またはＲ８と同じ
ものを表す］の１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボ
ン酸エステルおよび／または１Ｈ−ベンゾトリアゾール
−５−カルボン酸アミド（ＩＶ）である。
【００３４】炭化水素基Ｒ８の例は脂肪族飽和および不
飽和炭化水素基のために前記でＲおよびＲ１のために記
載した例である。有利な置換基はフッ素、塩素、および
臭素である。有利には脂肪族飽和炭化水素である。有利
には炭化水素基Ｒ８は３〜１５、特に５〜１０個の炭素
原子を有する。特に有利には基Ｒ８は５〜１０個の炭素
原子を有するアルキル基である。
飽和炭化水素基のために前記でＲおよびＲ１のために記
載した例である。有利な置換基はフッ素、塩素、および
臭素である。有利には脂肪族飽和炭化水素である。有利
には炭化水素基Ｒ８は３〜１５、特に５〜１０個の炭素
原子を有する。特に有利には基Ｒ８は５〜１０個の炭素
原子を有するアルキル基である。
【００３５】シロキサン基Ｒ８はオリゴシロキサン基な
いしはポリオルガノシロキサン基である。有利にはシロ
キサン基Ｒ８は場合により１〜１２個の炭素原子を有す
るハロゲン置換またはシアノ置換炭化水素基を有する。
有利にはシロキサン基Ｒ８は１〜１５０、特に２〜５０
個のケイ素原子を有する。
いしはポリオルガノシロキサン基である。有利にはシロ
キサン基Ｒ８は場合により１〜１２個の炭素原子を有す
るハロゲン置換またはシアノ置換炭化水素基を有する。
有利にはシロキサン基Ｒ８は１〜１５０、特に２〜５０
個のケイ素原子を有する。
【００３６】シロキサン基Ｒ８は有利には、式Ｒ９ ２Ｓ
ｉＯ２／２の単位が少なくとも５０モル％、特に少なく
とも９０モル％からなり、この場合Ｒ９ ３Ｓｉ
Ｏ１／２、Ｒ９ＳｉＯ３／２およびＳｉＯ４／２単位を
有していてもよく、かつＲ９は１〜１２個の炭素原子を
有する、任意の、場合によりハロゲン置換またはシアノ
置換炭化水素基を表す。有利な基Ｒ９はメチル基および
フェニル基である。
ｉＯ２／２の単位が少なくとも５０モル％、特に少なく
とも９０モル％からなり、この場合Ｒ９ ３Ｓｉ
Ｏ１／２、Ｒ９ＳｉＯ３／２およびＳｉＯ４／２単位を
有していてもよく、かつＲ９は１〜１２個の炭素原子を
有する、任意の、場合によりハロゲン置換またはシアノ
置換炭化水素基を表す。有利な基Ｒ９はメチル基および
フェニル基である。
【００３７】Ｒ８の例は次の通りである：−ＳｉＭ
e３、−ＳｉＭｅ２−Ｏ−ＳｉＭｅ３、−ＣＨ２ＣＨ２
−ＳｉＭｅ２−Ｏ−ＳｉＭｅ２−Ｏ−ＳｉＭｅ３、およ
び−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−ＳｉＭｅ２−Ｏ（ＳｉＭｅ２
Ｏ）ｎ−ＳｉＭｅ３であり、この場合、ｎは０〜１００
の値を表し、かつＭｅはメチル基を表す。
e３、−ＳｉＭｅ２−Ｏ−ＳｉＭｅ３、−ＣＨ２ＣＨ２
−ＳｉＭｅ２−Ｏ−ＳｉＭｅ２−Ｏ−ＳｉＭｅ３、およ
び−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−ＳｉＭｅ２−Ｏ（ＳｉＭｅ２
Ｏ）ｎ−ＳｉＭｅ３であり、この場合、ｎは０〜１００
の値を表し、かつＭｅはメチル基を表す。
【００３８】特に有利には１Ｈ−ベンゾトリアゾール−
５−カルボン酸オクチルエステルである。
５−カルボン酸オクチルエステルである。
【００３９】本発明によるシリコーンゴム材料の１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸エステルおよび／
または１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸アミ
ド（ＩＶ）の含有量は有利には０．００５〜１．０重量
％、特に有利には０．０１〜０．１重量％、特に０．０
２〜０．０５重量％である。異なった１Ｈ−ベンゾトリ
アゾール−５−カルボン酸エステルおよび／または１Ｈ
−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸アミドの混合物
を使用することもできる。
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸エステルおよび／
または１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸アミ
ド（ＩＶ）の含有量は有利には０．００５〜１．０重量
％、特に有利には０．０１〜０．１重量％、特に０．０
２〜０．０５重量％である。異なった１Ｈ−ベンゾトリ
アゾール−５−カルボン酸エステルおよび／または１Ｈ
−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸アミドの混合物
を使用することもできる。
