JP3176968B2 - 分子線エピタキシィ用蒸発源装置 - Google Patents
分子線エピタキシィ用蒸発源装置Info
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- beam epitaxy
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は硫黄、セレンの結晶成長
を行なう分子線エピタキシィ用蒸発源装置に関する。
を行なう分子線エピタキシィ用蒸発源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は分子線エピタキシィの原理を示す
図であり、液体窒素で冷やされた冷却壁４４の内部にる
つぼ４３が設けられ、るつぼ４３の壁部にヒータ４２が
取り付けられている。また、冷却壁４４とるつぼ４３に
はそれぞれ蒸発材料の蒸発口である開口４７、４８が設
けられ、これら開口４７、４８に対向して基板４５が設
けられている。
図であり、液体窒素で冷やされた冷却壁４４の内部にる
つぼ４３が設けられ、るつぼ４３の壁部にヒータ４２が
取り付けられている。また、冷却壁４４とるつぼ４３に
はそれぞれ蒸発材料の蒸発口である開口４７、４８が設
けられ、これら開口４７、４８に対向して基板４５が設
けられている。
【０００３】このような構造により、冷却壁４４が冷却
されヒータ４２が加熱されると、るつぼ４３からでた蒸
発材料は冷却された冷却壁４４内を通って、ビーム４６
となって進み、基板４５に到達して付着する。この方法
によると、生成された単結晶膜の質が比較的よく、単原
子層の極めて薄い膜までの制御性が得られるという利点
がある。
されヒータ４２が加熱されると、るつぼ４３からでた蒸
発材料は冷却された冷却壁４４内を通って、ビーム４６
となって進み、基板４５に到達して付着する。この方法
によると、生成された単結晶膜の質が比較的よく、単原
子層の極めて薄い膜までの制御性が得られるという利点
がある。
【０００４】次に、従来例における分子線エピタキシィ
用蒸発源装置について説明する。なお、分子線エピタキ
シィの原理において説明した冷却壁４４は本従来例では
省略する。
用蒸発源装置について説明する。なお、分子線エピタキ
シィの原理において説明した冷却壁４４は本従来例では
省略する。
【０００５】図４において、従来の分子線エピタキシィ
装置３０には真空容器３１の底壁部３２を貫通して、気
密に蒸発源装置４が２個以上取り付けられ、真空容器３
１内には、この蒸発源装置４の蒸発口６に対向して基板
３５が設けられている基板３５の背面には基板３５を加
熱するための基板加熱ヒータ３６が設けられ、その側部
には放出ガス防止用の冷却面３７が設けられている。図
５は蒸発源装置４を示し、この蒸発源装置４は真空容器
３１の底壁部３２に設けられた開口３２ａ、３２ｂを貫
通し、底壁部３２とは気密に取り付けられている。蒸発
源装置４内では蒸発材料が注入される、るつぼ３８の周
部に蒸発源加熱ヒータ３９が取り付けられ、更に蒸発源
加熱ヒータ３９の周部には熱効率を高めるための熱反射
板４０が取り付けられている。るつぼ３８の底部にはこ
れに近接して熱電対４１が設けられ、これと図示されて
いない温度制御手段により蒸発材料が所望の温度で蒸発
されるように制御される。
装置３０には真空容器３１の底壁部３２を貫通して、気
密に蒸発源装置４が２個以上取り付けられ、真空容器３
１内には、この蒸発源装置４の蒸発口６に対向して基板
３５が設けられている基板３５の背面には基板３５を加
熱するための基板加熱ヒータ３６が設けられ、その側部
には放出ガス防止用の冷却面３７が設けられている。図
５は蒸発源装置４を示し、この蒸発源装置４は真空容器
３１の底壁部３２に設けられた開口３２ａ、３２ｂを貫
通し、底壁部３２とは気密に取り付けられている。蒸発
源装置４内では蒸発材料が注入される、るつぼ３８の周
部に蒸発源加熱ヒータ３９が取り付けられ、更に蒸発源
加熱ヒータ３９の周部には熱効率を高めるための熱反射
板４０が取り付けられている。るつぼ３８の底部にはこ
