JP3180781U - 八角形搬送チャンバ - Google Patents

八角形搬送チャンバ Download PDF

Info

Publication number
JP3180781U
JP3180781U JP2012006474U JP2012006474U JP3180781U JP 3180781 U JP3180781 U JP 3180781U JP 2012006474 U JP2012006474 U JP 2012006474U JP 2012006474 U JP2012006474 U JP 2012006474U JP 3180781 U JP3180781 U JP 3180781U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer chamber
opening
substrate
chamber
central portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2012006474U
Other languages
English (en)
Inventor
ジョン エム ホワイト
尚子 竹原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Application granted granted Critical
Publication of JP3180781U publication Critical patent/JP3180781U/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】真空を破壊することなく複数の処理を基板に行うクラスタツール内の搬送チャンバを提供する。
【解決手段】クラスタツール100の搬送チャンバ104は、追加チャンバ(つまり、ロードロックチャンバ、バッファチャンバ、処理チャンバ)を取り付けることができる箇所を8つ有している。搬送チャンバ104は、3つの別々の部位から形成してよく、中央部は、矩形の部位である。残り2つの部位は、台形の部位であり、各台形部は3つのスロットを有し、基板は、処理のために、このスロットを通過することが可能である。搬送チャンバ104の中央部は、技術者による搬送チャンバへのアクセスを容易にする着脱式の蓋部を有していてよい。
【選択図】図1

