JP3176432B2 - α−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法 - Google Patents
α−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法Info
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- JP3176432B2 JP3176432B2 JP13156892A JP13156892A JP3176432B2 JP 3176432 B2 JP3176432 B2 JP 3176432B2 JP 13156892 A JP13156892 A JP 13156892A JP 13156892 A JP13156892 A JP 13156892A JP 3176432 B2 JP3176432 B2 JP 3176432B2
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- sulfonyloxycarboxylic
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抗生物質等の医薬品の
合成中間体として有用なα−スルホニルオキシカルボン
酸エステル誘導体の製造方法に関する。
合成中間体として有用なα−スルホニルオキシカルボン
酸エステル誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】α−
スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の合成法と
して、α−ヒドロキシカルボン酸にアルコールを反応さ
せてα−ヒドロキシカルボン酸エステルとするエステル
化工程と、次いでスルホニル化剤を作用させるスルホニ
ル化工程を経る方法が知られている［Chem. Pharm. Bul
l.,27(3),747(1979)、J. Org. Chem.,50(8),1229(198
5)、Tetrahedron,46(19),6623(1990) 、特開昭５９−１
７２４４２号公報、特開昭６２−５３９７６号公報、特
開昭６２−１２６１８９号公報、特開昭６３−１５４６
９０号公報等参照］。しかし、この方法は、エステル化
反応において、例えばベンジルアルコール等の比較的分
子量の大きいアルコールを用いる場合には、対応するα
−ヒドロキシカルボン酸エステルを高収率で得ることが
できない。従って、前記方法は、α−スルホニルオキシ
カルボン酸エステル誘導体の一般的な製造法とはいえな
い。
スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の合成法と
して、α−ヒドロキシカルボン酸にアルコールを反応さ
せてα−ヒドロキシカルボン酸エステルとするエステル
化工程と、次いでスルホニル化剤を作用させるスルホニ
ル化工程を経る方法が知られている［Chem. Pharm. Bul
l.,27(3),747(1979)、J. Org. Chem.,50(8),1229(198
5)、Tetrahedron,46(19),6623(1990) 、特開昭５９−１
７２４４２号公報、特開昭６２−５３９７６号公報、特
開昭６２−１２６１８９号公報、特開昭６３−１５４６
９０号公報等参照］。しかし、この方法は、エステル化
反応において、例えばベンジルアルコール等の比較的分
子量の大きいアルコールを用いる場合には、対応するα
−ヒドロキシカルボン酸エステルを高収率で得ることが
できない。従って、前記方法は、α−スルホニルオキシ
カルボン酸エステル誘導体の一般的な製造法とはいえな
い。
【０００３】また、α−スルホニルオキシカルボン酸エ
ステル誘導体の他の合成法として、α−ヒドロキシカル
ボン酸にスルホニル化剤を作用させて、α−スルホニル
オキシカルボン酸とするスルホニル化工程と、次いで酸
触媒の存在下、アルコールを作用させるエステル化工程
を経る方法が知られている。しかし、この方法は、スル
ホニル化反応、エステル化反応のいずれの反応において
も副生物が生成し易く、工業的に満足し得る方法とはい
えない。
ステル誘導体の他の合成法として、α−ヒドロキシカル
ボン酸にスルホニル化剤を作用させて、α−スルホニル
オキシカルボン酸とするスルホニル化工程と、次いで酸
触媒の存在下、アルコールを作用させるエステル化工程
を経る方法が知られている。しかし、この方法は、スル
ホニル化反応、エステル化反応のいずれの反応において
も副生物が生成し易く、工業的に満足し得る方法とはい
えない。
【０００４】従って、本発明の目的は、入手しやすい原
料から、簡便な操作により、α−スルホニルオキシカル
ボン酸エステル誘導体を高い収率で得る一般的且つ工業
的な方法を提供することにある。
料から、簡便な操作により、α−スルホニルオキシカル
ボン酸エステル誘導体を高い収率で得る一般的且つ工業
的な方法を提供することにある。
【０００５】
【発明の構成】本発明者らは、前記目的を達成するた
め、鋭意検討した結果、チタン酸エステル触媒の存在
下、α−スルホニルオキシカルボン酸エステルとアルコ
ールとを、特定のモル比で反応させると、エステル交換
反応が選択的且つ円滑に進行すること、そのため、簡便
な操作により、高い収率で、目的とするα−スルホニル
オキシカルボン酸エステル誘導体が得られることを見出
だし、本発明を完成した。
め、鋭意検討した結果、チタン酸エステル触媒の存在
下、α−スルホニルオキシカルボン酸エステルとアルコ
ールとを、特定のモル比で反応させると、エステル交換
反応が選択的且つ円滑に進行すること、そのため、簡便
な操作により、高い収率で、目的とするα−スルホニル
オキシカルボン酸エステル誘導体が得られることを見出
だし、本発明を完成した。
【０００６】すなわち、本発明は、一般式［Ｉ］
【０００７】
【化３】 （式中、Ｒ1 は炭素数１〜６のアルキル基、アリール基
又はアラルキル基；Ｒ2はハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン化低級アルキル基又はアリール基；Ｒ3 は
炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数２〜４のアルケニ
ル基を示す）で表されるα−スルホニルオキシカルボン
酸エステルと、一般式［ＩＩ］ Ｒ4 ＯＨ ［ＩＩ］ （式中、Ｒ4 は炭素数２〜１０のアルキル基、２−置換
エチル基、シクロアルキル基、アリール基又は置換され
ていてもよいアラルキル基を示す）で表されるアルコー
ルとから、チタン酸エステル触媒の存在下、エステル交
換反応により、一般式［ＩＩＩ］
又はアラルキル基；Ｒ2はハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン化低級アルキル基又はアリール基；Ｒ3 は
炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数２〜４のアルケニ
