KR100934770B1 - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100934770B1
KR100934770B1 KR1020070135022A KR20070135022A KR100934770B1 KR 100934770 B1 KR100934770 B1 KR 100934770B1 KR 1020070135022 A KR1020070135022 A KR 1020070135022A KR 20070135022 A KR20070135022 A KR 20070135022A KR 100934770 B1 KR100934770 B1 KR 100934770B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
substrate
chamber
support
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020070135022A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090067380A (ko
Inventor
정원기
Original Assignee
주식회사 에이디피엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이디피엔지니어링 filed Critical 주식회사 에이디피엔지니어링
Priority to KR1020070135022A priority Critical patent/KR100934770B1/ko
Publication of KR20090067380A publication Critical patent/KR20090067380A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100934770B1 publication Critical patent/KR100934770B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판처리장치는 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 제공되는 서셉터; 상기 서셉터의 가장자리를 감싸며, 상부면에 상기 기판이 놓여지는 지지부재; 그리고 상기 서셉터의 가장자리에 형성된 복수의 관통홀들을 통해 각각 승강되며, 상기 지지부재를 각각 승강하는 복수의 지지핀들을 포함한다. 상기 지지부재는 상기 서셉터의 상부 가장자리를 외부로부터 보호하는 상부보호부재; 그리고 상기 상부보호부재와 상기 서셉터의 사이에 제공되며 상기 상부보호부재와 상기 서셉터를 절연하는 상부 절연부재를 포함할 수 있다. 상기 상부보호부재는 세라믹 재질일 수 있다.
지지핀, 상부보호부재, 절연부재

