JP3157183B2 - 酸化物超電導体の製造法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、組成式Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-x で表される結晶性物質相を主相とする酸化物超
電導体の製造法に関する。
3 Ｏ7-x で表される結晶性物質相を主相とする酸化物超
電導体の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、組成式Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x で表される結晶性物質相を主相とする酸化物超電導
体の製造方法として、一般的に以下に示す３つの方法が
知られている。第１の方法は、まず、ルツボ中に入れた
Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の微結晶粉を1400℃以上に加熱
して溶融させることにより、Ｙ2 Ｏ3 と液相との共存状
態を形成する。次いで、この溶融体を急冷して凝固さ
せ、得られた凝固体または粉砕してプレス成型したもの
を約1100℃前後で焼成し、Ｙ2 Ｏ3 と液相との包晶反応
によってＹ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5相を生成させる。その
後、1000℃から徐冷することによって包晶反応をさらに
進行させ、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相の酸化物超電導バ
ルク体を生成させるというものである。
7-x で表される結晶性物質相を主相とする酸化物超電導
体の製造方法として、一般的に以下に示す３つの方法が
知られている。第１の方法は、まず、ルツボ中に入れた
Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の微結晶粉を1400℃以上に加熱
して溶融させることにより、Ｙ2 Ｏ3 と液相との共存状
態を形成する。次いで、この溶融体を急冷して凝固さ
せ、得られた凝固体または粉砕してプレス成型したもの
を約1100℃前後で焼成し、Ｙ2 Ｏ3 と液相との包晶反応
によってＹ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5相を生成させる。その
後、1000℃から徐冷することによって包晶反応をさらに
進行させ、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相の酸化物超電導バ
ルク体を生成させるというものである。
【０００３】第２の方法は、Ｙ2 Ｏ3 粉、ＢａＣＯ3粉
およびＣｕＯ粉を上記と同様にして溶融させた後、これ
を急冷凝固および粉砕して得た粉末を混合し、プレス成
型する。次いで、この成型体を上記と同様にして焼成お
よび徐冷することにより、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相の
酸化物超電導バルク体を生成させるというものである。
第３の方法は、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の微結晶粉、ま
たはこの微結晶粉にＹ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の微結晶粉を
混合したものをプレス成型し、得られた成型体を約1100
℃前後で焼成することにより、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相
と液相とに分解する。その後、1000℃から徐冷すること
によって包晶反応をさらに進行させ、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-x 相の酸化物超電導バルク体を生成させるというも
のである。
およびＣｕＯ粉を上記と同様にして溶融させた後、これ
を急冷凝固および粉砕して得た粉末を混合し、プレス成
型する。次いで、この成型体を上記と同様にして焼成お
よび徐冷することにより、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相の
酸化物超電導バルク体を生成させるというものである。
第３の方法は、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の微結晶粉、ま
たはこの微結晶粉にＹ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の微結晶粉を
混合したものをプレス成型し、得られた成型体を約1100
℃前後で焼成することにより、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相
と液相とに分解する。その後、1000℃から徐冷すること
によって包晶反応をさらに進行させ、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-x 相の酸化物超電導バルク体を生成させるというも
のである。
【０００４】包晶反応後残存したＹ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5
相は、ピンニングセンターとしてＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x 相の特性の向上に寄与することが知られている。ま
た、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5相の粒径や分散量を適正に制
御することができなければ、生成するＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-x 相の特性は向上しないことも確認されている。
相は、ピンニングセンターとしてＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x 相の特性の向上に寄与することが知られている。ま