【００４０】シリコーンゴムの機械的強度を十分に高め
るためには、積極的に補強する充填剤を成分（Ｖ）とし
てシリコーンゴム材料に組み込むことは有利である。積
極的に補強する充填剤（Ｖ）として特に沈降珪酸および
熱分解性珪酸ならびにその混合物を使用する。積極的に
補強する該充填剤の比表面積はＢＥＴ法の測定により少
なくとも５０ｍ２／ｇであるか、または有利には１００
〜４００ｍ２／ｇの範囲である。この種の積極的に補強
する充填剤はシリコーンゴムの分野では極めて十分に公
知の材料である。
るためには、積極的に補強する充填剤を成分（Ｖ）とし
てシリコーンゴム材料に組み込むことは有利である。積
極的に補強する充填剤（Ｖ）として特に沈降珪酸および
熱分解性珪酸ならびにその混合物を使用する。積極的に
補強する該充填剤の比表面積はＢＥＴ法の測定により少
なくとも５０ｍ２／ｇであるか、または有利には１００
〜４００ｍ２／ｇの範囲である。この種の積極的に補強
する充填剤はシリコーンゴムの分野では極めて十分に公
知の材料である。
【００４１】疎水性充填剤（Ｖ）の使用は特に有利であ
る、というのは該充填剤は、親水性充填剤の場合疎水化
剤の添加が必要となる一方で、簡単な方法で成分（Ｉ）
に混入することができるからである。疎水性充填剤の製
造方法およびシリコーンゴム材料におけるその使用は従
来の技術の通りである。
る、というのは該充填剤は、親水性充填剤の場合疎水化
剤の添加が必要となる一方で、簡単な方法で成分（Ｉ）
に混入することができるからである。疎水性充填剤の製
造方法およびシリコーンゴム材料におけるその使用は従
来の技術の通りである。
【００４２】架橋可能なシリコーンゴム材料の積極的に
補強する充填剤（Ｖ）の含有量は０〜６０重量％、有利
には１０〜４０重量％の範囲である。
補強する充填剤（Ｖ）の含有量は０〜６０重量％、有利
には１０〜４０重量％の範囲である。
【００４３】本発明によるシリコーンゴム材料は選択的
に成分（ＶＩ）として別の添加剤を７０重量％までの割
合で、有利には０．０１〜４０重量％含有していてもよ
い。該添加剤は例えば充填剤、分散促進剤、粘稠剤、抑
制剤、顔料、色素、軟化剤、熱安定剤等である。
に成分（ＶＩ）として別の添加剤を７０重量％までの割
合で、有利には０．０１〜４０重量％含有していてもよ
い。該添加剤は例えば充填剤、分散促進剤、粘稠剤、抑
制剤、顔料、色素、軟化剤、熱安定剤等である。
【００４４】さらに添加剤、例えば石英粉、ケイソウ
土、クレイ、チョーク、リトポン、カーボンブラック、
黒鉛、金属酸化物、金属炭酸化物、金属硫酸化物、金属
粉末、繊維、色素、顔料などが挙げられる。特に実質的
に式Ｒ１０ＳｉＯ１／２、Ｒ１０ＳｉＯ３／２、および
ＳｉＯ４／２、場合によりまたＲ１０ＳｉＯ２／２（式
中、Ｒ１０はＲ９と同じものを表す）の単位からからな
る樹脂状のポリオルガノシロキサンを全シリコーンゴム
材料に対して７０重量％の割合まで、有利には４０重量
％まで含有していてもよい。該シリコーン樹脂の１官能
性単位対３官能性または４官能性単位のモル比は有利に
は０．５：１〜１．５：１の範囲である。官能基
Ｒ１０、特にアルケニル基Ｒ１０を含有していてもよ
い。
土、クレイ、チョーク、リトポン、カーボンブラック、
黒鉛、金属酸化物、金属炭酸化物、金属硫酸化物、金属
粉末、繊維、色素、顔料などが挙げられる。特に実質的
に式Ｒ１０ＳｉＯ１／２、Ｒ１０ＳｉＯ３／２、および
ＳｉＯ４／２、場合によりまたＲ１０ＳｉＯ２／２（式
中、Ｒ１０はＲ９と同じものを表す）の単位からからな
る樹脂状のポリオルガノシロキサンを全シリコーンゴム
材料に対して７０重量％の割合まで、有利には４０重量
％まで含有していてもよい。該シリコーン樹脂の１官能
性単位対３官能性または４官能性単位のモル比は有利に
は０．５：１〜１．５：１の範囲である。官能基
Ｒ１０、特にアルケニル基Ｒ１０を含有していてもよ
い。
【００４５】含有されていてもよいのは特に、硬化可能
なシリコーンゴム材料の、目的とする処理時間の調整お
よび架橋速度に寄与する添加剤である。該抑制剤および
安定剤は付加架橋する材料の分野では極めて十分に公知
である。通例の抑制剤の例はアセチレン系アルコール、
例えばエチニルシクロヘキサノールおよび２−メチル−
３−ブチン−２−オール、ポリメチルビニルシクロシロ
キサン、例えばメチルビニルシクロテトラシロキサン、
メチルビニルＳｉＯ１／２末端基を有する低分子シリコ
ーン油、トリアルキルシアヌレート、アルキルマレエー
ト、例えばジアリルマレエートおよびジメチルマレエー
ト、アルキルフマレート、例えばジエチルフマレートお
よびジアリルフマレート、有機ヒドロペルオキシド、例
えばクメンヒドロペルオキシド、ｔ−ブチルヒドロペル
オキシドおよびピナンヒドロペルオキシド、有機ペルオ
キシド、有機スルホキシド、有機アミンおよびアミド、
