JP3187310U - 減圧乾燥処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】フォトリソグラフィ工程等において基板に塗布膜を形成するために用いられ、処理後の基板の帯電量の増加を抑制し、基板上に形成された製品の静電破壊を防止する減圧乾燥処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｇに塗布した塗布液を乾燥させるための減圧乾燥処理装置１であって、減圧可能な処理空間１０と、この処理空間１０で減圧乾燥処理を行う際に、基板Ｇに形成された製品の領域外で基板Ｇを支持する支持部１１とを有する。
【選択図】図１

Description

本考案は、フォトリソグラフィ工程等において被処理基板に塗布膜を形成するために、塗布液が塗布された被処理基板に減圧乾燥処理を施す減圧乾燥処理装置に関する。

例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）の製造においては、ガラス基板等の被処理基板（以下、基板と呼ぶ）に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理する、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成する。そして、前記レジスト膜の形成工程において、基板へレジストを塗布した後、減圧乾燥により塗布膜を乾燥させる減圧乾燥処理が行われる。

従来、減圧乾燥処理を行う装置として、例えば特許文献１に開示の減圧乾燥処理装置が用いられる。減圧乾燥処理において、まず表面に塗布液が塗布された基板が載置部上に載置される。次に載置部上面の周縁部と接触する位置まで蓋体を下降させ、蓋体と載置部により基板を収容した処理空間を形成する。その後前記の処理空間内を減圧することにより塗布液を乾燥させて、基板の表面に塗布膜が形成される。

特開２００２−２３９４４１号公報

前記の減圧乾燥処理装置においては、載置部表面に基板の裏面が全面接触した状態で減圧乾燥処理を行う。しかし減圧乾燥処理の際に、基板と載置部との摩擦により、減圧乾燥処理後の基板の帯電量が増加して、基板上に形成された製品が静電破壊されるおそれがあった。

本考案は、前記の従来技術の問題点を解決するものであり、減圧乾燥処理後の基板の帯電量の増加を抑制可能な減圧乾燥処理装置を提供する。

前記課題を解決するために、本考案に係る減圧乾燥処理装置は、減圧可能な処理空間と、この処理空間で減圧乾燥処理を行う際に、基板に形成された製品の領域外で基板を支持する支持部とを有する。

本考案の減圧乾燥処理装置によれば、基板と基板を支持する支持部との接触面積を低減できるので、減圧乾燥処理後における基板の帯電量の増加を抑制でき、基板上に形成された製品の静電破壊を防止できる。

本考案に係る減圧乾燥処理装置の一構成例を示す断面図である。 前記減圧乾燥処理装置におけるステージ平面図である。 本考案において基板と基板の支持部との位置関係を示す平面図である。

以下、添付図を参照して、本考案の好適な実施形態を説明する。

図１は、本考案における減圧乾燥処理装置１の断面図である。減圧乾燥処理装置１は、ステージ２と、蓋体３とを有する。また減圧乾燥処理装置１は、蓋体３を昇降させるための昇降手段例えばエアシリンダ４を有する。

蓋体３は、ステージ２の上部に設けられる。そして蓋体３を下降させてステージ２の周縁部と接触させ、その内部の処理空間１０を気密に維持することが可能である。

図２は、ステージ２の平面図である。ステージ２の角部付近に４個の排気口５を有する。排気口５には図示しない排気ポンプが接続され、処理空間１０を減圧することが可能である。

またステージ２の上面には、被処理基板である基板Ｇを支持する支持部１１が形成されている。支持部１１は、複数の支持ピン６からなるピン状支持部８と、帯状の支持バー９からなる帯状支持部７とで構成されており、ピン状支持部８および帯状支持部７により基板Ｇが支持される。支持ピン６は、基板Ｇの周縁部に配置され、上端部を基板Ｇの裏面に点接触させることで基板Ｇを支持する。支持ピン６の直径は、例えば３ｍｍ、支持ピン６の上端の高さはステージ２の上面から例えば１０ｍｍであり、支持ピン６の上端は曲面状に形成されている。支持バー９は、基板Ｇの一端から他端に向けて帯状に配置され、上端面を基板Ｇの裏面に面接触させることで基板Ｇを支持する。支持バー９の幅は、例えば１０ｍｍ、支持バー９の上端の高さは、ステージ２の上面から例えば１０ｍｍである。なお、ピン状支持部８（支持ピン６）は、ステージ２に固定してもよく、また、ステージ２に対して着脱自在として取付位置を変更可能としてもよい。帯状支持部７（支持バー９）は、ステージ２に対して容易に脱着自在になっており、帯状支持部７の取り付け位置は容易に変更可能である。

図３は、基板Ｇ、ピン状支持部８、帯状支持部７の位置関係を示す平面図である。図３では、１枚の基板Ｇから４つの製品Ｐを作成する例を示している。製品Ｐは、たとえば処理後に基板Ｇを分断して最終製品となる表面に回路パターンが形成された部分などである。

