JP3186185U - 結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリ - Google Patents
結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3186185U JP3186185U JP2013004008U JP2013004008U JP3186185U JP 3186185 U JP3186185 U JP 3186185U JP 2013004008 U JP2013004008 U JP 2013004008U JP 2013004008 U JP2013004008 U JP 2013004008U JP 3186185 U JP3186185 U JP 3186185U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insertion portion
- electrode assembly
- unit
- crystal growth
- furnace wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/62—Heating elements specially adapted for furnaces
- H05B3/66—Supports or mountings for heaters on or in the wall or roof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
- H05B3/03—Electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/005—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method by irradiation or electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B14/00—Crucible or pot furnaces
- F27B14/06—Crucible or pot furnaces heated electrically, e.g. induction crucible furnaces with or without any other source of heat
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
【課題】電極ユニットと隔熱板との間に発生する高温なアーク放電を防止することができる結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリを提供する。
【解決手段】結晶成長炉9の炉壁91と該炉壁91内にある電気加熱手段92との間に取付けられていると共に、隔熱板ユニット3と、隔熱板ユニット3の貫通孔301を貫通する挿入部42を有する電極ユニット4と、挿入部42により内挿されて該挿入部42と該挿入部42が対応する貫通孔301との間に介在することにより全周を連続的に電気絶縁する効果を発揮する電気絶縁ユニットと、を備えることを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】結晶成長炉9の炉壁91と該炉壁91内にある電気加熱手段92との間に取付けられていると共に、隔熱板ユニット3と、隔熱板ユニット3の貫通孔301を貫通する挿入部42を有する電極ユニット4と、挿入部42により内挿されて該挿入部42と該挿入部42が対応する貫通孔301との間に介在することにより全周を連続的に電気絶縁する効果を発揮する電気絶縁ユニットと、を備えることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本考案は結晶成長炉に関し、特に結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリに関する。
図1に台湾特許I346152号明細書により開示された結晶成長炉が示されており、図示のように該結晶成長炉1は上炉壁11と、該上炉壁11の底部を封止する炉底蓋12と、該上炉壁11と炉底蓋12との間に配置される隔熱ユニット13と、隔熱ユニット13の内側に配置される支持台14と、複数の電極ユニット15と、複数の電気抵抗式グラファイト加熱手段16とを備えている。各電極ユニット15はいずれも上炉壁11に固定されている金属電極柱151と、金属電極柱151から下方へ延伸して隔熱ユニット13を貫通して電気抵抗式グラファイト加熱手段16に接続しているグラファイト電極柱152とを備えている。
該結晶成長炉1がシリコン多結晶成長を行う時には、支持台14により支持される坩堝17内にシリコン原料を設置してから、電極ユニット15を経由して低電圧/高電流の電気を電気抵抗式グラファイト加熱手段16に供給して高温を生成することによって、隔熱ユニット13内に熱場(thermal field)を生成し、坩堝17内に設置されたシリコン原料を溶融させてシリコン融液19にする。
ここで、隔熱ユニット13は通常導電性を有するグラファイトまたは炭素繊維材料により作成され、そして各電極ユニット15のグラファイト電極柱152と隔熱ユニット13との間に十分な電気絶縁処理が施されていないため、電極ユニット15を経由して低電圧/高電流の電気が供給されると、グラファイト電極柱152と隔熱ユニット13との間に生成される高温なアーク放電が隔熱ユニット13を損傷する虞がある。隔熱ユニット13が損傷すると、隔熱ユニット13内に生成される熱場も影響されるので、結晶成長の品質にも悪影響を与えてしまう。