ホスフィンおよび亜リン酸塩、ニトリル、ジアジリジン
およびオキシムである。
なシリコーンゴム材料の、目的とする処理時間の調整お
よび架橋速度に寄与する添加剤である。該抑制剤および
安定剤は付加架橋する材料の分野では極めて十分に公知
である。通例の抑制剤の例はアセチレン系アルコール、
例えばエチニルシクロヘキサノールおよび２−メチル−
３−ブチン−２−オール、ポリメチルビニルシクロシロ
キサン、例えばメチルビニルシクロテトラシロキサン、
メチルビニルＳｉＯ１／２末端基を有する低分子シリコ
ーン油、トリアルキルシアヌレート、アルキルマレエー
ト、例えばジアリルマレエートおよびジメチルマレエー
ト、アルキルフマレート、例えばジエチルフマレートお
よびジアリルフマレート、有機ヒドロペルオキシド、例
えばクメンヒドロペルオキシド、ｔ−ブチルヒドロペル
オキシドおよびピナンヒドロペルオキシド、有機ペルオ
キシド、有機スルホキシド、有機アミンおよびアミド、
ホスフィンおよび亜リン酸塩、ニトリル、ジアジリジン
およびオキシムである。
【００４６】本発明によるシリコーンゴム材料は特に静
的／動的機械的負荷を受ける、変形しないシリコーンエ
ラストマー成形体、例えばパッキング、パッキング材
料、緩衝部材、ホース、およびシートの製造に適切であ
り、これらも同様に本発明の対象である。
的／動的機械的負荷を受ける、変形しないシリコーンエ
ラストマー成形体、例えばパッキング、パッキング材
料、緩衝部材、ホース、およびシートの製造に適切であ
り、これらも同様に本発明の対象である。
【００４７】
【実施例】以下の例では、特に指示がなければ次の通り
である； ａ）量の指示は全て重量に対してであり、 ｂ）圧力は全て０．１０Ｍｐａ（絶対）であり、 ｃ）温度は全て２０℃である。
である； ａ）量の指示は全て重量に対してであり、 ｂ）圧力は全て０．１０Ｍｐａ（絶対）であり、 ｃ）温度は全て２０℃である。
【００４８】例１：付加架橋するポリジメチルシロキサ
ン液状ゴム材料（Wacker-Chemie有限会社製エラストシ
ル（Elastosil(R) LR 3003/50）)の両成分それぞれ１０
０ｇをローラー上でローラーの温度２５℃で５分、１Ｈ
−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステ
ル０．０２、０．０４、０．１ならびに０．２ｇと完全
に混和する。該混合物を引き続き油圧機で温度１７０℃
で５分架橋してシリコーンエラストマーシートを作る。
離型した、厚さ約２ｍｍもしくは６ｍｍのシリコーンエ
ラストマーシートをテンパリングせず、テンパリングを
していない状態で残留ひずみならびにその他のエラスト
マー特性に関して特徴付けをする。
ン液状ゴム材料（Wacker-Chemie有限会社製エラストシ
ル（Elastosil(R) LR 3003/50）)の両成分それぞれ１０
０ｇをローラー上でローラーの温度２５℃で５分、１Ｈ
−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステ
ル０．０２、０．０４、０．１ならびに０．２ｇと完全
に混和する。該混合物を引き続き油圧機で温度１７０℃
で５分架橋してシリコーンエラストマーシートを作る。
離型した、厚さ約２ｍｍもしくは６ｍｍのシリコーンエ
ラストマーシートをテンパリングせず、テンパリングを
していない状態で残留ひずみならびにその他のエラスト
マー特性に関して特徴付けをする。
【００４９】比較例２（本発明によらず）：例１記載と
同様に行ったが、ただしこの場合ベンゾトリアゾール化
合物を全く使用しない。
同様に行ったが、ただしこの場合ベンゾトリアゾール化
合物を全く使用しない。
【００５０】比較例３（本発明によらず）：例１記載と
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、そのつど同量の１Ｈ−ベンゾトリアゾール
を使用する。シリコーンゴム材料のその他の組成ならび
にその後の処理は変更しない。
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、そのつど同量の１Ｈ−ベンゾトリアゾール
を使用する。シリコーンゴム材料のその他の組成ならび
にその後の処理は変更しない。
【００５１】比較例４（本発明によらず）：例１記載と
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、１−メチル−ベンゾトリアゾール０．１ｇ
を使用する。シリコーンゴム材料のその他の組成ならび
にその後の処理は変更しない。
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、１−メチル−ベンゾトリアゾール０．１ｇ
を使用する。シリコーンゴム材料のその他の組成ならび