れに近接して熱電対４１が設けられ、これと図示されて
いない温度制御手段により蒸発材料が所望の温度で蒸発
されるように制御される。
【０００６】このような構成において、各蒸発源装置
４、４にそれぞれ蒸発材料である亜鉛（以下Ｚｎと呼
ぶ）、硫黄（以下Ｓと呼ぶ）を注入し、真空容器３１内
が所定の圧力に減圧されて、蒸発源加熱ヒータ３９及び
基板加熱ヒータ３６に電源が供給される。通常、Ｚｎが
注入されている側の蒸発源加熱ヒータ３９は（２５０）
℃、Ｓが注入されている側の蒸発源加熱ヒータ３９は
（１００）℃に加熱される。各加熱ヒータ３６、３９が
所望の温度に上昇すると、蒸発材料は蒸発し基板３５に
飛んでいき、基板３５に付着して堆積する。
４、４にそれぞれ蒸発材料である亜鉛（以下Ｚｎと呼
ぶ）、硫黄（以下Ｓと呼ぶ）を注入し、真空容器３１内
が所定の圧力に減圧されて、蒸発源加熱ヒータ３９及び
基板加熱ヒータ３６に電源が供給される。通常、Ｚｎが
注入されている側の蒸発源加熱ヒータ３９は（２５０）
℃、Ｓが注入されている側の蒸発源加熱ヒータ３９は
（１００）℃に加熱される。各加熱ヒータ３６、３９が
所望の温度に上昇すると、蒸発材料は蒸発し基板３５に
飛んでいき、基板３５に付着して堆積する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
蒸発源装置は熱電対等により温度調節がされ、高温での
温度安定性には優れていたが、ヒータを用いた場合１０
０℃程度の低温で電源のＯＮ・ＯＦＦがされるとすぐに
温度が±数℃変動するため、安定性に欠けるということ
があった。これではＳの蒸発量が一定とならず、良好な
ＺｎＳ結晶を得ることができなかった。
蒸発源装置は熱電対等により温度調節がされ、高温での
温度安定性には優れていたが、ヒータを用いた場合１０
０℃程度の低温で電源のＯＮ・ＯＦＦがされるとすぐに
温度が±数℃変動するため、安定性に欠けるということ
があった。これではＳの蒸発量が一定とならず、良好な
ＺｎＳ結晶を得ることができなかった。
【０００８】本発明は上記問題点に鑑みてなされ、低温
で蒸発材料を蒸発させるのに、高い温度安定性を得るこ
とを可能にした、蒸発源装置を有する分子線エピウタキ
シィ用蒸発源装置を提供することを目的としている。
で蒸発材料を蒸発させるのに、高い温度安定性を得るこ
とを可能にした、蒸発源装置を有する分子線エピウタキ
シィ用蒸発源装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】以上の目的は、真空室内
に配設されたるつぼ内の蒸発材料を加熱することによ
り、該真空室内に配設された基板に前記蒸発材料の分子
を蒸着させるようにした分子線エピタキシィ用蒸発源装
置において、連結管を介して連通された高温側蒸発部と
低温側蒸発部とを備え、前記高温側蒸発部は前記蒸発材
料の通路の壁部に前記蒸発材料を分解するヒータを設
け、前記低温側蒸発部は前記るつぼを熱媒体としての溶
液に浸漬させ、該溶液により前記るつぼを加熱するよう
にしたことを特徴とする分子線エピタキシィ用蒸発源装
置によって達成される。
に配設されたるつぼ内の蒸発材料を加熱することによ
り、該真空室内に配設された基板に前記蒸発材料の分子
を蒸着させるようにした分子線エピタキシィ用蒸発源装
置において、連結管を介して連通された高温側蒸発部と
低温側蒸発部とを備え、前記高温側蒸発部は前記蒸発材
料の通路の壁部に前記蒸発材料を分解するヒータを設
け、前記低温側蒸発部は前記るつぼを熱媒体としての溶
液に浸漬させ、該溶液により前記るつぼを加熱するよう
にしたことを特徴とする分子線エピタキシィ用蒸発源装
置によって達成される。
【００１０】
【作用】るつぼ内の蒸発材料を加熱するのに、るつぼを
熱媒体としての溶液に浸漬させて、この熱媒体との接触
面積を大きくして加熱するようにし、また熱媒体に流体
を用いたことにより、熱伝達、温度保持に優れ、るつぼ
内の蒸発材料は所定の温度で安定して蒸発することがで
き、蒸発量も一定となる。
熱媒体としての溶液に浸漬させて、この熱媒体との接触
面積を大きくして加熱するようにし、また熱媒体に流体
を用いたことにより、熱伝達、温度保持に優れ、るつぼ
内の蒸発材料は所定の温度で安定して蒸発することがで
き、蒸発量も一定となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例による分子線エピタキ
シィ用蒸発源装置について図面を参照して説明する。な
お、従来例の蒸発源装置４の構成については同一の符号
を付しその詳細な説明は省略する。また、分子線エピタ
キシィの原理で説明した冷却面４４は省略する。
シィ用蒸発源装置について図面を参照して説明する。な
お、従来例の蒸発源装置４の構成については同一の符号
を付しその詳細な説明は省略する。また、分子線エピタ
キシィの原理で説明した冷却面４４は省略する。
【００１２】図１は本実施例における分子線エピタキシ
ィ装置１を示すが、本実施例による分子線エピタキシィ
装置１の真空容器２内は従来例と同様に蒸発源装置４、
５の蒸発口６、７に対向して基板８が設けられている。
基板８の背面には基板を加熱するための基板加熱ヒータ
９が設けられ、その側部には放出ガス防止用の冷却面１
０が設けられている。また、真空容器２の底壁部３に
は、この底壁部３に設けられた開口３ａ、３ｂを貫通し
て、底壁部３とは気密に蒸発源装置４、５が取り付けら
れている。なお、蒸発源装置４は従来例で説明したもの
と同じ構成をしている。
ィ装置１を示すが、本実施例による分子線エピタキシィ
装置１の真空容器２内は従来例と同様に蒸発源装置４、
５の蒸発口６、７に対向して基板８が設けられている。
基板８の背面には基板を加熱するための基板加熱ヒータ
９が設けられ、その側部には放出ガス防止用の冷却面１
０が設けられている。また、真空容器２の底壁部３に
は、この底壁部３に設けられた開口３ａ、３ｂを貫通し
て、底壁部３とは気密に蒸発源装置４、５が取り付けら
れている。なお、蒸発源装置４は従来例で説明したもの
と同じ構成をしている。
【００１３】他方、蒸発源装置５は図２に示すように真
空フランジ部１１が真空容器２の底壁部３の外壁に当接
して、気密に取り付けられている。蒸発源装置５は蒸発
材料を蒸発させる低温側蒸発部Ａとその蒸発物を分解す
る高温側蒸発部Ｂとに分けられ、低温側蒸発部Ａは真空
容器２の外に設けられ、高温側蒸発部Ｂは真空容器２内
に導入されている。低温側蒸発部Ａと高温側蒸発部Ｂと
は連結間１２により連通されており、互いに温度の影響
を受けないようにするため、連結管１２には石英が用い
られている。
空フランジ部１１が真空容器２の底壁部３の外壁に当接
して、気密に取り付けられている。蒸発源装置５は蒸発
材料を蒸発させる低温側蒸発部Ａとその蒸発物を分解す
る高温側蒸発部Ｂとに分けられ、低温側蒸発部Ａは真空
容器２の外に設けられ、高温側蒸発部Ｂは真空容器２内
に導入されている。低温側蒸発部Ａと高温側蒸発部Ｂと
は連結間１２により連通されており、互いに温度の影響
を受けないようにするため、連結管１２には石英が用い
られている。
【００１４】低温側蒸発部Ａの容器１７内にはるつぼ１
３と油浴１６とが形成され、るつぼ１３は油浴１６内に
設けられ、るつぼ１３の周壁１４と底壁１５はるつぼ１
３と油浴１６とを区画する。るつぼ１３内には連結間１
２の下端部が導入され、連結間１２は真空容器２の空間
Ｃとるつぼ１３の内部空間Ｄを連通し、これら空間Ｃ、
Ｄは真空室を形成する。
３と油浴１６とが形成され、るつぼ１３は油浴１６内に
設けられ、るつぼ１３の周壁１４と底壁１５はるつぼ１
３と油浴１６とを区画する。るつぼ１３内には連結間１
２の下端部が導入され、連結間１２は真空容器２の空間
Ｃとるつぼ１３の内部空間Ｄを連通し、これら空間Ｃ、
Ｄは真空室を形成する。
【００１５】油浴１６が設けられている容器１７は側壁
１７ａに熱媒体供給口１８が取り付られ、これと対向す
る側壁１７ｂに熱媒体排出口１９が取り付けられてい
る。熱媒体供給口１８には図１で示す配管２０ａの一端
が接続され、その他端は熱交換器２１と接続されてい
る。また、熱媒体排出口１９にも配管２０ｂの一端が接
続され、その他端もまた熱交換器２１に接続されてい
る。すなわち、熱媒体は熱交換器２１、熱媒体供給口１
８、油浴１６、熱媒体排出口１９及び熱交換器２１を１
サイクルとして循環する。なお、本実施例では熱媒体に
油を用いる。また、図示せずとも管路２０ａ、２０ｂ内
の油を循環させるための循環用ポンプを備えているもの
とする。
１７ａに熱媒体供給口１８が取り付られ、これと対向す
る側壁１７ｂに熱媒体排出口１９が取り付けられてい
る。熱媒体供給口１８には図１で示す配管２０ａの一端
が接続され、その他端は熱交換器２１と接続されてい
る。また、熱媒体排出口１９にも配管２０ｂの一端が接
続され、その他端もまた熱交換器２１に接続されてい
る。すなわち、熱媒体は熱交換器２１、熱媒体供給口１
８、油浴１６、熱媒体排出口１９及び熱交換器２１を１
サイクルとして循環する。なお、本実施例では熱媒体に
油を用いる。また、図示せずとも管路２０ａ、２０ｂ内
の油を循環させるための循環用ポンプを備えているもの
とする。
【００１６】高温側蒸発部Ｂの分解セル２３は連結管１
２と連通した蒸発材料の通路２４の外壁２５に高温ヒー
タ２６が巻装され、更にその周部には熱反射板２７が設
けられている。また、通路２４にはじゃま板２８が複数
段（本実施例では３段）取り付けられている。このじゃ
ま板２８はヒータ２６で加熱され、複数個形成されてい
る小孔２８ａを蒸発材料の蒸気が通過する。
２と連通した蒸発材料の通路２４の外壁２５に高温ヒー
タ２６が巻装され、更にその周部には熱反射板２７が設
けられている。また、通路２４にはじゃま板２８が複数
段（本実施例では３段）取り付けられている。このじゃ
ま板２８はヒータ２６で加熱され、複数個形成されてい
る小孔２８ａを蒸発材料の蒸気が通過する。
【００１７】なお、低温側蒸発部Ａのるつぼ１３の周壁
１４にはるつぼ用熱電対２２が高温側蒸発部Ｂの分解セ
ル２３の下方には分解セル用熱電対２９が取り付けら
れ、これら熱電対２２、２９はそれぞれ図示されていな
い制御装置に接続されている。
１４にはるつぼ用熱電対２２が高温側蒸発部Ｂの分解セ
ル２３の下方には分解セル用熱電対２９が取り付けら
れ、これら熱電対２２、２９はそれぞれ図示されていな
い制御装置に接続されている。
【００１８】以上、本発明の実施例による分子線エピタ
キシィ用蒸発源装置１の構成について説明したが、次に
その作用について説明する。
キシィ用蒸発源装置１の構成について説明したが、次に
その作用について説明する。
【００１９】蒸発源装置４のるつぼ３８にＺｎを注入
し、蒸発源装置５のるつぼ１３にはＳが注入されてい
る。図示されていない排気装置により、真空容器２内が
所定の圧力に減圧される。蒸発源装置５では熱媒体が熱
交換器２１、供給口１８、油浴１６、排出口１９を循環
する。熱媒体は熱交換器２１により１００℃付近の温度
に設定され、油浴１６に供給される。熱媒体に流体を用
いたことにより、熱伝達、温度保持に優れ、るつぼ１３
を形成している周壁１４に安定した熱を加える。更に、
るつぼ１３の底壁１５にも熱媒体を接触させて、熱媒体
との接触面積を大きくしているので、るつぼ１３内のＳ
は安定した温度で蒸発することができ、蒸発量も一定と
なる。
し、蒸発源装置５のるつぼ１３にはＳが注入されてい
る。図示されていない排気装置により、真空容器２内が
所定の圧力に減圧される。蒸発源装置５では熱媒体が熱
交換器２１、供給口１８、油浴１６、排出口１９を循環
する。熱媒体は熱交換器２１により１００℃付近の温度
に設定され、油浴１６に供給される。熱媒体に流体を用
いたことにより、熱伝達、温度保持に優れ、るつぼ１３
を形成している周壁１４に安定した熱を加える。更に、
るつぼ１３の底壁１５にも熱媒体を接触させて、熱媒体
との接触面積を大きくしているので、るつぼ１３内のＳ
は安定した温度で蒸発することができ、蒸発量も一定と
なる。
【００２０】るつぼ１３内で蒸発したＳは１００℃付近
の加熱によりＳ8 として蒸発するが連結管１２、通路２
４を通過し、通路２４では分解セル２３におけるヒータ
２６により１０００℃付近で加熱され、ここでＳ2 、Ｓ
4 等に分解される。更に、じゃま板２８がヒータ２６に
加熱され加熱媒体となり、Ｓが小孔２８ａを通過する
際、高温側蒸発部Ｂへの接触面積が大きくなり、Ｓは効
率よく加熱される。Ｓは加熱されることによりＳ2 、Ｓ
4 等に分解されて、これらＳは蒸発口７から真空容器２
内の基板８に飛んでいき、基板８上ではＳ2 Ｓ4 等の状
態での蒸着が優勢となって付着する。
の加熱によりＳ8 として蒸発するが連結管１２、通路２
４を通過し、通路２４では分解セル２３におけるヒータ
２６により１０００℃付近で加熱され、ここでＳ2 、Ｓ
4 等に分解される。更に、じゃま板２８がヒータ２６に
加熱され加熱媒体となり、Ｓが小孔２８ａを通過する
際、高温側蒸発部Ｂへの接触面積が大きくなり、Ｓは効
率よく加熱される。Ｓは加熱されることによりＳ2 、Ｓ
4 等に分解されて、これらＳは蒸発口７から真空容器２
内の基板８に飛んでいき、基板８上ではＳ2 Ｓ4 等の状
態での蒸着が優勢となって付着する。
【００２１】他方、図４に示す蒸発源装置４のるつぼ３
８内のＺｎも蒸発源加熱ヒータ３９により加熱され真空
容器２の基板８に飛んでいく。ＳはＳ8 よりもＳ2 、Ｓ
4 等で基板に蒸着した方が結晶状態が良くなり、基板８
上には高品質なＺｎＳの薄膜が形成される。
８内のＺｎも蒸発源加熱ヒータ３９により加熱され真空
容器２の基板８に飛んでいく。ＳはＳ8 よりもＳ2 、Ｓ
4 等で基板に蒸着した方が結晶状態が良くなり、基板８
上には高品質なＺｎＳの薄膜が形成される。
【００２２】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく本発明の
技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく本発明の
技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【００２３】例えば、以上の実施例ではるつぼ１３を加
熱するのに油浴１６として油を用いて、るつぼ１３を浸
漬させたが、この加熱媒体は油に限らず温水、有機熱媒
体等を使用しても良い。
熱するのに油浴１６として油を用いて、るつぼ１３を浸
漬させたが、この加熱媒体は油に限らず温水、有機熱媒
体等を使用しても良い。
【００２４】また、以上の実施例では蒸発源装置５のる
つぼ１３内に蒸発材料としてＳを用いたが、Ｓｅ（セレ
ン）を用いてもよい。
つぼ１３内に蒸発材料としてＳを用いたが、Ｓｅ（セレ
ン）を用いてもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上述べた用に本発明によれば、るつぼ
を熱媒体としての溶液に浸漬させているので、低温での
温度安定性が向上し、るつぼ内の蒸発材料が安定した加
熱状態により加熱されて蒸発量が一定し、高品質な薄膜
を作成することができる。
を熱媒体としての溶液に浸漬させているので、低温での
温度安定性が向上し、るつぼ内の蒸発材料が安定した加
熱状態により加熱されて蒸発量が一定し、高品質な薄膜
を作成することができる。
【図１】本発明の実施例による分子線エピタキシィ装置
内の概略正面図である。
内の概略正面図である。
【図２】同装置の蒸発源装置の断面図である。
【図３】分子線エピタキシィの原理を示す図である。
【図４】従来例による分子線エピタキシィ装置の概略正
面図である。
面図である。
【図５】同従来例の蒸発源装置の断面図である。
１ 分子線エピタキシィ用装置 ８ 基板 １２ 連結管 １３ るつぼ １６ 油浴 ２４ 通路 ２６ ヒータ Ａ 低温側蒸発部 Ｂ 高温側蒸発部 Ｃ 空間 Ｄ 内部
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 23/08 H01L 21/203 ＣＡ（ＳＴＮ) ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 真空室内に配設されたるつぼ内の蒸発材