図2に中国特許CN202107794号明細書により開示された結晶成長炉が示されており、図示のように該結晶成長炉2は炉体21と、該炉体21内に配置されている隔熱籠22と、隔熱籠22の上端に配置されている隔熱板23と、隔熱板23を貫通する複数の電極ユニット24と、各電極ユニット24に接続されている加熱装置25とを備えている。
しかし、この結晶成長炉2における各電極ユニット24と隔熱板23との間に電気絶縁手段が介在していないため、図1に示されている上記結晶成長炉1と同じように、高温なアーク放電の発生によって隔熱板23が損傷する問題が起こり、結晶成長に必要な熱場の生成も影響を受け、結晶成長の品質にも悪影響を与えてしまう。
したがって、本考案は電極ユニットと隔熱板との間に発生する高温なアーク放電を防止することができる結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリの提供を目的とする。
上記目的を達成すべく、本考案は、結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリであって、結晶成長炉の炉壁と該炉壁内にある電気加熱手段との間に取付けられていると共に、前記炉壁と前記電気加熱手段との間に配置され、前記炉壁に面する第1の表面と、前記電気加熱手段に面する第2の表面と、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通する複数の貫通孔とを有する隔熱板ユニットと、前記隔熱板ユニットが有する複数の貫通孔にそれぞれ対応し、いずれも前記炉壁に固定されている電気導入部と、前記電気導入部に電気的に接続していると共に対応する貫通孔を挿通してから前記電気加熱手段に当接して固定されている挿入部と、前記挿入部の前記電気加熱手段に固定されている端部の外周面から張り出すフランジとを有する複数の電極ユニットと、前記複数の電極ユニットがそれぞれ有する前記挿入部に対応し、いずれも前記挿入部と該挿入部が対応する前記貫通孔との電気的接続を前記挿入部の全周に亘って連続的に遮断することができるように、該挿入部により内挿されて該挿入部と該挿入部が対応する前記貫通孔との間に介在する絶縁スリーブと、該挿入部から張り出す前記フランジの前記隔熱板ユニットに面する端面と前記隔熱板ユニットの前記第2の表面との間に介在する絶縁リングとを有する複数の電気絶縁ユニットとと、を備えることを特徴とする加熱電極アセンブリを提供する。
上記加熱電極アセンブリにおいて、各前記電気絶縁ユニットが有する前記絶縁スリーブは、一端部が前記隔熱板ユニットの前記第1の表面側に突出すると共に、該一端部に前記第1の表面に当接する当接フランジが更に形成されていることが好ましい。
上記加熱電極アセンブリにおいて、各前記電気絶縁ユニットは、前記絶縁スリーブと、該絶縁スリーブに内挿する前記電極ユニットの前記挿入部との間に介在する一対の半円筒スリーブを更に有していることが好ましい。
上記加熱電極アセンブリにおいて、各前記電気絶縁ユニットが有する前記絶縁リングは、一対のC字形半円リング部からなることが好ましい。
上記加熱電極アセンブリにおいて、各前記電極ユニットは、いずれもグラファイト電極柱と該グラファイト電極柱の端部に接続される金属電極柱とにより構成されるものであり、前記グラファイト電極柱は、グラファイト材料で作成される前記挿入部及び前記挿入部から張り出す前記フランジとにより構成されており、前記金属電極柱は、金属材料で作成されて前記挿入部から前記炉壁まで延伸して前記炉壁に固定されている前記電気導入部により構成されることが好ましい。
上記加熱電極アセンブリにおいて、各前記電気絶縁ユニットが有する前記絶縁スリーブは、酸化アルミニウム材料からなることが好ましい。
上記加熱電極アセンブリにおいて、前記隔熱板ユニットは、前記第1の表面を有する第1の板体と前記第2の表面を有する第2の板体とからなる二重構造であることが好ましい。
上記加熱電極アセンブリにおいて、前記第1の板体と前記第2の板体とはいずれも炭素繊維材料からなり、前記第1の板体より前記第2の板体の密度が高いことが好ましい。
上記構成により、本考案の結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリは、電極ユニットの挿入部及びフランジと隔熱板ユニットの貫通孔との間の電気的接続を挿入部の全周に亘って連続的に遮断することができるように電極ユニットの挿入部及びフランジと隔熱板ユニットの貫通孔との間に介在するので、高温なアーク放電の発生による隔熱板ユニットの損傷を防止することができる上、結晶成長に必要な熱場を安定させて結晶成長の品質が向上する効果が期待できる。
以下では各図面を参照しながら、本考案の好ましい実施形態について詳しく説明する。
図3〜図5に本考案の第1の好ましい実施形態が示されている。図3は本考案の結晶成長炉の一構成例が示されている断面図であり、図4は本考案の結晶成長炉における電気絶縁ユニットの構成が示される一部分解図であり、図5は本考案の結晶成長炉における電気絶縁ユニットの構成が示される一部断面図である。
図示されているように、本考案の結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリは、結晶成長炉9の炉壁91と該炉壁91内に配置されている電気加熱手段92との間に取付けられるているものである。
本考案の結晶成長炉9に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリは、炉壁91と電気加熱手段92との間に配置され、炉壁91に面する第1の表面31と、電気加熱手段92に面する第2の表面32と、第1の表面31から第2の表面32まで貫通する複数の貫通孔301とを有する隔熱板ユニット3と、電気を外部の電源93から隔熱板ユニット3の貫通孔301を経由して電気加熱手段92に導入する複数の電極ユニット4とを有する共に、図4、図5に示されているように、各電極ユニット4と各電極ユニット4が通過する各貫通孔301との間に複数の電気絶縁ユニット5が介在している。
