JPH048642Y2 - - Google Patents
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- JPH048642Y2 JPH048642Y2 JP4380085U JP4380085U JPH048642Y2 JP H048642 Y2 JPH048642 Y2 JP H048642Y2 JP 4380085 U JP4380085 U JP 4380085U JP 4380085 U JP4380085 U JP 4380085U JP H048642 Y2 JPH048642 Y2 JP H048642Y2
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- ohm
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
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Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は例えばマイクロ波回路に用いられる50
オームフイードスルーに関する。
オームフイードスルーに関する。
一般に金属ケース内に構成されたマイクロ波回
路において、この回路と外部回路を高周波接続さ
せるために、金属ケース壁を貫通させた構造で接
続を行なわなければならない。このときの条件と
しては接続部での不整合が起らないように、貫通
部分は50オームの特性インピーダンスをもつた伝
送線路で構成する必要がある。
路において、この回路と外部回路を高周波接続さ
せるために、金属ケース壁を貫通させた構造で接
続を行なわなければならない。このときの条件と
しては接続部での不整合が起らないように、貫通
部分は50オームの特性インピーダンスをもつた伝
送線路で構成する必要がある。
第4図は従来の方法を示し、金属ケース101
の上側と下側に夫々マイクロ波集積回路基板
(MIC基板と略称)102,103が取付けられ
ており、この基板上にマイクロ波回路が構成され
ている。これらの基板上に構成されたマイクロス
トリツプ線路102a,103aの接続は市販の
50オームフイードスルー104を用いて行なつて
いる。これはケース101に設けられた透孔10
1aに摺接する薄肉パイプ状の外導体104a
と、軸心のリード104cと、前記外導体104
aとリード104cとの間に充填された誘電体と
してのガラス層104bで構成されており、50オ
ームの同軸線路を形成している。
の上側と下側に夫々マイクロ波集積回路基板
(MIC基板と略称)102,103が取付けられ
ており、この基板上にマイクロ波回路が構成され
ている。これらの基板上に構成されたマイクロス
トリツプ線路102a,103aの接続は市販の
50オームフイードスルー104を用いて行なつて
いる。これはケース101に設けられた透孔10
1aに摺接する薄肉パイプ状の外導体104a
と、軸心のリード104cと、前記外導体104
aとリード104cとの間に充填された誘電体と
してのガラス層104bで構成されており、50オ
ームの同軸線路を形成している。
上記50オームフイードスルー104は外導体1
04aをケース101にはんだ接合させて固定さ
れ、しかもケースおよびMIC基板102,10
3の地導体と同電位に接続されている。
04aをケース101にはんだ接合させて固定さ
れ、しかもケースおよびMIC基板102,10
3の地導体と同電位に接続されている。
一方、導体の接続は軸心のリード104cを介
して両マイクロストリツプ線路102a,103
aが例えばボンデイングワイヤ105,106に
よつて達成されている。
して両マイクロストリツプ線路102a,103
aが例えばボンデイングワイヤ105,106に
よつて達成されている。
以下に上記構造の欠点につき説明する。
その一は50オームフイードスルーが市販品であ
り高価なことである。その二は外導体の長さに制
限があるためにケースの板厚の寸法が限られるこ
とである。その三は、ケースへの取付けがはんだ
接合で施されるので作業性が悪いことである。は
んだ接合は熱板等を用いる必要があり、このよう
な個所が複数個ある回路の場合は極めて困難で、
ケースと外導体が均一にはんだ接合されないと地
導体の接続が悪く不整合が生じる。また、ケース
と基板との接続面にはんだがはみ出ないようにし
なければならない。その四は、導体の接続がボン
デイングワイヤでなされるため、ボンデイング装
置が必要であり、ケースの形状に制約を受ける。