にその後の処理は変更しない。
【００５２】比較例５（本発明によらず）：例１記載と
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、１−ヒドロキシ−ベンゾトリアゾール０．
１ｇを使用する。シリコーンゴム材料のその他の組成な
らびにその後の処理は変更しない。
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、１−ヒドロキシ−ベンゾトリアゾール０．
１ｇを使用する。シリコーンゴム材料のその他の組成な
らびにその後の処理は変更しない。
【００５３】比較例６（本発明によらず）：例１記載と
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、５−メチル−ベンゾトリアゾール０．１ｇ
を使用する。シリコーンゴム材料のその他の組成ならび
にその後の処理は変更しない。
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、５−メチル−ベンゾトリアゾール０．１ｇ
を使用する。シリコーンゴム材料のその他の組成ならび
にその後の処理は変更しない。
【００５４】比較例７（本発明によらず）：例１記載と
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、１Ｈ−１,２,３−トリアゾール０．０４な
いしは０．１ｇを使用する。シリコーンゴム材料のその
他の組成ならびにその後の処理は変更しない。
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、１Ｈ−１,２,３−トリアゾール０．０４な
いしは０．１ｇを使用する。シリコーンゴム材料のその
他の組成ならびにその後の処理は変更しない。
【００５５】比較例８（本発明によらず）：例１記載と
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、１,２,４−トリアゾール０．０４ｇを使用
する。シリコーンゴム材料のその他の組成ならびにその
後の処理は変更しない。
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、１,２,４−トリアゾール０．０４ｇを使用
する。シリコーンゴム材料のその他の組成ならびにその
後の処理は変更しない。
【００５６】比較例９（本発明によらず）：例１記載と
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、４−アミノ−１,２,４−トリアゾール０．
０６ｇを使用する。シリコーンゴム材料のその他の組成
ならびにその後の処理は変更しない。
同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ−
ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル
の代わりに、４−アミノ−１,２,４−トリアゾール０．
０６ｇを使用する。シリコーンゴム材料のその他の組成
ならびにその後の処理は変更しない。
【００５７】比較例１０（本発明によらず）：例１記載
と同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ
−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステ
ルの代わりに、３−アミノ−１,２,４−トリアゾール
０．０６ｇを使用する。シリコーンゴム材料のその他の
組成ならびにその後の処理は変更しない。
と同様に行ったが、ただしこの場合例１で使用した１Ｈ
−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステ
ルの代わりに、３−アミノ−１,２,４−トリアゾール
０．０６ｇを使用する。シリコーンゴム材料のその他の
組成ならびにその後の処理は変更しない。
【００５８】例１１：２５℃で粘度２０Ｐａ．ｓを有す
るビニルジメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン
２２０質量部をヘキサメチルジシラザン４０質量部、脱
塩水１５質量部を、および数回に分けて添加しかつ混入
し、ＢＥＴによる比表面積３００ｍ２／ｇを有する熱分
解した珪酸１４０質量部とともに、室温で１．５時間、
二重Ｚ形ニーダーで混和し、均一なペーストを作る。揮
発性成分および副生成物を除去するために該混合物を引
き続き１５０℃で３時間、真空下（＜１００ミリバー
ル）で練る。該熱処理段階後さらにビニル官能性ポリジ
メチルシロキサン２００質量部を混入し、かつ該ペース
トを室温で１時間均一化する。充填剤約２５重量％を含
有する均一なベースペーストが得られる。
るビニルジメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン
２２０質量部をヘキサメチルジシラザン４０質量部、脱
塩水１５質量部を、および数回に分けて添加しかつ混入
し、ＢＥＴによる比表面積３００ｍ２／ｇを有する熱分
解した珪酸１４０質量部とともに、室温で１．５時間、
二重Ｚ形ニーダーで混和し、均一なペーストを作る。揮
発性成分および副生成物を除去するために該混合物を引
き続き１５０℃で３時間、真空下（＜１００ミリバー
ル）で練る。該熱処理段階後さらにビニル官能性ポリジ
メチルシロキサン２００質量部を混入し、かつ該ペース
トを室温で１時間均一化する。充填剤約２５重量％を含
有する均一なベースペーストが得られる。
【００５９】得られたベースペースト１９６．０ｇをロ
ーラーの温度２５℃のローラー上でエチニルシクロヘキ
サノール０．１ｇ、ジメチルシロキシ単位、メチルヒド
ロゲンシロキシ単位、およびトリメチルシロキシ単位か
らなり、２５℃で粘度３２０ｍＰａ．ｓを有するコポリ
マー３．５ｇ、およびＳｉに結合した水素０．４８重量
％、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチ
ルエステル０．０５ｇ、および２５℃で粘度１Ｐａ．ｓ
を有するジメチルビニルシロキシ末端位のポリジメチル
シロキサン（Wacker-Chemie有限会社製、触媒ＯＬ）
中、元素白金に関して白金１重量％を含有する、白金−
Sym−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の溶液
０．２ｇと共に５分、完全に混和した。該混合物を引き
続き油圧プレスで温度１７０℃で５分架橋してシリコー
ンエラストマーシートを作る。離型した、厚さ約２ｍｍ
もしくは６ｍｍのシリコーンエラストマーシートはテン
パリングせず、かつテンパリングをしていない状態で、
残留ひずみならびにその他のエラストマー特性に関して
特徴付けをする。
ーラーの温度２５℃のローラー上でエチニルシクロヘキ
サノール０．１ｇ、ジメチルシロキシ単位、メチルヒド
ロゲンシロキシ単位、およびトリメチルシロキシ単位か
らなり、２５℃で粘度３２０ｍＰａ．ｓを有するコポリ
マー３．５ｇ、およびＳｉに結合した水素０．４８重量
％、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オクチ
ルエステル０．０５ｇ、および２５℃で粘度１Ｐａ．ｓ
を有するジメチルビニルシロキシ末端位のポリジメチル
シロキサン（Wacker-Chemie有限会社製、触媒ＯＬ）
中、元素白金に関して白金１重量％を含有する、白金−
Sym−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の溶液
０．２ｇと共に５分、完全に混和した。該混合物を引き
続き油圧プレスで温度１７０℃で５分架橋してシリコー
ンエラストマーシートを作る。離型した、厚さ約２ｍｍ
もしくは６ｍｍのシリコーンエラストマーシートはテン
パリングせず、かつテンパリングをしていない状態で、
残留ひずみならびにその他のエラストマー特性に関して
特徴付けをする。
【００６０】比較例１２（本発明によらず）：例１１と
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略し
た。
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略し
た。
【００６１】例１３：例１１記載の通りに行うが、ただ
しこの場合熱処理後に添加したビニル官能性ポリジメチ
ルシロキサンの量を１４０ｇに減少する。製造したベー
スペーストの充填剤含有量はこれにより約３０重量％に
増加する。
しこの場合熱処理後に添加したビニル官能性ポリジメチ
ルシロキサンの量を１４０ｇに減少する。製造したベー
スペーストの充填剤含有量はこれにより約３０重量％に
増加する。
【００６２】比較例１４（本発明によらず）：例１３と
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略し
た。
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略し
た。
【００６３】例１５：例１１記載の通りに行うが、ただ
しこの場合熱処理後に添加したビニル官能性ポリジメチ
ルシロキサンの量を４０ｇに減少する。製造したベース
ペーストの充填剤含有量はこれにより約３５重量％に増
加する。
しこの場合熱処理後に添加したビニル官能性ポリジメチ
ルシロキサンの量を４０ｇに減少する。製造したベース
ペーストの充填剤含有量はこれにより約３５重量％に増
加する。
【００６４】比較例１６（本発明によらず）：例１５と