ル基を示す）で表されるα−スルホニルオキシカルボン
酸エステルと、一般式［ＩＩ］ Ｒ4 ＯＨ ［ＩＩ］ （式中、Ｒ4 は炭素数２〜１０のアルキル基、２−置換
エチル基、シクロアルキル基、アリール基又は置換され
ていてもよいアラルキル基を示す）で表されるアルコー
ルとから、チタン酸エステル触媒の存在下、エステル交
換反応により、一般式［ＩＩＩ］
【０００８】
【化４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ4 は前記と同じ）で表されるα
−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体を得る方
法であって、前記アルコールを、前記一般式［Ｉ］で表
されるα−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モル
に対して１．０〜１．４モル用いるα−スルホニルオキ
シカルボン酸エステル誘導体の製造方法を提供する。
−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体を得る方
法であって、前記アルコールを、前記一般式［Ｉ］で表
されるα−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モル
に対して１．０〜１．４モル用いるα−スルホニルオキ
シカルボン酸エステル誘導体の製造方法を提供する。
【０００９】前記一般式［Ｉ］中、Ｒ1 における炭素数
１〜６のアルキル基として、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、
ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、
ヘキシル、イソヘキシル基などの直鎖状又は分枝状のア
ルキル基が挙げられる。
１〜６のアルキル基として、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、
ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、
ヘキシル、イソヘキシル基などの直鎖状又は分枝状のア
ルキル基が挙げられる。
【００１０】また、アリール基には、フェニル及びナフ
チル基が含まれる。前記アリール基は、ハロゲン原子、
アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の
置換基で置換されていてもよい。置換されたアリール基
として、４−クロロフェニル、３，５−ジクロロフェニ
ル、４−ブロモフェニル、３−トリフルオロメチルフェ
ニル、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、
４−メトキシフェニル基等が例示される。
チル基が含まれる。前記アリール基は、ハロゲン原子、
アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の
置換基で置換されていてもよい。置換されたアリール基
として、４−クロロフェニル、３，５−ジクロロフェニ
ル、４−ブロモフェニル、３−トリフルオロメチルフェ
ニル、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、
４−メトキシフェニル基等が例示される。
【００１１】前記Ｒ1 におけるアラルキル基には、ベン
ジル基、ジフェニルメチル基、２−フェニルエチル基、
３−フェニルプロピル基等が含まれる。アラルキル基
は、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル
基、アルコキシ基等の置換基で置換されていてもよい。
置換されたアラルキル基として、４−クロロベンジル、
４−ブロモベンジル、４−トリフルオロメチルベンジル
基等が挙げられる。
ジル基、ジフェニルメチル基、２−フェニルエチル基、
３−フェニルプロピル基等が含まれる。アラルキル基
は、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル
基、アルコキシ基等の置換基で置換されていてもよい。
置換されたアラルキル基として、４−クロロベンジル、
４−ブロモベンジル、４−トリフルオロメチルベンジル
基等が挙げられる。
【００１２】これらの置換基のうち、Ｒ1 として、炭素
数１〜６のアルキル基及びアラルキル基、特に炭素数１
〜６のアルキル基、とりわけメチル基が繁用される。
数１〜６のアルキル基及びアラルキル基、特に炭素数１
〜６のアルキル基、とりわけメチル基が繁用される。
【００１３】前記Ｒ2 におけるハロゲン原子には、弗
素、塩素、臭素及びヨウ素が含まれる。これらのうち、
特に塩素が繁用される。また、低級アルキル基には、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル基等の
炭素数１〜４の直鎖状又は分枝状のアルキル基が含まれ
る。ハロゲン化低級アルキル基には、クロロメチル、ト
リクロロメチル、トリフルオロメチル、２，２，２−ト
リクロロエチル等の炭素数１〜４のハロゲン化アルキル
基が含まれる。アリール基としては、Ｒ1 で例示したも
のが挙げられる。
素、塩素、臭素及びヨウ素が含まれる。これらのうち、
特に塩素が繁用される。また、低級アルキル基には、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル基等の
炭素数１〜４の直鎖状又は分枝状のアルキル基が含まれ
る。ハロゲン化低級アルキル基には、クロロメチル、ト
リクロロメチル、トリフルオロメチル、２，２，２−ト
リクロロエチル等の炭素数１〜４のハロゲン化アルキル
基が含まれる。アリール基としては、Ｒ1 で例示したも
のが挙げられる。
【００１４】これらの置換基のうち、Ｒ2 として、メチ
ル、エチル基等の低級アルキル基；トリフルオロメチル
基等のハロゲン化低級アルキル基；フェニル、ｐ−メチ
ルフェニル等の置換されていてもよいフェニル基又はナ
フチル基等のアリール基等が繁用され、特に、低級アル
キル基、置換されていてもよいフェニル基が好適に用い
られる。
ル、エチル基等の低級アルキル基；トリフルオロメチル
基等のハロゲン化低級アルキル基；フェニル、ｐ−メチ
ルフェニル等の置換されていてもよいフェニル基又はナ
フチル基等のアリール基等が繁用され、特に、低級アル
キル基、置換されていてもよいフェニル基が好適に用い
られる。
【００１５】前記Ｒ3 における炭素数１〜４のアルキル
基としては、メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチ
ル基等が例示される。また、炭素数２〜４のアルケニル
基として、ビニル、アリル、３−ブテニル基等が挙げら
れる。これらの置換基のうち、炭素数１〜４のアルキル
基、特にメチル及びエチル基が繁用される。
基としては、メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチ
ル基等が例示される。また、炭素数２〜４のアルケニル
基として、ビニル、アリル、３−ブテニル基等が挙げら
れる。これらの置換基のうち、炭素数１〜４のアルキル
基、特にメチル及びエチル基が繁用される。
【００１６】又、エステル交換反応は平衡反応であるこ
とから、原料であるエステルに対応して副生するアルコ
ールＲ3 ＯＨを系外へ除去しながら反応させるのが有利
であるため、前記Ｒ3 ＯＨの沸点が、一般式［ＩＩ］の
アルコールの沸点よりも低くなるように、Ｒ3 を選択す
るのが好ましい。
とから、原料であるエステルに対応して副生するアルコ
ールＲ3 ＯＨを系外へ除去しながら反応させるのが有利
であるため、前記Ｒ3 ＯＨの沸点が、一般式［ＩＩ］の
アルコールの沸点よりも低くなるように、Ｒ3 を選択す
るのが好ましい。
【００１７】好ましい置換基Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 の組合せ
は、Ｒ1 が炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ2 が低級アル
キル基又は置換されていてもよいフェニル基、Ｒ3 が炭
素数１〜４のアルキル基である組合せ等である。特に好
ましい組合せは、Ｒ1 がメチル基、Ｒ2 がメチル又はｐ
−メチルフェニル基、Ｒ3 がメチル又はエチル基の組合
せである。
は、Ｒ1 が炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ2 が低級アル
キル基又は置換されていてもよいフェニル基、Ｒ3 が炭
素数１〜４のアルキル基である組合せ等である。特に好
ましい組合せは、Ｒ1 がメチル基、Ｒ2 がメチル又はｐ
−メチルフェニル基、Ｒ3 がメチル又はエチル基の組合
せである。
【００１８】一般式［Ｉ］で表される化合物は、ラセミ
体であってもよく、又、光学活性体であってもよい。本
発明の方法では、反応中にラセミ化が起こりにくいた
め、特に、光学活性な一般式［Ｉ］で表される化合物を
用いることにより、高い光学純度を有するα−スルホニ
ルオキシカルボン酸エステル誘導体を製造することがで
きる。
体であってもよく、又、光学活性体であってもよい。本
発明の方法では、反応中にラセミ化が起こりにくいた
め、特に、光学活性な一般式［Ｉ］で表される化合物を
用いることにより、高い光学純度を有するα−スルホニ
ルオキシカルボン酸エステル誘導体を製造することがで
きる。
【００１９】一般式［Ｉ］で表される化合物の具体例と
して、α−メタンスルホニルオキシプロピオン酸メチ
ル、α−メタンスルホニルオキシプロピオン酸エチル、
α−トリフルオロメタンスルホニルオキシプロピオン酸
メチル、α−トリフルオロメタンスルホニルオキシプロ
ピオン酸エチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ）プロピオン酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシ）プロピオン酸エチル等のα−スルホニルオキ
シプロピオン酸エステル；α−メタンスルホニルオキシ
酪酸メチル、α−トリフルオロメタンスルホニルオキシ
酪酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）酪
酸メチル等のα−スルホニルオキシ酪酸エステル；α−
メタンスルホニルオキシイソ吉草酸メチル、α−トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシイソ吉草酸メチル、α−
（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）イソ吉草酸メチル等
のα−スルホニルオキシイソ吉草酸エステル；α−メタ
ンスルホニルオキシヘプタン酸メチル、α−トリフルオ
ロメタンスルホニルオキシヘプタン酸メチル、α−（ｐ
−トルエンスルホニルオキシ）ヘプタン酸メチル等のα
−スルホニルオキシヘプタン酸エステル；α−メタンス
ルホニルオキシ−β−フェニルプロピオン酸メチル、α
−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−β−フェニル
プロピオン酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオ
キシ）−β−フェニルプロピオン酸メチル等のα−スル
ホニルオキシ−β−フェニルプロピオン酸エステル；α
−メタンスルホニルオキシ−γ−フェニル酪酸メチル、
α−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−γ−フェニ
ル酪酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
−γ−フェニル酪酸メチル等のα−スルホニルオキシ−
γ−フェニル酪酸エステル等が挙げられる。これらの化
合物のうち、特にα−スルホニルオキシプロピオン酸エ
ステル、とりわけ光学活性なα−スルホニルオキシプロ
ピオン酸エステルが繁用される。
して、α−メタンスルホニルオキシプロピオン酸メチ
ル、α−メタンスルホニルオキシプロピオン酸エチル、
α−トリフルオロメタンスルホニルオキシプロピオン酸
メチル、α−トリフルオロメタンスルホニルオキシプロ
ピオン酸エチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ）プロピオン酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシ）プロピオン酸エチル等のα−スルホニルオキ
シプロピオン酸エステル；α−メタンスルホニルオキシ
酪酸メチル、α−トリフルオロメタンスルホニルオキシ
酪酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）酪
酸メチル等のα−スルホニルオキシ酪酸エステル；α−
メタンスルホニルオキシイソ吉草酸メチル、α−トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシイソ吉草酸メチル、α−
（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）イソ吉草酸メチル等
のα−スルホニルオキシイソ吉草酸エステル；α−メタ
ンスルホニルオキシヘプタン酸メチル、α−トリフルオ
ロメタンスルホニルオキシヘプタン酸メチル、α−（ｐ
−トルエンスルホニルオキシ）ヘプタン酸メチル等のα
−スルホニルオキシヘプタン酸エステル；α−メタンス
ルホニルオキシ−β−フェニルプロピオン酸メチル、α
−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−β−フェニル
プロピオン酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオ
キシ）−β−フェニルプロピオン酸メチル等のα−スル
ホニルオキシ−β−フェニルプロピオン酸エステル；α
−メタンスルホニルオキシ−γ−フェニル酪酸メチル、