その五は、ケースへはんだ接合する必要からケー
スの材質がはんだ接合できるものに限られる。従
つて、ケースがケース材に多く用いられるアルミ
ニウムの場合にはんだ接合の可能な金属で被覆、
たとえばめつき処理などを施さなければならな
い。
り高価なことである。その二は外導体の長さに制
限があるためにケースの板厚の寸法が限られるこ
とである。その三は、ケースへの取付けがはんだ
接合で施されるので作業性が悪いことである。は
んだ接合は熱板等を用いる必要があり、このよう
な個所が複数個ある回路の場合は極めて困難で、
ケースと外導体が均一にはんだ接合されないと地
導体の接続が悪く不整合が生じる。また、ケース
と基板との接続面にはんだがはみ出ないようにし
なければならない。その四は、導体の接続がボン
デイングワイヤでなされるため、ボンデイング装
置が必要であり、ケースの形状に制約を受ける。
その五は、ケースへはんだ接合する必要からケー
スの材質がはんだ接合できるものに限られる。従
つて、ケースがケース材に多く用いられるアルミ
ニウムの場合にはんだ接合の可能な金属で被覆、
たとえばめつき処理などを施さなければならな
い。
この考案は上記の欠点を除去するもので、金属
板の両主面に取付けられた夫々のMIC基板につ
いて、これらの回路を簡単な構造で高周波接続で
きる50オームフイードスルーの構造を提供する。
板の両主面に取付けられた夫々のMIC基板につ
いて、これらの回路を簡単な構造で高周波接続で
きる50オームフイードスルーの構造を提供する。
この考案にかかる50オームフイードスルーは、
平板状で両主面にMIC基板が取付けられた金属
ケースに対しその板厚方向に設けられた段付透孔
の側面に弾接して嵌挿される弾性絶縁管と、前記
絶縁管内に挿通されて一体になりその両端が前記
MIC基板のマイクロストリツプ線路に接続され
る導体線を備え、前記導体線の径を透孔の径に対
し選定して弾性絶縁管を誘電体とする同軸線路の
インピーダンスを50オームならしめたものであ
る。
平板状で両主面にMIC基板が取付けられた金属
ケースに対しその板厚方向に設けられた段付透孔
の側面に弾接して嵌挿される弾性絶縁管と、前記
絶縁管内に挿通されて一体になりその両端が前記
MIC基板のマイクロストリツプ線路に接続され
る導体線を備え、前記導体線の径を透孔の径に対
し選定して弾性絶縁管を誘電体とする同軸線路の
インピーダンスを50オームならしめたものであ
る。
以下、本考案の一つの実施例を図面を参照して
説明する。
説明する。
第1図ないし第3図に示す50オームフイードス
ルー1は、金属ケース101の両主面に取付けら
れたMIC基板102,103のマイクロストリ
ツプ線路102a,103a間を同軸線路でその
特性インピーダンスが50オームになる如く接続す
る。前記基板にはその板厚方向に段付透孔2を有
し、例えばその径小部21の内径がD1に、また
径大部22の内径がD2に夫々形成されている。
なお、径小部21のケース面における開孔部23
は径小部から斜面で拡張されて開端の径はD0(D0
>D1)、開孔部23を含み径小部21の長さは基
板の板厚H0に対してH1(H1<H0)に形成され
る。
ルー1は、金属ケース101の両主面に取付けら
れたMIC基板102,103のマイクロストリ
ツプ線路102a,103a間を同軸線路でその
特性インピーダンスが50オームになる如く接続す
る。前記基板にはその板厚方向に段付透孔2を有
し、例えばその径小部21の内径がD1に、また
径大部22の内径がD2に夫々形成されている。
なお、径小部21のケース面における開孔部23
は径小部から斜面で拡張されて開端の径はD0(D0
>D1)、開孔部23を含み径小部21の長さは基
板の板厚H0に対してH1(H1<H0)に形成され
る。
次に、前記透孔2に圧入される50オームフイー
ドスルー1は、第2図および第3図に示すよう
に、透孔の側壁に弾接する弾性絶縁管11が、例
えば4フツ化エチレン(以下テフロンと略称す
る)で長さl0を基板101の板厚H0と相等に、か
つ外径をD2にて形成され、また、軸心の孔12
の内径d0が後に述べる計算式によつて同軸線路の
特性インピーダンスが50オームになるようにD2
との比に基づいてきめられる。すなわち、上記弾
性絶縁管の軸に、外径がd0なる導体線13を挿通
させたものを前記ケースの段付透孔2に圧入すれ
ば、テフロンの弾性によつて容易に嵌挿されて抜
けなくなる。導体線には例えばすずメツキ線を用
いることにより、容易に曲げられ、はんだ接合も
容易に達成できる。
ドスルー1は、第2図および第3図に示すよう