た、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5相の粒径や分散量を適正に制
御することができなければ、生成するＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-x 相の特性は向上しないことも確認されている。
【０００５】しかしながら、上記従来の方法によると、
Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相を形成することはできるが、Ｙ
1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相を生成させる過程においてＹ2
Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相の粒径や分散量を適正に制御するこ
とができないため、生成される酸化物超電導体の磁化を
高めたり臨界電流密度を上げるなどの特性の向上を図る
ことができなかった。
Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相を形成することはできるが、Ｙ
1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相を生成させる過程においてＹ2
Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相の粒径や分散量を適正に制御するこ
とができないため、生成される酸化物超電導体の磁化を
高めたり臨界電流密度を上げるなどの特性の向上を図る
ことができなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述従来の
技術の問題点を解決し、磁化の大きさや臨界電流密度を
向上させ得る酸化物超電導体の製造法の提供を目的とし
ている。
技術の問題点を解決し、磁化の大きさや臨界電流密度を
向上させ得る酸化物超電導体の製造法の提供を目的とし
ている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するため鋭意研究したところ、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x 相の酸化物超電導バルク体に微細な不純物相を析出
させ、これをピンニングセンターとすることにより、磁
化の大きさおよび磁界電流密度を向上させることができ
ることを見い出し、本発明を達成することができた。
解決するため鋭意研究したところ、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x 相の酸化物超電導バルク体に微細な不純物相を析出
させ、これをピンニングセンターとすることにより、磁
化の大きさおよび磁界電流密度を向上させることができ
ることを見い出し、本発明を達成することができた。
【０００８】 すなわち、本発明は、組成式Ｙ１Ｂａ２
Ｃｕ３Ｏ７―Ｘで表される結晶性物質相を主相とする酸
化物超電導体の製造法であって、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ
７―Ｘの原料粉と予め別個に作製した平均粒径５μｍ以
下のＳｍ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５の微結晶粉とを所定比率で
混合し、この混合粉を成型したものを１１００℃で焼成
することによりＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５相、Ｓｍ２Ｂａ１
Ｃｕ１Ｏ５相および液相の共存状態を形成し、さらに、
１０００℃から徐冷することによりＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ
５相と液相とを選択的に包晶反応させ、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ
３Ｏ７―Ｘ結晶性物質相中にＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５およ
びＳｍ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５の微細分散相を残存させた酸
化物超電導バルク体を形成することを特徴とする酸化物
超電導体の製造法を提供するものである。
Ｃｕ３Ｏ７―Ｘで表される結晶性物質相を主相とする酸
化物超電導体の製造法であって、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ
７―Ｘの原料粉と予め別個に作製した平均粒径５μｍ以
下のＳｍ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５の微結晶粉とを所定比率で
混合し、この混合粉を成型したものを１１００℃で焼成
することによりＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５相、Ｓｍ２Ｂａ１
Ｃｕ１Ｏ５相および液相の共存状態を形成し、さらに、
１０００℃から徐冷することによりＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ
５相と液相とを選択的に包晶反応させ、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ
３Ｏ７―Ｘ結晶性物質相中にＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５およ
びＳｍ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５の微細分散相を残存させた酸
化物超電導バルク体を形成することを特徴とする酸化物
超電導体の製造法を提供するものである。
【０００９】本発明では、Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＯ、ＢａＣＯ
3 およびＣｕＯをＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の原料粉とし