α−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−γ−フェニ
ル酪酸メチル、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
−γ−フェニル酪酸メチル等のα−スルホニルオキシ−
γ−フェニル酪酸エステル等が挙げられる。これらの化
合物のうち、特にα−スルホニルオキシプロピオン酸エ
ステル、とりわけ光学活性なα−スルホニルオキシプロ
ピオン酸エステルが繁用される。
【００２０】一般式［Ｉ］で表される化合物は、例えば
前記の先行文献記載の方法により容易に得ることができ
る。
前記の先行文献記載の方法により容易に得ることができ
る。
【００２１】前記一般式［ＩＩ］中、Ｒ4 における炭素
数２〜１０のアルキル基としては、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−
ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキ
シル、イソヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル基などの直鎖状又は分枝状のアルキル基が挙げられ
る。２−置換エチル基には、２，２，２−トリクロロエ
チル、２−クロロエチル、２−トリメチルシリルエチ
ル、２−メチルチオエチル、２−メトキシエチル基等が
含まれる。シクロアルキル基には、シクロブチル、シク
ロペンチル、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシク
ロアルキル基が含まれる。アリール基、アラルキル基と
しては、Ｒ1 で例示したものが挙げられる。また、置換
されていてもよいアラルキル基としては、ベンジル、ｐ
−ニトロベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ｐ−ブロモ
ベンジル、２，４，６−トリメチルベンジル、ジフェニ
ルメチル、トリフェニルメチル基等の置換されていても
よいベンジル基等が例示される。
数２〜１０のアルキル基としては、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−
ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキ
シル、イソヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル基などの直鎖状又は分枝状のアルキル基が挙げられ
る。２−置換エチル基には、２，２，２−トリクロロエ
チル、２−クロロエチル、２−トリメチルシリルエチ
ル、２−メチルチオエチル、２−メトキシエチル基等が
含まれる。シクロアルキル基には、シクロブチル、シク
ロペンチル、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシク
ロアルキル基が含まれる。アリール基、アラルキル基と
しては、Ｒ1 で例示したものが挙げられる。また、置換
されていてもよいアラルキル基としては、ベンジル、ｐ
−ニトロベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ｐ−ブロモ
ベンジル、２，４，６−トリメチルベンジル、ジフェニ
ルメチル、トリフェニルメチル基等の置換されていても
よいベンジル基等が例示される。
【００２２】これらの置換基のうち、Ｒ4 として、エチ
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル等の炭素数２〜
１０のアルキル基；２−トリメチルシリルエチル、２−
メトキシエチル基等の２−置換エチル基；ベンジル基等
の置換されていてもよいベンジル基等が好適に用いら
れ、とりわけ置換されていてもよいベンジル基等が繁用
される。
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル等の炭素数２〜
１０のアルキル基；２−トリメチルシリルエチル、２−
メトキシエチル基等の２−置換エチル基；ベンジル基等
の置換されていてもよいベンジル基等が好適に用いら
れ、とりわけ置換されていてもよいベンジル基等が繁用
される。
【００２３】本発明の主たる特徴は、一般式［Ｉ］のα
−スルホニルオキシカルボン酸エステルと、一般式［Ｉ
Ｉ］のアルコールとのエステル交換反応において、前記
アルコールを、前記α−スルホニルオキシカルボン酸エ
ステル１モルに対して１．０〜１．４モル用いる点にあ
る。
−スルホニルオキシカルボン酸エステルと、一般式［Ｉ
Ｉ］のアルコールとのエステル交換反応において、前記
アルコールを、前記α−スルホニルオキシカルボン酸エ
ステル１モルに対して１．０〜１．４モル用いる点にあ
る。
【００２４】一般に、チタン酸エステルの存在下、カル
ボン酸エステルがアルコールによってエステル交換され
ることは知られている。そして、その場合、反応を円滑
に進行させるため、アルコールは、溶媒として、原料エ
ステルに対して大過剰量用いられる。又、分子内に種々
の官能基を有するカルボン酸エステルについて、前記エ
ステル交換反応が検討されており、例えばトリメチルシ
リル、ニトロ、シアノ、ブロモ、ヒドロキシル基；アセ
トナイド、ラクタム、ケトン、炭素−炭素二重結合部位
等は、反応条件下に影響を受けない。これに対して、分
子内にアシルオキシ基やカルバモイルオキシ基を有する
カルボン酸エステルの場合には、反応条件下で、同時
に、前記アシルオキシ基等もエステル交換され、ヒドロ
キシ基を有するカルボン酸エステルに転化されることが
報告されている（Synthesis,138(1982) 参照）。
ボン酸エステルがアルコールによってエステル交換され
ることは知られている。そして、その場合、反応を円滑
に進行させるため、アルコールは、溶媒として、原料エ
ステルに対して大過剰量用いられる。又、分子内に種々
の官能基を有するカルボン酸エステルについて、前記エ
ステル交換反応が検討されており、例えばトリメチルシ
リル、ニトロ、シアノ、ブロモ、ヒドロキシル基；アセ
トナイド、ラクタム、ケトン、炭素−炭素二重結合部位
等は、反応条件下に影響を受けない。これに対して、分
子内にアシルオキシ基やカルバモイルオキシ基を有する
カルボン酸エステルの場合には、反応条件下で、同時
に、前記アシルオキシ基等もエステル交換され、ヒドロ
キシ基を有するカルボン酸エステルに転化されることが
報告されている（Synthesis,138(1982) 参照）。
【００２５】しかし、本発明のような、α位に、例えば
メタンスルホニルオキシやｐ−トルエンスルホニルオキ
シ等のスルホニルオキシ基を有するカルボン酸エステル
のエステル交換反応については、従来、知られていな
い。このようなカルボン酸エステルでは、スルホニルオ
キシ基が反応性の高い脱離基としての機能を有するた
め、前記エステル交換反応条件下、種々の副反応が予想
される。そして、実際、前記文献と同様の条件下でエス