に、透孔の側壁に弾接する弾性絶縁管11が、例
えば4フツ化エチレン(以下テフロンと略称す
る)で長さl0を基板101の板厚H0と相等に、か
つ外径をD2にて形成され、また、軸心の孔12
の内径d0が後に述べる計算式によつて同軸線路の
特性インピーダンスが50オームになるようにD2
との比に基づいてきめられる。すなわち、上記弾
性絶縁管の軸に、外径がd0なる導体線13を挿通
させたものを前記ケースの段付透孔2に圧入すれ
ば、テフロンの弾性によつて容易に嵌挿されて抜
けなくなる。導体線には例えばすずメツキ線を用
いることにより、容易に曲げられ、はんだ接合も
容易に達成できる。
叙上の構造はケースに設けられた透孔が外導
体、導体線が中心導体、弾性絶縁管が誘電体であ
る同軸線路に相当するので、透孔(外導体)の径
のD2、導体線の径のd0によつてきまる特性イン
ピーダンスRcを示す次の式によつて求めること
ができる。
体、導体線が中心導体、弾性絶縁管が誘電体であ
る同軸線路に相当するので、透孔(外導体)の径
のD2、導体線の径のd0によつてきまる特性イン
ピーダンスRcを示す次の式によつて求めること
ができる。
Rc=60/√εrloged2/d0 ……(1)
ただし、εr:比誘電率(テフロンは2.0)例え
ば、導体線13の径d0が0.5mmの時、絶縁管11
の径d2を1.6mm程度にすれば特性インピーダンス
は50オームになる。ここで弾性絶縁管の孔径d1は
導体線の径d0と等しくする。
ば、導体線13の径d0が0.5mmの時、絶縁管11
の径d2を1.6mm程度にすれば特性インピーダンス
は50オームになる。ここで弾性絶縁管の孔径d1は
導体線の径d0と等しくする。
上記弾性絶縁管11部をケースの透孔2に嵌挿
するにはケース面の開口部23の径D0から圧入
するが、径小部21の内径D1、径大部22の内
径D2、および弾性絶縁管11の外径d2間の関係
は次の様に選ばれる。
するにはケース面の開口部23の径D0から圧入
するが、径小部21の内径D1、径大部22の内
径D2、および弾性絶縁管11の外径d2間の関係
は次の様に選ばれる。
D1<d2≦D2
D0D2
ここでD1はd2よりも0.2mm程度小さくきめる。
例えば弾性絶縁管11の径d2を1.6mmとしたとき、
D1を1.4mm、D2とD0を1.6mmにすると、ケース面の
開口部23から圧入して径小部21で絞られ、径
大部22で拡がりもとの径に復元する。径小部2
1は弾性絶縁管を絞つて装着を強固にする目的で
あるから、その部分の長さH1は1〜2mm程度が
よい。この特性インピーダンスは通常径大部22
で50オームになつており、径小部21では外導体
径が0.2mm程度小さいため、特性インピーダンス
は上記に対し数オーム程度小になる。しかし、そ
の部分の長さH1は1〜2mm程度と短かく、また、
特性インピーダンスのずれも数オーム程度である
ためこれによる不整合は全く問題とならない。
例えば弾性絶縁管11の径d2を1.6mmとしたとき、
D1を1.4mm、D2とD0を1.6mmにすると、ケース面の
開口部23から圧入して径小部21で絞られ、径
大部22で拡がりもとの径に復元する。径小部2
1は弾性絶縁管を絞つて装着を強固にする目的で
あるから、その部分の長さH1は1〜2mm程度が
よい。この特性インピーダンスは通常径大部22
で50オームになつており、径小部21では外導体
径が0.2mm程度小さいため、特性インピーダンス
は上記に対し数オーム程度小になる。しかし、そ
の部分の長さH1は1〜2mm程度と短かく、また、
特性インピーダンスのずれも数オーム程度である
ためこれによる不整合は全く問題とならない。
なお、弾性絶縁管11の長さl0はケースの板厚
H0と等しく形成されている。また、この弾性絶
縁管は誘電体としてその材質をテフロンを例示し
たが他のプラスチツク材料、例えばポリエチレン
を用いてもよい。
H0と等しく形成されている。また、この弾性絶
縁管は誘電体としてその材質をテフロンを例示し
たが他のプラスチツク材料、例えばポリエチレン
を用いてもよい。
以上述べたように本考案の50オームフイードス
ルーは、テフロンをケースに圧入して取付け、マ
イクロストリツプ線路との接続は導体線をはんだ
接合するだけであるため、組立作業が極めて簡単
である。また、電気的性能についても、ケースに
設けた透孔がそのまま外導体となるため、従来の
フイードスルーの外導体とケースとの接続に関す
る問題は除去され、不整合のない良好な50オーム
フイードスルーを構成できる。この構成において
はケースに段付透孔を設けただけの構造であるた