Description

考案の背景
(考案の分野)
本考案の実施形態は、概して、真空を破壊することなく、複数の処理を基板に行うためのクラスタツールに関する。
(関連技術の説明)
フラットパネルディスプレイ及びソーラーパネルを製造する場合、複数の処理を基板に施すことによって完成品は作られる。これら複数の処理は、複数のチャンバで行われる。場合によっては、個々の処理を個別の隔離されたシステム内で行う。しかし、ある処理システムから別の処理システムへの基板の搬送は煩雑となることもあり、又、不要な汚染物質を取り込んでしまう恐れがある。単一のシステム内で複数の処理を行うことは、時間を節約し、汚染物質を低減できることから有益である。
クラスタツール内で基板を処理するための方法及び装置を開示する。このクラスタツールの搬送チャンバは、追加チャンバ(つまり、ロードロックチャンバ、バッファチャンバ、処理チャンバ)を取り付け可能な箇所を8つ有している。搬送チャンバは、3つの別々の部位から形成してもよい。中央部は、矩形の部位であってよい。残り2つの部位は、台形の部位であってよい。各台形部は3つのスロットを有し、基板は、処理のために、このスロットを通過することが可能である。搬送チャンバの中央部は、技術者による搬送チャンバへのアクセスを容易にする着脱式の蓋部を有していてよい。
一実施形態において、クラスタツールについて説明する。このクラスタツールは、8面の搬送チャンバを備えていてよい。搬送チャンバの各面は、そこを基板が通過し得るところのスロットを有していてよい。最高8個のチャンバを、この搬送チャンバに直接的に連結することができる。チャンバは、例えば、処理チャンバ、ロードロックチャンバ、アンロードロックチャンバ又はバッファチャンバである。
別の実施形態において、クラスタツールについて説明する。このクラスタツールは、2つの搬送チャンバを備えている。各搬送チャンバは八角形を有し、8個のチャンバを取り付けるための場所がある。別の実施形態において、クラスタツールは、八角形の搬送チャンバが、バッファチャンバを介して六角形の搬送チャンバに連結されているハイブリッド型搬送チャンバシステムを含む。更に別の実施形態において、三重ハイブリッド型クラスタツールについて説明する。このクラスタツールは、バッファチャンバを介して2つの六角形の搬送チャンバに連結された、中央の八角形の搬送チャンバを備えている。
別の実施形態において、分割型(multi−piece)の八角形の搬送チャンバについて説明する。この分割型搬送チャンバは、矩形の中央部と、2つの台形部を備えている。2つの台形部を矩形の中央部に連結すると、搬送チャンバが八角形となる。搬送チャンバを3つの部位に分割することにより、八角形の搬送チャンバを、ある場所から別の場所へと簡単に輸送することができる。
本考案の上述した構成が詳細に理解されるように、上記で簡単に要約された本考案のより具体的な説明が実施形態を参照して行われ、それらは添付図面に図示されている。但し、添付図面は本考案の典型的な実施形態のみを図示するに過ぎず、本考案は他の同等に効果的な実施形態も含み得ることから、本考案の範囲を制限すると解釈されないことに留意すべきである。
本考案の一実施形態によるクラスタツールの平面図である。 本考案の一実施形態による多重クラスタツールの平面図である。 本考案の別の実施形態による多重クラスタツールの平面図である。 本考案の別の実施形態による多重クラスタツールの平面図である。 本考案の一実施形態による搬送チャンバの分解等角図である。 本考案の一実施形態による搬送チャンバの上面図である。 本考案の一実施形態による搬送チャンバの台形部700の等角図である。
円滑な理解のために、可能な限り、図に共通する同一要素は同一参照番号を用いて表した。一実施形態において開示される要素は、特に記載することなく他の実施形態において便宜上利用可能である。
詳細な説明
本考案は、追加チャンバを取り付けることができる箇所が8つある搬送チャンバを有するクラスタツールを含む。これらの追加チャンバは、ロードロックチャンバ、バッファチャンバ又は処理チャンバを含んでいてよい。
図1は、本考案の一実施形態の一重クラスタツール100の平面図である。クラスタツール100は、搬送チャンバ104と、その中のロボット106を備えている。搬送チャンバ104は、8つの側面を備えた本体部を有している。各側面には、そこを通って基板が搬送チャンバ104内外に運ばれるところの1つ以上のスリットを形成することができる。搬送チャンバ104の各側面には、処理チャンバ102を取り付けることができる。処理チャンバ102は、エッチング用、化学気相蒸着用、物理気相蒸着用、プラズマ化学気相蒸着用等のいずれの処理チャンバであってもよい。加えて、どの処理チャンバ102が、ロードロックチャンバ又はアンロードロックチャンバであってもよい。8面の搬送チャンバ104により、真空を破壊することなく、複数の処理を実行する融通性が得られる。一実施形態において、搬送チャンバ104の周囲にロードロックチャンバは存在しないが、処理チャンバ102の1つが、クラスタツール100外部の隣接するチャンバとの連結の役目を果たし、基板の受け取り、更には基板の処理を行う。