料を加熱することにより、該真空室内に配設された基板
に前記蒸発材料の分子を蒸着させるようにした分子線エ
ピタキシィ用蒸発源装置において、連結管を介して連通
された高温側蒸発部と低温側蒸発部とを備え、前記高温
側蒸発部は前記蒸発材料の通路の壁部に前記蒸発材料を
分解するヒータを設け、前記低温側蒸発部は前記るつぼ
を熱媒体としての溶液に浸漬させ、該溶液により前記る
つぼを加熱するようにしたことを特徴とする分子線エピ
タキシィ用蒸発源装置。 - 【請求項２】 前記溶液を循環させて、該循環の途中で
熱交換器により所定の温度に加熱するようにした請求項
１に記載の分子線エピタキシィ用蒸発源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35688291A JP3176968B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 分子線エピタキシィ用蒸発源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35688291A JP3176968B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 分子線エピタキシィ用蒸発源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05170591A JPH05170591A (ja) | 1993-07-09 |
| JP3176968B2 true JP3176968B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=18451236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35688291A Expired - Lifetime JP3176968B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 分子線エピタキシィ用蒸発源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3176968B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849599A (en) * | 1984-06-14 | 1989-07-18 | Akio Kuromatsu | Machining method employing cutting or grinding by conductive grindstone |
| EP2025773A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-02-18 | Applied Materials, Inc. | Vacuum evaporation apparatus for solid materials |
| EP2187709B1 (en) * | 2007-09-10 | 2018-03-21 | Ulvac, Inc. | Vapor emission device, organic thin-film vapor deposition apparatus and method of organic thin-film vapor deposition |
| CN111485201B (zh) * | 2019-01-28 | 2024-05-24 | 广州先艺电子科技有限公司 | 一种真空蒸镀设备的蒸发源 |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP35688291A patent/JP3176968B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05170591A (ja) | 1993-07-09 |
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