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略す
る。
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略す
る。
【００６５】例１７：付加架橋するポリジメチルシロキ
サン液状ゴム材料（Wacker-Chemie有限会社製エラスト
シル(R) LR 3003/50)の両成分それぞれ１００ｇをロー
ラー上でローラーの温度２５℃で５分、１Ｈ−ベンゾト
リアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル０．０４
ｇと完全に混和する。該混合物を引き続き油圧機で温度
１７０℃で５分架橋してシリコーンエラストマーシート
を作る。離型した、厚さ約２ｍｍもしくは６ｍｍのシリ
コーンエラストマーシートをテンパリングせず、テンパ
リングをしていない状態で残留ひずみならびにその他の
エラストマー特性に関して特徴付けをする。
サン液状ゴム材料（Wacker-Chemie有限会社製エラスト
シル(R) LR 3003/50)の両成分それぞれ１００ｇをロー
ラー上でローラーの温度２５℃で５分、１Ｈ−ベンゾト
リアゾール−５−カルボン酸オクチルエステル０．０４
ｇと完全に混和する。該混合物を引き続き油圧機で温度
１７０℃で５分架橋してシリコーンエラストマーシート
を作る。離型した、厚さ約２ｍｍもしくは６ｍｍのシリ
コーンエラストマーシートをテンパリングせず、テンパ
リングをしていない状態で残留ひずみならびにその他の
エラストマー特性に関して特徴付けをする。
【００６６】比較例１８（本発明によらず）：例１７と
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略す
る。
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略す
る。
【００６７】例１９：例１７と同様に行うが、ただしこ
の場合液状シリコーンゴムであるエラストシル(R) LR 3
003/40の代わりにエラストシル(R) LR 3003/60型を使用
する。
の場合液状シリコーンゴムであるエラストシル(R) LR 3
003/40の代わりにエラストシル(R) LR 3003/60型を使用
する。
【００６８】比較例２０（本発明によらず）：例１９と
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略す
る。
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略す
る。
【００６９】例２１：例１７と同様に行うが、ただしこ
の場合液状シリコーンゴムであるエラストシル(R) LR 3
003/40の代わりにエラストシル(R) LR 3003/70型を使用
する。
の場合液状シリコーンゴムであるエラストシル(R) LR 3
003/40の代わりにエラストシル(R) LR 3003/70型を使用
する。
【００７０】比較例２２（本発明によらず）：例２１と
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略す
る。
同様に行うが、ただしこの場合１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−５−カルボン酸オクチルエステルの添加を省略す
る。
【００７１】シリコーンエラストマー特性の特徴付けは
表１から４に記載されている：例１から２２により製造
した本発明による、および本発明によらないシリコーン
エラストマーは以下の基準により評価する。
表１から４に記載されている：例１から２２により製造
した本発明による、および本発明によらないシリコーン
エラストマーは以下の基準により評価する。
【００７２】ａ）同一の条件（温度１７５℃、２２時
間、圧縮２５％）下で、同寸法（直径：１３ｍｍ、高
さ：６ｍｍ）の円柱形試料体を使用したＤＩＮ５３５１
７による残留ひずみ（ＤＶＲ）。
間、圧縮２５％）下で、同寸法（直径：１３ｍｍ、高
さ：６ｍｍ）の円柱形試料体を使用したＤＩＮ５３５１
７による残留ひずみ（ＤＶＲ）。
【００７３】例１〜１０による様々なトリアゾール化合
物およびベンゾトリアゾール化合物の使用により生じた
残留ひずみ値を表１に示す。添加剤として１Ｈ−ベンゾ
トリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステルを含有
するエラストマーは添加剤の含有量とほぼ関係なく極め
て低い残留ひずみ値を示す一方で、別のトリアゾールお
よびベンゾトリアゾールでは残留ひずみの減少は不十分
であるか、または（特に含有量が多い場合）ショアーＡ
硬度の変化により特徴付けられる、架橋反応の著しい阻