図2は、本考案の一実施形態の二重クラスタツール200の平面図である。クラスタツール200は、2つの搬送チャンバ202を備えている。各搬送チャンバ202は、8つの処理位置を有している。各搬送チャンバ202内には、搬送チャンバロボット204が存在している。ロボット204は、その軸を中心として回転する及び取り付けられたチャンバ内に伸長し、基板206を輸送することができる。バッファチャンバ208は、この2つの搬送チャンバ202を連結している。基板206を、バッファチャンバ208を介して、一方の搬送チャンバ202からもう一方の搬送チャンバ202に搬送することができる。一方のロボット204は、バッファチャンバ208内に伸長し、基板206を受け渡す。もう一方のロボット204は、バッファチャンバ208内に伸長して、基板206を受け取る。各ロボット204は搬送チャンバ202内に引っ込み、基板206を搬送チャンバ202を取り囲むチャンバに送ることができる。
基板206は、ロードロックチャンバ210を介してクラスタツール200にロードすることができる。加えて、処理後、基板206を、ロードロックチャンバ210を介して、クラスタツール200から取り出すことができる。各搬送チャンバ202には、複数の処理チャンバ212、214が取り付けられている。少なくとも6個の処理チャンバ212、214が、各搬送チャンバ202に取り付けられている。ロードロックチャンバ210を、ロードロックチャンバ兼アンロードロックチャンバとして用いる場合、搬送チャンバ202の一方は7個の処理チャンバ214を有し、もう一方の搬送チャンバ202は6個の処理チャンバ212を有することになる。当然ながら、基板のスループットを上昇させるために必要な場合、どの処理チャンバをアンロードロックチャンバに置き換えても良いことを理解すべきである。
図3は、六角形の搬送チャンバ302と八角形の搬送チャンバ304とを有するハイブリッド型クラスタツール300の平面図である。六角形の搬送チャンバ302は、追加チャンバを取り付けることが可能な箇所を6つ有している。六角形の搬送チャンバ302は、その中にロボット306を有しており、ロボットはその軸を中心として回転し、基板310の搬送チャンバ302内における輸送及び処理チャンバ318内への輸送を行う。ロボット306は、処理チャンバ318内へと伸長し、基板310の処理チャンバ318内への載置及び処理チャンバ318からの受け取りを行う。
八角形の搬送チャンバ304は、追加チャンバを取り付けることが可能な箇所を8つ有している。八角形の搬送チャンバ304は、その中にロボット308を有しており、ロボットはその軸を中心にして回転し、基板310の搬送チャンバ304内における輸送及び処理チャンバ316内への輸送を行う。ロボット308は、処理チャンバ316内に伸長し、基板310の処理チャンバ316内への載置及び処理チャンバ316からの受け取りを行う。
基板310を一方の搬送チャンバ302から隣接する搬送チャンバ304に搬送する場合、基板310は、搬送チャンバ302と搬送チャンバ304とを繋いでいるバッファチャンバ312を通過する。ロボット306は、基板310を保持しながらバッファチャンバ312内へと伸長する。隣接する搬送チャンバ304のロボット308もバッファチャンバ312内へと伸長し、基板310を受け取る。次に、ロボット306、308は共に各自の搬送チャンバ302、304内に引っ込み、基板310を、搬送チャンバ304を取り囲むチャンバに送ることが可能となる。
六角形の搬送チャンバ302には、5個の処理チャンバ318を取り付けることができる。八角形の搬送チャンバ304には、6個の処理チャンバ316及び1個のロードロックチャンバ314を取り付けることができる。基板は、このロードロックチャンバ314を介して、クラスタツール300に進入する及びクラスタツール300から退出する。基板のスループットを上昇させるために必要なのであれば、どの処理チャンバ316、318をアンロードロックチャンバと交換してもよいことを理解すべきである。
図4は、本考案の一実施形態による別のクラスタツール400の平面図である。クラスタツール400は、2個の六角形の搬送チャンバ402と、1個の八角形の搬送チャンバ404とを備えている。各六角形の搬送チャンバ402は、追加チャンバを取り付けることができる箇所を6つ有している。六角形の搬送チャンバ402は、その内部にロボット406を有し、このロボットはその軸を中心にして回転し、基板410の搬送チャンバ402内における輸送及び処理チャンバ416、420内への輸送を行う。ロボット406は、処理チャンバ416、420内に伸長し、基板410の処理チャンバ416、420内への載置と処理チャンバ416、420からの受け取りを行う。
八角形の搬送チャンバ404は、追加チャンバを取り付けることが可能な箇所を8つ有している。八角形の搬送チャンバ404は、その中にロボット408を有しており、ロボットはその軸を中心にして回転し、基板410の搬送チャンバ404内における輸送及び処理チャンバ418内への輸送を行う。ロボット408は、処理チャンバ418内に伸長し、基板410の処理チャンバ418内への載置と処理チャンバ418からの受け取りを行う。
基板410をある搬送チャンバ402、404から隣接する搬送チャンバ402、404に搬送する場合、基板410は、搬送チャンバ402と搬送チャンバ404とを繋いでいるバッファチャンバ414を通過する。ロボット406は、基板410を保持しながらバッファチャンバ414内へと伸長する。隣接する搬送チャンバ404のロボット408もバッファチャンバ414内へと伸長し、基板410を受け取る。次に、ロボット406、408は共に各自の搬送チャンバ402、404内に引っ込み、基板410を、搬送チャンバ404を取り囲むチャンバに送ることができる。
