JP3167042B2 - 飽和性吸収体を備えた半導体レーザ - Google Patents
飽和性吸収体を備えた半導体レーザInfo
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/026—Optical bistable devices based on laser effects
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体材料から構成さ
れており且つ飽和性光吸収体を有するレーザに関する。
かかる吸収体は、吸光度と呼ばれる限定された光エネル
ギ吸収容量を有しており、このような吸光度の電気的制
御が可能である。吸光度は、レーザから放出される光出
力と該レーザに供給される電流の強度との関係を示すグ
ラフにヒステリシスサイクルを生じさせる。該サイクル
の幅が吸光度の関数であり、従って、該サイクルの幅自
体も電気的制御が可能である。かかるサイクルを有する
レーザをときには双安定レーザと呼ぶ。
れており且つ飽和性光吸収体を有するレーザに関する。
かかる吸収体は、吸光度と呼ばれる限定された光エネル
ギ吸収容量を有しており、このような吸光度の電気的制
御が可能である。吸光度は、レーザから放出される光出
力と該レーザに供給される電流の強度との関係を示すグ
ラフにヒステリシスサイクルを生じさせる。該サイクル
の幅が吸光度の関数であり、従って、該サイクルの幅自
体も電気的制御が可能である。かかるサイクルを有する
レーザをときには双安定レーザと呼ぶ。
【０００２】
【従来の技術】飽和性吸収体を有する半導体レーザは、
多数の刊行物の対象となっており、光信号処理のために
これらを使用し得る可能性が一般の注目を集めている。
多数の刊行物の対象となっており、光信号処理のために
これらを使用し得る可能性が一般の注目を集めている。
【０００３】日本国発行の文書（１９８４年３月１６日
付けのＰＡＴＥＮＴ ＡＢＳＴＲＡＣＴ ＯＦ ＪＡＰ
ＯＮ、ｖｏｌ．８、Ｎｏ．４９（Ｅ−２３０）［１４８
６］及び１９８３年１１月２５日付けの日本特許公開第
５８２０２５８１号（ＮＩＰＰＯＮ ＤＥＮＳＨＩＮ
ＤＥＮＷＡ ＫＯＳＨＡ）はこの種の公知レーザを記載
している。該レーザにおいては、光導波路の上方に２つ
の上部電極が連続している。一方の上部電極は、該導波
路の１つのセクションから構成された増幅器を介して供
給電流を注入する。該電流は、導波路が挿入されている
半導体接合を横断する。従って該電流は、反対の導電形
の電荷キャリアを導波路に注入する。その結果として、
増幅器が光発振の増加に必要な増幅を行なう。他方の上
部電極は、導波路の別のセクションから構成された飽和
性吸収体に吸光度制御電流を注入する。この電流は該吸
収体の吸光度を制御する。該吸収体の後に受動導波路が
続いている。
付けのＰＡＴＥＮＴ ＡＢＳＴＲＡＣＴ ＯＦ ＪＡＰ
ＯＮ、ｖｏｌ．８、Ｎｏ．４９（Ｅ−２３０）［１４８
６］及び１９８３年１１月２５日付けの日本特許公開第
５８２０２５８１号（ＮＩＰＰＯＮ ＤＥＮＳＨＩＮ
ＤＥＮＷＡ ＫＯＳＨＡ）はこの種の公知レーザを記載
している。該レーザにおいては、光導波路の上方に２つ
の上部電極が連続している。一方の上部電極は、該導波
路の１つのセクションから構成された増幅器を介して供
給電流を注入する。該電流は、導波路が挿入されている
半導体接合を横断する。従って該電流は、反対の導電形
の電荷キャリアを導波路に注入する。その結果として、
増幅器が光発振の増加に必要な増幅を行なう。他方の上
部電極は、導波路の別のセクションから構成された飽和
性吸収体に吸光度制御電流を注入する。この電流は該吸
収体の吸光度を制御する。該吸収体の後に受動導波路が
続いている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は特に、−半導
体レーザの吸収体の吸光度を高速制御すること、−かか
る吸光度を弱い電流で制御できるようにすること、−か
かるレーザを容易に製造できるようにすること、の少な
くともいずれかを達成することを目的とする。
体レーザの吸収体の吸光度を高速制御すること、−かか
る吸光度を弱い電流で制御できるようにすること、−か
かるレーザを容易に製造できるようにすること、の少な
くともいずれかを達成することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】これらの目的を果たすた
めに本発明は、連続する３つのセクションが光増幅器と
飽和性吸収体と受動セクションとを構成している光導波
路を含む半導体レーザであって、吸光度制御電流が前記
吸収体を通るように１つの電極が該受動セクションの少
なくとも一部に延びていることを特徴とする半導体レー
ザを提供する。
めに本発明は、連続する３つのセクションが光増幅器と
飽和性吸収体と受動セクションとを構成している光導波
路を含む半導体レーザであって、吸光度制御電流が前記
吸収体を通るように１つの電極が該受動セクションの少
なくとも一部に延びていることを特徴とする半導体レー
ザを提供する。
【０００６】添付図面に基づいて本発明の実施例を以下
に説明する。図示及び記載の素子及び構造が本発明の非
限定例にすぎないことは理解されよう。
に説明する。図示及び記載の素子及び構造が本発明の非
限定例にすぎないことは理解されよう。
【０００７】
【実施例】実施例として示す装置は、光信号処理用の正
帰還装置である。該装置は、飽和性吸収体を有する半導
体レーザを含む。まずこのレーザに関して考察し、その
製造に採用できるいくつかの構造を概略的に説明する。
これらの構造は、Ｌａｓｈｅｒ文献（Ｇ．Ｊ．ＬＡＳＨ
ＥＲ, “Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ａ ｐｒｏｐｏｓ
ｅｄ ｂｉｓｔａｂｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｓ
ｅｒ（提案された双方向性注入レーザの解析）”，Ｓｏ
