JPH04260359A - 半導体装置の実装用アダプタ及び実装用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の実装用アダ
プタ及び実装用基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は各種電子装置に搭載されて
使用されているが、きわめて高い周波数の信号を扱う場
合には、半導体装置の高周波信号の伝送特性が問題とな
る。そこで、高周波用の半導体装置では信号線について
インピーダンスのマッチングをとることがなされている
。半導体装置で信号線についてインピーダンスのマッチ
ングをとる方法としては、信号線に対し近接させてグラ
ンド層を設けマイクロストリップ構造あるいはストリッ
プ構造とすることによりインピーダンスのマッチングを
とることが行われている。マイクロストリップ構造ある
いはストリップ構造では信号線とグランド層間に挟まれ
る誘電体の誘電率、信号線とグランド層との離間距離、
信号線の幅、信号線の厚さを適当に設定することによっ
て所定の特性インピーダンスを得ることができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の高周波用の半導
体装置では、上記のように、信号線に対してインピーダ
ンスのマッチングをとって高周波特性を改善することが
なされているが、ＰＧＡ　タイプの半導体装置あるいは
ＤＩＰ　タイプの半導体装置などでは図７に示すように
実装基板１０に半導体装置１２を実装した際に実装基板
１０と半導体装置１２との間で外部リード１４が露出し
、この露出部分についてはインピーダンスのマッチング
がとられていないという問題点がある。高周波信号を扱
う場合は、回路の一部分にでもインピーダンスの不整合
部分があると、この不整合部分で信号反射等が生じ、高
周波信号の伝送特性が劣化するから、電子装置全体の高
周波信号の伝送特性を問題にする場合には、実装時にお
けるインピーダンスのマッチングについても考慮しない
と、良好な伝送特性を得ることができない。そこで、本
発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、半導体
装置を実装する際の接続部分でのインピーダンスのマッ
チングをとることができて電子装置全体として高周波信
号の良好な伝送特性を得ることができる半導体装置の実
装用アダプタおよび実装用基板を提供しようとするもの
である。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体装置を実
装基板に実装する際に、実装基板の基板面と半導体装置
のパッケージとの中間にはさんで使用する半導体装置の
実装用アダプタであって、前記半導体装置の外部リード
が挿入される挿通孔を本体の厚み方向に透設し、前記外
部リードと電気的に絶縁して接地電位に設定するととも
に、外部リードの実装基板への接続部分でのインピーダ
ンスをマッチングさせてグランド金属部を前記挿通孔の
外側に設けたことを特徴とする。また、前記アダプタの
本体が電気的絶縁性を有する材料によって形成され、該
本体内に外部リードの配置に合わせて円筒状のグランド
金属部が設けられ、該グランド金属部の内部に挿通孔を
中央部に穿設した絶縁体が設けられたことを特徴とする
。また、前記アダプタの本体が金属によって形成され、
該本体との間で電気的絶縁性を保持するとともに外部リ
ードのインピーダンスのマッチングをとって挿通孔が形
成されたことを特徴とする。また、実装用基板において
、基板に半導体装置の外部リードが挿入される接続孔が
穿設され、該接続孔の外側に電気的絶縁性を有する絶縁
体を設け、該絶縁体の外側に、前記接続孔内へ外部リー
ドを挿入した挿入位置でインピーダンスのマッチングを
とる接地電位に設定されるグランド金属部を設けたこと
を特徴とする。

【０００５】

【作用】実装基板に半導体装置を実装する際に、アダプ
タの挿通孔内に外部リードを差し込み、実装基板に外部
リードの先端部を接続することにより、実装基板と半導
体装置のパッケージとの中間にアダプタをはさんで実装
する。外部リードはアダプタの挿通孔内に挿通され、挿
通孔内の挿入部分についてグランド金属部との間でイン
ピーダンスのマッチングがとられる。また、実装用基板
では基板内の接続孔内に外部リードを差し込むことによ
り挿入位置で外部リードのインピーダンスマッチングが
とられる。実装用アダプタあるいは上記実装用基板を用
いることによって半導体装置の実装基板への接続部にお
いてインピーダンスのマッチングがとられて電子装置の
高周波特性を改善することができる。