て用いることができる。また、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5
の微結晶は、乾式合成または湿式合成により得ることが
できる。
3 およびＣｕＯをＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の原料粉とし
て用いることができる。また、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5
の微結晶は、乾式合成または湿式合成により得ることが
できる。
【００１０】
【作用】本発明によると、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相、
Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5相および液相の共存状態を形成
し、包晶反応開始温度の違いから選択的にＹ2 Ｂａ1 Ｃ
ｕ1 Ｏ5 相と液相との包晶反応を進行させ、Ｙ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-x 相を得ている。そのため、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-x 相バルク中にＳｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の微細相
が残存し、これがピンニングセンターとなり、Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相が生成する際に磁化や臨界電流密度の
向上の要因となるのである。
Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5相および液相の共存状態を形成
し、包晶反応開始温度の違いから選択的にＹ2 Ｂａ1 Ｃ
ｕ1 Ｏ5 相と液相との包晶反応を進行させ、Ｙ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-x 相を得ている。そのため、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-x 相バルク中にＳｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の微細相
が残存し、これがピンニングセンターとなり、Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相が生成する際に磁化や臨界電流密度の
向上の要因となるのである。
【００１１】さらに詳細に説明すると、包晶反応が開始
される温度は、Ｙ2Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と液相との場合1
000℃以下、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と液相との場合1
060〜1070℃前後であり、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と
液相との包晶反応速度は、1000℃以下、特に 980℃以下
で著しく低下する。そのため、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ
5 相、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相および液相の共存状態
を作り、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と液相との包晶反応
が開始される温度より60〜70℃程度低い温度でＹ2 Ｂａ
1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と液相とを包晶反応させることにより、
Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と液相との包晶反応速度が極
めて遅くなり、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相がＹ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-x 相バルク中に残存するのである。
される温度は、Ｙ2Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と液相との場合1
000℃以下、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と液相との場合1
060〜1070℃前後であり、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と
液相との包晶反応速度は、1000℃以下、特に 980℃以下
で著しく低下する。そのため、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ
5 相、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相および液相の共存状態
を作り、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と液相との包晶反応
が開始される温度より60〜70℃程度低い温度でＹ2 Ｂａ
1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と液相とを包晶反応させることにより、
Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相と液相との包晶反応速度が極
めて遅くなり、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 相がＹ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-x 相バルク中に残存するのである。
【００１２】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。しかし本発明の範囲は、以下の実施例により
制限されるものではない。
説明する。しかし本発明の範囲は、以下の実施例により
制限されるものではない。
【００１３】
【実施例１】本発明の酸化物超電導体の製造法の一例を
以下に示す。
以下に示す。
【００１４】原料粉末として平均粒径１μｍのＹ
2 Ｏ3 、ＢａＯおよびＣｕＯを用意し、これらをＹ：Ｂ
ａ：Ｃｕ＝1.2 ：2.1 ：3.1 の割合で混合し、さらに、
平均粒径１μｍのＳｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の粉末を、Ｙ
に対する割合が0.3molとなるように混合した。次に、プ
レス成型機にて３t/cm2 の圧力で該混合粉をプレス成型
して１インチ径、厚さ１cmのペレット体を得、このペレ
ット体を次のようなプログラムで焼成および冷却した。
まず、１分間に20℃ずつ上昇するように加熱し、1100℃
に達したところで1100℃のままで30分間保持し、次いで
１分間に20℃ずつ下降するように冷却し、1000℃まで下
がったところで１時間に 0.5℃ずつ下降するよう冷却速
度を変え、さらに 960℃まで下がったところで１時間に
１℃ずつ下降するように冷却速度を変えて常温まで冷却
した。なお、上記温度は全て直線的に変化させた。その
後、得られた焼結体を 600℃、酸素雰囲気下で１週間焼
成し、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相を主相とする酸化物超
電導バルク体を得た。
2 Ｏ3 、ＢａＯおよびＣｕＯを用意し、これらをＹ：Ｂ
ａ：Ｃｕ＝1.2 ：2.1 ：3.1 の割合で混合し、さらに、
平均粒径１μｍのＳｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の粉末を、Ｙ
に対する割合が0.3molとなるように混合した。次に、プ
レス成型機にて３t/cm2 の圧力で該混合粉をプレス成型
して１インチ径、厚さ１cmのペレット体を得、このペレ
ット体を次のようなプログラムで焼成および冷却した。
まず、１分間に20℃ずつ上昇するように加熱し、1100℃
に達したところで1100℃のままで30分間保持し、次いで
１分間に20℃ずつ下降するように冷却し、1000℃まで下
がったところで１時間に 0.5℃ずつ下降するよう冷却速
度を変え、さらに 960℃まで下がったところで１時間に
１℃ずつ下降するように冷却速度を変えて常温まで冷却
した。なお、上記温度は全て直線的に変化させた。その
後、得られた焼結体を 600℃、酸素雰囲気下で１週間焼
成し、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相を主相とする酸化物超
電導バルク体を得た。
【００１５】得られたバルク体の特性を調べたところ、
Ｊｃ値が１×１０4 A/cm2 、最大磁化が400Gaussであっ
た。また、得られたバルク体を粉砕し、その粉体をＸ線
分析したところ、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 およびＳｍ2 Ｂ
ａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の結晶の存在が確認された。
Ｊｃ値が１×１０4 A/cm2 、最大磁化が400Gaussであっ
た。また、得られたバルク体を粉砕し、その粉体をＸ線
分析したところ、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 およびＳｍ2 Ｂ
ａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の結晶の存在が確認された。
【００１６】
【実施例２】本発明の酸化物超電導体の製造法の別の一
例を以下に示す。
例を以下に示す。
【００１７】まず、原料粉末として平均粒径３μｍのＢ
ａＣＯ3 およびＣｕＯを用意し、これらをＢａ：Ｃｕ＝
１：1.5 の割合で混合し、この混合粉を 850℃にて10時
間、さらに 880℃にて30時間焼成した。焼成後、得られ
た焼結体を粉砕し、平均粒径１μｍのＹ2 Ｏ3 粉末、お
よびＹに対する割合が30%molとなる量のＳｍ2 Ｂａ1 Ｃ
ｕ1 Ｏ5 の粉末（平均粒径１μｍ）を混合した。次に、
この混合粉を実施例１と同様にしてペレット体を得、実
施例１に示したプログラムで焼成および冷却した。その
後、得られた焼結体を 600℃、酸素雰囲気下で１週間焼
成してＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相を主相とする酸化物超
電導バルク体を得た。
ａＣＯ3 およびＣｕＯを用意し、これらをＢａ：Ｃｕ＝
１：1.5 の割合で混合し、この混合粉を 850℃にて10時
間、さらに 880℃にて30時間焼成した。焼成後、得られ
た焼結体を粉砕し、平均粒径１μｍのＹ2 Ｏ3 粉末、お
よびＹに対する割合が30%molとなる量のＳｍ2 Ｂａ1 Ｃ
ｕ1 Ｏ5 の粉末（平均粒径１μｍ）を混合した。次に、
この混合粉を実施例１と同様にしてペレット体を得、実
施例１に示したプログラムで焼成および冷却した。その
後、得られた焼結体を 600℃、酸素雰囲気下で１週間焼
成してＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相を主相とする酸化物超
電導バルク体を得た。
【００１８】得られたバルク体の特性を調べたところ、
Ｊｃ値が 1.5×１０4 A/cm2 、最大磁化が450Gaussであ
った。また、得られたバルク体を粉砕し、その粉体をＸ
線分析したところ、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 およびＳｍ2
Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の結晶の存在が確認された。
Ｊｃ値が 1.5×１０4 A/cm2 、最大磁化が450Gaussであ
った。また、得られたバルク体を粉砕し、その粉体をＸ
線分析したところ、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 およびＳｍ2
Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の結晶の存在が確認された。
【００１９】
【実施例３】本発明の酸化物超電導体の製造法のさらに
別の一例を以下に示す。
別の一例を以下に示す。
【００２０】まず、原料粉末として平均粒径１μｍのＹ
2 Ｏ3 、ＢａＣＯ3 およびＣｕＯをを用意し、これらを
Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝２：１：１の割合で混合し、この混合
粉を850 ℃にて10時間、さらに 950℃にて20時間焼成し
た。焼成後、得られた焼結体を粉砕して平均粒径１μｍ
のＹ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 を作成し、この粉末に平均粒径
１μｍのＳｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の粉末を９：１の割合
となるように混合した。
2 Ｏ3 、ＢａＣＯ3 およびＣｕＯをを用意し、これらを
Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝２：１：１の割合で混合し、この混合
粉を850 ℃にて10時間、さらに 950℃にて20時間焼成し
た。焼成後、得られた焼結体を粉砕して平均粒径１μｍ
のＹ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 を作成し、この粉末に平均粒径
１μｍのＳｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の粉末を９：１の割合
となるように混合した。
【００２１】一方これとは別に、平均粒径１μｍのＢａ
ＣＯ3 およびＣｕＯをＢａ：Ｃｕ＝３：５の割合で混合
した混合粉を、 850℃にて10時間、さらに 880℃にて30
時間焼成した後粉砕した。このようにして得られた粉末
と上記混合粉とを混合し、実施例１と同様にしてプレス
成型してペレット体を得、実施例１に示したプログラム
で焼成および冷却した。その後、得られた焼結体を 600
℃、酸素雰囲気下で１週間焼成し、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x 相を主相とする酸化物超電導バルク体を得た。
ＣＯ3 およびＣｕＯをＢａ：Ｃｕ＝３：５の割合で混合
した混合粉を、 850℃にて10時間、さらに 880℃にて30
時間焼成した後粉砕した。このようにして得られた粉末
と上記混合粉とを混合し、実施例１と同様にしてプレス
成型してペレット体を得、実施例１に示したプログラム
で焼成および冷却した。その後、得られた焼結体を 600
℃、酸素雰囲気下で１週間焼成し、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x 相を主相とする酸化物超電導バルク体を得た。
【００２２】得られたバルク体の特性を調べたところ、
Ｊｃ値が 1.0×１０4 A/cm2 、最大磁化が400Gaussであ
った。また、得られたバルク体を粉砕し、その粉体をＸ
線分析したところ、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 およびＳｍ2
Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の結晶の存在が確認された。
Ｊｃ値が 1.0×１０4 A/cm2 、最大磁化が400Gaussであ
った。また、得られたバルク体を粉砕し、その粉体をＸ
線分析したところ、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 およびＳｍ2
Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の結晶の存在が確認された。
【００２３】
【実施例４】本発明の酸化物超電導体の製造法のさらに
別の実施例を以下に示す。
別の実施例を以下に示す。
【００２４】本実施例では、原料混合粉の焼結体を粉砕
して得た粉末に、平均粒径１μｍのＹ2 Ｏ3 粉末の他、
共沈法で得た平均粒径 0.5μｍ以下のＳｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ
1 Ｏ5 を、Ｙに対して40%molの割合で混合したこと以外
は実施例２と同様にしてＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相を主
相とする酸化物超電導バルク体を得た。
して得た粉末に、平均粒径１μｍのＹ2 Ｏ3 粉末の他、
共沈法で得た平均粒径 0.5μｍ以下のＳｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ
1 Ｏ5 を、Ｙに対して40%molの割合で混合したこと以外
は実施例２と同様にしてＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 相を主
相とする酸化物超電導バルク体を得た。
【００２５】得られたバルク体の特性を調べたところ、
Ｊｃ値が 2.0×１０4 A/cm2 、最大磁化が570Gaussであ
った。また、得られたバルク体を粉砕し、その粉体をＸ
線分析したところ、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 およびＳｍ2
Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の結晶の存在が確認された。
Ｊｃ値が 2.0×１０4 A/cm2 、最大磁化が570Gaussであ
った。また、得られたバルク体を粉砕し、その粉体をＸ
線分析したところ、Ｙ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 およびＳｍ2
Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5 の結晶の存在が確認された。
【００２６】
【比較例】本発明の比較例として、従来の製造法により
酸化物超電導体を製造し、その特性を調べた。
酸化物超電導体を製造し、その特性を調べた。