テル交換反応を行うと、α−置換反応、α，β−脱離反
応や、脱離した対応するスルホン酸を触媒とするエーテ
ル生成反応などの種々の副反応が起こるため、目的のエ
ステル交換反応生成物を収率よく得ることができない。
メタンスルホニルオキシやｐ−トルエンスルホニルオキ
シ等のスルホニルオキシ基を有するカルボン酸エステル
のエステル交換反応については、従来、知られていな
い。このようなカルボン酸エステルでは、スルホニルオ
キシ基が反応性の高い脱離基としての機能を有するた
め、前記エステル交換反応条件下、種々の副反応が予想
される。そして、実際、前記文献と同様の条件下でエス
テル交換反応を行うと、α−置換反応、α，β−脱離反
応や、脱離した対応するスルホン酸を触媒とするエーテ
ル生成反応などの種々の副反応が起こるため、目的のエ
ステル交換反応生成物を収率よく得ることができない。
【００２６】しかるに、前記チタン酸エステル触媒を用
いるエステル交換反応において、アルコールを、前記文
献のように溶媒量用いるのではなく、原料成分であるα
−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モルに対して
１．０〜１．４モル用いる場合には、副反応が著しく抑
制され、カルボン酸エステル部位におけるエステル交換
反応が選択的に進行するため、目的化合物であるエステ
ル交換反応生成物を高い収率で得ることができる。しか
も、アルコールの使用量が原料エステルに対して等モル
若しくは小過剰量程度であるにもかかわらず、エステル
交換反応が円滑に進行するため、工業的に極めて有利で
ある。
いるエステル交換反応において、アルコールを、前記文
献のように溶媒量用いるのではなく、原料成分であるα
−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モルに対して
１．０〜１．４モル用いる場合には、副反応が著しく抑
制され、カルボン酸エステル部位におけるエステル交換
反応が選択的に進行するため、目的化合物であるエステ
ル交換反応生成物を高い収率で得ることができる。しか
も、アルコールの使用量が原料エステルに対して等モル
若しくは小過剰量程度であるにもかかわらず、エステル
交換反応が円滑に進行するため、工業的に極めて有利で
ある。
【００２７】前記アルコールの使用量を、α−スルホニ
ルオキシカルボン酸エステル１モルに対して１．０未満
とすると、原料であるエステルの転化率が低下し、１．
４モルを越えると副反応が顕著となり、目的化合物の収
率が著しく低下する。好ましい前記アルコールの使用量
は、前記エステル１モルに対して１．０〜１．３モル程
度である。
ルオキシカルボン酸エステル１モルに対して１．０未満
とすると、原料であるエステルの転化率が低下し、１．
４モルを越えると副反応が顕著となり、目的化合物の収
率が著しく低下する。好ましい前記アルコールの使用量
は、前記エステル１モルに対して１．０〜１．３モル程
度である。
【００２８】本発明の方法では、エステル交換反応触媒
として、チタン酸エステルを用いる。チタン酸エステル
には、チタン酸テトラエチル、チタン酸テトライソプロ
ピル、チタン酸テトラブチル等のチタン酸アルキルエス
テル；チタン酸テトラフェニル等のチタン酸アリールエ
ステル等が含まれる。
として、チタン酸エステルを用いる。チタン酸エステル
には、チタン酸テトラエチル、チタン酸テトライソプロ
ピル、チタン酸テトラブチル等のチタン酸アルキルエス
テル；チタン酸テトラフェニル等のチタン酸アリールエ
ステル等が含まれる。
【００２９】前記触媒の使用量は、特に制限されない
が、経済性及び後処理工程の操作性を考慮し、一般式
［Ｉ］で表されるα−スルホニルオキシカルボン酸エス
テルに対して、通常０．０１〜２０モル％、好ましくは
０．１〜５モル％程度である。
が、経済性及び後処理工程の操作性を考慮し、一般式
［Ｉ］で表されるα−スルホニルオキシカルボン酸エス
テルに対して、通常０．０１〜２０モル％、好ましくは
０．１〜５モル％程度である。
【００３０】前記エステル交換反応は、通常、溶媒の存
在下で行われる。
在下で行われる。
【００３１】前記溶媒としては、反応に不活性な溶媒で
あれば特に限定されず、例えば、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の
脂肪族炭化水素；シクロヘキサン等の脂環族炭化水素；
ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロ
ゲン化炭化水素；ジエチルエーテル、ジブチルエーテル
等のエーテル；酢酸エステル類等のエステル；メチルエ
チルケトン等のケトン；ジメチルスルホキシド等の非プ
ロトン性極性溶媒等が例示される。好ましい溶媒には、
炭化水素、特にトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
が含まれる。
あれば特に限定されず、例えば、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の
脂肪族炭化水素；シクロヘキサン等の脂環族炭化水素；
ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロ
ゲン化炭化水素；ジエチルエーテル、ジブチルエーテル
等のエーテル；酢酸エステル類等のエステル；メチルエ
チルケトン等のケトン；ジメチルスルホキシド等の非プ
ロトン性極性溶媒等が例示される。好ましい溶媒には、
炭化水素、特にトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
が含まれる。
【００３２】又、反応により副生するアルコールＲ3 Ｏ
Ｈを系外へ除去しながら反応させるのが有利であるた
め、前記溶媒として、その沸点が、前記Ｒ3 ＯＨの沸点
より高いものを選択するのが好ましい。又、Ｒ3 ＯＨを
円滑に系外へ除去するため、前記Ｒ3 ＯＨと共沸する溶
媒を用いるのが有利である。
Ｈを系外へ除去しながら反応させるのが有利であるた
め、前記溶媒として、その沸点が、前記Ｒ3 ＯＨの沸点
より高いものを選択するのが好ましい。又、Ｒ3 ＯＨを
円滑に系外へ除去するため、前記Ｒ3 ＯＨと共沸する溶
媒を用いるのが有利である。
【００３３】溶媒の使用量は、攪拌操作が円滑に行われ
る範囲で適宜選択できるが、反応系における一般式
［Ｉ］で表されるα−スルホニルオキシカルボン酸エス
テルの濃度が７５重量％以下、好ましくは１０〜７０重
量％、さらに好ましくは２０〜６０重量％程度となるよ
うに調整する。前記エステルの濃度が７５重量％を越え
ると、副反応が起こり易くなる。
る範囲で適宜選択できるが、反応系における一般式
［Ｉ］で表されるα−スルホニルオキシカルボン酸エス
テルの濃度が７５重量％以下、好ましくは１０〜７０重
量％、さらに好ましくは２０〜６０重量％程度となるよ
うに調整する。前記エステルの濃度が７５重量％を越え
ると、副反応が起こり易くなる。
【００３４】エステル交換反応の反応温度は、通常７０
〜１５０℃、好ましくは１１０〜１３０℃程度である。
７０℃未満の温度では、反応速度が遅くなり易く、１５
０℃を越えると、副反応が起り易くなる。
〜１５０℃、好ましくは１１０〜１３０℃程度である。
７０℃未満の温度では、反応速度が遅くなり易く、１５
０℃を越えると、副反応が起り易くなる。
【００３５】反応方法は、特に制限されないが、前記の
ように本反応は平衡反応であるため、副生するＲ3 ＯＨ
を系外に留去しながら反応させるのが好ましい。
ように本反応は平衡反応であるため、副生するＲ3 ＯＨ
を系外に留去しながら反応させるのが好ましい。
【００３６】Ｒ3 ＯＨを留去しながら反応させる場合に
は、Ｒ3 ＯＨのみを効率的に除去するために、留出液を
一部還流させ、精留しながら留去することもできる。
又、溶媒がＲ3 ＯＨと共に留出する場合には、反応系に
溶媒を逐次補充しながら反応を行ってもよい。
は、Ｒ3 ＯＨのみを効率的に除去するために、留出液を
一部還流させ、精留しながら留去することもできる。
又、溶媒がＲ3 ＯＨと共に留出する場合には、反応系に
溶媒を逐次補充しながら反応を行ってもよい。
【００３７】反応時間は、原料成分の種類によっても異
なり、一概には言えないが、通常１〜１２時間程度であ
る。
なり、一概には言えないが、通常１〜１２時間程度であ
る。
【００３８】このように、本発明は、チタン酸エステル
を触媒とするエステル交換反応を利用することから、特
殊な試薬等を必要とせず、ほぼ中性条件下で反応が行わ
れるため、従来法に比べ適用範囲が極めて広い。特に、
本発明は、従来法と異なって酸や塩基を用いないため、
原料として光学活性なα−スルホニルオキシカルボン酸
エステルを用いてもラセミ化が起こりにくく、医薬品の
中間体等として有用な光学活性なα−スルホニルオキシ
カルボン酸エステル誘導体を製造するのに極めて有利で
ある。
を触媒とするエステル交換反応を利用することから、特
殊な試薬等を必要とせず、ほぼ中性条件下で反応が行わ
れるため、従来法に比べ適用範囲が極めて広い。特に、
本発明は、従来法と異なって酸や塩基を用いないため、
原料として光学活性なα−スルホニルオキシカルボン酸
エステルを用いてもラセミ化が起こりにくく、医薬品の
中間体等として有用な光学活性なα−スルホニルオキシ
カルボン酸エステル誘導体を製造するのに極めて有利で
ある。
【００３９】反応終了後、反応混合液を、洗浄、濃縮、
抽出、蒸溜、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィー
等の分離手段を用い、又はこれらを組合せることによ
り、目的化合物であるα−スルホニルオキシカルボン酸
エステル誘導体を得ることができる。
抽出、蒸溜、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィー
等の分離手段を用い、又はこれらを組合せることによ
り、目的化合物であるα−スルホニルオキシカルボン酸
エステル誘導体を得ることができる。
【００４０】反応混合液の好ましい処理方法として、例
えば次のような方法があげられる。すなわち、反応混合
液を酸の水溶液により洗浄した後、必要に応じて有機層
を濃縮し、さらに水又は食塩水で洗浄し、脱溶媒する。
えば次のような方法があげられる。すなわち、反応混合
液を酸の水溶液により洗浄した後、必要に応じて有機層
を濃縮し、さらに水又は食塩水で洗浄し、脱溶媒する。
【００４１】前記酸洗浄に用いる酸として、塩酸、硫
酸、リン酸等の鉱酸、特に塩酸が好適である。酸の水溶
液中の酸の濃度は特に限定されないが、反応混合液中の
チタン分を除去するため、通常０．１〜３０重量％、好
ましくは０．５〜２０重量％程度である。前記酸洗浄に
より、反応混合液中のチタン分を２０ｐｐｍ以下にする
のが好ましい。チタン分が２０ｐｐｍを越えると、後の
水洗浄の際の分液性が悪くなり易い。なお、前記酸の水
溶液の代わりに、水又はフッ化カリウム水溶液を用いて
もよい。
酸、リン酸等の鉱酸、特に塩酸が好適である。酸の水溶
液中の酸の濃度は特に限定されないが、反応混合液中の
チタン分を除去するため、通常０．１〜３０重量％、好
ましくは０．５〜２０重量％程度である。前記酸洗浄に
より、反応混合液中のチタン分を２０ｐｐｍ以下にする
のが好ましい。チタン分が２０ｐｐｍを越えると、後の
水洗浄の際の分液性が悪くなり易い。なお、前記酸の水
溶液の代わりに、水又はフッ化カリウム水溶液を用いて
もよい。
【００４２】前記有機層の濃縮は、反応成分として用い
るアルコールの種類及び使用量に応じて、適宜行う。例
えば前記アルコールの沸点が溶媒の沸点より低い場合に
は、後の水洗時の分液操作が円滑に行える程度に、未反
応アルコールを留去させる。又、前記アルコールの沸点
が溶媒の沸点より高い場合には、後の水洗時に未反応ア
ルコールを水層側に移行し易くするため、反応生成物で
あるα−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の
濃度が、５０重量％以上となる程度に濃縮するのが好ま
しい。
るアルコールの種類及び使用量に応じて、適宜行う。例
えば前記アルコールの沸点が溶媒の沸点より低い場合に
は、後の水洗時の分液操作が円滑に行える程度に、未反
応アルコールを留去させる。又、前記アルコールの沸点
が溶媒の沸点より高い場合には、後の水洗時に未反応ア
ルコールを水層側に移行し易くするため、反応生成物で
あるα−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の
濃度が、５０重量％以上となる程度に濃縮するのが好ま
しい。
【００４３】前記水又は食塩水による洗浄は、残存する
酸や未反応アルコール等を除去するためになされる。水
等の使用量、洗浄回数に、特に制限はない。
酸や未反応アルコール等を除去するためになされる。水
等の使用量、洗浄回数に、特に制限はない。
【００４４】水等による洗浄後、脱溶媒することによ
り、目的化合物であるα−スルホニルオキシカルボン酸
エステル誘導体を得ることができる。本発明の方法によ
れば、副反応が著しく抑制されるため、脱溶媒するだけ
でも、高純度の目的化合物を得ることができる。なお、
必要に応じて、得られた濃縮残渣を蒸溜等に付すことに
より、さらに精製することもできる。
り、目的化合物であるα−スルホニルオキシカルボン酸
エステル誘導体を得ることができる。本発明の方法によ
れば、副反応が著しく抑制されるため、脱溶媒するだけ
でも、高純度の目的化合物を得ることができる。なお、
必要に応じて、得られた濃縮残渣を蒸溜等に付すことに
より、さらに精製することもできる。
【００４５】本発明の好ましい態様を以下に挙げる。
【００４６】(1) Ｒ1 が炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ
2 が低級アルキル基又は置換されていてもよいフェニル
基、Ｒ3 が炭素数１〜４のアルキル基である前記一般式
［Ｉ］のα−スルホニルオキシカルボン酸エステルと、
Ｒ4 が置換されていてもよいベンジル基である前記一般
式［ＩＩ］のアルコールとから、チタン酸エステル触媒
の存在下、エステル交換反応により、前記一般式［ＩＩ
Ｉ］（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ4 は上記と同じ）のα−ス
ルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体を得る方法で
あって、前記アルコールを、前記一般式［Ｉ］で表され
るα−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モルに対
して１．０〜１．４モル用いるα−スルホニルオキシカ
ルボン酸エステル誘導体の製造方法。
2 が低級アルキル基又は置換されていてもよいフェニル
基、Ｒ3 が炭素数１〜４のアルキル基である前記一般式
［Ｉ］のα−スルホニルオキシカルボン酸エステルと、
Ｒ4 が置換されていてもよいベンジル基である前記一般
式［ＩＩ］のアルコールとから、チタン酸エステル触媒
の存在下、エステル交換反応により、前記一般式［ＩＩ
Ｉ］（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ4 は上記と同じ）のα−ス
ルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体を得る方法で
あって、前記アルコールを、前記一般式［Ｉ］で表され
るα−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モルに対
して１．０〜１．４モル用いるα−スルホニルオキシカ
ルボン酸エステル誘導体の製造方法。
【００４７】(2) 一般式［Ｉ］のα−スルホニルオキシ
カルボン酸エステルが、α−（ｐ−トルエンスルホニル
オキシ）プロピオン酸メチルである前記(1) 記載のα−
スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方
法。
カルボン酸エステルが、α−（ｐ−トルエンスルホニル
オキシ）プロピオン酸メチルである前記(1) 記載のα−
スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方
法。
【００４８】(3) 一般式［ＩＩ］のアルコールが、ベン
ジルアルコールである前記(1) 記載のα−スルホニルオ
キシカルボン酸エステル誘導体の製造方法。
ジルアルコールである前記(1) 記載のα−スルホニルオ
キシカルボン酸エステル誘導体の製造方法。
【００４９】(4) 一般式［Ｉ］のα−スルホニルオキシ
カルボン酸エステルが、光学活性なα−スルホニルオキ
シカルボン酸エステルである前記(1) 記載のα−スルホ
ニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法。
カルボン酸エステルが、光学活性なα−スルホニルオキ
シカルボン酸エステルである前記(1) 記載のα−スルホ
ニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法。
【００５０】
【発明の効果】本発明の方法によれば、エステル交換反
応が選択的且つ円滑に進行するため、入手しやすい原料
から、簡便な操作により、α−スルホニルオキシカルボ
ン酸エステル誘導体を高い収率で製造することができ
る。
応が選択的且つ円滑に進行するため、入手しやすい原料
から、簡便な操作により、α−スルホニルオキシカルボ
ン酸エステル誘導体を高い収率で製造することができ
る。
【００５１】
【実施例】以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定され
るものではない。
に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定され
るものではない。
【００５２】実施例１ （Ｒ）−α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）プロピ
オン酸メチル２５．８ｇ（０．１モル；光学純度９９．
２％）、ベンジルアルコール１３．０ｇ（０．１２モ
ル）、チタン酸テトライソプロピル０．２６ｇ及びトル
エン２５．８ｇの混合液を、副生するメタノールをトル
エンとの共沸により系外に留去させながら、温度１１５
〜１２０℃で、９時間攪拌した。なお、留出したトルエ
ンを補充するため、トルエンの留出速度と同じ速度で、
トルエンを系内に逐次添加した。
オン酸メチル２５．８ｇ（０．１モル；光学純度９９．
２％）、ベンジルアルコール１３．０ｇ（０．１２モ
ル）、チタン酸テトライソプロピル０．２６ｇ及びトル
エン２５．８ｇの混合液を、副生するメタノールをトル
エンとの共沸により系外に留去させながら、温度１１５
〜１２０℃で、９時間攪拌した。なお、留出したトルエ
ンを補充するため、トルエンの留出速度と同じ速度で、
トルエンを系内に逐次添加した。
【００５３】反応混合液を室温まで冷却した後、α−
（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベンジ
ルの濃度が４０％以下になるようにトルエンを添加し、
１０％塩酸２５ｍｌで２回洗浄した。次いで、有機層の
α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベ
ンジルの濃度が７５％となるまで濃縮し、７５ｍｌの水
で２回洗浄した。減圧下に溶媒を留去し、化学純度９
３．２％、光学純度９９．６％の（Ｒ）−α−（ｐ−ト
ルエンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベンジル３５．
５ｇを得た。収率は９９％であった。
（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベンジ
ルの濃度が４０％以下になるようにトルエンを添加し、
１０％塩酸２５ｍｌで２回洗浄した。次いで、有機層の
α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベ
ンジルの濃度が７５％となるまで濃縮し、７５ｍｌの水
で２回洗浄した。減圧下に溶媒を留去し、化学純度９
３．２％、光学純度９９．６％の（Ｒ）−α−（ｐ−ト
ルエンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベンジル３５．
５ｇを得た。収率は９９％であった。
【００５４】比較例１ （Ｒ）−α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）プロピ
オン酸メチル２５．８ｇ（０．１モル；光学純度９９．
２％）、ベンジルアルコール５００ｍｌ及びチタン酸テ
トライソプロピル９．８９ｇ（０．３４８モル）の混合
液を、温度１１５〜１２０℃で、９時間攪拌した。
オン酸メチル２５．８ｇ（０．１モル；光学純度９９．
２％）、ベンジルアルコール５００ｍｌ及びチタン酸テ
トライソプロピル９．８９ｇ（０．３４８モル）の混合
液を、温度１１５〜１２０℃で、９時間攪拌した。
【００５５】反応混合液を室温まで冷却した後、１Ｎ塩