ピン状支持部８は、製品Ｐの領域外で、かつ基板Ｇの周縁を支持するように配置される。帯状支持部７の位置は、基板Ｇに形成される製品Ｐの領域に基づいて決定され、製品Ｐの領域外でかつ基板Ｇの中央付近を支持するように配置される。このようにピン状支持部８と帯状支持部７とで基板Ｇを支持することにより、従来と比較して基板Ｇを支持する面積（接触面積）が低減される。基板Ｇを支持する面積が低減されるので、減圧乾燥処理時の基板Ｇと支持部１１との摩擦により発生する静電気を抑制できる。したがって減圧乾燥処理後の基板Ｇの帯電量の増加を抑制することが可能である。これにより、基板Ｇ上に形成された製品Ｐが静電破壊されるのを防止することができる。

また、支持部１１（ピン状支持部８と帯状支持部７）は、製品Ｐの領域外を支持するように配置されているので、減圧乾燥処理後にピン状支持部８や帯状支持部７の跡が製品Ｐの領域内に発生する虞がない。

次に、本考案における減圧乾燥処理装置１の動作について説明する。まず、蓋体３が上昇した状態で、塗布液例えばフォトレジストが塗布された基板Ｇが支持部１１上に載置される。その後、蓋体３を下降させてステージ２の周縁部と接触させ、基板Ｇを収容した処理空間１０を形成する。次に、排気口５を通じて処理空間１０を減圧し、所定の時間減圧状態を維持する。その後、処理空間１０を外部と同じ圧力に戻し、次に蓋体３を上昇させる。その後、塗布液が乾燥して塗布膜が形成された基板Ｇが支持部１１上から搬出され、基板Ｇの減圧乾燥処理が完了する。

以上、本考案の好適な実施の形態を説明したが、本考案は上述した実施の形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形または変更が可能である。

例えば本実施の形態では１枚の基板Ｇから４つの製品Ｐを作成する例で説明したが、この例に限定されない。１枚の基板Ｇから例えば９つの製品Ｐを作成する場合は、帯状支持部７の取り付け位置を変更し、９つの製品Ｐの領域外を支持するように帯状支持部７を配置し直せばよい。このようにすることにより、１枚の基板から４つの製品Ｐを作成する場合においても、１枚の基板から４つの製品Ｐと異なる、例えば９つの製品Ｐを作成する場合においても、減圧乾燥処理後に製品Ｐの領域内にピン状支持部８や帯状支持部７の跡が発生する虞がない。

また帯状支持部７を１つではなく、複数配置してもよい。帯状支持部７を複数配置する場合も、帯状支持部７の位置は製品Ｐの領域外を支持するように配置するのがよい。

また支持部１１は、ピン状支持部８及び帯状支持部７で構成する場合に限られず、ピン状支持部８のみ、又は、帯状支持部７のみで構成してもよい。支持部１１をピン状支持部８と帯状支持部７とで構成する場合には、定形の基板Ｇの周縁を位置が固定されたピン状支持部８で支持する一方、製品Ｐの個数や位置や形状に応じて位置が変更可能な帯状支持部７で支持するようにしてもよい。

さらに支持部１１（ピン状支持部８、帯状支持部７）に対して基板Ｇを受け渡すための図示しない受け渡し手段、例えば基板搬送ロボット等を設けてもよく、さらに効率良く減圧乾燥処理を行うことが可能である。

本考案における塗布液としてはフォトレジストに限らず、層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液でも可能である。また本考案における被処理基板はＦＰＤ基板に限らず、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。

Ｇ 基板
Ｐ 製品
１ 減圧乾燥処理装置
２ ステージ
３ 蓋体
６ 支持ピン
７ 帯状支持部
８ ピン状支持部
９ 支持バー
１０ 処理空間
１１ 支持部

Claims (4)

1. 基板に塗布した塗布液を乾燥させるための減圧乾燥処理装置であって、
   減圧可能な処理空間と、
   この処理空間で減圧乾燥処理を行う際に、基板に形成された製品の領域外で基板を支持する支持部と
   を有することを特徴とする減圧乾燥処理装置。
2. 前記支持部は、
   基板に形成された製品の領域外でかつ基板の周縁を支持する複数の支持ピンからなるピン状支持部と、
   基板に形成された製品の領域外でかつ基板の一端から他端に向けて支持する帯状の支持バーからなる帯状支持部と
   を有することを特徴とする請求項１に記載の減圧乾燥処理装置。
3. 前記帯状支持部の位置は、変更自在であることを特徴とする請求項２に記載の減圧乾燥処理装置。
4. 前記減圧乾燥処理装置は、
   ステージと、
   蓋体と
   を有し、
   蓋体とステージの周縁部とを接触させて、その内部に処理空間を気密状に形成し、
   前記支持部を前記ステージに設けたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の減圧乾燥処理装置。

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