六角形の搬送チャンバ402には、5個の処理チャンバ416、420を取り付けることができる。八角形の搬送チャンバ404には、5個の処理チャンバ418と1個のロードロックチャンバ412とを取り付けることができる。基板は、このロードロックチャンバ412を介して、クラスタツール400に進入する及びクラスタツール400から退出する。基板のスループットを上昇させるために必要なのであれば、どの処理チャンバ416、418、420をアンロードロックチャンバと交換してもよいことを理解すべきである。
上記の実施形態における処理チャンバは、基板を処理するために使用されるいずれのチャンバであってもよく、例えば、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、アニーリングチャンバである。一実施形態において、処理チャンバは全て、PINPINダブル接合を形成するのに必要な層の堆積に使用される堆積チャンバである。処理チャンバは、n−ドープシリコン層、p−ドープシリコン、非晶質シリコン、又は微結晶シリコンを堆積するための処理チャンバを含んでいてよい。
一実施形態において、少なくとも1つの処理チャンバが、p−ドープシリコン層を堆積するように構成し、少なくとも1つの処理チャンバが、n−ドープシリコン層を堆積するように構成することができる。残りのチャンバは、真性シリコン層を堆積するように構成することができる。真性シリコン層堆積チャンバは、非晶質シリコン又は微結晶層のいずれを堆積してもよい。PIN型構造において、PIN接合の「I」つまり真性層(Intrinsic layer)の堆積は、「P」(つまり、p−ドープシリコン)又は「N」(つまり、n−ドープシリコン)層よりも時間がかかる。従って、共通の搬送チャンバに複数の処理チャンバを取り付けることは、8面の搬送チャンバが「I」層を形成するのに必要な追加時間を相殺し得ることから、有益となり得る。
例えば、4面のクラスタツールはロードロックチャンバ、P堆積チャンバ、I堆積チャンバ及びN堆積チャンバを備えている。I層の堆積は、P又はN層の堆積よりも時間がかかるため、基板のスループットは効率的でない。基板の上にP層が堆積されたら、その基板をI堆積チャンバに移動させる。I層がP層上に堆積されている間、追加の基板をPチャンバ内で処理してP層を堆積することができる。しかし、P層が堆積されてしまっても、Iチャンバは先行の基板上にまだI層を堆積しているため、Iチャンバが利用できない可能性がある。このため、P及びNチャンバは、待機状態に置かれることになる。
8面の搬送チャンバは、PIN型の応用例において基板のスループットを向上させ得る。より時間のかかるI堆積処理を埋め合わせるために、追加のI処理チャンバをクラスタに追加することができる。8面の搬送チャンバの場合、4面の搬送チャンバとは対照的に、P堆積チャンバは基板を追加のI堆積チャンバに搬送し、次に新しい基板を受け取って処理することができる。8面の搬送チャンバは十分な数の処理チャンバを格納できるため、技術者は、P、I、Nの各層専用のチャンバの数を最適化し、処理チャンバのダウンタイムを短縮することができる。
「PIN型構造」という言い回しは、3つの層(つまり、P層、I層及びN層)全てを含む構造全てについて述べるのに用いられる総称であると理解しなければならない。PIN型構造の例には、単一PIN構造、I層が真性微結晶シリコンであるPINPIN構造、あるI層が真性非晶質シリコンであり、あるI層が真性微結晶シリコンであるハイブリッド型PINPIN構造、I層が真性非晶質シリコンであるPINPIN構造が含まれる。
図5は、本考案の一実施形態による八角形の搬送チャンバの分解等角図である。この搬送チャンバは、3つの部位に分割される。中央部502は矩形であり、2つの側部504は台形である。大面積基板を処理する場合、搬送チャンバが非常に大型化する場合がある。大きすぎるため、実際の話、搬送チャンバの輸送が容易ではないことがある。そのため、搬送チャンバを3つの部位に分離することができる。1つの中央部502と2つの台形部504である。これらの部位を全てあわせると、搬送チャンバは八角形の搬送チャンバとなる。
中央部502は、対向する壁部516、518を備えている。一方の壁516は開口部528を有し、この開口部を介して、基板を処理に向けて輸送することができる。もう一方の壁部518は、3つの開口部524を備え、これらの開口部を介して基板を輸送することが可能である。開口部は幾つ存在していてもよいことを理解すべきである(つまり、1、2、4、5個等)。中央部502は、搬送チャンバロボット(図示せず)のための開口部526を有する底部520を含む。中央部502の一側面には接合面530も存在する。接合面530は、台形部504と界接するためのものである。切欠部522a〜cは、中央部502内に存在し、これらの切欠部により、妨げることなく基板を処理チャンバへと通過させるための余裕が生じる。接合面530は、矢印Bで示した幅を有している。
台形部504は開口部506を含み、基板はこれらの開口部506を通って処理チャンバ内に移動することが可能である。台形部の最上部は、円筒形壁部508とフィン構造体510を有している。フィン構造体は、フィン支持壁部512に固定されている。フィン構造体510は、台形部504の屋根部が真ん中で撓んだり搬送チャンバ内に落ち込まないように支えている。台形部504は、矢印Aによって示される長さの界接面514を有している。台形部504の界接面514の長さは、中央部502の界接面530の長さに等しい。界接面514、530は、Oリングを用いて封止することが可能である。