ちなみに、図中に示されている電源93は送電ワイヤであり、該送電ワイヤが接続される電気提供手段は省略されている。
本実施形態において、隔熱板ユニット3は、第1の表面31を有する第1の板体33と第2の表面32を有する第2の板体34とからなる二重構造になっていると共に、第1の板体33と第2の板体34とは、いずれも炭素繊維材料を材料とし、且つ第1の板体33より第2の板体34の密度が高くなるように作成されたものである。例えば、第2の板体34は複数層のカーボン材料により加圧成形してなったC/Cコンポジット(CCM)で構成することができる。
このように、第2の板体34を高密度に形成することにより、電気加熱手段92により生成される熱を下方に反射することによって隔熱効果を向上させることができる。
各電極ユニット4は、隔熱板ユニット3が有する複数の貫通孔301にそれぞれ対応し、いずれも炉壁91に固定されている電気導入部41と、電気導入部41に電気的に接続していると共に対応する貫通孔301の軸線Yに沿って貫通孔301を挿通してから電気加熱手段92に当接して固定されている挿入部42と、挿入部42の電気加熱手段92に固定されている端部の外周面から張り出すフランジ43とを有するように構成され、この実施形態において、挿入部42及び挿入部42から張り出すフランジ43はグラファイト材料で作成されることによって電極ユニット4のグラファイト電極柱44となり、一方、電気導入部41は例えば銅(Cu)などの金属材料によって、挿入部42から炉壁91まで柱状に延伸して炉壁91に固定されるように構成されて電極ユニット4の金属電極柱45となる。従って、各電極ユニット4は、いずれもグラファイト電極柱44と該グラファイト電極柱44の端部に接続される金属電極柱45とにより構成されるものである。
また、各電極ユニット4が有するフランジ43は複数のグラファイトネジ94により電気加熱手段92に固定されている。
各電極ユニット4と各電極ユニット4が通過する各貫通孔301との間に配置されている複数の電気絶縁ユニット5は、前記複数の電極ユニット4がそれぞれ有する挿入部42に対応し、いずれも対応する挿入部42により内挿されて該挿入部42と該挿入部42が対応する貫通孔301との電気的接続を挿入部42の全周に亘って連続的に遮断することができるように、挿入部42により内挿されて挿入部42と該挿入部42が対応する貫通孔301との間に介在する絶縁スリーブ51と、該挿入部42から張り出すフランジ43の隔熱板ユニット3に面する端面と隔熱板ユニット3の第2の表面32との間に介在する絶縁リング52と、絶縁スリーブ51と該絶縁スリーブ51に内挿する電極ユニット4の挿入部42との間に介在する一対の半円筒スリーブ53と、を有するように構成されている。
この実施形態において、各電気絶縁ユニット5が有する絶縁スリーブ51は、一端部が隔熱板ユニット3の第1の表面側31に突出すると共に、該一端部に第1の表面31に当接する当接フランジ511が更に形成されている。各電気絶縁ユニット5が有する絶縁リング52は、一対のC字形半円リング部521により構成されている。
ここで、絶縁スリーブ51の機械的強度については、モース硬度2〜9の範囲内であればよく、そして耐えられる温度としては1800℃であることが好ましい。ちなみに、当接フランジ511を形成することによって、隔熱板ユニット3の上方側にある微塵が貫通孔301と絶縁スリーブ51との間の隙間を経由して隔熱板ユニット3の下方側に落ちて電気加熱手段92により生成されるシリコン融液が汚染されることを防ぐ効果を得ることができる。
また、各電気絶縁ユニット5を構成する絶縁スリーブ51、絶縁リング52、そして半円筒スリーブ53は、いずれも酸化アルミニウム(Al2O3)材料により作成されて絶縁効果を発揮することができるが、本考案はこれに限らず、他の電気絶縁材料を使用することも可能である。
上記構成により、本考案の結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリは、まず、挿入部42を包む一対の半円筒スリーブ53と、フランジ43と隔熱板ユニット3との間に介在する絶縁リング52とでグラファイト電極柱44と隔熱板ユニット3との電気的接続を遮断し、更に絶縁スリーブ51による全周に亘る連続的な電気絶縁効果で、各半円筒スリーブ53間の隙間と貫通孔301の内周面との間のアーク放電生成経路を遮断するので、アーク放電の生成を確実に防止することができる。従って、本考案は各電極ユニット4と電気絶縁ユニット5との対応により、電極ユニット4と隔熱板ユニット3との電気的接続を確実に遮断し、アーク放電の生成を防止できるので、高温なアーク放電の発生による隔熱板ユニット3の損傷を防止することができる上、結晶成長に必要な熱場を安定させて結晶成長の品質が向上する効果が期待できる。
また、本考案において、電気絶縁ユニット5は絶縁スリーブ51と絶縁リング52とを備えていればよく、一対の半円筒スリーブ53は必ずしも必要な構成ではないので、一対の半円筒スリーブ53を省略することが可能である。
上記構成により、本考案の結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリは、高温なアーク放電の発生による隔熱板ユニットの損傷を防止することができる上、結晶成長に必要な熱場を安定させて結晶成長の品質が向上する効果も期待できるので、シリコンウェハーなどの半導体材料を生産する結晶成長炉に適用することができる。
3 隔熱板ユニット
301 貫通孔
31 第1の表面
32 第2の表面
33 第1の板体
34 第2の板体
4 電極ユニット
41 電気導入部
42 挿入部
43 フランジ
44 グラファイト電極柱
45 金属電極柱
5 電気絶縁ユニット
51 絶縁スリーブ
511 当接フランジ
52 絶縁リング
521 半円リング部
53 半円筒スリーブ
9 結晶成長炉
91 炉壁
92 電気加熱手段
93 電源
94 グラファイトネジ
301 貫通孔
