JP3164893B2

JP3164893B2 - 水晶振動子とその製造方法

Info

Publication number: JP3164893B2
Application number: JP17660592A
Authority: JP
Inventors: 章大金星; 哲義小掠; 豊田口; 和生江田
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1992-07-03
Filing date: 1992-07-03
Publication date: 2001-05-14
Anticipated expiration: 2016-05-14
Also published as: JPH0621746A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、水晶振動子およびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】水晶振動子は、その高い安定性により、
情報通信に欠かせない重要なデバイスとして用いられて
いる。近年衛星通信や携帯電話などの発達にともない、
各デバイスの小型化、高性能化が一つの大きな目標とさ
れているが、水晶振動子も例外ではない。

【０００３】水晶振動子には、厳しい周波数安定性が要
求される。水晶振動子の周波数は、振動用水晶板に応力
が加わることによって変化するので、前記振動用水晶板
に加わる応力を軽減する工夫が様々なされている。

【０００４】図５に、従来の水晶振動子の構造の一例を
示す。図５において、５１は振動用水晶板、５２は金属
保持部、５３は励起電極、５４はケース、５５は導電性
接着剤である。振動用水晶板５１は、その熱膨張率の差
に起因する応力が加わりにくい様に弾性的な構造を持つ
金属保持部５２に導電性接着剤５５で固定されている。

【０００５】しかしながら、金属保持部５２や、導電性
接着剤５５などと振動用水晶板５１との熱膨張率の差に
起因する応力が振動用水晶板５１に加わることを避けら
れないため、温度に対する周波数安定性は十分でなかっ
た。

【０００６】導電性接着剤５５を用いることによる問題
も生じる。まず振動用水晶板５１の振動をできるだけ阻
害しない様に接着面積を小さくしているために、機械的
に強度が十分でない。また耐熱性が十分でない為、この
構造の水晶振動子を基板に半田付けするような場合の条
件が非常に厳しくなる。更に硬化の際に放出される気体
が封止後にも放出され、振動特性の劣化の原因となると
いう様に多くの問題があった。

【０００７】また、振動用水晶板５１と、ケース５４と
の間の位置関係は、導電性接着剤５５によって金属保持
部に５２固定することにより個々に大きく変化するため
に、振動用水晶板５１の振動を妨げないためには振動用
水晶板５１とケース５４との空間を大きく開ける必要が
ある。このため、振動用水晶板自体の大きさは小さくで
きても、ケースを含んだ水晶振動子全体としての小型化
は、非常に困難であった。

【０００８】振動用水晶板に加わる熱膨張率の差に起因
する応力を緩和する目的で保持用水晶板によって振動用
水晶板を保持すると言う方法がある（特公平０２−２９
１７１０号）。図６に、その外観図を示す。図６におい
て、６１は振動用水晶片、６２は保持用水晶片、６３は
励起電極、６４は基台、６５は接着剤、６６は導電性接
着剤である。この方法は、基台６４と保持用水晶片６２
との固着方向と、保持用水晶片６２と振動用水晶片６１
との固着方向とを直交させた構造とすることによって、
振動用水晶片６１に加わる温度変化に起因した応力によ
る周波数変化を抑えようとするものである。

【０００９】しかしながら、この場合においても振動用
水晶片６１と保持用水晶片６２とを固着している導電性
接着剤６６の熱膨張率の影響が無視できず、温度に対す
る周波数安定性は十分でなかった。そのうえ、この方法
で効果を十分上げるためには、原理的に接着剤６５や導
電性接着剤６６の接着面積は十分小さくなければなら
ず、接着強度に問題があった。更に上記の例と同様に、
接着剤を用いている問題は依然残っており、この方法は
十分な解決策とは言えなかった。

【００１０】また、水晶振動子の応用製品として、水晶
発振器や温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）、電圧制御水
晶発振器（ＶＣＸＯ）などの製品が作られているが、こ
れらの製品も、その小型化が重要な開発目標となってい
る。図７に、一般的に得られているＴＣＸＯの外観図を
示す。なおここでは、理解しやすいように、ケースの一
部を取り除いた様子を示している。この図に於て、７１
は水晶振動子、７２は発振回路や電圧制御回路、温度セ
ンサーなどを含む制御回路部、７３はケースである。水
晶振動子７１と、制御回路部７２とは、各々別々に作ら
れたものが、組み合わされ、ケースに納められる。この
ため、全体としての大きさを小型化するのは非常に困難
であった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記の様に、従来の水
晶振動子においては、振動用水晶板と熱膨張率が異なる
もの、例えば金属保持部や、接着剤などが振動用水晶板
に固着しているために温度に対する周波数安定性が劣化
している。また振動用水晶板を接着剤で固定することに
起因する、振動などに対する接着強度低下の問題、半田
付けの際の加熱に対する信頼性の問題、気体放出の問題
等も存在する。更に水晶振動子やそれを応用した製品の
小型化には、その構造に起因した基本的な問題が存在す
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記のような問題点を解
決するために、本発明の水晶振動子は、励振電極が対向
する主面に形成された振動用水晶板と、保持用水晶板
と、シリコン基板とを備え、前記振動用水晶板の片端が
前記保持用水晶板の表面に直接接合されて保持され、シ
リコン基板からの応力が振動用水晶板に加わりにくい形
で、保持用水晶板がシリコン基板に直接接合によって固
定されており、前記直接接合が、それぞれの被接合基板
表面に形成された親水基の水素結合、もしくは、それぞ
れの被接合基板の構成原子間の共有結合のうち少なくと
も一方による接合であることを特徴とするものであり、
またその製造方法は、振動用水晶板と保持用水晶板とシ
リコン基板の表面を、親水処理を施して表面に親水基を
形成し、接触させ、そのまま熱処理後においても水晶が
圧電性を示す温度範囲内において熱処理することによ
り、振動用水晶板と保持用水晶板間、および、保持用水
晶板とシリコン基板間を直接接合し、保持させた後、水
晶用板の対向する主面上に励振電極を形成することを特
徴とするものである。

【００１３】

【作用】上記のような方法を用いることにより、振動用
水晶板には、温度に起因する応力が加わりにくく、温度
に対する周波数安定性が向上する。振動用水晶板と保持
用水晶板とは共に等しい熱膨張率を有する水晶で形成さ
れているので、振動用水晶板と保持用水晶板には温度に
起因する応力は全く生じない。また振動用水晶板は接着
剤を用いず直接接合によって固定されるので、その接着
強度は強固で、振動などに対する安定性が向上し、半田
付けなどによる熱に対しても安定で劣化が生じず、気体
の発生もないので振動特性の劣化もない。しかも振動用
水晶板は保持用水晶板と共にシリコン基板に正確な位置
に固定されるので、封止の際の空間を小さくでき、水晶
振動子全体としての小型化が容易である。更に振動用水
晶板と保持用水晶板とはシリコン基板に固定されてお
り、シリコン基板に制御回路などを組み込み、一体化す
ることができるので、ワンチップ化された水晶発振器、
ＴＣＸＯやＶＣＸＯの作製が可能になるため、これらの
製品を容易に小型化できる。

【００１４】

【実施例】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例に
ついて、図面を用いて詳しく説明する。

【００１５】図１（ａ）は本実施例における水晶振動子
の外観図である。図１（ａ）において、１１は振動用水
晶板、１２は保持用水晶板、１３はシリコン基板、１４
は励起電極、１５は電極引出し部、１６は端子である。

【００１６】本実施例において、振動用水晶板１１の周
辺近傍の一部は、振動用水晶板１１の振動をできるだけ
妨げないような形状で、保持用水晶板１２に直接接合に
よって固定され、保持用水晶板１２の振動用水晶板１１
が固着されていない側の一部は、シリコン基板１３に直
接接合によって固着されている。

【００１７】ここで、直接接合について説明する。直接
接合とは、シリコン基板どうし、シリコン基板と水晶
板、または水晶板どうしを、接着剤を介在させずに基板
の非固着面上の結晶表面構成原子と他方の基板の結晶表
面構成原子との間の共有結合を用いて直接的に固着させ
るという技術で、研磨、洗浄、親水基形成処理を行なっ
たシリコン基板や水晶板などを清浄雰囲気中で接触さ
せ、加熱処理を行い、強固な固着を得るというものであ
る。この固着強度は、親水基形成処理後接触させられた
だけの初期段階においても数十ｋｇｗ/ｃｍ²程度の値を
示すが、加熱処理を施すことによってその値は数百ｋｇ
ｗ/ｃｍ²以上に上昇する。具体的にこのような結合は以
下のようにして形成される。親水基形成処理後接触させ
られただけの初期段階において、非接着基板どうしは、
その表面に形成される親水基と、非接着面間に存在する
水分子との水素結合を介して結合されている。この状態
から加熱処理を行なうことによって、界面に存在する水
分子は界面から除去され、水分子を介しての結合は、次
第に結晶構成原子間の強固な共有結合に変化する。この
ため、直接接合を用いた固定においては、固着強度が高
く、接着剤を一切用いていないので熱処理、振動などに
強く、不要な気体が放出されることもない。

【００１８】振動用水晶板１１、保持用水晶板１２及び
シリコン基板１３は、全体として周囲の温度変化により
生じる応力が振動用水晶板１１に加わりにくいような形
状で固定されている。具体的には、本実施例の場合、振
動用水晶板１１の厚さに比べて保持用水晶板１２の厚さ
が薄くしてある。

【００１９】水晶は異方性の結晶であるために結晶軸に
対する方向によって熱膨張率は異なる。従って、振動用
水晶板１１の結晶軸の方向と、保持用水晶板１２の結晶
軸の方向を一致させれば、振動用水晶板１１と保持用水
晶板１２との接合部での熱膨張率は正確に一致するので
温度変化による応力は零で、まったく生じない。またシ
リコン基板１３と振動用水晶板１１との熱膨張率の違い
による応力は、そのほとんどが保持用水晶板１２に集中
するために、振動用水晶板１１には、シリコン基板１３
からの応力は加わりにくい。従って、温度変化に起因す
る応力による周波数の変化を非常に小さく抑えることが
でき、周波数安定性が向上する。

【００２０】水晶振動子の温度特性は、水晶板のカット
角で決定される。ＡＴカット水晶板の場合には、基準と
なる温度（通常２５℃）における周波数ｆ０に対するあ
る温度における周波数ｆの変化（ｆ−ｆ０）／ｆ０をｐ
ｐｍで表せば、−２０℃から７０℃の温度範囲で通常±
５ｐｐｍ程度である。しかしながら従来の水晶振動子の
場合、金属保持部や導電性接着剤からの応力が振動用水
晶板に加わるために、実際の温度特性はこれより悪化す
る。これに対し、上記のような理由から本実施例の構造
の水晶振動子の周波数の温度特性は大きく改善される。
例えば、具体的な例として振動用水晶板の大きさとして
１ｍｍ×３ｍｍ、保持用水晶板の大きさとして１ｍｍ×
１ｍｍ、シリコン基板の大きさとして３ｍｍ×４．５ｍ
ｍとした本実施例記載の構造の水晶振動子を作製し、比
較のために１ｍｍ×３ｍｍの大きさの振動用水晶板を従
来の金属保持部に導電性接着剤によって接着した構造の
比較用水晶振動子も作製して、水晶振動子と比較用水晶
振動子の周波数の温度変化を−２０℃から７０℃まで測
定して比較した結果、１５ｐｐｍの改善がみられた。

【００２１】また、振動用水晶板の固定には直接接合を
用いており、導電性接着剤などを用いた場合に比べて固
着強度が高く、また振動などに強く、不要な気体が放出
されることもないため長期安定性が向上した。さらに熱
処理に対して安定であるので、従来は不可能であった高
温での半田付け処理も可能になった。

【００２２】更にシリコン基板には振動用水晶板を駆
動、制御するための回路を組み込むことができるので、
ワンチップ化された水晶発振器、ＴＣＸＯやＶＣＸＯの
作製が可能になる。図１（ｂ）に、ワンチップ化された
ＴＣＸＯの外観図を示す。図１（ｂ）において、１１は
振動用水晶板、１２は保持用水晶板、１３はシリコン基
板、１４は励起電極、１５は電極引出し部、１７は制御
回路である。

【００２３】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。

【００２４】図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明の製造方法
の手順を示す図である。これらの図において２１は振動
用水晶板、２２は保持用水晶板、２３はシリコン基板、
２４は励起電極、２５は電極引出し部、２６は端子、２
７、２８は水晶素板である。

【００２５】本実施例では、水晶素板２７、２８には厚
さ３５０μｍ、大きさ３インチのＡＴカット水晶素板、
シリコン基板２３には面方位（１００）、厚さ４５０μ
ｍ、大きさ３インチのＰ型単結晶シリコン基板を用い
た。

【００２６】水晶素板２７は、振動用水晶板２１の形状
を多数残して深さ８０μｍまでエッチングによって削
り、水晶素板２８は、保持用水晶板２２の形状を多数残
して深さ５０μｍまでエッチングによって削った。この
とき、水晶素板２７上に残っている全ての振動用水晶板
２１と水晶素板２８上に残っている全ての保持用水晶板
２２とが、互いに希望の位置で接触できるように各々の
位置を決定した。水晶素板２７と水晶素板２８との表面
を鏡面に研磨し、アンモニア水と過酸化水素水と水の混
合液を６０℃に加熱した溶液を用いて表面を親水化処理
し、水洗いした。その後注意深く洗浄して振動用水晶板
２１と保持用水晶板２２とが接触する部分にはゴミが存
在しないようにした。次に、水晶素板２７と水晶素板２
８とを、表面を清浄に保ったまま接触させた。このまま
でもかなりの接着強度があるが、後に行なう研磨ができ
るまでの強度以上にするために、加熱処理を施した。こ
の状態を図２（ａ）に示す。なお、８７０℃に水晶の結
晶転移温度があるので、水晶をこの温度以上に加熱処理
すると室温に戻したとき圧電性を示さなくなる。このた
め加熱処理温度は８７０℃以上にすることはできない。
このため本実施例では、加熱処理温度を例えば５００℃
とした。

【００２７】保持用水晶板２２を一つ一つ分離するため
に、水晶素板２７に直接接合された水晶素板２８を、水
晶素板２７を保持して研磨した。この状態を図２（ｂ）
に示す。

【００２８】シリコン基板２３と水晶素板２７上に形成
された保持用水晶板２２とを直接接合させるために、こ
れらの表面を鏡面に研磨し、更にアンモニア水と過酸化
水素水と水の混合液を６０℃に加熱した溶液を用いて表
面を親水化処理し、水洗いした。その後、注意深く洗浄
して水晶素板２７上に形成された保持用水晶板２２とシ
リコン基板２３の表面にはゴミが存在しないようにし
た。次に、シリコン基板２３と水晶素板２７上に形成さ
れた保持用水晶板２２とを、表面を清浄に保ったまま接
触させた。このままでもかなりの接着強度があるが、後
に行なう研磨ができるまでの強度以上にするために、加
熱処理を施した。この状態を図２（ｃ）に示す。なお、
上記と同様の理由から、加熱処理温度は８７０℃以上に
加熱することはできない。さらにシリコンと水晶の熱膨
張率が異なるために、急激な温度差を加えることができ
ない。このため本実施例では、加熱処理温度を例えば５
００℃とした。

【００２９】水晶素板２７に直接接合された保持用水晶
板２２によって固定されたシリコン基板２３を水晶素板
２７を保持することによって研磨し、更にシリコン基板
２３の保持用水晶板２２が直接接合されていない側から
エッチングをおこなって開口部を設けた。その様子を図
２（ｄ）に示す。

【００３０】その後、シリコン基板２３に直接接合され
た保持用水晶板２２によって固定された水晶素板２７を
シリコン基板２３を保持することによって研磨し、振動
用水晶板２１を個々に分離した。その様子を図２（ｅ）
に示す。

【００３１】水晶素板２７の振動用水晶板２１のほぼ中
央付近に対向するように一対の励起電極２４を形成し
た。このとき、同時に電極引出し部、及び端子も形成し
た。本実施例の場合、これらはクロムを厚さ２００Å、
金を厚さ５００Åに真空蒸着して形成した。その様子を
図２（ｆ）に示す。

【００３２】最後に、シリコン基板２３を一つ一つ切り
離し、実施例１記載の構造の水晶振動子を得た。

【００３３】振動用水晶板２１、保持用水晶板２２、及
びシリコン基板２３は、フォトリソグラフィーやエッチ
ングなどの半導体加工技術を応用することによってその
寸法を非常に精密に加工しているために、非常に小型で
精度がよく、高性能な水晶振動子が得られる。

【００３４】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図３は、本発
明の製造方法によって得られた水晶振動子の断面図であ
る。図３において、３１は振動用水晶板、３２は保持用
水晶板、３３はシリコン基板、３４は励起電極、３５は
電極引出し部、３６は端子、３７は蓋用シリコン基板、
３８は基台用シリコン基板、３９は低融点ガラスであ
る。

【００３５】本実施例において、振動用水晶板３１、保
持用水晶板３２、シリコン基板３３及び励起電極３４
は、実施例１記載の水晶振動子と同じ構成である。ま
た、振動用水晶板３１は、蓋用シリコン基板３７と基台
用シリコン基板３８とによってシリコン基板３３を挟み
込むようにして真空、あるいは不活性気体による封止が
なされている。封止の方法としては、本実施例では、例
えば電極引出し部３５の周辺部分のみを低融点ガラス３
９で、それ以外は直接接合によって封止した蓋用シリコ
ン基板３７と基台用シリコン基板３８とによって窒素ガ
スによる封止がなされている。

【００３６】このように、蓋部及び基台部もシリコン基
板に直接接合する構成にすることにより、上記実施例１
及び２で示した効果以外に、振動用水晶板３１と蓋用シ
リコン基板３７及び基台用シリコン基板３８との位置関
係を絶対的に決定することができ、振動用水晶板３１の
振動を妨げることなく、なおかつ封止に必要な空間を非
常に小さくできるので、水晶振動子全体の大きさを非常
に小さくすることができるという効果が得られる。例え
ば、具体的な例として、振動用水晶板の大きさとして１
ｍｍ×３ｍｍとしたとき、従来の方法で作製した水晶振
動子の大きさは、空間として３ｍｍ×６ｍｍ、更にケー
スの厚みが１ｍｍ必要であるので全体として４ｍｍ×７
ｍｍの大きさになってしまう。これに対して、本実施例
の構造の水晶振動子の場合、前記振動用水晶板の大きさ
として同じく１ｍｍ×３ｍｍ、保持用水晶板の大きさと
して１ｍｍ×１ｍｍ、シリコン基板の大きさとして２ｍ
ｍ×５ｍｍとした場合、空間の大きさはほとんど振動用
水晶板の大きさでよく、蓋用シリコン基板３７および基
台用シリコン基板３８の大きさは２ｍｍ×４．５ｍｍで
よいので、小型化に非常に有効である。

【００３７】また、半導体であるシリコンを基板とし、
またそれを用いて封止するため、集積回路との整合性が
良く、発振器との一体化などに応用することが容易であ
ることは、実施例１に記載した通りである。

【００３８】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図４は本実施
例における水晶振動子の外観図である。この図におい
て、４１は振動用水晶板、４２は保持用水晶板、４３は
シリコン基板、４４は励起電極、４５は電極引出し部、
４６は端子である。

【００３９】本実施例において、全体の構造はほぼ実施
例１と同様であるが、保持用水晶板４２の形状を、弾性
的変化がしやすいような形状に加工している。このよう
な構造とした結果、シリコン基板４３と保持用水晶板４
２との熱膨張率の違いによる応力は、そのほとんどが保
持用水晶板４２が変形することによって緩和されるため
に、振動用水晶板４１には、シリコン基板４３からの応
力はほとんど加わらない。従って、温度変化に起因する
応力による周波数の変化を小さく抑える効果は、実施例
１の場合に比較して更に向上させることができるので、
周波数安定性はさらに向上する。

【００４０】

【発明の効果】上記のように、振動用水晶板と保持用水
晶板とは共に水晶で、その熱膨張率は同じであり、固定
には接着剤などを用いていないために、この部分で応力
は全く発生しない。またシリコン基板と振動用水晶板と
の熱膨張率の違いによる応力はそのほとんどが保持用水
晶板に集中する。従って、振動用水晶板には、シリコン
基板からの応力は加わりにくく、温度変化に起因する応
力による周波数の変化を非常に小さく抑えることがで
き、周波数安定性が向上する。

【００４１】また、振動用水晶板の固定には直接接合を
用いており、導電性接着剤などを用いた場合に比べて固
着強度が高く、また振動などに強く、不要な気体が放出
されることもないため長期安定性が向上する。さらに熱
処理に対して安定であるので、従来は不可能であった高
温での半田付け処理も可能である。

【００４２】更にシリコン基板には振動用水晶板を駆
動、制御するための回路を組み込むことができるので、
ワンチップ化された水晶発振器、ＴＣＸＯやＶＣＸＯの
作製が可能になる。また振動用水晶板、水晶保持部、及
びシリコン基板は、半導体加工技術を応用することによ
ってその寸法を精密に加工できるために、非常に小型で
精度がよく、高性能な水晶振動子が得られる。

【００４３】なお、本実施例では、振動用水晶板と保持
用水晶板との結晶方位を完全に一致させた例について述
べているが、これに限るものではなく、例えば結晶方位
が完全に一致していなくても振動用水晶板と保持用水晶
板との熱膨張率がほとんど同じであれば、同様の効果が
得られることは明らかである。

【００４４】また、本実施例では、直接接合における加
熱処理温度として５００℃とした例に付いて述べている
が、これに限るものではない。１００℃〜３５０℃、３
５０℃〜５００℃、５００℃〜５７０℃、５７０℃〜８
６０℃においても水晶やシリコンの接着強度を調べた
が、高温になればなるほど接着強度は大きくなるので、
熱処理後においても水晶が圧電性を示す温度範囲内にお
いて実施しやすい加熱処理温度を選べばよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の実施例における水晶振動子の
外観図（ｂ）は同実施例におけるワンチップ化されたＴＣＸＯ
の外観図

【図２】（ａ）は本発明の実施例における製造方法の手
順を示す図（ｂ）は本発明の実施例における製造方法の手順を示す
図（ｃ）は本発明の実施例における製造方法の手順を示す
図（ｄ）は本発明の実施例における製造方法の手順を示す
図（ｅ）は本発明の実施例における製造方法の手順を示す
図（ｆ）は本発明の実施例における製造方法の手順を示す
図

【図３】本発明の実施例における製造方法によって得ら
れた水晶振動子の断面図

【図４】本発明の実施例における水晶振動子の外観図

【図５】従来の水晶振動子の構造を示す図

【図６】従来の水晶振動子の外観図

【図７】従来のＴＣＸＯの外観図

【符号の説明】

１１振動用水晶板１２保持用水晶板１３シリコン基板１４励起電極１５電極引出し部１６端子１７制御回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田口豊大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者江田和生大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開昭63−285195（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−82116（ＪＰ，Ａ) 特開平２−183510（ＪＰ，Ａ) 特開平１−246820（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−122148（ＪＰ，Ａ) 特公昭57−46034（ＪＰ，Ｂ２) 特表平４−502984（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】励振電極が対向する主面に形成された振
動用水晶板と、保持用水晶板と、シリコン基板とを備
え、前記振動用水晶板の片端が前記保持用水晶板の表面
に直接接合されて保持され、前記保持用水晶板が前記シ
リコン基板に直接接合によって固定されており、前記直
接接合が、それぞれの被接合基板表面に形成された親水
基の水素結合、もしくは、それぞれの被接合基板の構成
原子間の共有結合のうち少なくとも一方による接合であ
ることを特徴とする水晶振動子。
【請求項２】振動用水晶板と保持用水晶板とシリコン
基板の表面を、親水処理を施して表面に親水基を形成
し、接触させ、そのまま熱処理後においても水晶が圧電
性を示す温度範囲内において熱処理することにより、前
記振動用水晶板と前記保持用水晶板間、および、前記保
持用水晶板と前記シリコン基板間を直接接合し、保持さ
せた後、前記水晶用板の対向する主面上に励振電極を形
成することを特徴とする水晶振動子の製造方法。