【０００６】

【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体装置
の実装用アダプタを用いてＰＧＡ　タイプの半導体装置
を実装した状態を部分的に拡大して示す断面図である。 半導体装置１２は図３に示すように実装基板１０に設け
た接続孔１０ａ内に外部リード１４を挿入することによ
って実装されるが、アダプタ２０はこの実装基板１０の
基板面と半導体装置１２の外側面との間に挟んで用いる
。アダプタ２０には半導体装置１２に設けた外部リード
１４の配置に合わせて、外部リード１４を挿通する挿通
孔２２を厚み方向に貫設し、半導体装置１２を実装する
際には外部リード１４をこの挿通孔２２内を貫通させ、
先端部を前記接続孔１０ａ内に挿入して接続する。

【０００７】前記アダプタ２０に設ける挿通孔２２の内
径は外部リード１４の外径と同サイズに設けると共に、
挿通孔２２の外側に挿通孔２２と同芯にグランド金属部
２４を設ける。グランド金属部２４は円筒状に形成され
アダプタ２０の本体の厚み方向の全長にわたって設ける
。図２はアダプタ２０の平面図である。グランド金属部
２４はそれぞれの外部リード１４の配置に合わせて設置
し、それぞれ挿通孔２２が透設されている。信号線に接
続する外部リード１４が挿通されるグランド金属部２４
の内部には、電気的絶縁性を有する絶縁体２６が充填さ
れ、挿通孔２２はこの絶縁体２６の中央部に穿設される
。挿通孔２２内に外部リード１４を挿通した場合は、外
部リード１４とグランド金属部２４との中間に誘電体と
しての絶縁体２６が存在してアダプタ２０内の外部リー
ド１４部分は同軸構造となる。これにより、絶縁体２６
の誘電率および外部リード１４とグランド金属部２４と
の離間距離を適当に設定することによって外部リード１
４に対して所定の特性インピーダンスを設定することが
できる。グランド金属部２４はグランドラインに接続さ
れ接地電位に設定されるが、図２で２４ａは接地電位の
外部リードが挿通されるグランド金属部である。このグ
ランド金属部２４ａでは絶縁体２６を中間に介在させず
に挿通孔２２をグランド金属部２４ａ自体に穿設する。 他のグランド金属部２４はこのグランド金属部２４ａと
電気的に接続することによってすべて接地電位に設定さ
れる。

【０００８】上記のアダプタ２０を用いて半導体装置１
２を実装した場合には、アダプタ２０内に外部リード１
４が収納され、個々の外部リード１４に対してインピー
ダンスのマッチングをとって実装することができる。実
装基板１０に設ける配線パターンについても半導体装置
１２内の信号線に対するのと同様の方法によってインピ
ーダンスのマッチングをとることができるから、半導体
装置１２内の信号線、実装の際の接続部、実装基板１０
内の信号線のそれぞれについてインピーダンスのマッチ
ングをとることによって、電子装置全体としてインピー
ダンスのマッチングがとられ、高周波特性の優れた電子
装置を得ることができる。なお、アダプタ２０を用いた
場合は外部リード１４がアダプタ２０で支持されるから
外部リード１４の曲がり等の変形を防止できるという利
点もある。

【０００９】上記実施例ではアダプタ２０の本体部分に
は電気的絶縁性を有する材料を用いるが、本体部分を金
属製にすることもできる。図４は本体が金属のアダプタ
２０の実施例である。この実施例ではアダプタ２０の厚
み方向に透孔を穿設し、透孔内に前記絶縁体２６を充填
し、絶縁体２６に挿通孔２２を穿設している。アダプタ
２０の本体を接地電位に設定することによって上記実施
例と同様に同軸構造で外部リード１４が挿通され、絶縁
体２６の厚み等を適宜設定することによって所定のイン
ピーダンスにマッチングさせることができる。この実施
例のアダプタ２０を用いる場合はアダプタ２０の本体が
金属製で熱放散性に優れていることから、アダプタ２０
を放熱板として利用できるという利点がある。図５はこ
の実施例のアダプタ２０を用いて半導体装置１２を実装
した状態を示す。半導体装置１２ではパッケージの底部
に放熱板２８を接合し、放熱板２８上に半導体チップを
搭載するタイプのものがあるが、上記アダプタ２０は図
のように実装基板１０とパッケージの中間に挟んで使用
するから、放熱板２８をアダプタ２０の本体に接触させ
て実装することにより、アダプタ２０からの放熱効果に
よって半導体装置１２の熱放散性を向上させることがで
きる。