酸２５０ｍｌ加え、エーテルとペンタンの混合溶媒で抽
出した。有機層を飽和重曹水次いで飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒及び未反
応のベンジルアルコールを減圧下に留去し、化学純度８
５％、光学純度９９．６％の（Ｒ）−α−（ｐ−トルエ
ンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベンジル３５．４ｇ
を得た。収率は９０％であった。
酸２５０ｍｌ加え、エーテルとペンタンの混合溶媒で抽
出した。有機層を飽和重曹水次いで飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒及び未反
応のベンジルアルコールを減圧下に留去し、化学純度８
５％、光学純度９９．６％の（Ｒ）−α−（ｐ−トルエ
ンスルホニルオキシ）プロピオン酸ベンジル３５．４ｇ
を得た。収率は９０％であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (56)参考文献 特開 昭63−170344（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−126189（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−172442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−150250（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−157058（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−59265（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−31639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−128337（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 305/26 B01J 31/12 C07C 303/30 C07C 309/65 C07C 309/73 C07B 61/00 ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式［Ｉ］ 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数１〜６のアルキル基、アリール基
又はアラルキル基；Ｒ2はハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン化低級アルキル基又はアリール基；Ｒ3 は
炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数２〜４のアルケニ
ル基を示す）で表されるα−スルホニルオキシカルボン
酸エステルと、一般式［ＩＩ］ Ｒ4 ＯＨ ［ＩＩ］ （式中、Ｒ4 は炭素数２〜１０のアルキル基、２−置換
エチル基、シクロアルキル基、アリール基又は置換され
ていてもよいアラルキル基を示す）で表されるアルコー
ルとから、チタン酸エステル触媒の存在下、エステル交
換反応により、一般式［ＩＩＩ］ 【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ4 は前記と同じ）で表されるα
−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体を得る方
法であって、前記アルコールを、前記一般式［Ｉ］で表
されるα−スルホニルオキシカルボン酸エステル１モル
に対して１．０〜１．４モル用いるα−スルホニルオキ
シカルボン酸エステル誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 一般式［Ｉ］で表されるα−スルホニル
オキシカルボン酸エステルが、α−スルホニルオキシプ
ロピオン酸エステルである請求項１記載のα−スルホニ
ルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法。 - 【請求項３】 一般式［ＩＩ］で表されるアルコール
が、置換されていてもよいベンジルアルコールである請
求項１記載のα−スルホニルオキシカルボン酸エステル
誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13156892A JP3176432B2 (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | α−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13156892A JP3176432B2 (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | α−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05306265A JPH05306265A (ja) | 1993-11-19 |
| JP3176432B2 true JP3176432B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=15061108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13156892A Expired - Lifetime JP3176432B2 (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | α−スルホニルオキシカルボン酸エステル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3176432B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200486540Y1 (ko) * | 2017-11-27 | 2018-06-01 | 김형준 | 방호재 패키지 |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP13156892A patent/JP3176432B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200486540Y1 (ko) * | 2017-11-27 | 2018-06-01 | 김형준 | 방호재 패키지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05306265A (ja) | 1993-11-19 |
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