Description

기판처리장치{apparatus and method for processing substrate}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 지지핀을 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.
액정 표시 패널의 제조공정에서, 액정 표시 패널용의 유리기판 상에 ITO(Indium Tin Oxide)의 얇은 막이나 전극패턴을 형성하기 위해서는 반도체 디바이스의 제조에 사용되는 포토리소그래피 기술이 사용된다. 포토리소그래피 기술은 포토레지스트를 유리기판에 도포한 후, 이를 노광하고 현상하며, 포토레지스트의 도포 후 노광전, 또는 노광 후 현상 전에 기판을 가열한다. 이와 같은 가열처리는 포토레지스트 내의 용제를 증발시키거나, 노광에 의한 정재파효과에 의하여 레지스트 패턴의 변형을 경가시키기 위한 것이다.
포토레지스트를 도포하는 공정에서는 도포장치를 이용하여 포토레지스트를 기판 상에 도포한다. 포토레지스트의 도포 후, 감압건조장치를 이용하여 레지스트가 도포된 기판을 건조시킨다. 이와 같은 도포장치나 감압건조장치, 가열장치 등은 외부의 반송암으로부터 기판을 받아들이거나 반송암에 기판을 전달하기 위한 지지 핀을 구비한다.
종래의 지지핀은 기판의 아래쪽에서 기판을 지지하였으며, 이로 인하여 기판의 하부면에 흔적이 발생하였다. 또한, 최근의 대형 유리기판을 지지핀들을 이용하여 지지할 경우, 유리기판의 자중으로 인하여 지지핀에 의해 지지되지 않는 부분이 아래쪽으로 휘는 현상이 발생하였다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 기판을 안정적으로 지지하는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기판의 변형을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명에 의하면, 기판처리장치는 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 제공되는 서셉터; 상기 서셉터의 가장자리를 감싸며, 상부면에 상기 기판이 놓여지는 지지부재; 그리고 상기 서셉터의 가장자리에 형성된 복수의 관통홀들을 통해 각각 승강되며, 상기 지지부재를 각각 승강하는 복수의 지지핀들을 포함한다.
상기 지지부재는 상기 서셉터의 상부 가장자리를 외부로부터 보호하는 상부보호부재; 그리고 상기 상부보호부재와 상기 서셉터의 사이에 제공되며, 상기 상부보호부재와 상기 서셉터를 절연하는 상부 절연부재를 포함할 수 있다. 상기 상부보호부재는 세라믹 재질일 수 있다.
상기 장치는 상기 서셉터의 측벽을 외부로부터 보호하는 측부보호부재; 그리고 상기 측부보호부재와 상기 서셉터의 측벽 사이에 제공되며, 상기 측부보호부재 와 상기 서셉터의 측벽을 절연하는 측부절연부재를 더 포함할 수 있다.
상기 장치는 상기 챔버 내부에 제공되며, 상기 지지핀들의 하단에 연결되는 판부재; 상기 판부재의 하부에 연결되며, 상기 챔버의 하부벽에 형성된 복수의 관통홀들을 통해 각각 승강하는 복수의 막대부재들; 그리고 상기 챔버의 외부에 제공되며, 상기 막대부재들의 하단에 각각 연결되는 연결부재를 더 포함할 수 있다.
상기 장치는 상기 챔버 내에 제공되어 상기 챔버 내에 공급된 소스가스로부터 플라스마를 생성하는 상부전극을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 상부보호부재는 사각링 형상일 수 있다.
본 발명에 의하면, 챔버 내에 로딩된 기판을 처리하는 방법은 상기 챔버 내에 제공되어 서셉터의 가장자리를 감싸며 상부면에 상기 기판이 놓여진 상기 지지부재를 승강하여 상기 기판을 승강하는 것을 특징으로 한다.
상기 지지부재는 상기 서셉터의 가장자리에 형성된 복수의 관통홀들을 통해 승강하는 복수의 지지핀들에 의하여 승강할 수 있다.
상기 방법은 반송암을 이용하여 상기 기판이 놓여진 상기 지지부재를 상기 챔버 내에 로딩하며, 상기 지지부재를 하강하여 상기 지지부재를 상기 서셉터의 가장자리에 위치시키며 상기 기판을 상기 서셉터의 상부면에 위치시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은 상기 지지부재를 상승하여 상기 기판을 상승시키고, 반송암을 이용하여 상기 기판이 놓여진 상기 지지부재를 상기 챔버로부터 언로딩할 수 있다.
본 발명에 의하면 지지핀에 의해 기판이 변형되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판과의 접촉면적을 증가시켜 기판을 안정적으로 지지할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 내지 도 7을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판처리장치는 내부에서 기판(S)에 대한 공정 처리가 이루어지는 챔버(10), 챔버(10) 내의 상부에 제공되는 상부전극(20), 그리고 챔버(10) 내의 하부에 제공되는 서셉터(30)를 포함한다. 상부전극(20)은 챔버(10)의 내부에 소스가스를 공급하며, 서셉터(30)와 함께 챔버(10)의 내부에 전계를 형성하여 소스가스로부터 플라스마를 생성한다. 서셉터(30)는 상부전극(20)과 대향되도록 배치되며, 챔버(10) 내에 로딩된 기판(S)을 지지한다. 챔버(10)의 일측에는 펌프(P)가 제공되며, 챔버(10) 내부의 미반응 공정가스 또는 반응부산물 등을 외부로 강제배출한다. 한편, 챔버(10)의 일측에는 기판(S)이 출입하는 통로가 형성된다.
서셉터(30)에 대해 상세하게 살펴보면, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(S)은 서셉터(30)의 상부면에 놓여진다. 서셉터(30)는 기판(S)의 형상과 대응되는 형상(예를 들어, 사각형의 기판(S)인 경우에는 사각형, 원형의 기판(S)인 경우에는 원형)의 상부면을 가진다. 상부면은 기판(S)이 놓여지는 안착면과, 안착면으로부터 단차지도록 형성되는 가장자리면을 가지며, 가장자리면과 대체로 수직한 측벽을 가진다. 가장자리면의 상부에는 상부절연부재(32b) 및 상부보호부재(34b)가 순차적으로 위치하며, 측벽에는 측부절연부재(32a) 및 측부보호부재(34a)가 순차적으로 위치한다. 측부절연부재(32a) 및 측부보호부재(34a)는 체결구(도시안됨)에 의해 서셉터(30)의 측벽에 고정설치되나, 상부절연부재(32b) 및 상부보호부재(34b)는 가장자리면으로부터 탈착가능하도록 가장자리면의 상부에 위치한다. 안착면에 놓여진 기판(S)의 가장자리는 상부보호부재(34b)의 상부면에 위치한다.
도 2는 도 1의 상부보호부재(34a)를 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 구성한 단면도이다. 서셉터(30)의 상부면과 마찬가지로, 상부보호부재(34a)는 기판(S)의 형상과 대체로 대응되는 형상을 가지고, 도 2에 도시한 바와 같이 상부보호부재(34a)는 중앙에 개구가 형성되는 사각링 형상을 포함하며, 세라믹 재질을 포함한다. 세라믹 재질의 상부보호부재(34a)를 사각링 형상으로 제조하는 것은 용이하지 않으므로, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 상부보호부재(34a)는 복수의 조각들로 이루어질 수 있다. 상부보호부재(34a) 및 측부보호부 재(34b)는 공정진행시 서셉터(30)가 플라스마에 의해 손상되는 것을 방지하며, 동일 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 상부보호부재(34a)가 사각링 형상인 것으로 설명하고 있으나, 기판(S)이 원형이 경우 상부보호부재(34a)는 원형링 형상일 수 있다.
도 4는 도 1의 상부절연부재(32b)를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 상부보호부재(34a)와 마찬가지로, 상부절연부재(32b)는 기판(S)의 형상과 대체로 대응되는 형상을 가지며, 도 4에 도시한 바와 같이 상부절연부재(32b)는 중앙에 개구가 형성되는 사각링 형상을 포함한다. 상부보호부재(34a)와 상부절연부재(32b)의 중앙에 형성된 개구의 크기는 대체로 동일하다(가로변의 길이:a, 세로변의 길이:b). 측부절연부재(32a) 및 상부절연부재(32b)는 상부보호부재(34a)와 서셉터(30) 및 측부보호부재(34b)와 서셉터(30) 사이를 절연하며, 테프론을 포함하는 절연재질로 이루어질 수 있다. 한편, 상부보호부재(34a)와 마찬가지로, 본 실시예에서는 상부절연부재(32b)가 사각링 형상인 것으로 설명하고 있으나, 기판(S)이 원형이 경우 상부절연부재(32b)는 원형링 형상일 수 있다.
한편, 서셉터(30)는 복수의 관통홀들을 가지며, 지지핀들(42)은 관통홀들을 통해 각각 승강한다. 관통홀은 서셉터(30)의 가장자리면으로부터 하부를 향해 연장되며, 대체로 서셉터(30)와 수직하다.
도 1에 도시한 바와 같이, 지지핀들(42)은 관통홀들을 통해 각각 승강하며, 판부재(44)는 지지핀들(42)의 하단에 연결된다. 판부재(44)는 챔버(10) 내에 배치된다. 막대부재(46)는 챔버(10)의 바닥벽에 형성된 관통홀을 통해 승강하며, 판부재(44)는 복수의 막대부재들(46)에 의해 연결부재(48)와 연결된다. 연결부재(48)는 구동기(50)에 의해 승강한다. 한편, 막대부재들(46) 상에는 챔버(10) 내부를 밀폐하기 위한 실링부재들(45)이 각각 설치된다.
도 5는 도 1의 지지부재(32b, 34b)를 이용하여 기판을 챔버로부터 언로딩하는 모습을 나타내는 도면이다. 도 6은 도 1의 챔버 내에 기판을 로딩하는 방법을 나타내는 흐름도이며, 도 7은 도 1의 챔버로부터 기판을 언로딩하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 이하, 도 5 내지 도 7을 참고하여 기판을 로딩 및 언로딩하는 방법을 설명하기로 한다.
먼저, 기판(S)은 지지부재(32b, 34b)의 상부면에 놓여진 상태에서 챔버(10) 내에 로딩되며, 챔버(10)로부터 언로딩된다. 챔버(10) 내에 기판(S)을 로딩하는 경우, 지지부재(32b, 34b)의 상부면에 기판(S)을 올려놓은 후(S10), 반송암(T)을 이용하여 기판(S)이 놓여진 지지부재(32b, 34b)를 챔버(10) 내로 로딩한다(S20). 지지부재(32b, 34b)가 서셉터(30)의 가장자리면 상부에 위치하면, 지지핀들(42)이 서셉터(30)의 관통홀들을 통해 상승하며, 지지부재(32b, 34b)는 지지핀들(42)에 의해 지지된다(S30). 이후, 반송암(T)이 챔버(10)의 외부로 복귀하면, 지지핀들(42)은 하강하며(S40), 도 1에 도시한 바와 같이 지지부재(32b, 34b)는 서셉터(30)의 가장자리면에 위치하고(상부면에 기판(S)이 놓여진 상태에서), 기판(S)은 서셉터(30)의 안착면에 위치한다.
챔버(10)로부터 기판(S)을 언로딩하는 경우, 지지핀들(42)을 상승하면, 지지부재(32b, 34b)는 상부면에 놓여진 기판(S)과 함께 상승한다(S110). 이후, 반송암(T)을 이용하여 지지부재(32b, 34b)를 기판(S)과 함께 챔버(10)의 외부로 언로딩한다.
본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다.
도 2는 도 1의 상부보호부재를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 구성한 단면도이다.
도 4는 도 1의 상부절연부재를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 1의 지지부재를 이용하여 기판을 챔버로부터 언로딩하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 1의 챔버 내에 기판을 로딩하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 도 1의 챔버로부터 기판을 언로딩하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 챔버 20 : 상부전극
30 : 서셉터 32a : 측부절연부재
32b : 상부절연부재 34a : 측부보호부재
34b : 상부보호부재 42 : 지지핀
44 : 판부재 45 : 실링부재
46 : 막대부재 48 : 연결부재
50 : 구동기