【００１０】上記各実施例はいずれも、実装基板１０お
よび半導体装置１２と別体に実装用のアダプタ２０を形
成して使用する例であるが、実装基板１０内に外部リー
ド１４のインピーダンスをマッチングさせる同軸構造を
とり入れることによって、アダプタ２０部分と実装基板
１０とを一体的に構成した実装用基板を用いることも可
能である。図６は外部リード１４のインピーダンスをマ
ッチングさせるための同軸構造を実装基板１０内に設け
た例である。実装基板１０に設ける接続孔１０ａに連通
させて挿通孔を設け、前記グランド金属部２４および絶
縁体２６を設けることによって同軸構造とする。接続孔
１０ａ内に挿入された外部リード１４はその先端側部分
で実装基板１０内の配線パターン１０ｂに接続し、実装
基板１０への半導体装置１２の実装がなされる。

【００１１】上記実施例においては、ＰＧＡ　タイプの
半導体装置について説明したが、半導体装置としてはＰ
ＧＡ　タイプの半導体装置に限らず、ＤＩＰ　タイプの
半導体装置に対しても同様に実装基板への接続部につい
てインピーダンスマッチングをとることができる。ＤＩ
Ｐ　タイプの場合は外部リードが薄平板状に形成されて
いるから、アダプタにスリット状の挿通孔を設け、絶縁
体およびグランド金属部を設けることによってインピー
ダンスマッチングをとることができる。また、外部リー
ドは必ずしも実装基板の接続孔内に外部リードを挿入し
て接続するものに限らない。はんだ付け等によって実装
基板上に外部リードを立設するようにして接続する場合
にもアダプタを使用して接続することによってインピー
ダンスのマッチングをとることができる。なお、上記実
施例では外部リード１４に対して同軸構造とするため外
部リード１４とグランド金属部２４との中間に絶縁体２
６を介在させる構造としているが、マッチングさせるイ
ンピーダンス値によっては場合により絶縁体２６をなく
して外部リード１４とグランド金属部２４との間に一定
の空隙をもたせるだけでもよい。絶縁体２６はしたがっ
て、空隙の意味も含むものとする。

【００１２】

【発明の効果】本発明に係る半導体装置の実装用アダプ
タおよび実装用基板によれば、半導体装置を実装基板に
確実に実装でき、また実装の際の接続部分についてもイ
ンピーダンスのマッチングをとることができ、装置全体
としてインピーダンスがマッチングされ高周波特性の優
れた装置を得ることができる。また、金属性のアダプタ
を用いた場合には半導体装置からの熱放散性を向上させ
ることができる等の著効を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実装用アダプタを用いて半導体装置を実装した
状態の断面図である。

【図２】実装用アダプタの平面図である。

【図３】半導体装置の実装例を示す説明図である。

【図４】他の実施例の実装用アダプタを用いた実装例を
示す断面図である。

【図５】半導体装置の他の実装例を示す説明図である。

【図６】実装用基板の実施例を示す断面図である。

【図７】半導体装置の従来の実装例を示す説明図である
。

【符号の説明】

１０　　実装基板 １０ａ　　接続孔 １２　　半導体装置 １４　　外部リード ２０　　アダプタ ２２　　挿通孔 ２４、２４ａ　　グランド金属部 ２６　　絶縁体 ２８　　放熱板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　半導体装置を実装基板に実装する際に
   、実装基板の基板面と半導体装置のパッケージとの中間
   にはさんで使用する半導体装置の実装用アダプタであっ
   て、前記半導体装置の外部リードが挿入される挿通孔を
   本体の厚み方向に透設し、前記外部リードと電気的に絶
   縁して接地電位に設定するとともに、外部リードの実装
   基板への接続部分でのインピーダンスをマッチングさせ
   てグランド金属部を前記挿通孔の外側に設けたことを特
   徴とする半導体装置の実装用アダプタ。
2. 【請求項２】　　アダプタの本体が電気的絶縁性を有す
   る材料によって形成され、該本体内に外部リードの配置
   に合わせて円筒状のグランド金属部が設けられ、該グラ
   ンド金属部の内部に挿通孔を中央部に穿設した絶縁体が
   設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置
   の実装用アダプタ。
3. 【請求項３】　　アダプタの本体が金属によって形成さ
   れ、該本体との間で電気的絶縁性を保持するとともに外
   部リードのインピーダンスのマッチングをとって挿通孔
   が形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装
   置の実装用アダプタ。
4. 【請求項４】　　基板に半導体装置の外部リードが挿入
   される接続孔が穿設され、該接続孔の外側に電気的絶縁
   性を有する絶縁体を設け、該絶縁体の外側に、前記接続
   孔内へ外部リードを挿入した挿入位置でインピーダンス
   のマッチングをとる接地電位に設定されるグランド金属
   部を設けたことを特徴とする半導体装置の実装用基板。