JP3156763B2 - 冷陰極搭載電子管の電極電圧印加方法および装置 - Google Patents
冷陰極搭載電子管の電極電圧印加方法および装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子管装置に関し、
特にアレイ化された複数のエミッタを備える冷陰極を電
子源に用いた電子銃部を備える冷陰極搭載電子管の電極
加圧方法および装置に関する。
特にアレイ化された複数のエミッタを備える冷陰極を電
子源に用いた電子銃部を備える冷陰極搭載電子管の電極
加圧方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】冷陰極を電子源とする電子管において、
その冷陰極の劣化の原因として、正イオンの冷陰極への
衝突がある。この正イオンは、コレクタ電極や加速電極
等のエミッタよりも電位の高い電極または電子管内の残
留ガスにビームが衝突する際に発生する。発生した正イ
オンは、電位の低い方向に進行しようとするため、冷陰
極へ向けて進行するものもある。この正イオンが冷陰極
エミッタへ衝突すると、エミッタ形状が変形する。冷陰
極におけるビーム電流の変化はエミッタの形状の変形に
対して感度が高い。このため、正イオンの衝突による特
性の劣化は、熱陰極と比較すると、冷陰極の方が著しく
大きい。このため、冷陰極を電子源とする電子管におい
ては、正イオンが冷陰極に衝突すると特性の劣化が急速
に進行する。
その冷陰極の劣化の原因として、正イオンの冷陰極への
衝突がある。この正イオンは、コレクタ電極や加速電極
等のエミッタよりも電位の高い電極または電子管内の残
留ガスにビームが衝突する際に発生する。発生した正イ
オンは、電位の低い方向に進行しようとするため、冷陰
極へ向けて進行するものもある。この正イオンが冷陰極
エミッタへ衝突すると、エミッタ形状が変形する。冷陰
極におけるビーム電流の変化はエミッタの形状の変形に
対して感度が高い。このため、正イオンの衝突による特
性の劣化は、熱陰極と比較すると、冷陰極の方が著しく
大きい。このため、冷陰極を電子源とする電子管におい
ては、正イオンが冷陰極に衝突すると特性の劣化が急速
に進行する。
【０００３】従来、冷陰極の特性劣化を防止するため、
この種の冷陰極搭載電子管では、例えば特開平９−６３
４８９号公報に示されるように、コレクタ電極側で発生
した正イオンが冷陰極に衝突し冷陰極が劣化することを
防止するような機構を装備している。
この種の冷陰極搭載電子管では、例えば特開平９−６３
４８９号公報に示されるように、コレクタ電極側で発生
した正イオンが冷陰極に衝突し冷陰極が劣化することを
防止するような機構を装備している。
【０００４】図６（ａ）および（ｂ）は、特開平９−６
３４８９で示された冷陰極搭載電子管の構成の一例を示
している。電子ビームｅを放出する冷陰極１１のまわり
にウェネルト電極１２が配置され、さらに加速電極１
３、イオントラップ電極１４、および電子ビームを捕捉
するコレクタ電極１５が配置されている。冷陰極１１
は、その一部を拡大して図６（ｂ）に示すように、例え
ばシリコン基板２１の表面部に多数の針状エミッタ２２
が規則的に配列され、その先端の近くの前方に各エミッ
タに対応するゲート孔２３を有するゲート電極２４が配
置されている。ゲート電極２４は、金属薄膜からなり基
板上に絶縁層２５を介して配置されている。この電子管
の動作に際して、各電極には図示のように冷陰極１１に
対しゲート電極２４に零乃至±数Ｖの範囲の制御電圧が
ゲート電源３１から与えられる。また、ウェネルト電極
１２には負の数百Ｖの電圧がウェネルト電極３２から与
えられ、加速電極１３には電源３３から正の数ｋＶの加
速電圧が印加される。さらに、イオントラップ電極１４
にはコレクタ電極１５に対して負の数百Ｖの電圧が、電
源３５から与えられる。
３４８９で示された冷陰極搭載電子管の構成の一例を示
している。電子ビームｅを放出する冷陰極１１のまわり
にウェネルト電極１２が配置され、さらに加速電極１
３、イオントラップ電極１４、および電子ビームを捕捉
するコレクタ電極１５が配置されている。冷陰極１１
は、その一部を拡大して図６（ｂ）に示すように、例え
ばシリコン基板２１の表面部に多数の針状エミッタ２２
が規則的に配列され、その先端の近くの前方に各エミッ
タに対応するゲート孔２３を有するゲート電極２４が配
置されている。ゲート電極２４は、金属薄膜からなり基
板上に絶縁層２５を介して配置されている。この電子管
の動作に際して、各電極には図示のように冷陰極１１に
対しゲート電極２４に零乃至±数Ｖの範囲の制御電圧が
ゲート電源３１から与えられる。また、ウェネルト電極
１２には負の数百Ｖの電圧がウェネルト電極３２から与
えられ、加速電極１３には電源３３から正の数ｋＶの加
速電圧が印加される。さらに、イオントラップ電極１４
にはコレクタ電極１５に対して負の数百Ｖの電圧が、電
源３５から与えられる。
【０００５】次に、動作を説明する。ゲート電極２４を
適当な電位に制御することにより、各エミッタ２２の先
端から電子が放出され、対応する各ゲート孔２３を通っ
て加速電極１３による加速電位でコレクタ電極１５方向
に放射される。この時、コレクタ電極１５内で発生する
正イオンは電位の低い陰極方向（イオントラップ電極１
４方向）に進行しようとする。しかし、加速電極１３電
位が十分高く正イオンは加速電極電位により跳ね返され
イオントラップ電極１４に捕集される。よって正イオン
は陰極１１にほとんど到達しない。このため、冷陰極の
劣化が防止できる。
適当な電位に制御することにより、各エミッタ２２の先
端から電子が放出され、対応する各ゲート孔２３を通っ
て加速電極１３による加速電位でコレクタ電極１５方向
に放射される。この時、コレクタ電極１５内で発生する
正イオンは電位の低い陰極方向（イオントラップ電極１
４方向）に進行しようとする。しかし、加速電極１３電
位が十分高く正イオンは加速電極電位により跳ね返され
イオントラップ電極１４に捕集される。よって正イオン
は陰極１１にほとんど到達しない。このため、冷陰極の
劣化が防止できる。
【０００６】また、特開平７−１９２６３８号公報で
は、進行波管装置において、遅波回路部またはコレクタ
電極側で発生する正イオンが陰極に衝突し、陰極を劣化
させることを防止するような条件が示されている。
は、進行波管装置において、遅波回路部またはコレクタ
電極側で発生する正イオンが陰極に衝突し、陰極を劣化
させることを防止するような条件が示されている。
【０００７】図７は、特開平７−１９２６３８号公報で
示される進行波管の構成の一例を示している。進行波管
は電子ビームとマイクロ波との相互作用を利用してマイ
クロ波を増幅する電子管であり、電子銃部とコレクタ電
極間に電子ビームとマイクロ波を相互作用させる遅波回
路部２を有している。その中で電子銃部は、陰極１０、
ウェネルト電極１２、加速電極１３、およびイオンバリ
ア電極１６を備えている。この時、ビーム電流をＩｏ
（Ａ）、ビーム半径をｒｏ（ｍ）、イオンバリア電極１
６の内径をｒib（ｍ）、遅波回路部２の電位をＶｏ
（Ｖ）とした時に、
示される進行波管の構成の一例を示している。進行波管
は電子ビームとマイクロ波との相互作用を利用してマイ
クロ波を増幅する電子管であり、電子銃部とコレクタ電
極間に電子ビームとマイクロ波を相互作用させる遅波回
路部２を有している。その中で電子銃部は、陰極１０、
ウェネルト電極１２、加速電極１３、およびイオンバリ
ア電極１６を備えている。この時、ビーム電流をＩｏ
（Ａ）、ビーム半径をｒｏ（ｍ）、イオンバリア電極１
６の内径をｒib（ｍ）、遅波回路部２の電位をＶｏ
（Ｖ）とした時に、
【０００８】
【数１】 の関係を満たすように、イオンバリア電極１６の内径ｒ
ibとイオンバリア電極１６の電位Ｖibが設定されてい
る。
ibとイオンバリア電極１６の電位Ｖibが設定されてい
る。
【０００９】この発明によれば、イオンバリア電極が常
に遅波回路部またはコレクタ電極側で発生する正イオン
を防ぐバリアを形成し、イオンの陰極への到達を防ぐこ
とができる。該特許では冷陰極に言及していないが、冷
陰極搭載進行波管にも適応可能である。
に遅波回路部またはコレクタ電極側で発生する正イオン
を防ぐバリアを形成し、イオンの陰極への到達を防ぐこ
とができる。該特許では冷陰極に言及していないが、冷
陰極搭載進行波管にも適応可能である。
【００１０】このように、コレクタ電極または遅波回路
部等、電子銃部以外で発生する正イオンが陰極に衝突す
ることにより陰極の特性が劣化することを防止するよう
な機構が提案されている。
部等、電子銃部以外で発生する正イオンが陰極に衝突す
ることにより陰極の特性が劣化することを防止するよう
な機構が提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】熱陰極を電子源とした
電子銃では、電子銃から得られるエミッション最大電流
量はLangmuir-Child則に従い決定される。つまり、Lang
muir-Child則では、エミッション最大電流量は、電子銃
構造により一義的に決定される係数（以下、パービアン
スと称す）と加速電極電圧の３／２乗の積により決定さ
れる。
電子銃では、電子銃から得られるエミッション最大電流
量はLangmuir-Child則に従い決定される。つまり、Lang
muir-Child則では、エミッション最大電流量は、電子銃
構造により一義的に決定される係数（以下、パービアン
スと称す）と加速電極電圧の３／２乗の積により決定さ
れる。
【００１２】一方、冷陰極を電子源とする電子銃では、
冷陰極のゲート電極印加電圧によりエミッション量が一
義的に決定され、上記Langmuir-Child則を満足しない。
そのため、冷陰極を電子源とした場合、電子銃の構造に
より決定する電子銃パービアンスと加速電極電圧の３／
２乗の積を越えるビーム電流を陰極から取り出すことが
できる。
冷陰極のゲート電極印加電圧によりエミッション量が一
義的に決定され、上記Langmuir-Child則を満足しない。
そのため、冷陰極を電子源とした場合、電子銃の構造に
より決定する電子銃パービアンスと加速電極電圧の３／
２乗の積を越えるビーム電流を陰極から取り出すことが
できる。
【００１３】問題点は、ビーム電流が電子銃のパービア
ンスと加速電極電圧の３／２乗の積で示される空間電荷
制限領域での動作条件を越えた動作条件で陰極から電子
を出した場合、電子銃構造で許容される電荷量以上の電
荷量が陰極近傍の空間に存在することにある。特に、２
つ以上のエミッタより形成されるアレイ化した冷陰極で
は、隣接するエミッタから放出される電子同士が影響し
あう領域において、電子密度が密となる領域が形成され
る。つまり、単一エミッタからなる冷陰極では、エミッ
タ表面の極近傍で形成される空間電荷制限のみを受け
る。このエミッタ表面近傍での空間電荷制限を乗り越え
た電子は電子レンズ系の制御を受け飛翔する。一方、大
電流量が得られる複数のエミッタによりアレイ化された
冷陰極では、該エミッタ表面近傍での空間電荷制限を乗
り越えてきた電子は、次に隣接するエミッタから放出さ
れた電子による空間電荷制限を受け、横方向の発散に関
し制限を受ける。よって、電子ビーム全体を考えた場
合、陰極表面の隣接するエミッタから放出される電子同
士が影響しあう領域において電荷が蓄積し、この過大な
電荷により形成される電場の影響でビーム透過が急激に
劣化、つまり電子ビームが発散することとなる。このと
き電子の運動エネルギーは、熱陰極の場合が殆ど０ｅＶ
であるのに対し、冷陰極の場合はゲート電極印加電圧で
加速しているため数十ｅＶ程度となる。故に冷陰極搭載
電子銃では、特に運動エネルギーの低い電子が陰極近傍
に形成された電界により散乱される。この発散した電子
ビームの一部は制御できず、加速電極や、進行波管では
その先のヘリックスに衝突する。加速電極等に電子が衝
突すると、加速電極から正イオンやガスが発生する。加
速電極から発生するガスにビームが当たることにより正
イオンが発生する。これら正イオンは冷陰極に衝突し、
エミッタ形状の変形を誘発する。よって冷陰極のエミッ
ション特性が劣化してしまうという欠点を有している。
ンスと加速電極電圧の３／２乗の積で示される空間電荷
制限領域での動作条件を越えた動作条件で陰極から電子
を出した場合、電子銃構造で許容される電荷量以上の電
荷量が陰極近傍の空間に存在することにある。特に、２
つ以上のエミッタより形成されるアレイ化した冷陰極で
は、隣接するエミッタから放出される電子同士が影響し
あう領域において、電子密度が密となる領域が形成され