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 제공되는 서셉터;
    상기 서셉터의 가장자리를 감싸며, 상부면에 상기 기판이 놓여지는 지지부재; 및
    상기 서셉터의 가장자리에 형성된 복수의 관통홀들을 통해 각각 승강되며, 상기 지지부재를 각각 승강하는 복수의 지지핀들을 포함하며,
    상기 지지부재는,
    상기 서셉터의 상부 가장자리를 외부로부터 보호하는 상부보호부재; 및
    상기 상부보호부재와 상기 서셉터의 사이에 제공되며, 상기 상부보호부재와 상기 서셉터를 절연하는 상부 절연부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 상부보호부재는 세라믹 재질인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 기판처리장치는,
    상기 서셉터의 측벽을 외부로부터 보호하는 측부보호부재; 및
    상기 측부보호부재와 상기 서셉터의 측벽 사이에 제공되며, 상기 측부보호부재와 상기 서셉터의 측벽을 절연하는 측부절연부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 기판처리장치는,
    상기 챔버 내부에 제공되며, 상기 지지핀들의 하단에 연결되는 판부재;
    상기 판부재의 하부에 연결되며, 상기 챔버의 하부벽에 형성된 복수의 관통홀들을 통해 각각 승강하는 복수의 막대부재들; 및
    상기 챔버의 외부에 제공되며, 상기 막대부재들의 하단에 각각 연결되는 연결부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 기판처리장치는 상기 챔버 내에 제공되어 상기 챔버 내에 공급된 소스가스로부터 플라스마를 생성하는 상부전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 상부보호부재는 사각링 형상인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
KR1020070135022A 2007-12-21 2007-12-21 기판처리장치 KR100934770B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070135022A KR100934770B1 (ko) 2007-12-21 2007-12-21 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070135022A KR100934770B1 (ko) 2007-12-21 2007-12-21 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090067380A KR20090067380A (ko) 2009-06-25
KR100934770B1 true KR100934770B1 (ko) 2009-12-31