31 第1の表面
32 第2の表面
33 第1の板体
34 第2の板体
4 電極ユニット
41 電気導入部
42 挿入部
43 フランジ
44 グラファイト電極柱
45 金属電極柱
5 電気絶縁ユニット
51 絶縁スリーブ
511 当接フランジ
52 絶縁リング
521 半円リング部
53 半円筒スリーブ
9 結晶成長炉
91 炉壁
92 電気加熱手段
93 電源
94 グラファイトネジ
Claims (8)
- 結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリであって、結晶成長炉の炉壁と該炉壁内にある電気加熱手段との間に取付けられていると共に、
前記炉壁と前記電気加熱手段との間に配置され、前記炉壁に面する第1の表面と、前記電気加熱手段に面する第2の表面と、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通する複数の貫通孔とを有する隔熱板ユニットと、
前記隔熱板ユニットが有する複数の貫通孔にそれぞれ対応し、いずれも前記炉壁に固定されている電気導入部と、前記電気導入部に電気的に接続していると共に対応する貫通孔を挿通してから前記電気加熱手段に当接して固定されている挿入部と、前記挿入部の前記電気加熱手段に固定されている端部の外周面から張り出すフランジとを有する複数の電極ユニットと、
前記複数の電極ユニットがそれぞれ有する前記挿入部に対応し、いずれも前記挿入部と該挿入部が対応する前記貫通孔との電気的接続を前記挿入部の全周において連続的に遮断することができるように、該挿入部により内挿されて該挿入部と該挿入部が対応する前記貫通孔との間に介在する絶縁スリーブと、該挿入部から張り出す前記フランジの前記隔熱板ユニットに面する端面と前記隔熱板ユニットの前記第2の表面との間に介在する絶縁リングとを有する複数の電気絶縁ユニットと
を備えることを特徴とする加熱電極アセンブリ。 - 各前記電気絶縁ユニットが有する前記絶縁スリーブは、一端部が前記隔熱板ユニットの前記第1の表面側に突出すると共に、該一端部に前記第1の表面に当接する当接フランジが更に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の加熱電極アセンブリ。
- 各前記電気絶縁ユニットは、前記絶縁スリーブと、該絶縁スリーブに内挿する前記電極ユニットの前記挿入部との間に介在する一対の半円筒スリーブを更に有していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の加熱電極アセンブリ。
- 各前記電気絶縁ユニットが有する前記絶縁リングは、一対のC字形半円リング部からなることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の加熱電極アセンブリ。
- 各前記電極ユニットは、いずれもグラファイト電極柱と該グラファイト電極柱の端部に接続される金属電極柱とにより構成されるものであり、
前記グラファイト電極柱は、グラファイト材料で作成される前記挿入部及び前記挿入部から張り出す前記フランジとにより構成されており、
前記金属電極柱は、金属材料で作成されて前記挿入部から前記炉壁まで延伸して前記炉壁に固定されている前記電気導入部により構成されるを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の加熱電極アセンブリ。 - 各前記電気絶縁ユニットが有する前記絶縁スリーブは、酸化アルミニウム材料からなることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の加熱電極アセンブリ。
- 前記隔熱板ユニットは、前記第1の表面を有する第1の板体と前記第2の表面を有する第2の板体とからなる二重構造であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の加熱電極アセンブリ。
- 前記第1の板体と前記第2の板体とはいずれも炭素繊維材料からなり、前記第1の板体より前記第2の板体の密度が高いことを特徴とする請求項7に記載の加熱電極アセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101213719 | 2012-07-17 | ||
TW101213719U TWM441676U (en) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | Anti-electric arc heating electrode assembly used in crystal growth furnace |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3186185U true JP3186185U (ja) | 2013-09-19 |
Family
ID=47718019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013004008U Expired - Fee Related JP3186185U (ja) | 2012-07-17 | 2013-07-11 | 結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8891585B2 (ja) |
JP (1) | JP3186185U (ja) |
TW (1) | TWM441676U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD917680S1 (en) * | 2017-09-12 | 2021-04-27 | Ian Derek Fawn-Meade | Hot water tank powered titanium anode rod |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4559631A (en) * | 1984-09-14 | 1985-12-17 | Abar Ipsen Industries | Heat treating furnace with graphite heating elements |