開口部516、524、506を有する部位502、504の側面は、矢印C、Dによって示される幅を有している。開口部506、516、524を有する各側面の幅は等しい。加えて、開口部506、516、524は、幅及び高さにおいて等しい。側壁部の幅を等しくすることにより、搬送チャンバに取り付けるチャンバ(つまり、バッファチャンバ、処理チャンバ、ロードロックチャンバ)の交換が容易である。
図6は、3つの部位602、604から組み立てられた搬送チャンバ600の上面図である。中央部604は矩形であり、側部602は台形である。部位602、604を組み立てて封止すると、八角形の搬送チャンバ600が形成される。台形部602は、円筒形屋根部606とフィン構造体とを有しており、このフィン構造体は、円筒形屋根部606が撓んだり搬送チャンバ600内に落ち込まないように円筒形屋根部606を支持している。フィン構造体は、フィン支持壁部610に固定されている。着脱式蓋部618を、部位602に連結してもよい。蓋部618は、フィン構造体608の間に位置決めすることができる。
中央部604は屋根部612を有しており、屋根部は、メッシュパターンを描く、屋根部全体に広がる蓋部支持体614によって支持されている。蓋部支持体614により、屋根部612が搬送チャンバ600内に落ち込むことが防止される。加えて、蓋部支持体614により蓋部612の剛性が上昇するため、搬送チャンバ600のどの壁部にも擦ることなく、簡単に取り外すことが可能である。蓋部612は、蓋部ハンドル616を持ち上げることにより取り外すことができる。一旦、蓋部612を取り外せば、技術者による、組み立て済み搬送チャンバ600内部の補修は容易である。
図7は、搬送チャンバの台形部700の等角図である。図7からわかるように、1つ以上のスロット702を台形部700の側面に沿って位置決めすることができる。1つ以上のスロット702を位置決めすることにより、基板はそこを通過できるようになる。台形部700の屋根部は、フィン支持壁部712に連結し得るフィン構造体706によって支持することができる。フィン構造体706間の三角形状部の屋根部は、それぞれ、そこを貫通する開口部710を有していてよい。開口部710は、蓋部708で覆うことができる。蓋部708は、封止部材を用いることにより、台形部700の最上部の開口部710を封止するように適合させることができる。一実施形態において、封止部材はOリングである。図7は、開口部710を1つと2つの蓋部708しか図示していないが、各蓋部708の下には開口部が存在することを理解すべきである。また、蓋部708は開口部710の上に位置決めされ得ることを理解すべきである。
開口部710の封止を補助するために、開口部710の周囲の台形部700の最上部に平面部を機械加工により形成してもよい。例えば、厚さ20mmのチャンバ最上部の場合、Oリング用に深さ約2mmの平面部を台形部700の最上部に形成して、開口部710の周囲に封止フランジを形成する。フランジの厚さTは約1.2インチであり、蓋部との摩擦用の、Oリング溝部の間隔は約0.015インチである。当該分野で知られているいずれの慣用の固締具を用いて、蓋部708を台形部700に固締してもよい。
実施形態によっては、開口部710は、特にチャンバが真空圧下にあってもその構造的完全性が損なわれないのならば、可能な限り大きくてよい。2つ以上の開口部710を設けてもよい。開口部710は、一般に、フィン構造体706の間の、台形部700の各三角形状部の中央に位置決めすることができる。他の場所に位置決めすることも考えられる。開口部710は、一般に、台形部700の最上部の一部の全体形状に一致するように形成するが、他の形状も可能である。開口部710は、チャンバを分解することなくチャンバ内にアクセスできるようにする及び/又はチャンバ内部を見れるようにするのに適している。開口部710及び対応する蓋部708は、実用的ないずれの形状を有していてもよい。開口部710は、チャンバの洗浄、不注意によりチャンバ内に入り込んだ物体の回収及び/又はチャンバ内における活動の監視及び/又は観察に適している。蓋部708は、アルミニウム又はいずれの実用的な材料から形成してもよい。実施形態によっては、蓋部708は、密閉ウィンドウ部を含んでいる又は光学的に透過性の材料から形成されている。一実施形態において、蓋部708の構造的完全性を改善するために、蓋部708は湾曲している又はドーム型である。
搬送チャンバの各部位は、アルミニウム、ステンレススチール、又は搬送チャンバとしての使用に適した、慣用的に使用されるいずれの不活性材料から形成してもよい。
ある搬送チャンバから別の搬送チャンバに基板を搬送する際、基板への処理は行われないため、クラスタツール内に在る際に基板の搬送に必要な時間を短縮することは有益である。搬送チャンバに取り付ける処理チャンバの数を増やすことにより、基板のスループットを上昇させることが可能である。
上記記載は本考案の実施形態を対象としているが、本考案の基本的な範囲から逸脱することなく本考案のその他及び更なる実施形態を創作することができ、本考案の範囲は以下の実用新案登録請求の範囲に基づいて定められる。

Claims (18)

  1. 搬送チャンバであり、
    8つの面を有する本体部を備え、各面には1つ以上のスリット開口部が貫通して形成されており、ある面は3つのスリット開口部を有しており、更に、
    前記本体部に連結された着脱式蓋部と、
    前記本体部の屋根部に連結された複数の支持フィンと、
    前記本体部の前記3つのスリット開口部を有する面に連結された、少なくとも1つのロードロックチャンバと、
    前記本体部に連結された少なくとも1つの処理チャンバとを備えている搬送チャンバ。
  2. 8つの面を備えたチャンバ本体部を有する搬送チャンバであり、
    概して矩形である形状と、第1側方平面と、前記第1側方平面と平行であり同じ長さの第2側方平面と、2つの追加側面とを有する中央部を備え、前記2つの追加側面のそれぞれが、基板が通過可能な、少なくとも1つの同じ幅の開口部を有しており、更に、
    前記中央部に連結された第1側部を備え、前記第1側部の一側面は、前記中央部の前記第1側方平面の長さに等しい長さを有しており、前記第1側部は台形である形状と3つの側面を有し、各側面は、基板が通過可能な等しい幅の開口部を有しており、更に、
    前記中央部に連結された第2側部を備え、前記第2側部の一側面は、前記中央部の前記第2側方平面の長さに等しい長さを有しており、前記第2側部は台形である形状と3つの側面を有しており、各側面は、基板が通過可能な等しい幅の開口部を有しており、更に、
    前記第1側部の屋根部及び前記第2側部の屋根部に連結された複数の支持フィンとを備えている搬送チャンバ。
  3. 各台形部の前記屋根部は、前記屋根部を貫通する開口部を有している請求項2記載の搬送チャンバ。
  4. 前記開口部上にて前記屋根部に連結された蓋部を更に備えている請求項3記載の搬送チャンバ。
  5. 前記中央部は、前記屋根部全体にわたるメッシュパターンの蓋部支持体を備えている請求項2記載の搬送チャンバ。
  6. 前記中央部は、前記蓋部を取り外すための蓋部ハンドルを更に備えている請求項5記載の搬送チャンバ。
  7. 前記第1側部及び前記第2側部の最上部は、円筒形壁部を備えている請求項2記載の搬送チャンバ。
  8. 前記フィン構造体は、前記円筒形壁部に連結されている請求項7記載の搬送チャンバ。
  9. 前記第1側部の前記開口部、前記第2側部の前記開口部及び前記中央部の前記開口部の長さは等しい請求項2記載の搬送チャンバ。
  10. 前記第1側部の開口部、前記第2側部の前記開口部及び前記中央部の前記開口部の高さは等しい請求項9記載の搬送チャンバ。
  11. 前記本体部に連結された少なくとも1つのロードロックチャンバと、前記本体部に連結された少なくとも1つの処理チャンバを更に備えている請求項2記載の搬送チャンバ。
  12. 8つの面を備えた本体部を有する搬送チャンバであり、
    概して矩形である形状と、基板が通過可能な1つの開口部を有する第1側方平面と、基板が通過できる3つの開口部を有する第2側方平面とを有する中央部を備え、各開口部は同じ幅を有しており、更に、
    前記中央部に連結され、前記チャンバの外部に位置された複数の支持構造体を有する着脱式蓋部と、
    前記中央部に連結された第1側部を備え、前記第1側部は台形である形状と3つの側面を有し、各側面は、基板が通過可能な開口部を有しており、各開口部は同じ幅を有しており、第1側部は、開口部が貫通した屋根部を有しており、更に、
    前記中央部に連結された第2側部を備え、前記第2側部は台形である形状と3つの側面を有し、各側面は、基板が通過可能な開口部を有しており、各開口部は同じ幅を有しており、前記第2側部は開口部が貫通している屋根部を有しており、更に、
    前記第1側部の前記屋根部に連結された第1着脱式蓋部と、
    前記第2側部の前記屋根部に連結された第2着脱式蓋部と、
    前記第1側部の前記屋根部及び前記第2側部の前記屋根部に連結された複数の支持フィンとを備えている搬送チャンバ。
  13. 前記中央部は、前記屋根部全体におよぶメッシュパターンの蓋部支持体を備えている請求項12記載の搬送チャンバ。
  14. 前記中央部は、前記蓋部を取り外すための蓋部ハンドルを更に備えている請求項13記載の搬送チャンバ。
  15. 前記第1側部及び前記第2側部の最上部は、円筒形壁部を備えている請求項12記載の搬送チャンバ。
  16. 前記フィン構造体は、前記円筒形壁部に連結されている請求項15記載の搬送チャンバ。
  17. 概して矩形である形状を有する中央部を更に備え、前記3つのスリット開口部を有する面は前記中央部上に存在し、更に、
    前記中央部に連結された第1台形側部と、
    前記中央部に連結された第2台形側部とを備えている請求項1記載の搬送チャンバ。
  18. 各側部は3つの側面を有し、各側面は基板が通過可能な開口部を有しており、前記開口部は長さ及び高さにおいて等しい請求項17記載の搬送チャンバ。
JP2012006474U 2006-07-25 2012-10-24 八角形搬送チャンバ Expired - Lifetime JP3180781U (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/459,655 2006-07-25
US11/459,655 US20080025821A1 (en) 2006-07-25 2006-07-25 Octagon transfer chamber

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009521894A Continuation JP2009545171A (ja) 2006-07-25 2007-07-13 八角形搬送チャンバ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3180781U true JP3180781U (ja) 2013-01-10

Family

ID=38982209

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009521894A Pending JP2009545171A (ja) 2006-07-25 2007-07-13 八角形搬送チャンバ
JP2012006474U Expired - Lifetime JP3180781U (ja) 2006-07-25 2012-10-24 八角形搬送チャンバ

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009521894A Pending JP2009545171A (ja) 2006-07-25 2007-07-13 八角形搬送チャンバ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080025821A1 (ja)
JP (2) JP2009545171A (ja)
KR (1) KR100939590B1 (ja)
CN (1) CN101405856A (ja)
TW (1) TW200816353A (ja)
WO (1) WO2008014136A2 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004001817A1 (en) * 2002-06-21 2003-12-31 Applied Materials, Inc. Transfer chamber for vacuum processing system
US20060201074A1 (en) * 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US7784164B2 (en) * 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
TWI298895B (en) * 2004-06-02 2008-07-11 Applied Materials Inc Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
NL1036785A1 (nl) 2008-04-18 2009-10-20 Asml Netherlands Bv Rapid exchange device for lithography reticles.
CN104744476B (zh) 2008-12-08 2017-04-12 吉利德康涅狄格公司 咪唑并吡嗪syk抑制剂
JP5696052B2 (ja) 2008-12-08 2015-04-08 ギリアード コネチカット, インコーポレイテッド イミダゾピラジンsyk阻害剤
TWI532114B (zh) * 2009-11-12 2016-05-01 Hitachi High Tech Corp Vacuum processing device and operation method of vacuum processing device
KR101990555B1 (ko) * 2012-12-24 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
DE102013009484B4 (de) * 2013-06-06 2021-05-20 Asys Automatic Systems Gmbh & Co. Kg Bearbeitungsanlage polaren Aufbaus für planare Substrate, Handhabungsvorrichtung, Kupplungsanordnung und Roboter für eine Bearbeitungsanlage
US20170352562A1 (en) * 2016-06-02 2017-12-07 Applied Materials, Inc. Dodecadon transfer chamber and processing system having the same
KR20210131372A (ko) 2019-02-22 2021-11-02 크로노스 바이오, 인코포레이티드 Syk 억제제로서의 축합된 피라진의 고체 형태
JP7420350B2 (ja) * 2020-04-24 2024-01-23 島根島津株式会社 自動保管モジュールおよび自動保管システム
CN112786507A (zh) * 2021-01-13 2021-05-11 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 模块化半导体设备传输腔体单元及晶圆传输系统