ｌｉｄ−ｓｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ, Ｐｅ
ｒｇａｍｏｎ ｐｒｅｓｓ １９６４, ｖｏｌ７, ｐ
７０７）に記載された公知の構造と同様の機能を果た
す。
帰還装置である。該装置は、飽和性吸収体を有する半導
体レーザを含む。まずこのレーザに関して考察し、その
製造に採用できるいくつかの構造を概略的に説明する。
これらの構造は、Ｌａｓｈｅｒ文献（Ｇ．Ｊ．ＬＡＳＨ
ＥＲ, “Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ａ ｐｒｏｐｏｓ
ｅｄ ｂｉｓｔａｂｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｓ
ｅｒ（提案された双方向性注入レーザの解析）”，Ｓｏ
ｌｉｄ−ｓｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ, Ｐｅ
ｒｇａｍｏｎ ｐｒｅｓｓ １９６４, ｖｏｌ７, ｐ
７０７）に記載された公知の構造と同様の機能を果た
す。
【０００８】これらの構造によれば、レーザは複数の層
から成る積層体を含み、該積層体に対して規定された垂
直方向Ｚに沿って順次に以下の層、即ち、−半導体チッ
プ４の下面３の下方の下部電極層２と、−前記半導体チ
ップに属し第１の導電形及び屈折率を有する下部閉じ込
め層６と、−前記下部閉じ込め層と結晶質連続性を有す
る半導体材料から少なくとも一部が構成された光導波路
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を含み、内部で垂直光の閉じ込めが得
られるように前記下部閉じ込め層よりも大きい屈折率を
有する光伝導層８と、−前記半導体チップに属し前記光
導波路と結晶質連続性を有し、第１の導電形の反対の第
２の導電形を有し、前記垂直光の閉じ込めが得られるよ
うに前記光導波路よりも小さい屈折率を有する上部閉じ
込め層１０と、−前記半導体チップの上面１４に設けら
れた上部電極層１２と、を含む。
から成る積層体を含み、該積層体に対して規定された垂
直方向Ｚに沿って順次に以下の層、即ち、−半導体チッ
プ４の下面３の下方の下部電極層２と、−前記半導体チ
ップに属し第１の導電形及び屈折率を有する下部閉じ込
め層６と、−前記下部閉じ込め層と結晶質連続性を有す
る半導体材料から少なくとも一部が構成された光導波路
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を含み、内部で垂直光の閉じ込めが得
られるように前記下部閉じ込め層よりも大きい屈折率を
有する光伝導層８と、−前記半導体チップに属し前記光
導波路と結晶質連続性を有し、第１の導電形の反対の第
２の導電形を有し、前記垂直光の閉じ込めが得られるよ
うに前記光導波路よりも小さい屈折率を有する上部閉じ
込め層１０と、−前記半導体チップの上面１４に設けら
れた上部電極層１２と、を含む。
【０００９】光導波路Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、２つの側部
閉じ込めゾーン１６、１８間の光伝導層の内部で長手方
向Ｘに沿って延びている。これらの２つの側部閉じ込め
ゾーン間の導波路に光を閉じ込めることによって横方向
光閉じ込めを行なうように、これらの２つのゾーンの屈
折率は導波路の屈折率よりも小さい値に選択されてい
る。導波路は、長手方向に沿って後方から前方に一連の
セクションを含む。第１セクションは光増幅器Ｓ１であ
る。第２セクションは飽和性吸収体Ｓ２であり、前記増
幅器と共に能動アセンブリＳ１、Ｓ２を形成している。
この能動アセンブリは、長手方向に沿って送信波長で伝
播する送信光に作用するように選択された能動半導体材
料から成る。この材料は、上部及び下部の２つの閉じ込
め層間を通る電流によって横断され得る。かかる電流の
強度は、上記の２つの閉じ込め層の導電形に対して順方
向で代数的に加算される。増幅器を横断する電流が増幅
閾値を上回る電流密度を有するときは、前記材料は増幅
器内で光を増幅する。従ってこの電流は、供給電流Ｉ１
を構成する。吸収体を横断する電流が増幅閾値を下回る
電流密度を有するときは、前記材料は光を吸収体に吸収
する。従ってこの電流は、吸光度制御電流Ｉ２を構成す
る。該吸収体は、エネルギ保存期間中に既に吸収して蓄
積した光のエネルギが吸収体の吸光度を下回っている間
だけ、新しい光エネルギを吸収する。該エネルギ保存期
間は、吸収体が新しいエネルギを受容した時刻に先行し
且つ該時刻を含む短い時間である。吸収体の吸光度は制
御電流によって制御される。
閉じ込めゾーン１６、１８間の光伝導層の内部で長手方
向Ｘに沿って延びている。これらの２つの側部閉じ込め
ゾーン間の導波路に光を閉じ込めることによって横方向
光閉じ込めを行なうように、これらの２つのゾーンの屈
折率は導波路の屈折率よりも小さい値に選択されてい
る。導波路は、長手方向に沿って後方から前方に一連の
セクションを含む。第１セクションは光増幅器Ｓ１であ
る。第２セクションは飽和性吸収体Ｓ２であり、前記増
幅器と共に能動アセンブリＳ１、Ｓ２を形成している。
この能動アセンブリは、長手方向に沿って送信波長で伝
播する送信光に作用するように選択された能動半導体材
料から成る。この材料は、上部及び下部の２つの閉じ込
め層間を通る電流によって横断され得る。かかる電流の
強度は、上記の２つの閉じ込め層の導電形に対して順方
向で代数的に加算される。増幅器を横断する電流が増幅
閾値を上回る電流密度を有するときは、前記材料は増幅
器内で光を増幅する。従ってこの電流は、供給電流Ｉ１
を構成する。吸収体を横断する電流が増幅閾値を下回る
電流密度を有するときは、前記材料は光を吸収体に吸収
する。従ってこの電流は、吸光度制御電流Ｉ２を構成す
る。該吸収体は、エネルギ保存期間中に既に吸収して蓄
積した光のエネルギが吸収体の吸光度を下回っている間
だけ、新しい光エネルギを吸収する。該エネルギ保存期
間は、吸収体が新しいエネルギを受容した時刻に先行し
且つ該時刻を含む短い時間である。吸収体の吸光度は制
御電流によって制御される。
【００１０】上部電極層は、−前記供給電流Ｉ１を増幅
器Ｓ１を介して下部電極層２に伝送する局在供給電極Ｅ
１と、−前記吸光度制御電流Ｉ２を吸収体Ｓ２を介して
下部電極層に伝送する局在吸光度制御電極Ｅ２とを含
む。
器Ｓ１を介して下部電極層２に伝送する局在供給電極Ｅ
１と、−前記吸光度制御電流Ｉ２を吸収体Ｓ２を介して
下部電極層に伝送する局在吸光度制御電極Ｅ２とを含
む。
【００１１】レーザは更に、−供給電流を供給電極に供
給する供給ソース２０と、−吸収制御電流を制御電極Ｅ
２に供給する吸光度制御ソース２２、２３、２４とを含
む。
給する供給ソース２０と、−吸収制御電流を制御電極Ｅ
２に供給する吸光度制御ソース２２、２３、２４とを含
む。
【００１２】半導体チップ４が前記送信光を送出する光
発振器を構成するように、光反射手段２７、２８が能動
アセンブリＳ１、Ｓ２の長手方向の両側に配置されてい
る。図示の実施例では、これらの手段はチップ４の後面
２７及び前面２８から成る。これらの面は、ファブリ−
ペロー共振器を構成するように部分反射性である。これ
らの面はまた、外部ミラーから成ってもよく、またはチ
ップの内部の分布ブラッグ反射器から成ってもよい。
発振器を構成するように、光反射手段２７、２８が能動
アセンブリＳ１、Ｓ２の長手方向の両側に配置されてい
る。図示の実施例では、これらの手段はチップ４の後面
２７及び前面２８から成る。これらの面は、ファブリ−
ペロー共振器を構成するように部分反射性である。これ
らの面はまた、外部ミラーから成ってもよく、またはチ
ップの内部の分布ブラッグ反射器から成ってもよい。
【００１３】供給電極Ｅ１及び吸光度制御電極Ｅ２は通
常はテープ状に形成され、横断方向Ｙに沿ったテープの
長さは光導波路Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の幅を上回っている。
前記の供給電流Ｉ１と吸収制御電流Ｉ２の少なくとも一
部が側部閉じ込めゾーン１６、１８に流れることを阻止
するために側部電気閉じ込め手段が配備されている。こ
れらの側部電気閉じ込め手段は特に、閉じ込めゾーンに
適した内部組成または内部構造から成る。
常はテープ状に形成され、横断方向Ｙに沿ったテープの
長さは光導波路Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の幅を上回っている。
前記の供給電流Ｉ１と吸収制御電流Ｉ２の少なくとも一
部が側部閉じ込めゾーン１６、１８に流れることを阻止
するために側部電気閉じ込め手段が配備されている。こ
れらの側部電気閉じ込め手段は特に、閉じ込めゾーンに
適した内部組成または内部構造から成る。
【００１４】更に、以下に概略的に説明するような有利
な構造の少なくとも幾つかを採用することができ、これ
らの構造は、特に注釈がない限り実施例でも採用されて
いる。
な構造の少なくとも幾つかを採用することができ、これ
らの構造は、特に注釈がない限り実施例でも採用されて
いる。
【００１５】後述する利点を有するこのような構造の１
つによれば、光導波路Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、半導体チッ
プ４の内部で吸収体Ｓ２の前方に第３セクションを有す
る。第３セクションは、送信光の強度及び伝播速度に実
質的に全く影響を与えないで送信光を伝送するように選
択された受動材料から成る。このセクションは受動セク
ションＳ３を構成する。
つによれば、光導波路Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、半導体チッ
プ４の内部で吸収体Ｓ２の前方に第３セクションを有す
る。第３セクションは、送信光の強度及び伝播速度に実
質的に全く影響を与えないで送信光を伝送するように選
択された受動材料から成る。このセクションは受動セク
ションＳ３を構成する。
【００１６】かかる光導波路は簡単な構造を有してお
り、各セクションが先行セクションと幾何学的連続性を
有している。セクション間の結合は長手方向で行なわれ
る。この導波路はまた、例えば２つのサブ層の積層によ
って形成された複合層から成ってもよい。その場合、吸
収体と受動セクションとの間の結合は、２つの層を互い
に結合する垂直結合でもよい。
り、各セクションが先行セクションと幾何学的連続性を
有している。セクション間の結合は長手方向で行なわれ
る。この導波路はまた、例えば２つのサブ層の積層によ
って形成された複合層から成ってもよい。その場合、吸
収体と受動セクションとの間の結合は、２つの層を互い
に結合する垂直結合でもよい。
【００１７】更に、この導波路は、例えば制御された周
波数を有するレーザを形成するためのＫＯＮＤＯ文献
（Ｋ．ＫＯＮＤＯ；Ｈ．ＮＯＢＵＨＡＲＡ；Ｓ．ＹＡＭ
ＡＫＯＳＨＩ、“Ｇｉｇａ−ｂｉｔ ｏｐｅｒａｔｉｏ
ｎ ｏｆ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏ
ｎ ｌａｓｅｒ（波長変換レーザのギガビット動
作）”、Ｐａｐｅｒ １３Ｄ〜９、Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ “Ｐｈｏｔｏｎｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ９
０”、１２〜１４ Ａｖｒｉｌ １９９０、ＫＯＢＥ、
Ｊａｐｏｎ）に記載されたような移相セクション及び周
波数整合セクションのような別のセクションを含んでも
よい。
波数を有するレーザを形成するためのＫＯＮＤＯ文献
（Ｋ．ＫＯＮＤＯ；Ｈ．ＮＯＢＵＨＡＲＡ；Ｓ．ＹＡＭ
ＡＫＯＳＨＩ、“Ｇｉｇａ−ｂｉｔ ｏｐｅｒａｔｉｏ
ｎ ｏｆ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏ
ｎ ｌａｓｅｒ（波長変換レーザのギガビット動
作）”、Ｐａｐｅｒ １３Ｄ〜９、Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ “Ｐｈｏｔｏｎｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ９
０”、１２〜１４ Ａｖｒｉｌ １９９０、ＫＯＢＥ、
Ｊａｐｏｎ）に記載されたような移相セクション及び周
波数整合セクションのような別のセクションを含んでも
よい。
【００１８】更に、図示しないいくつかの素子を半導体
チップに集積してもよい。これらの素子の例としては、
特に、吸光度制御ソースに属するホトダイオード、また
はレーザ発振器の共振空胴の外部の付加的光増幅器など
がある。
チップに集積してもよい。これらの素子の例としては、
特に、吸光度制御ソースに属するホトダイオード、また
はレーザ発振器の共振空胴の外部の付加的光増幅器など
がある。
【００１９】受動セクションＳ３の存在によって可能と
なる別の有利な構造においては、吸光度制御電極Ｅ２が
受動セクションの上方の少なくとも一部に延びている。
この構造の場合、該電極の長手方向に沿った寸法は吸収
体の長さを上回る。（その場合にしばしば見られること
であるが）吸収体の長さがこの電極を与えるために容易
に形成できる公知の金属テープの幅よりも小さい値であ
るときは、この構造を用いると電極が形成し易い。この
構造ではまた、電極の幅よりも短い吸収体を製造するこ
とも可能であり、その場合にはレーザが吸光度制御電流
の変化に速やかに応答し得る。
なる別の有利な構造においては、吸光度制御電極Ｅ２が
受動セクションの上方の少なくとも一部に延びている。
この構造の場合、該電極の長手方向に沿った寸法は吸収
体の長さを上回る。（その場合にしばしば見られること
であるが）吸収体の長さがこの電極を与えるために容易
に形成できる公知の金属テープの幅よりも小さい値であ
るときは、この構造を用いると電極が形成し易い。この
構造ではまた、電極の幅よりも短い吸収体を製造するこ
とも可能であり、その場合にはレーザが吸光度制御電流
の変化に速やかに応答し得る。
【００２０】受動セクションＳ３の存在によって別の構
造を採用することも可能になる。この別の構造は、チッ
プ４が劈開された前面２８を有するのが望ましいときに
有利である。この構造によれば、この前面は受動セクシ
ョンＳ３の前端に形成される。この構造によれば、チッ
プの前面を通常の劈開処理によって形成し得る。この処
理で形成された面の位置の精度がよくないことは公知で
あるが、このような精度の欠如が受動セクションＳ３の
存在によって許容される。その理由は、受動セクション
Ｓ３が存在するときは、精度の欠如が受動セクションＳ
３に相当する長さにだけ影響を与えるからである。これ
に反して、受動セクションＳ３が存在しないときは、精
度の欠如が吸収体に相当する長さに影響を与えるので、
吸光度の制御中にレーザの高速応答が再現的に得られな
い。
造を採用することも可能になる。この別の構造は、チッ
プ４が劈開された前面２８を有するのが望ましいときに
有利である。この構造によれば、この前面は受動セクシ
ョンＳ３の前端に形成される。この構造によれば、チッ
プの前面を通常の劈開処理によって形成し得る。この処
理で形成された面の位置の精度がよくないことは公知で
あるが、このような精度の欠如が受動セクションＳ３の
存在によって許容される。その理由は、受動セクション
Ｓ３が存在するときは、精度の欠如が受動セクションＳ
３に相当する長さにだけ影響を与えるからである。これ
に反して、受動セクションＳ３が存在しないときは、精
度の欠如が吸収体に相当する長さに影響を与えるので、
吸光度の制御中にレーザの高速応答が再現的に得られな
い。
【００２１】別の有利な構造によれば、増幅器Ｓ１と吸
収体Ｓ２とが受動セクションＳ３を介して光素子２６に
光結合される。この構造では、チップ４を含む光回路の
製造が容易である。光素子は例えば、光受信器を構成し
且つ吸光度制御ソース２２、２３、２４、２６の一部を
成すホトダイオードから成る。
収体Ｓ２とが受動セクションＳ３を介して光素子２６に
光結合される。この構造では、チップ４を含む光回路の
製造が容易である。光素子は例えば、光受信器を構成し
且つ吸光度制御ソース２２、２３、２４、２６の一部を
成すホトダイオードから成る。
【００２２】受動セクションＳ３の存在は、吸光度制御
電流の一部を逸脱させる欠点がある。このため、別の有
利な構造では、レーザ内で、吸光度制御電極Ｅ２から受
動セクションＳ３を介して下部電極層２に達する軌道の
少なくともいくつかが電流に対する障害を含んでいる。
このような構造によれば、比較的弱い強度の電流を供給
する吸光度制御ソースを使用しても有効な制御を行なう
ことが可能である。その理由は、この電流の比較的大き
い有効部分が吸収体を通るので、有効な制御を行なうた
めには電流の有効部分が十分な強度を有するべきである
という条件が満たされるからである。
電流の一部を逸脱させる欠点がある。このため、別の有
利な構造では、レーザ内で、吸光度制御電極Ｅ２から受
動セクションＳ３を介して下部電極層２に達する軌道の
少なくともいくつかが電流に対する障害を含んでいる。
このような構造によれば、比較的弱い強度の電流を供給
する吸光度制御ソースを使用しても有効な制御を行なう
ことが可能である。その理由は、この電流の比較的大き
い有効部分が吸収体を通るので、有効な制御を行なうた
めには電流の有効部分が十分な強度を有するべきである
という条件が満たされるからである。
【００２３】上記のごとき電流に対する障害を設けるた
めには、セクションＳ３の受動材料の電気抵抗率をセク
ションＳ１及びＳ２の能動材料の電気抵抗率を実質的に
上回る値にするとよい。かかる措置は上記構造の実施態
様の１つであり、特に有効な措置である。この措置は実
施例の装置には使用されていない。実施例では、特に容
易に作製できる以下の構造が使用されている。
めには、セクションＳ３の受動材料の電気抵抗率をセク
ションＳ１及びＳ２の能動材料の電気抵抗率を実質的に
上回る値にするとよい。かかる措置は上記構造の実施態
様の１つであり、特に有効な措置である。この措置は実
施例の装置には使用されていない。実施例では、特に容
易に作製できる以下の構造が使用されている。