害を引き起こし；さらにエラストマーの透明性はシュリ
ーレン、斑点、ないしは結晶形成により極めて不利に阻
害される。特に際立つのは、１Ｈ−ベンゾトリアゾール
（Ｍ＝１１９ｇ／モル）と比較して２倍以上大きい、１
Ｈ−ベンゾトリアゾール−カルボン酸オクチルエステル
の分子質量（Ｍ＝２７５ｇ／モル）を考慮した上でも、
はるかに高い効果である。
物およびベンゾトリアゾール化合物の使用により生じた
残留ひずみ値を表１に示す。添加剤として１Ｈ−ベンゾ
トリアゾール−５−カルボン酸オクチルエステルを含有
するエラストマーは添加剤の含有量とほぼ関係なく極め
て低い残留ひずみ値を示す一方で、別のトリアゾールお
よびベンゾトリアゾールでは残留ひずみの減少は不十分
であるか、または（特に含有量が多い場合）ショアーＡ
硬度の変化により特徴付けられる、架橋反応の著しい阻
害を引き起こし；さらにエラストマーの透明性はシュリ
ーレン、斑点、ないしは結晶形成により極めて不利に阻
害される。特に際立つのは、１Ｈ−ベンゾトリアゾール
（Ｍ＝１１９ｇ／モル）と比較して２倍以上大きい、１
Ｈ−ベンゾトリアゾール−カルボン酸オクチルエステル
の分子質量（Ｍ＝２７５ｇ／モル）を考慮した上でも、
はるかに高い効果である。
【００７４】ｂ）ＤＩＮ５３５０５によるショアーＡ；
ＤＩＮ５３５０４−Ｓ１による引裂強さ（ＲＦ）；ＤＩ
Ｎ５３５０４−Ｓ１による引裂伸び（ＲＤ）；ＡＳＴＭ
Ｄ６２４Ｂ−７３による初期引裂強さ（ＷＲＷ）；Ｄ
ＩＮ５３５１２−８８による反発弾性（ＲＰＥ）。
ＤＩＮ５３５０４−Ｓ１による引裂強さ（ＲＦ）；ＤＩ
Ｎ５３５０４−Ｓ１による引裂伸び（ＲＤ）；ＡＳＴＭ
Ｄ６２４Ｂ−７３による初期引裂強さ（ＷＲＷ）；Ｄ
ＩＮ５３５１２−８８による反発弾性（ＲＰＥ）。
【００７５】表２に示した機械的エラストマー特性値は
１Ｈ−ベンゾトリアゾール−カルボン酸オクチルエステ
ルの残留ひずみ減少効果が高いことを証明しており、該
効果はシリコーンエラストマーの充填剤含有量とはほぼ
関係ない、つまり充填剤の含有量が極めて多い場合でさ
え、エラストマーのその他の機械的特性を著しく阻害す
ることなく残留ひずみ値を低下させることができること
が明らかになる。これに対してその他のトリアゾールお
よびベンゾトリアゾール、例えば特に１Ｈ−ベンゾトリ
アゾールの残留ひずみ減少効果は一般にエラストマーの
機械的特性の不利な変化と結びついている（表３）。表
４は１Ｈ−ベンゾトリアゾール−カルボン酸オクチルエ
ステルの含有量が極めて少なくても既に、付加架橋する
液状シリコーンゴム材料の種類に関わりなく、その他の
機械的エラストマー特性を変化させることなく、残留ひ
ずみ値を低下できることを明らかにしている。その結果
生じた、残留ひずみの著しい減少により、架橋反応に続
くシリコーンエラストマーのその後のテンパリングは必
要なくなる。
１Ｈ−ベンゾトリアゾール−カルボン酸オクチルエステ
ルの残留ひずみ減少効果が高いことを証明しており、該
効果はシリコーンエラストマーの充填剤含有量とはほぼ
関係ない、つまり充填剤の含有量が極めて多い場合でさ
え、エラストマーのその他の機械的特性を著しく阻害す
ることなく残留ひずみ値を低下させることができること
が明らかになる。これに対してその他のトリアゾールお
よびベンゾトリアゾール、例えば特に１Ｈ−ベンゾトリ
アゾールの残留ひずみ減少効果は一般にエラストマーの
機械的特性の不利な変化と結びついている（表３）。表
４は１Ｈ−ベンゾトリアゾール−カルボン酸オクチルエ
ステルの含有量が極めて少なくても既に、付加架橋する
液状シリコーンゴム材料の種類に関わりなく、その他の
機械的エラストマー特性を変化させることなく、残留ひ
ずみ値を低下できることを明らかにしている。その結果
生じた、残留ひずみの著しい減少により、架橋反応に続
くシリコーンエラストマーのその後のテンパリングは必
要なくなる。
【００７６】
【表１】
【００７７】
【表２】
【００７８】
【表３】
【００７９】
【表４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｋ 3/10 Ｃ０８Ｋ 5/54 (72)発明者 クリストフ ヴェルナー ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン ラ イプニッツシュトラーセ 52 (72)発明者 ブリギッテ オスターマイアー ドイツ連邦共和国 エルルバッハ オー ベレック 63 (72)発明者 ゲオルク エーベルル ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン エ リーザベト−シュトラーセ 21 (72)発明者 イェリカ ゲギック ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン フ リードリッヒ−エーベルト−シュトラー セ １ (56)参考文献 特開 平２−242854（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−33961（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−253685（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08L 83/07 C08G 77/44 C08K 5/3475 C08K 5/54 C08L 83/05 C09K 3/10