Family

ID=40995104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070135022A KR100934770B1 (ko) 2007-12-21 2007-12-21 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100934770B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210004382A (ko) * 2019-07-04 2021-01-13 세메스 주식회사 기판 건조 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057210A (ja) * 2001-06-08 2002-02-22 Applied Materials Inc ウェハ支持装置及び半導体製造装置
JP2002184756A (ja) * 2000-12-14 2002-06-28 Hitachi Ltd プラズマ処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184756A (ja) * 2000-12-14 2002-06-28 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2002057210A (ja) * 2001-06-08 2002-02-22 Applied Materials Inc ウェハ支持装置及び半導体製造装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210004382A (ko) * 2019-07-04 2021-01-13 세메스 주식회사 기판 건조 장치
KR102292369B1 (ko) 2019-07-04 2021-08-20 세메스 주식회사 기판 건조 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090067380A (ko) 2009-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4795899B2 (ja) 基板載置機構および基板受け渡し方法
KR101800504B1 (ko) 기판 탑재 장치 및 기판 처리 장치
CN102915944B (zh) 基板交接方法
JP5219377B2 (ja) 基板載置台および基板処理装置
CN114570621B (zh) 减压干燥装置
TW200926337A (en) Substrate mounting stage and substrate treating equipment
JP3597321B2 (ja) 減圧乾燥装置
KR20010088400A (ko) 기판의 가열처리장치
KR100934770B1 (ko) 기판처리장치
JP2009147042A (ja) 基板受取方法および基板ステージ装置
JP2001267217A (ja) 加熱処理装置
CN106513273B (zh) 减压干燥装置及减压干燥方法
JP2010016342A (ja) 平板表示素子製造装置のリフトピンモジュール
KR20090093541A (ko) 기판지지장치 및 기판지지방법
JP2885502B2 (ja) 熱処理装置
JP3187310U (ja) 減圧乾燥処理装置
KR100734781B1 (ko) 액정 디스플레이 기판용 플라즈마 식각 장치
JPH07106239A (ja) 基板加熱装置
US20130156537A1 (en) Carrier and substrate unloading method using the same
JPH01283391A (ja) エッチング装置
KR102258508B1 (ko) 기판 이송 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
CN110053369B (zh) 一种烘烤装置
KR20170030182A (ko) 기판 히팅 장치
US11482417B2 (en) Method of manufacturing semiconductor structure
JP2023012321A (ja) 部品の予熱処理方法、および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121205

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131220

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141223

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee