JP3159564B2 - 高周波機器 - Google Patents
高周波機器Info
- Publication number
- JP3159564B2 JP3159564B2 JP09280093A JP9280093A JP3159564B2 JP 3159564 B2 JP3159564 B2 JP 3159564B2 JP 09280093 A JP09280093 A JP 09280093A JP 9280093 A JP9280093 A JP 9280093A JP 3159564 B2 JP3159564 B2 JP 3159564B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance matching
- matching connector
- plug
- circuit board
- shield case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、テレビジョン受像機の
ＢＳ放送受信チューナ等高周波回路ユニットに使用する
インピーダンス整合接続器（以下、Ｆ接栓と記す）に関
するものである。
ＢＳ放送受信チューナ等高周波回路ユニットに使用する
インピーダンス整合接続器（以下、Ｆ接栓と記す）に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＦ接栓の代表的な構造について図
３および図４を用いて説明する。
３および図４を用いて説明する。
【０００３】テレビジョン受像機のチューナー等、Ｆ接
栓５が存在する回路ユニットは、Ｆ接栓を構成している
合成樹脂製の絶縁体３が溶融半田浴１１の熱による変形
が発生しないように、Ｆ接栓５をシールドケース６の上
方に予めネジ１０でネジ止めして取り付けを完了させた
後、さらに既に電子部品と半田付けが完了した回路基板
８とを組立てて、シールドケース６と回路基板８とを部
分的に個別半田付けをするのが一般的であった。
栓５が存在する回路ユニットは、Ｆ接栓を構成している
合成樹脂製の絶縁体３が溶融半田浴１１の熱による変形
が発生しないように、Ｆ接栓５をシールドケース６の上
方に予めネジ１０でネジ止めして取り付けを完了させた
後、さらに既に電子部品と半田付けが完了した回路基板
８とを組立てて、シールドケース６と回路基板８とを部
分的に個別半田付けをするのが一般的であった。
【０００４】もしくは、それら構成部材を一体に組立て
た後に溶融した半田浴に所定深さを浸漬して一括同時半
田付けする場合は、Ｆ接栓５にはフラックスや半田が付
着しないように、また、溶融半田浴１１の熱で絶縁体３
に熱変形が生じないようにフラックス液面や溶融半田浴
１１よりかなり上部の位置に取りつける必要があった。
た後に溶融した半田浴に所定深さを浸漬して一括同時半
田付けする場合は、Ｆ接栓５にはフラックスや半田が付
着しないように、また、溶融半田浴１１の熱で絶縁体３
に熱変形が生じないようにフラックス液面や溶融半田浴
１１よりかなり上部の位置に取りつける必要があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記に示した
構成では回路基板８とＦ接栓５が取り付けられたシール
ドケース６とを同時半田付する場合は、溶融半田浴の熱
の影響を少なくする為にＦ接栓取り付け位置を回路基板
から離さなければならないための、シールドケース６の
高さがどうしてもＦ接栓の外径より大きくする必要があ
った。又、Ｆ接栓５を溶融半田浴１１に浸漬して回路基
板８を同時に半田付けするためには絶縁体３の材質とし
て、ＪＩＳ等で外径寸法が規制されている関係で、イン
ピーダンス整合に適切な誘電率や誘電体力率を持ち、一
般的に使用されるポリエチレン等、溶融半田浴１１の温
度より低い融点の合成樹脂を用いたものでは溶融半田浴
１１の熱で絶縁体が熱変形してしまう問題があった。
構成では回路基板８とＦ接栓５が取り付けられたシール
ドケース６とを同時半田付する場合は、溶融半田浴の熱
の影響を少なくする為にＦ接栓取り付け位置を回路基板
から離さなければならないための、シールドケース６の
高さがどうしてもＦ接栓の外径より大きくする必要があ
った。又、Ｆ接栓５を溶融半田浴１１に浸漬して回路基
板８を同時に半田付けするためには絶縁体３の材質とし
て、ＪＩＳ等で外径寸法が規制されている関係で、イン
ピーダンス整合に適切な誘電率や誘電体力率を持ち、一
般的に使用されるポリエチレン等、溶融半田浴１１の温
度より低い融点の合成樹脂を用いたものでは溶融半田浴
１１の熱で絶縁体が熱変形してしまう問題があった。
【０００６】従って、絶縁体３の熱変形が懸念される場
合は、回路基板など各々の構成部材を個別に半田付けし
なければならない等、繁雑な加工工数、工程を必要とし
ていた。
合は、回路基板など各々の構成部材を個別に半田付けし
なければならない等、繁雑な加工工数、工程を必要とし
ていた。
【０００７】又、仮に絶縁体３の材質に高融点の合成樹
脂を適用しても、適正な誘電率をもつポリエチレン等の
誘電率２．３〜２．４からかなり大きくなる場合がほと
んどんどであり、Ｆ接栓５の外径寸法制約上から、従来
の絶縁体３の形状では高周波入力インピーダンスが所定
の値に整合せず、電圧定在波比（ＶＳＷＲ値；１．２以
下）等の所定の必要な特性スペックを満足する事が困難
であった。
脂を適用しても、適正な誘電率をもつポリエチレン等の
誘電率２．３〜２．４からかなり大きくなる場合がほと
んどんどであり、Ｆ接栓５の外径寸法制約上から、従来
の絶縁体３の形状では高周波入力インピーダンスが所定
の値に整合せず、電圧定在波比（ＶＳＷＲ値；１．２以
下）等の所定の必要な特性スペックを満足する事が困難
であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題点
を解決したＦ接栓を提供することを目的とするものであ
る。
を解決したＦ接栓を提供することを目的とするものであ
る。
【０００９】前記課題を解決するために本発明は、Ｆ接
栓の絶縁体に半田の融点より高い融点を持つ合成樹脂で
ある液晶ポリマーをの絶縁体に用い、且つ、その形状に
工夫を加えることにより解決を図ったものである。
栓の絶縁体に半田の融点より高い融点を持つ合成樹脂で
ある液晶ポリマーをの絶縁体に用い、且つ、その形状に
工夫を加えることにより解決を図ったものである。
【００１０】
【作用】本発明のＦ接栓は上記の構成により、一般的に
絶縁体に使用されるポリエチレン誘電率の２．３〜２．
４に対して誘電率が高くなり、従来の絶縁体構造では、
やや不整合となった高周波伝搬インピーダンスの整合を
とり、高周波特性と熱変形防止とを両立させたものであ
る。
絶縁体に使用されるポリエチレン誘電率の２．３〜２．
４に対して誘電率が高くなり、従来の絶縁体構造では、
やや不整合となった高周波伝搬インピーダンスの整合を
とり、高周波特性と熱変形防止とを両立させたものであ
る。
【００１１】また、上記のＦ接栓を用いた回路基板の半
田付けが一括して行える。
田付けが一括して行える。
【００１２】
【実施例】以下、本発明のＦ接栓構造について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１３】図１（ａ）は本発明の一実施例であるＦ接
栓の正面断面図、図１（ｂ）は側面からの部分断面図で
ある。Ｆ接栓の５の外側には円筒形の金属製外部導体１
が形成され、その内部の同軸中心部には信号入力用プラ
グのピンと接続する為のコンタクト受け部２ａから出力
部に相当するリード部２ｂを設け、外部導体との間には
所定の任意の誘電率を有する絶縁体３で形成されてお
り、絶縁体３には半田の融点より高い融点を有する液晶
ポリマー等を用いて、溶融半田浴に浸漬しても絶縁体の
熱変形が生じない。しかし一方、絶縁体としての固有誘
電率が３．６と高くなる場合が生じ、コンタクト受け部
２ａからリード部２ｂに至る間の高周波電搬インピーダ
ンスに、やや不整合を生じて必要な電気特性とならな
い。
栓の正面断面図、図１（ｂ）は側面からの部分断面図で
ある。Ｆ接栓の５の外側には円筒形の金属製外部導体１
が形成され、その内部の同軸中心部には信号入力用プラ
グのピンと接続する為のコンタクト受け部２ａから出力
部に相当するリード部２ｂを設け、外部導体との間には
所定の任意の誘電率を有する絶縁体３で形成されてお
り、絶縁体３には半田の融点より高い融点を有する液晶
ポリマー等を用いて、溶融半田浴に浸漬しても絶縁体の
熱変形が生じない。しかし一方、絶縁体としての固有誘
電率が３．６と高くなる場合が生じ、コンタクト受け部
２ａからリード部２ｂに至る間の高周波電搬インピーダ
ンスに、やや不整合を生じて必要な電気特性とならな
い。
【００１４】そこで、高周波電搬インピーダンスを所定
の値に整合する為に、外部導体部１と信号接続用のコン
タクト受け部２ａからリード部２ｂに至る間の絶縁体３
の任意の位置に任意の形状の切り欠き（空間）４を有す
る絶縁体３を設けて、空気の誘電率１との任意の適正な
中間値の誘電率に調整することで、高周波伝搬インピー
ダンスを所定の値に整合した。
の値に整合する為に、外部導体部１と信号接続用のコン
タクト受け部２ａからリード部２ｂに至る間の絶縁体３
の任意の位置に任意の形状の切り欠き（空間）４を有す
る絶縁体３を設けて、空気の誘電率１との任意の適正な
中間値の誘電率に調整することで、高周波伝搬インピー
ダンスを所定の値に整合した。
【００１５】その結果、電圧定在波比（ＶＳＷＲ値）を
１．２以下に抑える等、必要な電気特性を満足する。
１．２以下に抑える等、必要な電気特性を満足する。
【００１６】次に図２を用いて、本発明であるＦ接栓５
とシールドケース６と回路基板８を一体に組み立ての状
態を示し、これらを一括同時に半田付けを行う様子を説
明する。
とシールドケース６と回路基板８を一体に組み立ての状
態を示し、これらを一括同時に半田付けを行う様子を説
明する。
【００１７】厚み０．６ｔ亜鉛メッキの鉄製シールドケ
ース６にＦ接栓５をかしめて取り付ける。次いで、Ｆ接
栓５にフラックスや半田汚れ防止用の塩化ビニル等の合
成樹脂製本法形状の保護キャップ７を被せ、回路基板８
をシールドケース６に嵌合させた後、回路基板８をフラ
ックス及び溶融半田の噴流浴１１の先端面まで浸漬させ
る。浸漬後、回路基板８とシールドケース６またはＦ接
栓５のリード部２ｂとの間などに半田付け９が成され
る。
ース６にＦ接栓５をかしめて取り付ける。次いで、Ｆ接
栓５にフラックスや半田汚れ防止用の塩化ビニル等の合
成樹脂製本法形状の保護キャップ７を被せ、回路基板８
をシールドケース６に嵌合させた後、回路基板８をフラ
ックス及び溶融半田の噴流浴１１の先端面まで浸漬させ
る。浸漬後、回路基板８とシールドケース６またはＦ接
栓５のリード部２ｂとの間などに半田付け９が成され
る。
【００１８】このように本実施例のＦ接栓５では、半田
付けを一括に同時に行なえるため製造工程を減らすこと
ができ、またＦ接栓をシールドケース６に接続する回路
基板８と同一の高さに位置させることができるため、シ
ールドケース６を小型化することができる。
付けを一括に同時に行なえるため製造工程を減らすこと
ができ、またＦ接栓をシールドケース６に接続する回路
基板８と同一の高さに位置させることができるため、シ
ールドケース６を小型化することができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、シールドケースに取り付いた
状態でＦ接栓がフラックスや溶融半田浴に浸漬しても、
Ｆ接栓の絶縁体の熱変形から解放され、且つ、高周波入
力インピーダンスを所定の値に整合する事とを両立させ
たものである。その結果、Ｆ接栓を含め、構成する関係
部材を一括同時半田付する形態をとっても、シールドケ
ースの高さをＦ接栓幅とほぼ同等にすることが可能とな
り、組立てユニットの大幅な小型化と共に、効率的生産
方法として低コスト化をも達成できるものである。
状態でＦ接栓がフラックスや溶融半田浴に浸漬しても、
Ｆ接栓の絶縁体の熱変形から解放され、且つ、高周波入
力インピーダンスを所定の値に整合する事とを両立させ
たものである。その結果、Ｆ接栓を含め、構成する関係
部材を一括同時半田付する形態をとっても、シールドケ
ースの高さをＦ接栓幅とほぼ同等にすることが可能とな
り、組立てユニットの大幅な小型化と共に、効率的生産
方法として低コスト化をも達成できるものである。
【図１】（ａ）本発明の一実施例であるＦ接栓の断面図 （ｂ）本発明実施例のＦ接栓側面の部分断面図
【図２】本発明の一実施例におけるＦ接栓のとりつけた
状態の図
状態の図
【図３】従来の実施例における下接栓のとりつけた状態
の図
の図
【図４】従来の下接栓概略構造局部断面図
１ 外部導体部 ２ａ 中心コンタクト受け部 ２ｂ リード部 ３ 絶縁体 ４ 切り欠き（空間） ５ Ｆ接栓本体 ６ シールドケース ７ 保護キャップ ８ 回路基板 ９ 半田付け部 １０ ネジ止め部 １１ 溶融半田噴流溶 １２ フラックスおよび溶融半田浴浸漬面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−159975（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−98077（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−223174（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−62738（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−75653（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−50473（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−175382（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−109084（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭54−694（ＪＰ，Ｕ) 実開 平５−6750（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−131881（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−82580（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01R 24/02
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波回路ユニットに使用するインピー
ダンス整合接続器において、外部プラグと接続する外部
導体を外側に設け、前記外部導体の内側の同軸中心部に
外側プラグと接続するコンタクト受け部とそのリード部
を設け、前記コンタクト受け部およびリード部と前記外
側導体との間の高周波入力および伝搬インピーダンスを
所定の値に整合するために、前記コンタクト受け部およ
びリード部の間を支える誘電体に放射状ないしは内部導
体と同心円状に切り欠き空間を設けたことを特徴とする
インピーダンス整合接続器を用い、 シールドケース及び回路基板等の構成部材と組み立てら
れた前記インピーダンス整合接続器を用い、シールドケ
ースおよび回路基板等の構成部材と組み立てられた前記
インピーダンス整合接続器を保護キャップで覆った状態
で、ハンダ浴にインピーダンス整合接続器本体まで浸漬
し、前記インピーダンス整合接続器をシールドケースと
をハンダ付けしたことを特徴とする高周波機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09280093A JP3159564B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 高周波機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09280093A JP3159564B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 高周波機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318484A JPH06318484A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3159564B2 true JP3159564B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=14064495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09280093A Expired - Fee Related JP3159564B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 高周波機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3159564B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100945283B1 (ko) | 2002-10-15 | 2010-03-04 | 삼성전자주식회사 | Ｐｃｂ |
| JP2005317260A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Tyco Electronics Amp Kk | 同軸コネクタ |
| CN114665343B (zh) * | 2022-03-22 | 2024-04-05 | 中航光电科技股份有限公司 | 一种射频同轴插座及车载射频同轴连接器 |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP09280093A patent/JP3159564B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06318484A (ja) | 1994-11-15 |
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Legal Events
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