【００２４】この別の有利な構造によれば、電気絶縁チ
ャネルが半導体チップ４の上面１４から半導体チップの
内部に形成されている。後部の絶縁チャネルＣ１は長手
方向で供給電極Ｅ１と吸収体Ｓ２との間に局在してい
る。前部絶縁チャネルＣ２は長手方向で制御電極Ｅ２の
前縁の近傍に局在しており、電流に対する前記障害を構
成している。
ャネルが半導体チップ４の上面１４から半導体チップの
内部に形成されている。後部の絶縁チャネルＣ１は長手
方向で供給電極Ｅ１と吸収体Ｓ２との間に局在してい
る。前部絶縁チャネルＣ２は長手方向で制御電極Ｅ２の
前縁の近傍に局在しており、電流に対する前記障害を構
成している。
【００２５】上記のごとき種々の構造を有するレーザ
は、吸光度制御電流Ｉ２のような電気的性質の入力信号
に応答して、ビームＰ３の形態の送信光を送出する。こ
れに反して、このレーザを含む光信号処理装置は、光学
的性質の入力信号に応答して光を送出する。該入力信号
は、吸光度制御ソースに含まれた光受信器を構成するホ
トダイオード２６によって受容された光ビームＰ１から
成る。該ビームは、ホトダイオードを通り、吸光度制御
電流Ｉ２の一部を構成する電流を制御する。従って該ビ
ームは、ビームＰ３から成る光学的性質の出力信号を制
御する。
は、吸光度制御電流Ｉ２のような電気的性質の入力信号
に応答して、ビームＰ３の形態の送信光を送出する。こ
れに反して、このレーザを含む光信号処理装置は、光学
的性質の入力信号に応答して光を送出する。該入力信号
は、吸光度制御ソースに含まれた光受信器を構成するホ
トダイオード２６によって受容された光ビームＰ１から
成る。該ビームは、ホトダイオードを通り、吸光度制御
電流Ｉ２の一部を構成する電流を制御する。従って該ビ
ームは、ビームＰ３から成る光学的性質の出力信号を制
御する。
【００２６】光受信器によって供給される内部電気信号
の強度は極めて小さくてもよい。内部信号の強度が小さ
くてもよいので、装置の製造が容易である。また、逆バ
イアスされた高速ｐｉｎホトダイオードのような高速応
答受信器２６を使用し得る。電流Ｉ２が順方向なので、
チップ４を劣化させる危険を生じることなくホトダイオ
ードのかかるバイアスを使用することが可能である。こ
のバイアスは、例えばポテンシャルソース２４によって
与えられる。電流Ｉ２は、ホトダイオードを流れる電流
と抵抗２３を介して別のポテンシャルソース２２から供
給されるプレバイアス電流との和から成る。これらの２
つのポテンシャルソース及びこのホトダイオードとが一
緒に吸光度制御ソースを構成する。
の強度は極めて小さくてもよい。内部信号の強度が小さ
くてもよいので、装置の製造が容易である。また、逆バ
イアスされた高速ｐｉｎホトダイオードのような高速応
答受信器２６を使用し得る。電流Ｉ２が順方向なので、
チップ４を劣化させる危険を生じることなくホトダイオ
ードのかかるバイアスを使用することが可能である。こ
のバイアスは、例えばポテンシャルソース２４によって
与えられる。電流Ｉ２は、ホトダイオードを流れる電流
と抵抗２３を介して別のポテンシャルソース２２から供
給されるプレバイアス電流との和から成る。これらの２
つのポテンシャルソース及びこのホトダイオードとが一
緒に吸光度制御ソースを構成する。
【００２７】次に、上記の素子についてより詳細に説明
する。
する。
【００２８】チップ４を、液相エピタキシによってｎ形
にドープされたインジウムリン（ＩｎＰ）基板から作製
した。能動素子（セクションＳ１及びＳ２）及び受動素
子（セクション３）に使用された材料を以後、１型材料
及び２型材料と呼ぶ。これらの材料は、意図的にはドー
プしない四元合金である。即ち、材料は、インジウム、
ガリウム、ヒ素及びリンから成るＩｎ1-xＧａxＡｓyＰ
1-y型合金であり、基板と格子整合している。材料は、
波長１５３０ｎｍ及び１３００ｎｍに夫々対応する禁制
帯を有する。上記の２つの波長のうちの前者の波長が送
信波長を構成する。閉じ込め材料、即ち閉じ込め層を形
成する材料について説明すると、下部閉じ込め層６はｎ
形ドープされたＩｎＰ基板から成り、上部閉じ込め層１
０はｐ形ドープされたＩｎＰエピタキシャル層から成
る。エピタキシャル接触層は図示しない。この接触層の
厚みは２００ｎｍである。この接触層は、高度にｐ形ド
ープされた２型の四元接触材料から成る。この接触層は
電極Ｅ１及びＥ２の下方に存在する。
にドープされたインジウムリン（ＩｎＰ）基板から作製
した。能動素子（セクションＳ１及びＳ２）及び受動素
子（セクション３）に使用された材料を以後、１型材料
及び２型材料と呼ぶ。これらの材料は、意図的にはドー
プしない四元合金である。即ち、材料は、インジウム、
ガリウム、ヒ素及びリンから成るＩｎ1-xＧａxＡｓyＰ
1-y型合金であり、基板と格子整合している。材料は、
波長１５３０ｎｍ及び１３００ｎｍに夫々対応する禁制
帯を有する。上記の２つの波長のうちの前者の波長が送
信波長を構成する。閉じ込め材料、即ち閉じ込め層を形
成する材料について説明すると、下部閉じ込め層６はｎ
形ドープされたＩｎＰ基板から成り、上部閉じ込め層１
０はｐ形ドープされたＩｎＰエピタキシャル層から成
る。エピタキシャル接触層は図示しない。この接触層の
厚みは２００ｎｍである。この接触層は、高度にｐ形ド
ープされた２型の四元接触材料から成る。この接触層は
電極Ｅ１及びＥ２の下方に存在する。
【００２９】チップ４は、所謂インジウムリン製造シス
テムで作製した。しかしながら、ガリウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）製造システムのような任意の半導体材料製造システ
ムを応用して該チップを作製してもよい。また、１型及
び２型の材料を、多数量子井戸（ｍｕｌｔｉ−ｐｕｉｔ
ｓ ｑｕａｎｔｉｑｕｅｓ）、超格子、またはドープも
しくは非ドープの種々の材料層の積層体を有する構造の
ようなより複雑な構造で置き換えてもよい。１型の材料
が配置された構造が所望の送信波長で光利得を有してお
り、２型の材料が配置された構造が該送信波長にトラン
スペアレントであればよい。
テムで作製した。しかしながら、ガリウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）製造システムのような任意の半導体材料製造システ
ムを応用して該チップを作製してもよい。また、１型及
び２型の材料を、多数量子井戸（ｍｕｌｔｉ−ｐｕｉｔ
ｓ ｑｕａｎｔｉｑｕｅｓ）、超格子、またはドープも
しくは非ドープの種々の材料層の積層体を有する構造の
ようなより複雑な構造で置き換えてもよい。１型の材料
が配置された構造が所望の送信波長で光利得を有してお
り、２型の材料が配置された構造が該送信波長にトラン
スペアレントであればよい。
【００３０】モノモード導波路を構成するためには、能
動材料及び受動材料の両側を、同じく送信波長にトラン
スペアレントな閉じ込め材料によって包囲しなければな
らない。単位長さあたりの吸収が典型的には５０ｃｍ-1
未満のときに材料がトランスペアレントであると言え
る。チップ４に作製される種々の素子を以下に説明す
る。
動材料及び受動材料の両側を、同じく送信波長にトラン
スペアレントな閉じ込め材料によって包囲しなければな
らない。単位長さあたりの吸収が典型的には５０ｃｍ-1
未満のときに材料がトランスペアレントであると言え
る。チップ４に作製される種々の素子を以下に説明す
る。
【００３１】−増幅器Ｓ１及び吸収体Ｓ２は、１型の材
料、即ち送信波長で最大光利得を有し、意図的でなく１
０17ｃｍ-3にｎ形ドープされた能動材料から形成され
る。
料、即ち送信波長で最大光利得を有し、意図的でなく１
０17ｃｍ-3にｎ形ドープされた能動材料から形成され
る。
【００３２】−受動セクションＳ３は、２型の材料、即
ち送信波長にトランスペアレントで、波長１３００ｎｍ
に最大光利得を有し、５×１０17ｃｍ-3にｎ形ドープさ
れた受動材料から形成される。
ち送信波長にトランスペアレントで、波長１３００ｎｍ
に最大光利得を有し、５×１０17ｃｍ-3にｎ形ドープさ
れた受動材料から形成される。
【００３３】−上部閉じ込め層１０は、１０17〜２×１
０18ｃｍ-3の濃度でｐ形ドープされたＩｎＰ型材料から
形成され、典型的には１０００ｎｍを上回る厚みを有す
る。
０18ｃｍ-3の濃度でｐ形ドープされたＩｎＰ型材料から
形成され、典型的には１０００ｎｍを上回る厚みを有す
る。
【００３４】−下部閉じ込め層６は、１０17〜５×１０
18ｃｍ-3の濃度でｎ形ドープされたＩｎＰ型材料から形
成され、１０００ｎｍを上回る厚みを有する。
18ｃｍ-3の濃度でｎ形ドープされたＩｎＰ型材料から形
成され、１０００ｎｍを上回る厚みを有する。
【００３５】−吸収体Ｓ２は電極Ｅ１から非直接的に給
電される。吸収体は送信波長に飽和性吸光度を有してい
る。吸収体の典型的な長さは０.００５〜０.０２５ｍｍ
の範囲である。実際に作製された長さは例えば０.０１
ｍｍである。
電される。吸収体は送信波長に飽和性吸光度を有してい
る。吸収体の典型的な長さは０.００５〜０.０２５ｍｍ
の範囲である。実際に作製された長さは例えば０.０１
ｍｍである。
【００３６】−電極Ｅ１の長手方向に沿った寸法は、典
型的には０.１〜０.６ｍｍ、例えば０.４ｍｍである。
型的には０.１〜０.６ｍｍ、例えば０.４ｍｍである。
【００３７】−吸光度制御電極Ｅ２は、典型的には、能
動材料から受動材料への移行領域の近傍に（０.０１ｍ
ｍ未満離間して）存在し、従って、飽和性吸収体の近傍
に位置している。Ｘ方向に沿った寸法は、０.００１〜
０.１ｍｍの範囲である。この電極が制御電流Ｉ２の値
を直接決定する。この電極をできるだけ狭くすることが
重要であり、実際に作製された寸法は例えば０.０８５
ｍｍである。
動材料から受動材料への移行領域の近傍に（０.０１ｍ
ｍ未満離間して）存在し、従って、飽和性吸収体の近傍
に位置している。Ｘ方向に沿った寸法は、０.００１〜
０.１ｍｍの範囲である。この電極が制御電流Ｉ２の値
を直接決定する。この電極をできるだけ狭くすることが
重要であり、実際に作製された寸法は例えば０.０８５
ｍｍである。
【００３８】−セクション間または電極間の抵抗の値を
決定するために、（図示しない）接触材料中及び上部閉
じ込め層１０中に絶縁チャネルＣ１及びＣ２を設ける。
これらのチャネルは典型的には、幅０.００５ｍｍを有
し、且つ接触材料と上部閉じ込め材料の合計厚みの３／
４に等しい深さを有する。
決定するために、（図示しない）接触材料中及び上部閉
じ込め層１０中に絶縁チャネルＣ１及びＣ２を設ける。
これらのチャネルは典型的には、幅０.００５ｍｍを有
し、且つ接触材料と上部閉じ込め材料の合計厚みの３／
４に等しい深さを有する。
【００３９】−供給電極Ｅ１と飽和性吸収体Ｓ２との間
の電気抵抗は、１００〜１００００ｏｈｍの範囲であ
る。２００ｏｈｍと１４００ｏｈｍの値を試験した。
の電気抵抗は、１００〜１００００ｏｈｍの範囲であ
る。２００ｏｈｍと１４００ｏｈｍの値を試験した。
【００４０】−吸光度制御電極Ｅ２と飽和性吸収体Ｓ２
との間の電気抵抗を２０ｏｈｍの値で試験した。
との間の電気抵抗を２０ｏｈｍの値で試験した。
【００４１】図３、図４、図５及び図６は、制御電流Ｉ
２の値を夫々０、０.１、０.５及び１ｍＡとしたときの
上記レーザの挙動を示す。これらの図は、送出された光
出力（縦軸）のヒステリシスサイクルを、供給電極Ｅ１
を介してレーザに注入された電流の強度（横軸）の関数
として示す。
２の値を夫々０、０.１、０.５及び１ｍＡとしたときの
上記レーザの挙動を示す。これらの図は、送出された光
出力（縦軸）のヒステリシスサイクルを、供給電極Ｅ１
を介してレーザに注入された電流の強度（横軸）の関数
として示す。
【００４２】注目すべきは、０.１ｍＡという弱い電流
強度のときにも、飽和性吸収体の吸光度を制御できるこ
とである。１ｍＡ未満のＩ２の変化に対してヒステリシ
スサイクルの完全閉鎖が得られる。Ｉ２の増加は主とし
て、光送信を生起させる電流Ｉ１の値を減少させるが、
消光を生起させる電流Ｉ１の値も減少することを認識す
ることが重要である。
強度のときにも、飽和性吸収体の吸光度を制御できるこ
とである。１ｍＡ未満のＩ２の変化に対してヒステリシ
スサイクルの完全閉鎖が得られる。Ｉ２の増加は主とし
て、光送信を生起させる電流Ｉ１の値を減少させるが、
消光を生起させる電流Ｉ１の値も減少することを認識す
ることが重要である。
【００４３】本発明の重要な利点は、双安定半導体レー
ザのヒステリシスサイクルの幅を、典型的には１ｍＡ未
満の極めて弱い制御電流によって制御できること、及
び、更に、この制御がレーザの内部にこの電流を受容す
る半導体接合の順バイアスによって行なわれることであ
る。従って、ホトダイオード２６のような逆バイアスホ
トダイオードから内部電気信号Ｉ２が供給される信号処
理装置をいっそう容易に製造し得る。
ザのヒステリシスサイクルの幅を、典型的には１ｍＡ未
満の極めて弱い制御電流によって制御できること、及
び、更に、この制御がレーザの内部にこの電流を受容す
る半導体接合の順バイアスによって行なわれることであ
る。従って、ホトダイオード２６のような逆バイアスホ
トダイオードから内部電気信号Ｉ２が供給される信号処
理装置をいっそう容易に製造し得る。
【図１】レーザを含む本発明装置の第１の実施例の長手
方向断面図である。
方向断面図である。
【図２】レーザの光伝導層を通る水平面に沿ったレーザ
の半導体チップの断面図である。
の半導体チップの断面図である。
【図３】半導体チップの吸収体に注入される吸収制御電
流の強度が０ｍＡのとき、半導体チップから送出される
光出力の変化を、該チップの増幅器に注入される供給電
流の強度の関数として示すグラフである。
流の強度が０ｍＡのとき、半導体チップから送出される
光出力の変化を、該チップの増幅器に注入される供給電
流の強度の関数として示すグラフである。
【図４】半導体チップの吸収体に注入される吸収制御電
流の強度が０.１ｍＡのとき、半導体チップから送出さ
れる光出力の変化を、該チップの増幅器に注入される供
給電流の強度の関数として示すグラフである。
流の強度が０.１ｍＡのとき、半導体チップから送出さ
れる光出力の変化を、該チップの増幅器に注入される供
給電流の強度の関数として示すグラフである。
【図５】半導体チップの吸収体に注入される吸収制御電
流の強度が０.５ｍＡのとき、半導体チップから送出さ
れる光出力の変化を、該チップの増幅器に注入される供
給電流の強度の関数として示すグラフである。
流の強度が０.５ｍＡのとき、半導体チップから送出さ
れる光出力の変化を、該チップの増幅器に注入される供
給電流の強度の関数として示すグラフである。
【図６】半導体チップの吸収体に注入される吸収制御電
流の強度が１ｍＡのとき、半導体チップから送出される
光出力の変化を、該チップの増幅器に注入される供給電
流の強度の関数として示すグラフである。
流の強度が１ｍＡのとき、半導体チップから送出される
光出力の変化を、該チップの増幅器に注入される供給電
流の強度の関数として示すグラフである。
２ 下部電極層 ４ 半導体チップ ６ 下部閉じ込め層 ８ 光伝導層 １０ 上部閉じ込め層 １２ 上部電極層 １６、１８ 側部閉じ込めゾーン ２０ 供給ソース ２２、２３、２４、２６ 吸光度制御ソース ２７、２８ 光反射手段
フロントページの続き (72)発明者 ドウニ・ルクレルク フランス国、92340・ブール・ラ・レー ヌ、ブルバール・カルノ、26・ビス (72)発明者 ジヤン−ルイ・リーバン フランス国、75012・パリ、リユ・サン テール、６ (72)発明者 デイデイエ・シゴーニユ フランス国、91140・ビルボン・シユー ル・イベツト、レジダンス・レ・ジヨン キーユ・４ (56)参考文献 特開 昭58−202581（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−181493（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (7)
- 【請求項１】 飽和性吸収体を備えた半導体レーザであ
って、レーザの垂直方向に沿って順次に積層された複数
の層、即ち、 半導体チップの下面の下方の下部電極層と、 前記半導体チップに属し第１の導電形と屈折率とを有す
る下部閉じ込め層と、 前記下部閉じ込め層と結晶質連続性を有する半導体材料
から少なくとも一部が構成され、且つ垂直光の閉じ込め
をその内部で行なうために前記下部閉じ込め層の屈折率
を上回る屈折率を有する光導波路を含む光伝導層と、 前記半導体チップに属し、前記光導波路と結晶質連続性
を有し、第１の導電形とは反対の第２の導電形を有し、
且つ垂直光の閉じ込めを行なうために前記光導波路の屈
折率を下回る屈折率を有する上部閉じ込め層と、 前記半導体チップの上面に設けられた上部電極層とを含
んでおり、 前記光導波路は、長手方向に沿って２つの側部閉じ込め
ゾーンの間で前記光伝導層内に延びており、前記側部閉
じ込めゾーンの屈折率は、該２つの側部閉じ込めゾーン
間の導波路に光を閉じ込めることによって横断方向光閉
じ込めを行なうように導波路の屈折率よりも小さい値に
選択されており、該光導波路は、前記長手方向に沿って
後部から前部に一連のセクションを含んでおり、第１セ
クションは光増幅器であり、第２セクションは飽和性吸
収体であって該増幅器と共に能動アセンブリを構成して
おり、該能動アセンブリは、前記長手方向に沿って送信
波長で伝播する送信光に作用するように選択された能動
半導体材料から構成され、該材料は上部及び下部の前記
２つの閉じ込め層間を通る電流によって横断され得る材
料であり、該電流の強度がこれらの２つの層の導電形に
対して順方向で代数計算され、該材料は、該増幅器を横
断する前記電流が増幅閾値を上回る電流密度を有し従っ
て供給電流を構成するときには該増幅器内で前記光を増
幅し、前記吸収体を横断する前記電流が増幅閾値を下回
る電流密度を有し従って吸光度制御電流を構成するとき
には光を前記吸収体が吸収し、前記吸収体は、エネルギ
保存期間中に吸収し蓄積した光のエネルギが該吸収体の
吸光度を下回る間だけ、新しい光エネルギを吸収し、該
エネルギ保存期間は、該吸収体が前記新しいエネルギを
受容した時刻に先行し該時刻を含む短い時間であり、前
記吸光度が、前記制御電流によって制御され、第３セク
ションは、送信光の強度及び伝播速度に実質的に作用す
ることなく前記送信光を伝送するように選択された受動
材料から成り、第３セクションが受動セクションを構成
しており、 前記上部電極層が、 前記供給電流を前記増幅器を介して前記下部電極層に伝
送する局在供給電極と、 前記吸光度制御電流を前記吸収体を介して前記下部電極
層に伝送する局在吸光度制御電極とを含んでおり、 前記レーザが更に、 前記供給電流を前記供給電極に供給する供給源と、 前記吸光度制御電流を前記吸光度制御電極に供給する吸
光度制御ソースと、 前記半導体チップによって前記送信光を送出する光送信
器が構成されるように前記能動アセンブリの両側に配置
された光反射手段とを含んでおり、 前記吸光度制御電極の少なくとも一部が前記受動セクシ
ョンの上方に局在することを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記吸光度制御電極から前記受動セクシ
ョンを介して前記下部電極層に達する軌道の少なくとも
いくつかが電流に対する障害を含むことを特徴とする請
求項１に記載のレーザ。 - 【請求項３】 前記受動材料の電気抵抗率が前記能動材
料の電気抵抗率を実質的に上回ることを特徴とする請求
項２に記載のレーザ。 - 【請求項４】 後部及び前部の電気絶縁チャネルが前記
半導体チップの上面から該チップの内部に形成されてお
り、前記後部絶縁チャネルは長手方向に前記供給電極と
前記吸収体との間に局在しており、前記前部絶縁チャネ
ルは長手方向で前記吸光度制御電極の前縁の近傍に局在
することを特徴とする請求項２に記載のレーザ。 - 【請求項５】 前記半導体チップが、前記受動セクショ
ンの前端を形成する劈開された前面を有することを特徴
とする請求項１に記載のレーザ。 - 【請求項６】 前記増幅器及び吸収体が前記受動セクシ
ョンを介して光素子に光学的に接続されていることを特
徴とする請求項１に記載のレーザ。 - 【請求項７】 前記供給電極及び吸光度制御電極がテー
プ状の形状を有しており、横断方向に沿ったこれらの電
極の長さが、前記光導波路の幅を上回る値であり、前記
供給電流及び前記吸光度制御電流の少なくとも一部が前
記側部閉じ込めゾーンに流れることを阻止するために、
側部電気的閉じ込め手段が備えられていることを特徴と
する請求項１に記載のレーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9102352 | 1991-02-27 | ||
| FR9102352A FR2673333A1 (fr) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | Laser semiconducteur a absorbeur saturable. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582902A JPH0582902A (ja) | 1993-04-02 |
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Family
ID=9410163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04170892A Expired - Fee Related JP3167042B2 (ja) | 1991-02-27 | 1992-02-27 | 飽和性吸収体を備えた半導体レーザ |
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|---|---|
| US (1) | US5283799A (ja) |
| EP (1) | EP0501871B1 (ja) |
| JP (1) | JP3167042B2 (ja) |
| DE (1) | DE69204495T2 (ja) |
| FR (1) | FR2673333A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
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|---|---|---|---|---|
| US5396481A (en) * | 1991-11-13 | 1995-03-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device which emits inclined laser beam |
| JPH06204454A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調器付半導体レーザ及びその製造方法 |
| US5666373A (en) * | 1996-02-06 | 1997-09-09 | Raytheon Company | Laser having a passive pulse modulator and method of making same |
| FR2756938B1 (fr) * | 1996-12-09 | 1999-01-08 | Alsthom Cge Alcatel | Dispositif, notamment a semiconducteur, pour le traitement de deux ondes, notamment lumineuses |
| FR2779838B1 (fr) * | 1998-06-15 | 2000-08-04 | Alsthom Cge Alcatel | Composant optique a semiconducteur et amplificateur et convertisseur de longueurs d'onde constitues par ce composant |
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