る。つまり、単一エミッタからなる冷陰極では、エミッ
タ表面の極近傍で形成される空間電荷制限のみを受け
る。このエミッタ表面近傍での空間電荷制限を乗り越え
た電子は電子レンズ系の制御を受け飛翔する。一方、大
電流量が得られる複数のエミッタによりアレイ化された
冷陰極では、該エミッタ表面近傍での空間電荷制限を乗
り越えてきた電子は、次に隣接するエミッタから放出さ
れた電子による空間電荷制限を受け、横方向の発散に関
し制限を受ける。よって、電子ビーム全体を考えた場
合、陰極表面の隣接するエミッタから放出される電子同
士が影響しあう領域において電荷が蓄積し、この過大な
電荷により形成される電場の影響でビーム透過が急激に
劣化、つまり電子ビームが発散することとなる。このと
き電子の運動エネルギーは、熱陰極の場合が殆ど０ｅＶ
であるのに対し、冷陰極の場合はゲート電極印加電圧で
加速しているため数十ｅＶ程度となる。故に冷陰極搭載
電子銃では、特に運動エネルギーの低い電子が陰極近傍
に形成された電界により散乱される。この発散した電子
ビームの一部は制御できず、加速電極や、進行波管では
その先のヘリックスに衝突する。加速電極等に電子が衝
突すると、加速電極から正イオンやガスが発生する。加
速電極から発生するガスにビームが当たることにより正
イオンが発生する。これら正イオンは冷陰極に衝突し、
エミッタ形状の変形を誘発する。よって冷陰極のエミッ
ション特性が劣化してしまうという欠点を有している。
【００１４】従来の技術では、イオンバリア電極等を具
備することによりコレクタで発生する正イオンが陰極に
衝突することを防止する手法はあった。しかし、ビーム
電流量と加速電極電圧との関係に明確な制限がなく、よ
って陰極・加速電極間での正イオン発生を防止する手法
がないため、常に安定した動作を実現する設計手法がな
かった。
備することによりコレクタで発生する正イオンが陰極に
衝突することを防止する手法はあった。しかし、ビーム
電流量と加速電極電圧との関係に明確な制限がなく、よ
って陰極・加速電極間での正イオン発生を防止する手法
がないため、常に安定した動作を実現する設計手法がな
かった。
【００１５】本発明の目的は、正イオンが衝突すること
による冷陰極の劣化を防止した冷陰極搭載電子管装置を
提供することである。
による冷陰極の劣化を防止した冷陰極搭載電子管装置を
提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の冷陰極搭載電子
管の電極電圧印加方法は、アレイ化された複数のエミッ
タを備える冷陰極を電子源に用いた電子銃部を備える冷
陰極搭載電子管の電極電圧印加方法において、加速電極
の印加電圧をＶａ、前記電子銃部の形状により決定され
る電子銃のパービアンスをＰμ、および電子銃のビーム
電流をＩｂとするとき、 Ｉｂ ＜ Ｐμ × Ｖａ＾3/2 を満足するようにＶａを設定する段階を有し、電子ビー
ムが空間電荷制限により発散されることなく、電子ビー
ムが加速電極等に衝突することにより発生するガスや正
イオンを防ぐことができる。
管の電極電圧印加方法は、アレイ化された複数のエミッ
タを備える冷陰極を電子源に用いた電子銃部を備える冷
陰極搭載電子管の電極電圧印加方法において、加速電極
の印加電圧をＶａ、前記電子銃部の形状により決定され
る電子銃のパービアンスをＰμ、および電子銃のビーム
電流をＩｂとするとき、 Ｉｂ ＜ Ｐμ × Ｖａ＾3/2 を満足するようにＶａを設定する段階を有し、電子ビー
ムが空間電荷制限により発散されることなく、電子ビー
ムが加速電極等に衝突することにより発生するガスや正
イオンを防ぐことができる。
【００１７】また、ゲート電極電位とウェネルト電極電
位との差を一定に保つように制御する段階をさらに有す
ることが望ましい。
位との差を一定に保つように制御する段階をさらに有す
ることが望ましい。
【００１８】本発明の他の冷陰極搭載電子管の電極電圧
印加方法は、動作中、立ち上げ時、立ち下げ時、異常動
作時いかなる場合においても、前記電子管内の各電極の
中で最も高い電位を加速電極あるいは加速電極に隣接し
た電極に印加し、かつ立ち上げ時にはゲート電圧を最後
に印加し、立ち下げ時にはゲート電圧を最初に切断する
段階を有し、電子管動作電源停止時を含む常時におい
て、加速電極電位あるいは加速電極に隣接した電極の電
位が最も高い電位であるため、ヘリックス、コレクタ内
で発生した正イオンはこれらの電極電位により跳ね返さ
れ冷陰極への衝突を阻止される。
印加方法は、動作中、立ち上げ時、立ち下げ時、異常動
作時いかなる場合においても、前記電子管内の各電極の
中で最も高い電位を加速電極あるいは加速電極に隣接し
た電極に印加し、かつ立ち上げ時にはゲート電圧を最後
に印加し、立ち下げ時にはゲート電圧を最初に切断する
段階を有し、電子管動作電源停止時を含む常時におい
て、加速電極電位あるいは加速電極に隣接した電極の電
位が最も高い電位であるため、ヘリックス、コレクタ内
で発生した正イオンはこれらの電極電位により跳ね返さ
れ冷陰極への衝突を阻止される。
【００１９】本発明の冷陰極搭載電子管装置は、アレイ
化された複数のエミッタを備える冷陰極を電子源に用い
た電子銃部を有する冷陰極搭載電子管装置において、前
記電子銃部の形状により決定される電子銃のパービアン
スＰμと加速電圧Ｖａとビーム電流Ｉｂとの関係が、 Ｉｂ ＜ Ｐμ × Ｖａ＾3/2 を満足するように設定され、電子ビームが空間電荷制限
により発散されることなく、電子ビームが加速電極等に
衝突することにより発生するガスや正イオンを防ぐこと
ができる。
化された複数のエミッタを備える冷陰極を電子源に用い
た電子銃部を有する冷陰極搭載電子管装置において、前
記電子銃部の形状により決定される電子銃のパービアン
スＰμと加速電圧Ｖａとビーム電流Ｉｂとの関係が、 Ｉｂ ＜ Ｐμ × Ｖａ＾3/2 を満足するように設定され、電子ビームが空間電荷制限
により発散されることなく、電子ビームが加速電極等に
衝突することにより発生するガスや正イオンを防ぐこと
ができる。
【００２０】また、ゲート電極電位とウェネルト電極電
位との差が一定に保つように制御されたことが望まし
い。
位との差が一定に保つように制御されたことが望まし
い。
【００２１】本発明の他の冷陰極搭載電子管装置は、冷
陰極搭載電子管装置において、動作中、立ち上げ時、立
ち下げ時、異常動作時を含むいかなる場合においても、
電子管内の各電極の中で最も高い電位が加速電極あるい
は加速電極に隣接した電極に印加されており、かつ、立
ち上げ時にはゲート電圧が最後に印加され、立ち下げ時
にはゲート電圧が最初に切断される。
陰極搭載電子管装置において、動作中、立ち上げ時、立
ち下げ時、異常動作時を含むいかなる場合においても、
電子管内の各電極の中で最も高い電位が加速電極あるい
は加速電極に隣接した電極に印加されており、かつ、立
ち上げ時にはゲート電圧が最後に印加され、立ち下げ時
にはゲート電圧が最初に切断される。
【００２２】加速電極電位あるいは加速電極に隣接した
電極が最も高い電位であるため、ヘリックス、コレクタ
内で発生した正イオンはこれらの電極電位により跳ね返
され冷陰極への衝突を阻止される。
電極が最も高い電位であるため、ヘリックス、コレクタ
内で発生した正イオンはこれらの電極電位により跳ね返
され冷陰極への衝突を阻止される。
【００２３】また、最も高い電位が印加される電極に接
続される電源装置は他の電極に接続される電源に比べて
電源停止時の電圧降下時定数が大きいことが望ましい。
続される電源装置は他の電極に接続される電源に比べて
電源停止時の電圧降下時定数が大きいことが望ましい。
【００２４】さらに、前記最も高い電位が印加される電
極に接続される電源装置はＤＣ電源とコンデンサとから
構成され、該ＤＣ電源と該コンデンサは並列に接続され
ているものを含む。
極に接続される電源装置はＤＣ電源とコンデンサとから
構成され、該ＤＣ電源と該コンデンサは並列に接続され
ているものを含む。
【００２５】あるいは、最も高い電位が印加される電極
に接続される電源装置はＤＣ電源とコイルとから構成さ
れ、該コイルは前記ＤＣ電源の陽極出力側に直列に接続
されているものであってもよい。
に接続される電源装置はＤＣ電源とコイルとから構成さ
れ、該コイルは前記ＤＣ電源の陽極出力側に直列に接続
されているものであってもよい。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２７】図１は本発明の冷陰極搭載電子管の第１実
施形態の縦断面図である。
施形態の縦断面図である。
【００２８】この冷陰極搭載電子管装置において、電子
管は、電子銃部１およびコレクタ電極１５から構成され
ている。このうち、電子銃部１は冷陰極１１、ゲート電
極２４、ウェネルト電極１２、加速電極１３およびイオ
ントラップ電極１４が同軸上に所定の間隔で装備されて
いる。ここで、ビーム電流量をＩｂ（Ａ）、加速電圧を
Ｖａ（Ｖ）、電子銃のパービアンスをＰμとすると、 Ｉｂ ＜ Ｐμ × Ｖａ＾3/2 ……式１ の関係を満たすように、電源４２によりビーム電流量Ｉ
ｂが、また、電源４３により加速電圧Ｖａが設定されて
いる。
管は、電子銃部１およびコレクタ電極１５から構成され
ている。このうち、電子銃部１は冷陰極１１、ゲート電
極２４、ウェネルト電極１２、加速電極１３およびイオ
ントラップ電極１４が同軸上に所定の間隔で装備されて
いる。ここで、ビーム電流量をＩｂ（Ａ）、加速電圧を
Ｖａ（Ｖ）、電子銃のパービアンスをＰμとすると、 Ｉｂ ＜ Ｐμ × Ｖａ＾3/2 ……式１ の関係を満たすように、電源４２によりビーム電流量Ｉ
ｂが、また、電源４３により加速電圧Ｖａが設定されて
いる。
【００２９】次に、この実施の形態の動作について、図
１を参照して説明する。
１を参照して説明する。
【００３０】冷陰極搭載電子管では、ゲート電極２４に
適当な電圧を印加することにより、ゲート電極２４電圧
で決まる電流量の電子が冷陰極１１から放出され、加速
電極１３により電子が加速され、電圧４１により加圧さ
れているコレクタ電極１５に放射される。このとき、ビ
ーム電流量が電子銃のパービアンスと加速電圧の３／２
乗の積を越えて冷陰極１１から放出されると、空間電荷
効果によりビームが強く発散させられ、加速電極１３に
ビームが衝突する。そのため、加速電極１３からガスが
脱離し、このガスによりビームが衝突し正イオンが発
生、または加速電極１３から直接正イオンが発生する。
これら冷陰極と加速電極の間で発生する正イオンは電位
の低い冷陰極方向へ進行する。そして、正イオンが冷陰
極１１に衝突すると冷陰極の劣化が起こる。この実施形
態では、ビーム電流が電子銃のパービアンスと加速電極
電圧の３／２乗の積より少ないので、空間電荷効果によ
りビームが発散させられてもビームの発散は制御可能で
あり、加速電極１３にはビームがほとんど衝突しない。
このため、冷陰極と加速電極間では正イオンはほとんど
発生せず、冷陰極特性の劣化は見られない。
適当な電圧を印加することにより、ゲート電極２４電圧
で決まる電流量の電子が冷陰極１１から放出され、加速
電極１３により電子が加速され、電圧４１により加圧さ
れているコレクタ電極１５に放射される。このとき、ビ
ーム電流量が電子銃のパービアンスと加速電圧の３／２
乗の積を越えて冷陰極１１から放出されると、空間電荷
効果によりビームが強く発散させられ、加速電極１３に
ビームが衝突する。そのため、加速電極１３からガスが
脱離し、このガスによりビームが衝突し正イオンが発
生、または加速電極１３から直接正イオンが発生する。
これら冷陰極と加速電極の間で発生する正イオンは電位
の低い冷陰極方向へ進行する。そして、正イオンが冷陰
極１１に衝突すると冷陰極の劣化が起こる。この実施形
態では、ビーム電流が電子銃のパービアンスと加速電極
電圧の３／２乗の積より少ないので、空間電荷効果によ
りビームが発散させられてもビームの発散は制御可能で
あり、加速電極１３にはビームがほとんど衝突しない。
このため、冷陰極と加速電極間では正イオンはほとんど
発生せず、冷陰極特性の劣化は見られない。
【００３１】図２は本発明の冷陰極搭載電子管装置の第
２実施形態の縦断面図である。
２実施形態の縦断面図である。
【００３２】この冷陰極搭載電子管は進行波管であっ
て、以下の図面において、進行波管外周器の一部並びに
このヘリックス２０周辺の外周器の外側に具備する磁石
を省略している。
て、以下の図面において、進行波管外周器の一部並びに
このヘリックス２０周辺の外周器の外側に具備する磁石
を省略している。
【００３３】この冷陰極搭載電子管では、電子銃部１と
コレクタ１５の間に遅波回路部２が配置されている。電
源４２でゲート電極２４に数十〜数百十（Ｖ）の電圧を
印加することでビーム電流を制御し、ウェネルト電極１
２にはゲートと同電位、またはゲートより低くエミッタ
より高い電位となるよう電圧を印加し、ビームの発散を
制御する。遅波回路部２のヘリックス２０には電源４１
で数ｋＶの電圧が印加され、コレクタ電極１５にはヘリ
ックス２０と同電位または電源４５でヘリックス電圧に
対し負の電圧を印加する。イオントラップ電極１４には
ヘリックス２０側から電子銃１へ向けて進行する正イオ
ンを捕らえるため、ヘリックス電圧およびコレクタ電極
電圧より低い電圧が電源４１で印加され、加速電極１３
には式１を満たす電圧が電源４３で印加される。
コレクタ１５の間に遅波回路部２が配置されている。電
源４２でゲート電極２４に数十〜数百十（Ｖ）の電圧を
印加することでビーム電流を制御し、ウェネルト電極１
２にはゲートと同電位、またはゲートより低くエミッタ
より高い電位となるよう電圧を印加し、ビームの発散を
制御する。遅波回路部２のヘリックス２０には電源４１
で数ｋＶの電圧が印加され、コレクタ電極１５にはヘリ
ックス２０と同電位または電源４５でヘリックス電圧に
対し負の電圧を印加する。イオントラップ電極１４には
ヘリックス２０側から電子銃１へ向けて進行する正イオ
ンを捕らえるため、ヘリックス電圧およびコレクタ電極
電圧より低い電圧が電源４１で印加され、加速電極１３
には式１を満たす電圧が電源４３で印加される。
【００３４】式１を満たす電圧印加条件により、冷陰極
１１より放出された電子は、加速電極１３およびイオン
トラップ電極１４に当たることなくヘリックス２０内を
通過しコレクタ電極１５へ到達する。電子は加速電極１
３、イオントラップ電極１４およびヘリックス２０に当
たらないため、冷陰極１１には正イオンによる衝撃損傷
が発生せず安定な動作が可能となる。
１１より放出された電子は、加速電極１３およびイオン
トラップ電極１４に当たることなくヘリックス２０内を
通過しコレクタ電極１５へ到達する。電子は加速電極１
３、イオントラップ電極１４およびヘリックス２０に当
たらないため、冷陰極１１には正イオンによる衝撃損傷
が発生せず安定な動作が可能となる。
【００３５】図３は本発明の冷陰極搭載電子管装置の第
３実施形態の縦断面図である。
３実施形態の縦断面図である。
【００３６】この実施形態の冷陰極搭載電子管も進行波
管であって、図２の場合と同様に、加速電極１３には式
１を満たす電圧が電源４３で印加されているので、冷陰
極１１には正イオンによる衝撃損傷が発生しないように
なっているが、さらに、進行波管を安定に動作させるた
めには、冷陰極１１から放射されるエミッション電流の
経時変化を抑制する必要がある。エミッション量の制御
はゲート２４電圧制御により実現される。ウェネルト電
極１２に印加する電圧（以下、ウェネルト電圧と称
す。）一定でゲート電圧が変化（特に、増加）した場
合、加速電極１３に電子が衝突する場合がある。故に常
に加速電極１３に電子が当たらない安定操作を実現する
為には、制御されたゲート電圧と連動しウェネルト電圧
を制御する必要がある。
管であって、図２の場合と同様に、加速電極１３には式
１を満たす電圧が電源４３で印加されているので、冷陰
極１１には正イオンによる衝撃損傷が発生しないように
なっているが、さらに、進行波管を安定に動作させるた
めには、冷陰極１１から放射されるエミッション電流の
経時変化を抑制する必要がある。エミッション量の制御
はゲート２４電圧制御により実現される。ウェネルト電
極１２に印加する電圧（以下、ウェネルト電圧と称
す。）一定でゲート電圧が変化（特に、増加）した場
合、加速電極１３に電子が衝突する場合がある。故に常
に加速電極１３に電子が当たらない安定操作を実現する
為には、制御されたゲート電圧と連動しウェネルト電圧
を制御する必要がある。
【００３７】この実施形態の冷陰極搭載進行波管では、
ウェネルト電極１２電位が、電源４６によりゲート電極
２４電位とウェネルト電極１２電位が一定の電位差を保
ちながら、自動的に変化するように制御された電源４２
を具備する。
ウェネルト電極１２電位が、電源４６によりゲート電極
２４電位とウェネルト電極１２電位が一定の電位差を保
ちながら、自動的に変化するように制御された電源４２
を具備する。
【００３８】これにより、加速電極への電子ビームの衝
突を最小限に押さえ素子特性劣化をさらに抑制する効果
がある。
突を最小限に押さえ素子特性劣化をさらに抑制する効果
がある。
【００３９】図４（ａ）は本発明の冷陰極搭載電子管装
置の第４実施形態の縦断面図、同図（ｂ）は（ａ）の電
源装置４７の回路構成図、同図（ｃ）は（ａ）の電源装
置４７の他の回路構成図である。
置の第４実施形態の縦断面図、同図（ｂ）は（ａ）の電
源装置４７の回路構成図、同図（ｃ）は（ａ）の電源装
置４７の他の回路構成図である。
【００４０】この実施形態も冷陰極搭載進行波管であっ
て、図２の電子管装置と異なる点は電源４３に代って電
源装置４７が用いられ、加速電極１３への電圧供給は、
電源装置４７により、ヘリックス２０を基準として正に
電圧を印加する。冷陰極１１、イオントラップ電極１
４、コレクタ電極１５には、それぞれ電源４１，４４，
４５により、ヘリックス２０を基準として負に電圧を印
加する。また、ゲート電極２４への電圧供給は、電源４
２により、環球動作立ち上げ時には最後に印加し、立ち
下げ時及び緊急停止時には最初に切断するようになって
いる。
て、図２の電子管装置と異なる点は電源４３に代って電
源装置４７が用いられ、加速電極１３への電圧供給は、
電源装置４７により、ヘリックス２０を基準として正に
電圧を印加する。冷陰極１１、イオントラップ電極１
４、コレクタ電極１５には、それぞれ電源４１，４４，
４５により、ヘリックス２０を基準として負に電圧を印
加する。また、ゲート電極２４への電圧供給は、電源４
２により、環球動作立ち上げ時には最後に印加し、立ち
下げ時及び緊急停止時には最初に切断するようになって
いる。
【００４１】電源装置４７の立ち上げ時の電圧低下時定
数は、電源４１、４４および４５の時定数と比べ大きく
なっている。電源装置４７の構成は、図４（ｂ）に示す
ように電源４１，４４および４５と同等の電圧降下時定
数を有するＤＣ電源４８と並列に接続されたコンデンサ
４９により実現できる。あるいは図４（ｃ）に示すよう
に、電源４１，４４および４５と同等の電圧降下時定数
を有するＤＣ電源４８と同電源４８の陽極側に直列に接
続されたコイル５０により構成しても実現できる。ま
た、電源装置４７の構成には、コンデンサ４９とコイル
５０の両方を用いることもできる。電源装置４７を用い
ることで立ち上げ時および緊急停止時において加速電極
１３の電位を他の電極に比して最も高い状態に保つこと
ができる。
数は、電源４１、４４および４５の時定数と比べ大きく
なっている。電源装置４７の構成は、図４（ｂ）に示す
ように電源４１，４４および４５と同等の電圧降下時定
数を有するＤＣ電源４８と並列に接続されたコンデンサ
４９により実現できる。あるいは図４（ｃ）に示すよう
に、電源４１，４４および４５と同等の電圧降下時定数
を有するＤＣ電源４８と同電源４８の陽極側に直列に接
続されたコイル５０により構成しても実現できる。ま
た、電源装置４７の構成には、コンデンサ４９とコイル
５０の両方を用いることもできる。電源装置４７を用い
ることで立ち上げ時および緊急停止時において加速電極
１３の電位を他の電極に比して最も高い状態に保つこと
ができる。
【００４２】本実施形態による電極印加方法により、立
ち上げ、立ち下げ時および緊急停止時のビーム電流を制
御する電源４２のＯＮ／ＯＦＦは、他の電源が印加され
ている状態で行われる。そのため、正イオンの冷陰極１
１への衝突は通常動作時と同様に防止できる。また、加
速電極電圧が常に最高電位となるため、電源に異常が起
こった場合でも、ヘリックス２０およびコレクタ１５内
で発生する正イオンは電源装置４７に接続された加速電
極１３による電界により跳ね返され、陰極１１に到達し
ない。このため、冷陰極１１の劣化を最小限に防止でき
る。
ち上げ、立ち下げ時および緊急停止時のビーム電流を制
御する電源４２のＯＮ／ＯＦＦは、他の電源が印加され
ている状態で行われる。そのため、正イオンの冷陰極１
１への衝突は通常動作時と同様に防止できる。また、加
速電極電圧が常に最高電位となるため、電源に異常が起
こった場合でも、ヘリックス２０およびコレクタ１５内
で発生する正イオンは電源装置４７に接続された加速電
極１３による電界により跳ね返され、陰極１１に到達し
ない。このため、冷陰極１１の劣化を最小限に防止でき
る。
【００４３】本実施例では加速電極１３の電位が最高電
位となっているが、加速電極１３のコレクタ電極１５の
側に隣接した別の電極（不図示）があって、その電極に
最高電位が印加されている場合も、正イオンがその電界
によって跳ね返されるので冷陰極１１の劣化が防止され
る。
位となっているが、加速電極１３のコレクタ電極１５の
側に隣接した別の電極（不図示）があって、その電極に
最高電位が印加されている場合も、正イオンがその電界
によって跳ね返されるので冷陰極１１の劣化が防止され
る。
【００４４】図５（ａ）は本発明の冷陰極搭載電子管装
置の第５実施形態の縦断面図、同図（ｂ）は（ａ）の電
子銃部３の縦断面図である。図１ないし図４の電子管は
イオントラップ電極を装備していたが、この実施形態の
電子管はイオントラップ電極を装備しない例としての陰
極管（以下ＣＲＴと称する）であって、図５（ａ）では
外囲器および電子銃部以外のＣＲＴ構成部材が省略さ
れ、図５（ｂ）ではグリッド２６〜２９の支持構造物が
省略されている。
置の第５実施形態の縦断面図、同図（ｂ）は（ａ）の電
子銃部３の縦断面図である。図１ないし図４の電子管は
イオントラップ電極を装備していたが、この実施形態の
電子管はイオントラップ電極を装備しない例としての陰
極管（以下ＣＲＴと称する）であって、図５（ａ）では
外囲器および電子銃部以外のＣＲＴ構成部材が省略さ
れ、図５（ｂ）ではグリッド２６〜２９の支持構造物が
省略されている。
【００４５】本実施形態のＣＲＴでは、電子銃部３に具
備する冷陰極１１から放出される電子ビーム電流Ｉｂ
は、ゲート電極２４に印加する電圧を変化させることで
調整される。第１グリッド２６は他の実施例における加
速電極の役割を果たしており、電子ビ−ムｅは第１グリ
ッド２６、第２グリッド２７、第３グリッド２８、第４
グリッド２９を通過することで加速、集束されて蛍光面
１７方向へ放出される。
備する冷陰極１１から放出される電子ビーム電流Ｉｂ
は、ゲート電極２４に印加する電圧を変化させることで
調整される。第１グリッド２６は他の実施例における加
速電極の役割を果たしており、電子ビ−ムｅは第１グリ
ッド２６、第２グリッド２７、第３グリッド２８、第４
グリッド２９を通過することで加速、集束されて蛍光面
１７方向へ放出される。
【００４６】ここで、第１グリッド電極２６電圧をＶａ
とした時、電子銃の構造で決定する電子銃パービアンス
Ｐμとビーム電流量Ｉｂは、式１を満足するように設定
されている。
とした時、電子銃の構造で決定する電子銃パービアンス
Ｐμとビーム電流量Ｉｂは、式１を満足するように設定
されている。
【００４７】Ｖａが式１を満足するよう設定されている
ので、ビーム電流が第１グリッド電極２６に衝突するこ
とによるガスや正イオンの発生を防止し、正イオンによ
る冷陰極の劣化を防止することができる。さらに、ビー
ム電流量Ｉｂが式１を満足しないまで増加すると、陰極
１１付近の空間電荷効果が強く影響し、電子ビームｅが
強く発散する。この結果、スポット径の増大、解像度の
劣化を生じる。したがって、式１を満足するように動作
させることにより、特に輝度の高い部分における解像度
劣化を防ぐことができる。
ので、ビーム電流が第１グリッド電極２６に衝突するこ
とによるガスや正イオンの発生を防止し、正イオンによ
る冷陰極の劣化を防止することができる。さらに、ビー
ム電流量Ｉｂが式１を満足しないまで増加すると、陰極
１１付近の空間電荷効果が強く影響し、電子ビームｅが
強く発散する。この結果、スポット径の増大、解像度の
劣化を生じる。したがって、式１を満足するように動作
させることにより、特に輝度の高い部分における解像度
劣化を防ぐことができる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電子ビー
ムの発散が押さえられるようパービアンスとビーム電流
と加速電圧の関係を設定することにより、電子ビームの
加速電極への衝突を防止することができ、したがって電
子銃部内における加速電極への電子衝突によるガスや正
イオンの発生が防がれる。
ムの発散が押さえられるようパービアンスとビーム電流
と加速電圧の関係を設定することにより、電子ビームの
加速電極への衝突を防止することができ、したがって電
子銃部内における加速電極への電子衝突によるガスや正
イオンの発生が防がれる。
【００４９】また、加速電極あるいは加速電極に隣接す
る電極に常に最も高い電位を印加することにより、動作
開始の過渡時や電子管球停止時等における残留イオンの
冷陰極への衝撃を防ぐことができる。
る電極に常に最も高い電位を印加することにより、動作
開始の過渡時や電子管球停止時等における残留イオンの
冷陰極への衝撃を防ぐことができる。
【００５０】さらに、立ち上げ時にはゲート電圧を最後
に印加し、立ち下げ時にはゲート電圧を最初に切断する
こと、およびゲート電極電位とウェネルト電極電位との
差を一定に保つことにより、それぞれ前記ガスや正イオ
ンの発生と冷陰極への衝突が一層防がれる。
に印加し、立ち下げ時にはゲート電圧を最初に切断する
こと、およびゲート電極電位とウェネルト電極電位との
差を一定に保つことにより、それぞれ前記ガスや正イオ
ンの発生と冷陰極への衝突が一層防がれる。
【００５１】これらの結果、正イオンの衝突による冷陰
極の劣化を防止し、電子管装置の安定動作が実現すると
いう効果がある。
極の劣化を防止し、電子管装置の安定動作が実現すると
いう効果がある。
【図１】本発明の冷陰極搭載電子管装置の第１実施形態
の縦断面図である。
の縦断面図である。
【図２】本発明の冷陰極搭載電子管装置の第２実施形態
の縦断面図である。
の縦断面図である。
【図３】本発明の冷陰極搭載電子管装置の第３実施形態
の縦断面図である。
の縦断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の冷陰極搭載電子管装置の第４
実施形態の縦断面図である。（ｂ）は（ａ）の電源装置
４７の回路構成図である。（ｃ）は（ａ）の電源装置４
７の他の回路構成図である。
実施形態の縦断面図である。（ｂ）は（ａ）の電源装置
４７の回路構成図である。（ｃ）は（ａ）の電源装置４
７の他の回路構成図である。
【図５】（ａ）は本発明の冷陰極搭載電子管装置の第５
実施形態の縦断面図である。（ｂ）は（ａ）の電子銃部
３の縦断面図である。
実施形態の縦断面図である。（ｂ）は（ａ）の電子銃部
３の縦断面図である。
【図６】（ａ）は冷陰極搭載電子管装置の第１従来例の
縦断面図である。（ｂ）は（ａ）の冷陰極１１の拡大断
面図である。
縦断面図である。（ｂ）は（ａ）の冷陰極１１の拡大断
面図である。
【図７】冷陰極搭載電子管装置の第２従来例の縦断面図
である。
である。
１１ 冷陰極 １２ ウェネルト電極 １３ 加速電極 １４ イオントラップ電極 １５ コレクタ電極 １７ 蛍光面 ２０ ヘリックス ２４ ゲート電極 ２６ 第１グリッド ２７ 第２グリッド ２８ 第３グリッド ２９ 第４グリッド ４１，４２，・・・，４６ 電源 ４７ 電源装置 ４８ ＤＣ電源 ４９ コンデンサ ５０ コイル ｅ 電子ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−63489（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 23/34 H01J 1/304 H01J 23/065
Claims (9)
- 【請求項１】 アレイ化された複数のエミッタを備える
冷陰極を電子源に用いた電子銃部を備える冷陰極搭載電
子管の電極電圧印加方法において、 加速電極の印加電圧をＶａ、前記電子銃部の形状により
決定される電子銃のパービアンスをＰμ、および電子銃
のビーム電流をＩｂとするとき、 Ｉｂ ＜ Ｐμ × Ｖａ＾3/2 を満足するようにＶａを設定する段階を有することを特
徴とする冷陰極搭載電子管の電極加圧方法。 - 【請求項２】 ゲート電極電位とウェネルト電極電位と
の差を一定に保つように制御する段階をさらに有する請
求項１記載の冷陰極搭載電子管の電極電圧印加方法。 - 【請求項３】 冷陰極搭載電子管の電極電圧印加方法に
おいて、動作中、立ち上げ時、立ち下げ時、異常動作時
を含むいかなる場合においても、前記電子管内の各電極
の中で最も高い電位を加速電極あるいは加速電極に隣接
した電極に印加し、かつ立ち上げ時にはゲート電圧を最
後に印加し、立ち下げ時にはゲート電圧を最初に切断す
る段階を有することを特徴とする冷陰極搭載電子管の電
極電圧印加方法。 - 【請求項４】 アレイ化された複数のエミッタを備える
冷陰極を電子源に用いた電子銃部を有する冷陰極搭載電
子管装置において、前記電子銃部の形状により決定され
る電子銃のパービアンスＰμと加速電圧Ｖａとビーム電
流Ｉｂとの関係が、 Ｉｂ ＜ Ｐμ × Ｖａ＾3/2 を満足するように設定されたことを特徴とする冷陰極搭
載電子管装置。 - 【請求項５】 ゲート電極電位とウェネルト電極電位と
の差が一定に保つように制御された請求項４記載の冷陰
極搭載電子管装置。 - 【請求項６】 冷陰極搭載電子管装置において、動作
中、立ち上げ時、立ち下げ時、異常動作時を含むいかな
る場合においても、電子管内の各電極の中で最も高い電
位が加速電極あるいは加速電極に隣接した電極に印加さ
れており、かつ、立ち上げ時にはゲート電圧が最後に印
加され、立ち下げ時にはゲート電圧が最初に切断される
ことを特徴とする冷陰極搭載電子管装置。 - 【請求項７】 最も高い電位が印加される電極に接続さ
れる電源装置は他の電極に接続される電源に比べて電源
停止時の電圧降下時定数が大きい請求項６記載の冷陰極
搭載電子管装置。 - 【請求項８】 前記最も高い電位が印加される電極に接
続される電源装置はＤＣ電源とコンデンサとから構成さ
れ、該ＤＣ電源と該コンデンサは並列に接続されている
請求項７記載の冷陰極搭載電子管装置。 - 【請求項９】 前記最も高い電位が印加される電極に接
続される電源装置はＤＣ電源とコイルとから構成され、
該コイルは前記ＤＣ電源の陽極出力側に直列に接続され
ている請求項７記載の冷陰極搭載電子管装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21766697A JP3156763B2 (ja) | 1997-08-12 | 1997-08-12 | 冷陰極搭載電子管の電極電圧印加方法および装置 |
| US09/132,571 US6310438B1 (en) | 1997-08-12 | 1998-08-12 | Electron tube device mounted with a cold cathode and a method of impressing voltages on electrodes of the electron tube device |
| US09/808,041 US6583567B2 (en) | 1997-08-12 | 2001-03-15 | Electron tube device mounted with a cold cathode and a method of impressing voltages on electrodes of the electron tube device |
| US09/960,767 US6756734B2 (en) | 1997-08-12 | 2001-09-24 | Electron tube device mounted with a cold cathode and a method of impressing voltages on electrodes of the electron tube device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21766697A JP3156763B2 (ja) | 1997-08-12 | 1997-08-12 | 冷陰極搭載電子管の電極電圧印加方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167111A JPH1167111A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3156763B2 true JP3156763B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=16707824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21766697A Expired - Lifetime JP3156763B2 (ja) | 1997-08-12 | 1997-08-12 | 冷陰極搭載電子管の電極電圧印加方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6310438B1 (ja) |
| JP (1) | JP3156763B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3147227B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2001-03-19 | 日本電気株式会社 | 冷陰極電子銃 |
| US6683414B2 (en) * | 2001-10-25 | 2004-01-27 | Northrop Grumman Corporation | Ion-shielded focusing method for high-density electron beams generated by planar cold cathode electron emitters |
| EP1359600A3 (en) * | 2002-04-25 | 2007-12-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-resolution CRT device comprising a cold cathode electron gun |
| US7358803B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-04-15 | The Boeing Company | Broadband high efficiency traveling wave tube amplifier system |
| US7368874B2 (en) * | 2005-02-18 | 2008-05-06 | Communications and Power Industries, Inc., Satcom Division | Dynamic depressed collector |
| US7579778B2 (en) * | 2006-07-11 | 2009-08-25 | L-3 Communications Electron Technologies, Inc. | Traveling-wave tube with integrated ion trap power supply |
| FR2936354B1 (fr) * | 2008-09-19 | 2012-09-21 | Thales Sa | Tube hyperfrequences avec dispositif d'extraction d'ions produits dans le tube |
| JP6300312B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2018-03-28 | Ｎｅｃネットワーク・センサ株式会社 | 進行波管システム |
| JP7294438B2 (ja) * | 2019-10-09 | 2023-06-20 | 株式会社ニコン | 電子銃 |
| US10861666B1 (en) * | 2020-01-30 | 2020-12-08 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbletterprüftechnik mbH | Method of operating a charged particle gun, charged particle gun, and charged particle beam device |
Family Cites Families (15)
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