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5417537A (en) * 1993-05-07 1995-05-23 Miller; Kenneth C. Wafer transport device
US5934856A (en) * 1994-05-23 1999-08-10 Tokyo Electron Limited Multi-chamber treatment system
US6216328B1 (en) * 1996-07-09 2001-04-17 Lam Research Corporation Transport chamber and method for making same
US5961269A (en) * 1996-11-18 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Three chamber load lock apparatus
US6201999B1 (en) * 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
KR100265287B1 (ko) * 1998-04-21 2000-10-02 윤종용 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템
US6390019B1 (en) * 1998-06-11 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Chamber having improved process monitoring window
JP3723003B2 (ja) * 1998-12-18 2005-12-07 三菱重工業株式会社 真空処理システム
JP3433392B2 (ja) * 1999-01-12 2003-08-04 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス及び真空処理装置のクリーニング方法
JP2000286319A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Canon Inc 基板搬送方法および半導体製造装置
JP4330703B2 (ja) * 1999-06-18 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 搬送モジュール及びクラスターシステム
US6698991B1 (en) * 2000-03-02 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Fabrication system with extensible equipment sets
JP5159010B2 (ja) * 2000-09-08 2013-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6663333B2 (en) * 2001-07-13 2003-12-16 Axcelis Technologies, Inc. Wafer transport apparatus
US7204669B2 (en) * 2002-07-17 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate damage protection system
JP4219799B2 (ja) * 2003-02-26 2009-02-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004335743A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置用真空チャンバー
JP2004349503A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Tokyo Electron Ltd 被処理体の処理システム及び処理方法
KR100441875B1 (ko) * 2003-06-02 2004-07-27 주성엔지니어링(주) 분리형 이송 챔버
JP4450664B2 (ja) * 2003-06-02 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US20050113976A1 (en) * 2003-11-10 2005-05-26 Blueshift Technologies, Inc. Software controller for handling system
TWI298895B (en) * 2004-06-02 2008-07-11 Applied Materials Inc Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US20060201074A1 (en) * 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US20070020890A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing
JP5030970B2 (ja) * 2005-12-20 2012-09-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体デバイス製造装置のための拡張型メインフレーム設計
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body

Also Published As

Publication number Publication date
US20080025821A1 (en) 2008-01-31
KR20080050357A (ko) 2008-06-05
KR100939590B1 (ko) 2010-02-01
JP2009545171A (ja) 2009-12-17
CN101405856A (zh) 2009-04-08
TW200816353A (en) 2008-04-01
WO2008014136A2 (en) 2008-01-31
WO2008014136A3 (en) 2008-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3180781U (ja) 八角形搬送チャンバ
JP5030970B2 (ja) 半導体デバイス製造装置のための拡張型メインフレーム設計
TWI665746B (zh) 具有多站處理及前處理及/或後處理站之緊密的基板處理工具
KR20130000333A (ko) 듀얼 웨이퍼 트랜스포트에서 웨이퍼 포지셔닝 방법, 듀얼 웨이퍼―처리 유니트 및 듀얼 웨이퍼-처리 장치
JP2009533876A (ja) 太陽電池パネルを形成するためのシステム構成及び方法
KR20100030622A (ko) 서셉터 상에 정렬된 다수의 조밀-팩킹 기판들을 코팅하기 위한 장치
US20160293459A1 (en) Apparatus for processing sustrate and semiconductor fabrication line including the same
CN101859723A (zh) 基板交换方法以及基板处理装置
US20140216658A1 (en) Vacuum processing device
JP7442273B2 (ja) 複数の基体の処理のための、複数の基体の収容のための保持装置、処理設備、および、処理方法
JP3202183U (ja) 各システムがマスクチャンバを有するマルチシステム
JP2004335743A (ja) 真空処理装置用真空チャンバー
US20170084880A1 (en) Large area dual substrate processing system
US20200384636A1 (en) Dual pitch end effector robot apparatus, dual pitch load locks, systems, and methods
JP2853677B2 (ja) 半導体装置製造ライン
US9214375B2 (en) End effector having multiple-position contact points
TW201212147A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing system
US20040231146A1 (en) Intermediate product manufacturing apparatus, and intermediate product manufacturing method
WO2013118003A1 (de) Substratbearbeitungsanlage
KR20080080923A (ko) 클러스터형 반도체 처리 장치
US6620253B1 (en) Engagement mechanism for semiconductor substrate deposition process kit hardware
JP2001185610A (ja) 基板搬送トレー
JPH04163937A (ja) 半導体製造装置
KR101477034B1 (ko) 기판 처리 시스템
KR20230067520A (ko) 반도체 처리 시스템용 기판 저장 랙

Legal Events

Date Code Title Description
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151212

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term