DE3743951A1 (de) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Toshiba Ceramics Co | Einrichtung zum ziehen von siliziumeinkristallen mit einem waermeisolierzylinder und verfahren zur herstellung des materials desselben |
WO2003077290A1 (fr) * | 2002-03-13 | 2003-09-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Support destine a un systeme de production de semi-conducteur |
US20030213525A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-20 | Patel Kartik A. | Insulative support apparatus |
TW200932963A (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-01 | Green Energy Technology Inc | Crystal growing furnace with heating improvement structure |
CN202107794U (zh) | 2011-07-25 | 2012-01-11 | 营口晶晶光电科技有限公司 | 具有防止意外打火保护装置的多晶炉 |
-
2012
- 2012-07-17 TW TW101213719U patent/TWM441676U/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-07-09 US US13/937,908 patent/US8891585B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-11 JP JP2013004008U patent/JP3186185U/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWM441676U (en) | 2012-11-21 |
US8891585B2 (en) | 2014-11-18 |
US20140023106A1 (en) | 2014-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101572446B1 (ko) | 전지셀 어셈블리 및 전지셀 어셈블리의 제조방법 | |
CN104299852A (zh) | 高压直流接触器 | |
JP2007134088A (ja) | セラミックスヒーターおよびセラミックスヒーターの製造方法 | |
JP2006016243A (ja) | 多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極 | |
JP2008270459A5 (ja) | ||
JP2015103809A (ja) | セラミックインレーを備えた回路板 | |
JP3186185U (ja) | 結晶成長炉に用いられるアンチアーク放電の加熱電極アセンブリ | |
TWI542743B (zh) | 製造多晶矽的裝置 | |
KR20220050888A (ko) | 전류 피드스루 | |
TW200701287A (en) | Diamond-like carbon thermoelectric conversion devices and methods for the use and manufacture thereof | |
JP6240514B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
KR20160008817A (ko) | 히터용 전원 단자 | |
PL1961282T3 (pl) | Układ z co najmniej jednym elektronicznym komponentem | |
CN204189721U (zh) | 高压直流接触器 | |
US20180124873A1 (en) | Heating element | |
JP2014175612A (ja) | 端子の放熱構造及び半導体装置 | |
JP5594972B2 (ja) | 電気式プラズマ灰溶融炉の炉底電極構造 | |
CN201450435U (zh) | 一种直流无刷电机的散热装置 | |
JP5932384B2 (ja) | 真空バルブ | |
JP3180489U (ja) | 可塑化セラミック製熱放散モジュール | |
JP5284158B2 (ja) | 電流リード | |
JP4947712B2 (ja) | 面状ヒータ | |
JP2011200043A (ja) | 固体絶縁スイッチギヤの放熱装置 | |
JP4635718B2 (ja) | 複合部品 | |
JP2017194182A (ja) | 断熱部材及びそれを用いた断熱構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3186185 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |