JP3179580B2 - 光アドレス型光変調器を用いた装置 - Google Patents
光アドレス型光変調器を用いた装置Info
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- modulator
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は従来より表示部品として
使用され、また、最近では並列性を有する論理ゲートや
メモリーとなる光情報処理部品として使用される空間光
変調器（ＳＬＭ）およびこれを用いた装置に関する。
使用され、また、最近では並列性を有する論理ゲートや
メモリーとなる光情報処理部品として使用される空間光
変調器（ＳＬＭ）およびこれを用いた装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光アドレス型空間光変調器の従来技術に
は、アドレス材料として光電面、光変調材料としてＬｉ
ＮｂＯ3 を用いた真空管タイプの空間光変調管（ＭＳＬ
Ｍ）、アドレス材料として光導電体、光変調材料として
ツイストネマチック（ＴＮ）液晶を用いた液晶空間光変
調器（ＬＣＬＶ）、および、光導電効果と電気光学効果
とを合せ持ったＢＳＯ単結晶ウェハを利用したＢＳＯ空
間光変調器（ＰＲＯＭ）等がある。
は、アドレス材料として光電面、光変調材料としてＬｉ
ＮｂＯ3 を用いた真空管タイプの空間光変調管（ＭＳＬ
Ｍ）、アドレス材料として光導電体、光変調材料として
ツイストネマチック（ＴＮ）液晶を用いた液晶空間光変
調器（ＬＣＬＶ）、および、光導電効果と電気光学効果
とを合せ持ったＢＳＯ単結晶ウェハを利用したＢＳＯ空
間光変調器（ＰＲＯＭ）等がある。
【０００３】また、最近では強誘電性液晶（ＦＬＣ）を
用いた強誘電性液晶空間光変調器（ＦＬＣ−ＳＬＭ）が
研究されている。この技術は「強誘電性液晶を用いた空
間光変調器（電子通信学会 ＯＱＥ８９−７８）」に詳
しく記載されている。
用いた強誘電性液晶空間光変調器（ＦＬＣ−ＳＬＭ）が
研究されている。この技術は「強誘電性液晶を用いた空
間光変調器（電子通信学会 ＯＱＥ８９−７８）」に詳
しく記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＭＳＬＭやＰＲＯＭな
どの電気光学結晶を用いた光アドレス型ＳＬＭでは、読
み出しレーザ光の偏波面を結晶軸に一致させることで純
粋な位相変調が得られるが、高電圧を必要とし、また、
高々πラジアンの変調しかできない。また、偏波面を結
晶軸から４５度ずらすことで偏波面の回転による強度変
調を得ることができるが、こちらもダイナミックレンジ
はπ以下である。
どの電気光学結晶を用いた光アドレス型ＳＬＭでは、読
み出しレーザ光の偏波面を結晶軸に一致させることで純
粋な位相変調が得られるが、高電圧を必要とし、また、
高々πラジアンの変調しかできない。また、偏波面を結
晶軸から４５度ずらすことで偏波面の回転による強度変
調を得ることができるが、こちらもダイナミックレンジ
はπ以下である。
【０００５】また、ＴＮ液晶を用いたＳＬＭでは、偏波
面回転を伴わない位相変調は不可能であるし、強度変調
の場合でもそのトランスファー特性から暗と明との２値
的な変化を使用するのが精一杯であり、中間調は出しに
くい。さらに、最近の強誘電性液晶を用いたＦＬＣ−Ｓ
ＬＭでも、２値動作が基本なので、位相、強度共に中間
値を安定して得ることは困難である。
面回転を伴わない位相変調は不可能であるし、強度変調
の場合でもそのトランスファー特性から暗と明との２値
的な変化を使用するのが精一杯であり、中間調は出しに
くい。さらに、最近の強誘電性液晶を用いたＦＬＣ−Ｓ
ＬＭでも、２値動作が基本なので、位相、強度共に中間
値を安定して得ることは困難である。
【０００６】さらにまた、アドレス光の照射の無い場合
でも、読み出し光の照射による出力光がＳＬＭから放射
されてしまい、ダイナミックレンジの拡大が妨げられる
傾向にあった。本発明は以上の問題に鑑み、簡単な構成
でダイナミックレンジの大きい位相変調および強度変調
が得られる光アドレス型光変調器を用いた装置を提供す
ることを目的とする。
でも、読み出し光の照射による出力光がＳＬＭから放射
されてしまい、ダイナミックレンジの拡大が妨げられる
傾向にあった。本発明は以上の問題に鑑み、簡単な構成
でダイナミックレンジの大きい位相変調および強度変調
が得られる光アドレス型光変調器を用いた装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の問題を解決するた
めに、本発明に係る光アドレス型空間光変調器を用いた
装置は、一対の透明電極の間に、光アドレス材料として
の光導電層と、誘電体ミラーと、ＥＣＢ型のネマチック
液晶からなり両面に液晶配向層を有する光変調材料層と
を順次備え、透明電極の一方を介して光変調材料層へと
読み出し光が入射される光アドレス型空間光変調器と、
読み出し光の入射側に設けられたＥＣＢ型のネマチック
液晶セルからなる補償素子とを備えることを特徴とす
る。
めに、本発明に係る光アドレス型空間光変調器を用いた
装置は、一対の透明電極の間に、光アドレス材料として
の光導電層と、誘電体ミラーと、ＥＣＢ型のネマチック
液晶からなり両面に液晶配向層を有する光変調材料層と
を順次備え、透明電極の一方を介して光変調材料層へと
読み出し光が入射される光アドレス型空間光変調器と、
読み出し光の入射側に設けられたＥＣＢ型のネマチック
液晶セルからなる補償素子とを備えることを特徴とす
る。
【０００８】
【０００９】
【作用】液晶セルに電圧を印加すると、液晶の誘電異方
性により液晶分子配列が変化し、その結果、セル中の複
屈折率が変化する。液晶セルを偏光板と組み合わせるこ
とにより、この複屈折率の変化が光透過率の変化として
現れ、これをＥＣＢ（Electrically Controlled Birefr
ingence ）効果という。この際、読み出し光の偏波面を
液晶分子の配向軸に平行とすることにより、位相変調を
行うことができる。
性により液晶分子配列が変化し、その結果、セル中の複
屈折率が変化する。液晶セルを偏光板と組み合わせるこ
とにより、この複屈折率の変化が光透過率の変化として
現れ、これをＥＣＢ（Electrically Controlled Birefr
ingence ）効果という。この際、読み出し光の偏波面を
液晶分子の配向軸に平行とすることにより、位相変調を
行うことができる。
【００１０】本発明はこの効果を利用した光変調材料を
用いることにより、簡単な構成でダイナミックレンジの
大きい位相変調が得られる。さらに、読み出し光の偏波
面の方向を調整し、また、補償素子を加えることで従来
では困難であった強度変調を容易に行うことができる。
用いることにより、簡単な構成でダイナミックレンジの
大きい位相変調が得られる。さらに、読み出し光の偏波
面の方向を調整し、また、補償素子を加えることで従来
では困難であった強度変調を容易に行うことができる。
【００１１】
【実施例】図１に本発明の実施例の構成を示す。書き込
み側（アドレス光側）から読み出し側にかけて、次に掲
げる各層が形成されている。表面のガラス基板１の内側
に透明電極としてＩＴＯ膜２、アドレス材料層として光
導電層３が形成されている。さらに、光しゃへい層１
１、誘電体ミラー４、そして、配向層５が形成されてお
り、配向層５の次には、光変調材料層としてネマチック
液晶を注入した液晶層９、さらに、配向層８、ＩＴＯ膜
７とつづき、読み出し側表面のガラス基板６となる。ま
た、ＩＴＯ膜２・７間には電源１０から交流電圧が印加
されている。
み側（アドレス光側）から読み出し側にかけて、次に掲
げる各層が形成されている。表面のガラス基板１の内側
に透明電極としてＩＴＯ膜２、アドレス材料層として光
導電層３が形成されている。さらに、光しゃへい層１
１、誘電体ミラー４、そして、配向層５が形成されてお
り、配向層５の次には、光変調材料層としてネマチック
液晶を注入した液晶層９、さらに、配向層８、ＩＴＯ膜
７とつづき、読み出し側表面のガラス基板６となる。ま
た、ＩＴＯ膜２・７間には電源１０から交流電圧が印加
されている。
【００１２】以下、より詳細に説明する。５ｍｍ厚のガ
ラス基板１の一面に透明導電膜ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ
−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）２をスパッタ装置により、２０
００オングストローム程度の厚さに成膜する。このＩＴ
Ｏ膜２の上には光導電層３を形成する。光導電層３とし
ては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、ＣｄＳ、Ｂ
ｉ12ＳｉＯ20、有機光導電体（ＰＶＫ）等と種々考えら
れるが、ここでは水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）をＣＶＤにより３〜５μｍの厚さに形成する。
光導電層３の上には、ＳｉＯ2 とＴｉＯ2 からなる誘電
体多層膜ミラー層４（厚さ〜１μｍ、総膜数〜１９層）
をスパッタ装置又は蒸着装置にて形成する。さらに、必
要とする場合は光導電層３と誘電体ミラー４の間に光し
ゃへい層１１（例えば、ＣｄＴｅ）を作ることもある。
ラス基板１の一面に透明導電膜ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ
−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）２をスパッタ装置により、２０
００オングストローム程度の厚さに成膜する。このＩＴ
Ｏ膜２の上には光導電層３を形成する。光導電層３とし
ては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、ＣｄＳ、Ｂ
ｉ12ＳｉＯ20、有機光導電体（ＰＶＫ）等と種々考えら
れるが、ここでは水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）をＣＶＤにより３〜５μｍの厚さに形成する。
光導電層３の上には、ＳｉＯ2 とＴｉＯ2 からなる誘電
体多層膜ミラー層４（厚さ〜１μｍ、総膜数〜１９層）
をスパッタ装置又は蒸着装置にて形成する。さらに、必
要とする場合は光導電層３と誘電体ミラー４の間に光し
ゃへい層１１（例えば、ＣｄＴｅ）を作ることもある。
【００１３】誘電体ミラー４の上には液晶を配向させる
ための配向層５を形成する。この配向層５は、ＰＶＡま
たはポリイミドをコーティングした後、ラビングを施し
てもよいし、ＳｉＯの斜方蒸着、ＬＢ膜の形成等も考え
られる。
ための配向層５を形成する。この配向層５は、ＰＶＡま
たはポリイミドをコーティングした後、ラビングを施し
てもよいし、ＳｉＯの斜方蒸着、ＬＢ膜の形成等も考え
られる。
【００１４】一方、ガラス基板１の反対側のガラス基板
６の表面にはＩＴＯ膜７、配向層８を順次形成する。次
に、２つの配向層５、８の間に、間隔を８μｍ程度とし
て周囲を囲むようにセルを形成し、この間隔にネマチッ
ク液晶（ここでは、Ｅ４４メルク社製を用いた）を注入
して液晶層９とする。このとき、例えば配向層５と配向
層８とのラビングの向きが同方向としてあり、液晶分子
は図２に示すように基板に平行に並ぶようにする（ホモ
ジニアス配向）。ここで、図２中のａ・ｂは読み出し光
の偏波面の方向を示すもので、ａは紙面に対して上下方
向の偏波面、すなわち、液晶分子の配向と読み出し光の
偏波面とが同方向であることを示し、一方、ｂは紙面に
対して垂直方向の偏波面、すなわち、液晶分子の配向と
読み出し光の偏波面とが直交していることを示すもので
ある。
６の表面にはＩＴＯ膜７、配向層８を順次形成する。次
に、２つの配向層５、８の間に、間隔を８μｍ程度とし
て周囲を囲むようにセルを形成し、この間隔にネマチッ
ク液晶（ここでは、Ｅ４４メルク社製を用いた）を注入
して液晶層９とする。このとき、例えば配向層５と配向
層８とのラビングの向きが同方向としてあり、液晶分子
は図２に示すように基板に平行に並ぶようにする（ホモ
ジニアス配向）。ここで、図２中のａ・ｂは読み出し光
の偏波面の方向を示すもので、ａは紙面に対して上下方
向の偏波面、すなわち、液晶分子の配向と読み出し光の
偏波面とが同方向であることを示し、一方、ｂは紙面に
対して垂直方向の偏波面、すなわち、液晶分子の配向と
読み出し光の偏波面とが直交していることを示すもので
ある。
【００１５】このようなデバイスに対し、２つのＩＴＯ
膜２、７間に電源１０により数ボルトの交流電圧を印加
しておく。アドレス光１２が入射したところの、光導電
層３の抵抗は低下するので、その部分では液晶層９に電
圧がかかり、液晶が変調される。実際には、アドレス光
１２が存在しない場合でも、電源１０により電圧を印加
した時点において、光導電層３と液晶層９のインピーダ
ンス比の関係で液晶層９に電圧がかかり少し変調される
が、全面に対し一様にこの効果が生ずるためバイアス分
として無視される。
膜２、７間に電源１０により数ボルトの交流電圧を印加
しておく。アドレス光１２が入射したところの、光導電
層３の抵抗は低下するので、その部分では液晶層９に電
圧がかかり、液晶が変調される。実際には、アドレス光
１２が存在しない場合でも、電源１０により電圧を印加
した時点において、光導電層３と液晶層９のインピーダ
ンス比の関係で液晶層９に電圧がかかり少し変調される
が、全面に対し一様にこの効果が生ずるためバイアス分
として無視される。
【００１６】図３に、デバイスの位相変調特性を示す。
この測定はトワイマングリーン干渉計を組み、その一方
の腕にこのデバイスを置き、参照光との干渉強度を測定
し、その値に従って計算により求めた。デバイスには５
Ｖを印加し、アドレス光強度を変化させた。ここで、図
３のグラフ中の記号ａ・ｂは、図２の偏波面の方向を示
すａ・ｂに対応している。
この測定はトワイマングリーン干渉計を組み、その一方
の腕にこのデバイスを置き、参照光との干渉強度を測定
し、その値に従って計算により求めた。デバイスには５
Ｖを印加し、アドレス光強度を変化させた。ここで、図
３のグラフ中の記号ａ・ｂは、図２の偏波面の方向を示
すａ・ｂに対応している。
【００１７】読み出し光１３の偏波面が液晶分子に平行
な場合（図中ａ）、２００μＷ／ｃｍ2 のアドレス光で
２πラジアンの位相変調がされているのがわかる。一
方、同様に図３からわかるように、読み出し光１３の偏
波面が液晶分子に垂直な場合（図中ｂ）には、位相変調
されない。それ故、上記の結果も考慮すると、液晶分子
の配向軸と４５度傾けるように読み出し光１３の偏波面
を調整すれば、液晶内で２つの偏光の間で位相差が生じ
結果として偏波面の変化が起こることがわかる。そのた
め、出力側に偏光板を置けば強度変調も可能である。
な場合（図中ａ）、２００μＷ／ｃｍ2 のアドレス光で
２πラジアンの位相変調がされているのがわかる。一
方、同様に図３からわかるように、読み出し光１３の偏
波面が液晶分子に垂直な場合（図中ｂ）には、位相変調
されない。それ故、上記の結果も考慮すると、液晶分子
の配向軸と４５度傾けるように読み出し光１３の偏波面
を調整すれば、液晶内で２つの偏光の間で位相差が生じ
結果として偏波面の変化が起こることがわかる。そのた
め、出力側に偏光板を置けば強度変調も可能である。
【００１８】しかしながら、液晶の厚み、光導電層と液
晶層とのインピーダンスの比等により、アドレス光１２
のない場合（暗時）に、出力が一番暗くなるという保障
はない。そこで、図４に示すように構成する。図４は図
１の光アドレス型空間変調器を用いた光アドレス型空間
変調装置の構成を示している。図示の通り、ＳＬＭ４０
における読み出し光学系に、補償素子５０を入れ、これ
に適当な電圧を印加し、あるいは光軸を軸として回転さ
せ、さらにハーフミラーを介し偏光子６０を入れること
ことで、アドレス光１２のない場合に出力光１４が一番
暗くなるように調整する。
晶層とのインピーダンスの比等により、アドレス光１２
のない場合（暗時）に、出力が一番暗くなるという保障
はない。そこで、図４に示すように構成する。図４は図
１の光アドレス型空間変調器を用いた光アドレス型空間
変調装置の構成を示している。図示の通り、ＳＬＭ４０
における読み出し光学系に、補償素子５０を入れ、これ
に適当な電圧を印加し、あるいは光軸を軸として回転さ
せ、さらにハーフミラーを介し偏光子６０を入れること
ことで、アドレス光１２のない場合に出力光１４が一番
暗くなるように調整する。
【００１９】補償素子の構造を図５に示す。それぞれＩ
ＴＯ膜５３・５４と配向層５５・５６を施したガラス基
板５１・５２の間に液晶層５７を形成し、ＩＴＯ膜５３
・５４間に電源５８により電圧を印加するものである。
液晶は図２で説明したようなホモジニアス配向とする。
図４の構成では、ＳＬＭ４０の液晶分子の配向と補償素
子５０の液晶分子の配向とは同じ方向を向くように配置
してある。そして、読み出し光の偏波面を液晶分子の配
向方向に対し４５度傾けて入射する。
ＴＯ膜５３・５４と配向層５５・５６を施したガラス基
板５１・５２の間に液晶層５７を形成し、ＩＴＯ膜５３
・５４間に電源５８により電圧を印加するものである。
液晶は図２で説明したようなホモジニアス配向とする。
図４の構成では、ＳＬＭ４０の液晶分子の配向と補償素
子５０の液晶分子の配向とは同じ方向を向くように配置
してある。そして、読み出し光の偏波面を液晶分子の配
向方向に対し４５度傾けて入射する。
【００２０】上述のような構成の補償素子５０で補償し
た時のトータルの入出力特性を図６に示す。アドレス光
強度に対し、光出力光強度を示すグラフはサインカーブ
を描く。このグラフより、本実施例によれば、中間調も
かなり良好に再現できることがわかる。また、従来のＳ
ＬＭに比べダイナミックレンジも広い。
た時のトータルの入出力特性を図６に示す。アドレス光
強度に対し、光出力光強度を示すグラフはサインカーブ
を描く。このグラフより、本実施例によれば、中間調も
かなり良好に再現できることがわかる。また、従来のＳ
ＬＭに比べダイナミックレンジも広い。
【００２１】本発明は前述の実施例に限らず様々な変形
が可能である。
が可能である。
【００２２】実施例では液晶層９の液晶の配向をホモジ
ニアス配向としたが、液晶の配向はこれに限らず、例え
ば、ホメオトロピック配向のＤＡＰ型、または、片面を
ホモジニアス配向、片面をホメオトロピック配向にした
ハイブリッド配列ネマチックのＨＡＮ型などにしても良
い。
ニアス配向としたが、液晶の配向はこれに限らず、例え
ば、ホメオトロピック配向のＤＡＰ型、または、片面を
ホモジニアス配向、片面をホメオトロピック配向にした
ハイブリッド配列ネマチックのＨＡＮ型などにしても良
い。
【００２３】
【発明の効果】以上の通り、本発明はＥＣＢ効果を利用
した光変調材料を用いることにより、簡単な構成でダイ
ナミックレンジの大きい位相変調が得られる。さらに、
従来のＳＬＭでは強度変調はオン・オフの２値的であっ
たが、読み出し光の偏波面の方向を調整し補償素子を加
えることにより、本発明によれば、容易に無段階な強度
変調を行うことができ、かつ、安定した中間調を得るこ
とができる。
した光変調材料を用いることにより、簡単な構成でダイ
ナミックレンジの大きい位相変調が得られる。さらに、
従来のＳＬＭでは強度変調はオン・オフの２値的であっ
たが、読み出し光の偏波面の方向を調整し補償素子を加
えることにより、本発明によれば、容易に無段階な強度
変調を行うことができ、かつ、安定した中間調を得るこ
とができる。
【００２４】また、２πラジアン以上の２次元位相変調
が可能な光アドレス方式のＳＬＭを提供できるので、画
像伝送やレーザビームの位相補償（波面制御）、位相フ
ィルタリング等が有効に行うことができる。さらに、ダ
イナミックレンジの大きい中間調のとりやすいＳＬＭと
なるので、表示装置をはじめ多くの画像処理に有用とな
る。
が可能な光アドレス方式のＳＬＭを提供できるので、画
像伝送やレーザビームの位相補償（波面制御）、位相フ
ィルタリング等が有効に行うことができる。さらに、ダ
イナミックレンジの大きい中間調のとりやすいＳＬＭと
なるので、表示装置をはじめ多くの画像処理に有用とな
る。
【図１】本発明の実施例の概略構成図である。
【図２】本発明の実施例のおける液晶分子のホモジニア
ス配向を示す図である。
ス配向を示す図である。
【図３】本発明の実施例のデバイスの位相変調特性を示
す図である。
す図である。
【図４】図１のＳＬＭの読み出し光学系に補償素子を入
れた光アドレス型空間変調装置の構成例を示す図であ
る。
れた光アドレス型空間変調装置の構成例を示す図であ
る。
【図５】図４に示した補償素子の構造を示す図である。
【図６】図４に示した構成におけるトータルの入出力特
性を示す図である。
性を示す図である。
１・６…ガラス基板、２・７…ＩＴＯ膜、３…光導電
層、４…誘電体ミラー、５・８…配向層、９…液晶層、
１０…電源、１１…光しゃへい層、１２…アドレス光、
１３…読み出し光、１４…出力光、４０…ＳＬＭ、５０
…補償素子、５１・５２…ガラス基板、５３・５４…Ｉ
ＴＯ膜、５５・５６…配向層、５７…液晶層、５８…電
源、６０…偏光子。 代理人弁理士 長谷川 芳樹
層、４…誘電体ミラー、５・８…配向層、９…液晶層、
１０…電源、１１…光しゃへい層、１２…アドレス光、
１３…読み出し光、１４…出力光、４０…ＳＬＭ、５０
…補償素子、５１・５２…ガラス基板、５３・５４…Ｉ
ＴＯ膜、５５・５６…配向層、５７…液晶層、５８…電
源、６０…偏光子。 代理人弁理士 長谷川 芳樹
フロントページの続き (72)発明者 原 勉 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松 ホトニクス株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−178616（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−156585（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−163529（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−204518（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/135 G02F 1/137 G02F 1/1335 G02F 1/1347 G02F 1/13 505
Claims (1)
- 【請求項１】 一対の透明電極の間に、光アドレス材料
としての光導電層と、誘電体ミラーと、ＥＣＢ型のネマ
チック液晶からなり両面に液晶配向層を有する光変調材
料層とを順次備え、前記透明電極の一方を介して前記光
変調材料層へと読み出し光が入射される光アドレス型空
間光変調器と、 前記読み出し光の入射側に設けられたＥＣＢ型のネマチ
ック液晶セルからなる補償素子と、 を備えることを特徴とする光アドレス型空間光変調器を
用いた装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20350592A JP3179580B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 光アドレス型光変調器を用いた装置 |
| EP93306014A EP0583114B1 (en) | 1992-07-30 | 1993-07-29 | Optically-addressed type spatial light modulator |
| DE69330735T DE69330735T2 (de) | 1992-07-30 | 1993-07-29 | Optisch adressierter räumlicher Lichtmodulator |
| US08/099,548 US5841489A (en) | 1992-07-30 | 1993-07-30 | Phase-only optically-addressed type spatial light modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20350592A JP3179580B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 光アドレス型光変調器を用いた装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0651340A JPH0651340A (ja) | 1994-02-25 |
| JP3179580B2 true JP3179580B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=16475272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20350592A Expired - Fee Related JP3179580B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 光アドレス型光変調器を用いた装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3179580B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525946Y2 (ja) * | 1987-01-13 | 1993-06-30 | ||
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