め、透孔の位置や数に制約がなく、また、ケース
の板厚の制約もないなど数々の利点がある。
ルーは、テフロンをケースに圧入して取付け、マ
イクロストリツプ線路との接続は導体線をはんだ
接合するだけであるため、組立作業が極めて簡単
である。また、電気的性能についても、ケースに
設けた透孔がそのまま外導体となるため、従来の
フイードスルーの外導体とケースとの接続に関す
る問題は除去され、不整合のない良好な50オーム
フイードスルーを構成できる。この構成において
はケースに段付透孔を設けただけの構造であるた
め、透孔の位置や数に制約がなく、また、ケース
の板厚の制約もないなど数々の利点がある。
第1図は本考案にかかる50オームフイードスル
ーの構造を示す断面図、第2図aは導体線の斜視
図、図bは弾性絶縁管の斜視図、図cはケースの
透孔部を示す断面図、第3図は本考案にかかる50
オームフイードスルーの第1図の断面図と異なる
方向の断面図、第4図は従来の50オームフイード
スルーの構造を示す断面図、第5図は市販の一例
の50オームフイードスルーの斜視図である。 1……50オームフイードスルー、11……弾性
絶縁管、13……導体線、2……ケースの透孔、
21……透孔の径小部、22……透孔の径大部、
23……透孔のケース面への開口部、101……
金属ケース、102,103……MIC基板、1
02a,103a……マイクロストリツプ線路。
ーの構造を示す断面図、第2図aは導体線の斜視
図、図bは弾性絶縁管の斜視図、図cはケースの
透孔部を示す断面図、第3図は本考案にかかる50
オームフイードスルーの第1図の断面図と異なる
方向の断面図、第4図は従来の50オームフイード
スルーの構造を示す断面図、第5図は市販の一例
の50オームフイードスルーの斜視図である。 1……50オームフイードスルー、11……弾性
絶縁管、13……導体線、2……ケースの透孔、
21……透孔の径小部、22……透孔の径大部、
23……透孔のケース面への開口部、101……
金属ケース、102,103……MIC基板、1
02a,103a……マイクロストリツプ線路。
Claims (1)
- 平板状で両主面にマイクロ波集積回路基板が取
付けられた金属ケースに対しその板厚方向に設け
られた段付透孔の側面に弾接して嵌挿される弾性
絶縁管と、前記絶縁管内に挿通されて一体になり
その両端が前記マイクロ波集積回路基板のマイク
ロストリツプ線路に接続される導体線を備え、前
記導体線の径を前記透孔の径に対し選定し弾性絶
縁管を該電体とする同軸線路のインピーダンスを
50オームならしめた50オームフイードスルー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4380085U JPH048642Y2 (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4380085U JPH048642Y2 (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61162101U JPS61162101U (ja) | 1986-10-07 |
JPH048642Y2 true JPH048642Y2 (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=30555798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4380085U Expired JPH048642Y2 (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH048642Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5990828B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2016-09-14 | 日立化成株式会社 | 電磁結合構造、多層伝送線路板、電磁結合構造の製造方法、及び多層伝送線路板の製造方法 |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP4380085U patent/JPH048642Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61162101U (ja) | 1986-10-07 |
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