Claims (6)
- 【請求項１】 付加架橋可能なシリコーンゴム材料にお
いて、以下の成分： （Ｉ）アルケニル官能性ポリオルガノシロキサン、 （ＩＩ）ＳｉＨ官能性架橋剤、 （ＩＩＩ）ヒドロシリル化触媒、および （ＩＶ）１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸オ
クチルエステルを含有することを特徴とする、付加架橋
可能なシリコーンゴム材料。 - 【請求項２】 アルケニル基を含有するポリオルガノシ
ロキサン（Ｉ）の組成が平均的な一般式（１）： ＲａＲ１ ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２ （１） ［式中、 Ｒは同じかまたは異なっている１価の、場合によりハロ
ゲン置換またはシアノ置換の、場合により２価の有機基
を介してケイ素に結合されている、脂肪族炭素−炭素多
重結合を含有するＣ１〜Ｃ１０炭化水素基を表し、 Ｒ１は同じかまたは異なっている１価の、場合によりハ
ロゲン置換またはシアノ置換の、ＳｉＣを介して結合さ
れている、脂肪族炭素−炭素多重結合を有さないＣ１〜
Ｃ１０炭化水素基を表し、 ａは少なくとも２つの基Ｒ１が全ての分子中に存在する
ような負でない数を表し、 ｂは（ａ＋ｂ）が１．８〜２．５の範囲であるような負
でない数を表す］に相当する、請求項１記載のシリコー
ンゴム材料。 - 【請求項３】 ＳｉＨ官能性架橋剤の組成が以下の平均
的な式（５）： ＨｈＲ６ ｉＳｉＯ（４−ｈ−ｉ）／２ （５） ［式中、 Ｒ６はＲ１と同じものを表し、かつｈおよびｉは０．５
＜（ｈ＋ｉ）＜３．０および０＜ｈ＜２という条件付き
の負でない整数であるため、１分子当たりケイ素に結合
された水素原子が少なくとも２つ存在する］に相当す
る、請求項１または２記載のシリコーンゴム材料。 - 【請求項４】 ヒドロシリル化触媒（ＩＩＩ）を、白
金、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、およびイリジ
ウム、ならびにこれらの化合物から選択する、請求項１
から３までのいずれか１項記載のシリコーンゴム材料。 - 【請求項５】 １Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボ
ン酸オクチルエステル（ＩＶ）の含有量が０．００５〜
１．０重量％である、請求項１から４までのいずれか１
項記載のシリコーンゴム材料。 - 【請求項６】 請求項１から５までのいずれか１項記載
のシリコーンゴム材料の架橋により製造された成形体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19631120.9 | 1996-08-01 | ||
| DE19631120A DE19631120A1 (de) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | Additionsvernetzte Siliconelastomere mit verringertem Druckverformungsrest |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1077412A JPH1077412A (ja) | 1998-03-24 |
| JP3187344B2 true JP3187344B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=7801519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20304797A Expired - Fee Related JP3187344B2 (ja) | 1996-08-01 | 1997-07-29 | 付加架橋可能なシリコーンゴム材料、および該ゴム材料から架橋により得られる成形体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
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