【００２７】原料粉末に対し、Ｓｍ2 Ｂａ1 Ｃｕ1 Ｏ5
粉末を混合しないこと以外は実施例１と同様にしてＹ1
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x を主相とする酸化物超電導バルク体
を得た。得られたバルク体の特性を調べたところ、Ｊｃ
値が7.5×１０3 A/cm2 、最大磁化が300Gaussと本発明
法と比較して著しく低い値を示した。
粉末を混合しないこと以外は実施例１と同様にしてＹ1
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x を主相とする酸化物超電導バルク体
を得た。得られたバルク体の特性を調べたところ、Ｊｃ
値が7.5×１０3 A/cm2 、最大磁化が300Gaussと本発明
法と比較して著しく低い値を示した。
【００２８】
【発明の効果】本発明の開発により、従来法により製造
された酸化物超電導体と比較して、臨界電流密度および
磁化の大きさが著しく向上した酸化物超電導体が製造で
きるようになった。
された酸化物超電導体と比較して、臨界電流密度および
磁化の大きさが著しく向上した酸化物超電導体が製造で
きるようになった。
Claims (3)
- 【請求項１】 組成式Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７―Ｘで表さ
れる結晶性物質相を主相とする酸化物超電導体の製造法
であって、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７―Ｘの原料粉と予め別
個に作製したＳｍ ２ Ｂａ １ Ｃｕ １ Ｏ ５ の微結晶粉とを所
定比率で混合し、この混合粉を成型したものを焼成する
ことによりＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５相、Ｓｍ２Ｂａ１Ｃｕ
１Ｏ５相および液相の共存状態を形成し、さらに、所定
温度から徐冷することによりＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５相と
液相とを選択的に包晶反応させ、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ
７―Ｘ結晶性物質相中にＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５およびＳ
ｍ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ５の微細分散相を残存させた酸化物
超電導バルク体を形成することを特徴とする酸化物超電
導体の製造法。 - 【請求項２】 組成式Ｙ １ Ｂａ ２ Ｃｕ ３ Ｏ ７―Ｘ で表さ
れる結晶性物質相を主相とする酸化物超電導体の製造法
であって、Ｙ １ Ｂａ ２ Ｃｕ ３ Ｏ ７―Ｘ の原料粉と予め別
個に作製したＳｍ ２ Ｂａ １ Ｃｕ １ Ｏ ５ の微結晶粉とを所
定比率で混合し、この混合粉を成型したものを１１００
℃で焼成することによりＹ ２ Ｂａ １ Ｃｕ １ Ｏ ５ 相、Ｓｍ
２ Ｂａ １ Ｃｕ １ Ｏ ５ 相および液相の共存状態を形成し、
さらに、１０００℃から徐冷することによりＹ ２ Ｂａ １
Ｃｕ １ Ｏ ５ 相と液相とを選択的に包晶反応させ、Ｙ １ Ｂ
ａ ２ Ｃｕ ３ Ｏ ７―Ｘ 結晶性物質相中にＹ ２ Ｂａ １ Ｃｕ １
Ｏ ５ およびＳｍ ２ Ｂａ １ Ｃｕ １ Ｏ ５ の微細分散相を残存
させた酸化物超電導バルク体を形成することを特徴とす
る酸化物超電導体の製造法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の酸化物超電導
体の製造法において、予め別個に作製したＳｍ ２ Ｂａ １
Ｃｕ １ Ｏ ５ の微結晶粉の平均粒径が５μｍ以下であるこ
とを特徴とする酸化物超電導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09272491A JP3157183B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 酸化物超電導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09272491A JP3157183B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 酸化物超電導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305014A JPH04305014A (ja) | 1992-10-28 |
| JP3157183B2 true JP3157183B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=14062396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09272491A Expired - Fee Related JP3157183B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 酸化物超電導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3157183B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013014487A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Miyagawa Kasei Ind Co Ltd | 導電性セラミックスの製造方法 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP09272491A patent/JP3157183B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04305014A (ja) | 1992-10-28 |
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