JP3152040B2 - 内燃機関用点火装置 - Google Patents
内燃機関用点火装置Info
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Description
関の点火に使用される電子式の内燃機関用点火装置に関
する。
化して示す接続図であり、点火装置は一端が接地された
電源３と、その非接地端に一次巻線１Ａおよび二次巻線
１Ｂそれぞれの一方端が接続された点火コイル１と、二
次巻線１Ｂの他方端に非接地側が接続された点火プラグ
５と、一次巻線１Ａを介して電源に直列接続されたスイ
ッチング素子２と、このスイッチング素子２のオンオフ
タイミングを制御する点火制御装置４とを含み、点火コ
イル１の１次巻線１Ａに流れる電流をスイッチング素子
２によって断続的に遮断したとき、２次巻線１Ｂに生ず
る高電圧を点火プラグ５に印加し、点火プラグ５で発生
する火花放電により内燃機関内の燃料ガスに着火し、内
燃機関を駆動する。また、スイッチング素子２をオンす
る際二次巻線に逆電圧が発生するが、この逆電圧は電源
３側に放電し、例えば電源側に設けた図示しないコンデ
ンサ等に吸収される。
において、スイッチング素子２には従来バイポ−ラトラ
ンジスタが用いられているが、バイポ−ラトランジスタ
が電流駆動型の素子であるため、これを駆動する点火制
御装置４での消費電力が大きく、かつスイッチング損失
も大きいこと、およびバイポ−ラトランジスタのストレ
−ジタイムが大きいために進角制御の微妙コントロ−ル
など点火タイミングの制御が難しいという問題があっ
た。そこで、これらの問題を解決するために、電圧駆動
型で高速スイッチング特性に優れ，低飽和電圧特性でス
イッチング損失の少ないＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＢＴなどの
絶縁ゲ−ト型トランジスタをスイッチング素子２として
使用した内燃機関用点火装置が提案されている。
ＩＧＢＴなどをスイッチング素子２として使用した内燃
機関用点火装置についてその性能試験を行ったところ、
スイッチング素子が異常発熱を起こし、ときにはスイッ
チング素子が破壊するという問題点のあることが判明し
た。その原因について検討した結果、点火プラグ５の火
花放電時に発生する過電圧、および急峻なｄv ／ｄt が
点火コイル１を介してスイッチング素子２に印加される
ことが原因であることが判明した。
ング素子に印加される過電圧およびｄv ／ｄt を緩和し
て素子を保護するとともに、素子特性を改善して耐電圧
性能を向上することにある。
に、この発明によれば、一端が接地された電源と、その
電源の他端に一次巻線および二次巻線それぞれの一方端
が接続された点火コイルと、二次巻線の他方端に一端が
接続され他端が接地された点火プラグと、一次巻線を介
して電源の他端に直列接続されたスイッチング素子とを
含み、このスイッチング素子をオンオフすることにより
二次巻線に生ずる高電圧を点火プラグに印加するものに
おいて、前記スイッチング素子はコレクタが一次巻線に
接続された絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧ
ＢＴ）であり、そのコレクタとエミッタ間にカソードを
コレクタ側に接続し、アノードをエミッタ側に接続した
アバランシェ電圧を有する保護ダイオードからなる保護
回路を備えてなるものとする。
ＧＢＴのコレクタ・エミッタ間耐電圧値より１０〜１０
０Ｖ低く設定してなるものとする。一端が接地された電
源と、その電源の他端に一次巻線および二次巻線それぞ
れの一方端が接続された点火コイルと、二次巻線の他方
端に一端が接続され他端が 接地された点火プラグと、一
次巻線を介して電源の他端に直列接続されたスイッチン
グ素子とを含み、このスイッチング素子をオンオフする
ことにより二次巻線に生ずる高電圧を点火プラグに印加
するものにおいて、前記スイッチング素子はコレクタが
一次巻線に接続され、コレクタがｐ型、エミッタがｎ型
の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）で
あり、そのｎ型のエミッタを覆うｐベースが形成される
ｎ - 層の比抵抗値が１０Ω−cm以上，４０Ω−cm以下で
あるものとする。
ＧＢＴ）が２５０ｍｊ以上のエネルギ−耐量を有するも
のとする。絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタ（ＩＧ
ＢＴ）が３００Ｖ以上の耐電圧性能を有するものとす
る。
レクタが一次巻線に接続された絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタ（ＩＧＢＴ）を用い、そのコレクタとエミ
ッタ間にカソードをコレクタ側に接続し、アノードをエ
ミッタ側に接続したアバランシェ電圧を有する保護ダイ
オードからなる保護回路を設けるとともに、そのアバラ
ンシェ電圧をＩＧＢＴのコレクタ・エミッタ間耐電圧値
より１０〜１００Ｖ低く設定するよう構成したことによ
り、ＩＧＢＴのコレクタ・エミッタ間耐電圧値を越える
急峻なｄv ／ｄtを有する過電圧はその大きさおよび急
峻度が緩和され、従って、素子の破壊を防止する保護機
能が得られるとともに、保護回路の構成を簡素化する機
能が得られる。
が一次巻線に接続された絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトラン
ジスタ（ＩＧＢＴ）を用い、そのシリコンウエハのｎ-
層部分の比抵抗値を１０Ω−cm以上，４０Ω−cm以下の
低い範囲に抑えるよう構成すれば、過電圧によってｎ-
層内に生ずる電界を緩和し、そのエネルギ−耐量を向上
できるので、急峻なｄv ／ｄt に対する破壊耐量を向上
させ、過電圧によるスイッチング素子を防止することが
可能となり、例えば、過電圧に対して２５０ｍｊ以上の
エネルギ−耐量，および３００Ｖ以上の耐電圧性能を有
する絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタ（ＩＧＢＴ）
を得ることができる。
る。図１はこの発明の参考例になる内燃機関用点火装置
を模式化して示す要部の接続図であり、従来技術と同じ
構成部分には同一参照符号を付すことにより、重複した
説明を省略する。図において、一端が接地された電源３
と、その非接地端に一次巻線１Ａおよび二次巻線１Ｂそ
れぞれの一方端が接続された点火コイル１と、二次巻線
の他方端に非接地側が接続された点火プラグ５と、一次
巻線を介して電源に直列接続されたスイッチング素子１
２とを含む内燃機関用点火装置において、スイッチング
素子１２がコレクタＣが一次巻線に接続され，エミッタ
Ｅが接地された絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタ
（ＩＧＢＴ）からなり、そのコレクタＣとゲ−トＧとの
間にアバランシェ電圧を有する保護ダイオ−ド２２、お
よび逆阻止ダイオ−ド２３の直列体からなる保護回路２
１を、保護ダイオ−ド２２はそのカソ−ドをコレクタ側
に，逆阻止ダイオ−ド２３はそのカソ−ドをゲ−ト側に
して接続するよう構成される。
の保護回路２１において、点火制御装置４により一次巻
線１Ａに流れる電流を断続制御されるＩＧＢＴ１２がオ
フする際、二次巻線１Ｂに高電圧（１０〜２０ｋｖ）が
発生し、この高電圧によって点火プラグ５が放電して点
火プラグ５が火花放電によって短絡状態となり、エミッ
タ接地されたＩＧＢＴ１２との間に点火コイル１を介し
て並列回路が形成されると、タ−ンオフした直後のＩＧ
ＢＴ１２のコレクタ・エミッタ間にその耐電圧値を遙か
に越える過電圧が印加される。このとき、過電圧によっ
て保護ダイオ−ド２２にアバランシェ電流が流れ、この
電流によってＩＧＢＴのゲ−ト電位が上昇してＩＧＢＴ
を瞬間的にオンさせるので、過電圧による放電エネルギ
−の大部分は導通状態となったＩＧＢＴのエミッタ電流
として大地側に放流され、かつアバランシェ電流が流れ
止むと同時にＩＧＢＴはオフ状態を回復する。従って、
コレクタ・エミッタ間に加わる過電圧が大幅に低減され
て急峻なｄv ／ｄt および発生損失は減少し、ＩＧＢＴ
の異常発熱およびこれに起因するＩＧＢＴの破壊を防止
する保護動作をＩＧＢＴのスイッチング機能に影響を及
ぼすことなく達成することができる。
電圧がＩＧＢＴ１２のコレクタ・エミッタ間耐電圧値よ
り１０〜１００Ｖ低く、このアバランシェ電圧と逆阻止
ダイオ−ド２３の耐電圧値との和がＩＧＢＴのコレクタ
・エミッタ間耐電圧値とほぼ同等になるよう構成すれ
ば、過電圧をＩＧＢＴのコレクタ・エミッタ間耐電圧値
より１０〜１００Ｖ低いアバランシェ電圧にまで抑制し
て素子の破壊を防止できるとともに、耐電圧値の低い逆
阻止ダイオ−ドを用いて保護回路２１を小型に構成でき
る利点が得られる。
点火装置の保護装置を模式化して示す接続図であり、保
護回路３１をＩＧＢＴ１２のコレクタ・エミッタ間にカ
ソ−ドをコレクタ側にして接続したアバランシェ電圧を
有する保護ダイオ−ドで構成した点が前述の参考例と異
なっており、そのアバランシェ電圧をＩＧＢＴのコレク
タ・エミッタ間耐電圧値より１０〜１００Ｖ低く設定す
るよう構成すれば、ＩＧＢＴのコレクタ・エミッタ間耐
電圧値を越える過電圧をアバランシェ電圧にまで低減
し、かつその急峻なｄv ／ｄt を緩和できるので、過電
圧によるＩＧＢＴの破壊を防止できるとともに、保護回
路３１の構成を簡素化できる利点が得られる。
ング素子１２としてＩＧＢＴを使用した場合、点火コイ
ル１に流れる電流（７〜８Ａpeak) を遮断する際、コレ
クタ端子側に発生するサ−ジ電圧を吸収する必要がある
が、この吸収すべきエネルギ−耐量は種々の点火コイル
についての実験結果から２５０ｍj 以上必要であること
が判明している。また、内燃機関用点火装置では点火コ
イルに流れる電流をスイッチング素子１２としてのＩＧ
ＢＴで遮断し、この際点火コイルの２次側に発生する１
０〜２０ｋｖの高電圧を発生で点火プラグに火花放電を
発生させるが、その際点火コイルの一次側に最低３００
Ｖの電圧を必要とする。従って、スイッチング素子１２
としてのＩＧＢＴに過電圧保護回路２１，３１等を設け
たとしても、ＩＧＢＴは２５０ｍj 以上のエネルギ−耐
量と，最低３００Ｖ以上の耐電圧性能とを有することが
求められる。
めのＩＧＢＴの基本構造図、図４は図３に示すＩＧＢＴ
のｎ-層の比抵抗を変えて得られた特性線図であり、図
４はシリコンウエハにエピタキシャル層として形成され
るｎ-層の厚みを変え、ｎ-層部分の比抵抗が１０〜９０
Ω−ｃｍの範囲内で互いに異なるＩＧＢＴ８種類を製作
し、そのエネルギ−耐量，および耐電圧（降伏電圧）特
性値を測定した結果を示しており、耐電圧特性曲線１０
２はｎ-層部分の比抵抗に比例して増加するのに対し、
エネルギ−耐量曲線１０１はｎ-層部分の比抵抗に逆比
例して減少する傾向を示しており、この結果から内燃機
関用点火装置のスイッチング素子１２に要求されるエネ
ルギ−耐量および耐電圧値をともに満たすｎ-層部分の
比抵抗値に許容範囲が存在することが明らかになった。
素子としてコレクタが一次巻線に接続された絶縁ゲ−ト
型バイポ−ラトランジスタ（ＩＧＢＴ）１２を用い、そ
のシリコンウエハのｎエミッタを覆うｐベースが形成さ
れるｎ - 層の比抵抗値を１０Ω−cm以上，４０Ω−cm以
下の低い範囲に抑えるよう構成すれば、過電圧によって
ｎ-層内に生ずる電界を緩和し、そのエネルギ−耐量を
向上できるので、例えば、過電圧に対して２５０ｍｊ以
上のエネルギ−耐量，および３００Ｖ以上の耐電圧性能
を有する絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタ（ＩＧＢ
Ｔ）を得ることができる。従って、このように構成され
たＩＧＢＴを前述の保護回路２１または３１と組み合わ
せて使用することにより、急峻なｄv ／ｄt に対する破
壊耐量を向上させ、過電圧によるスイッチング素子の破
壊を防止することが可能となり、点火プラグの放電によ
って発生する過電圧に耐える信頼性がより優れた保護回
路を備えた内燃機関用点火装置が得られる。
イッチング素子としてのＩＧＢＴのコレクタとエミッタ
間にカソードをコレクタ側に接続し、アノードをエミッ
タ側に接続したアバランシェ電圧を有する保護ダイオ−
ドで構成した、その結果、点火プラグの火花放電時に発
生する過電圧、および急峻なｄv ／ｄt が点火コイルを
介してＩＧＢＴに印加され、これによりスイッチング素
子が異常発熱を起こし、破壊事故に至るという従来の問
題点が排除され、バイポ−ラトランジスタに比べてスイ
ッチング損失が少なく、高速スイッチング性能に優れた
ＩＧＢＴをスイッチング素子として用いた内燃機関用点
火装置を提供することができる。
に形成されるｎ-層部分の比抵抗値を１０Ω−cm以上４
０Ω−cm以下とすることにより、過電圧によってｎ-層
内に生ずる電界を緩和して耐電圧性能を３００Ｖ以上に
向上できるとともに、そのエネルギ−耐量を２５０ｍｊ
以上に向上し、急峻なｄv ／ｄt に対する破壊耐量を向
上させる機能を、ＩＧＢＴの内部構造の改善により得る
ことができる。従って、このように構成されたＩＧＢＴ
をこの発明の保護回路と組み合わせて使用することによ
り、点火プラグの放電によって発生する過電圧に耐える
信頼性がより優れた保護回路を備えた内燃機関用点火装
置を提供することができる。
模式化して示す要部の接続図
保護装置を模式化して示す接続図
Ｔの基本構造図
得られた特性線図
続図
Claims (5)
- 【請求項１】一端が接地された電源と、その電源の他端
に一次巻線および二次巻線それぞれの一方端が接続され
た点火コイルと、二次巻線の他方端に一端が接続され他
端が接地された点火プラグと、一次巻線を介して電源の
他端に直列接続されたスイッチング素子とを含み、この
スイッチング素子をオンオフすることにより二次巻線に
生ずる高電圧を点火プラグに印加するものにおいて、前
記スイッチング素子はコレクタが一次巻線に接続された
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）であ
り、そのコレクタとエミッタ間にカソードをコレクタ側
に接続し、アノードをエミッタ側に接続したアバランシ
ェ電圧を有する保護ダイオードからなる保護回路を備え
てなることを特徴とする内燃機関用点火装置。 - 【請求項２】保護ダイオードのアバランシェ電圧値をＩ
ＧＢＴのコレクタ・エミッタ間耐電圧値より１０〜１０
０Ｖ低く設定してなることを特徴とする請求項１記載の
内燃機関用点火装置。 - 【請求項３】一端が接地された電源と、その電源の他端
に一次巻線および二次巻線それぞれの一方端が接続され
た点火コイルと、二次巻線の他方端に一端が接続され他
端が接地された点火プラグと、一次巻線を介して電源の
他端に直列接続されたスイッチング素子とを含み、この
スイッチング素子をオンオフすることにより二次巻線に
生ずる高電圧を点火プラグに印加するものにおいて、前
記スイッチング素子はコレクタが一次巻線に接続され、
コレクタがｐ型、エミッタがｎ型の絶縁ゲート型バイポ
ーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）であり、そのｎ型のエミ
ッタを覆うｐベースが形成されるｎ - 層の比抵抗値が１
０Ω−cm以上，４０Ω−cm以下であることを特徴とする
内燃機関用点火装置。 - 【請求項４】絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタ（Ｉ
ＧＢＴ）が２５０ｍｊ以上のエネルギ−耐量を有するこ
とを特徴とする請求項３記載の内燃機関用点火装置。 - 【請求項５】絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタ（Ｉ
ＧＢＴ）が３００Ｖ以上の耐電圧性能を有することを特
徴とする請求項３記載の内燃機関用点火装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30691693A JP3152040B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-12-08 | 内燃機関用点火装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-174583 | 1993-07-15 | ||
| JP17458393 | 1993-07-15 | ||
| JP30691693A JP3152040B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-12-08 | 内燃機関用点火装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0777149A JPH0777149A (ja) | 1995-03-20 |
| JP3152040B2 true JP3152040B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=26496150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30691693A Expired - Lifetime JP3152040B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-12-08 | 内燃機関用点火装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3152040B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0757442A3 (en) * | 1995-07-31 | 1998-12-30 | Delco Electronics Corporation | Ignition coil driver module |
| JP3216972B2 (ja) * | 1995-08-04 | 2001-10-09 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関の点火装置 |
| JP4969512B2 (ja) * | 1996-03-21 | 2012-07-04 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 内燃機関用点火装置 |
| KR100401611B1 (ko) * | 2000-10-17 | 2003-10-11 | 기아자동차주식회사 | 차량의 이그나이터 과열 방지 제어장치 및 방법 |
| KR20030082715A (ko) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | 기아자동차주식회사 | 차량 엔진 시동시 전원 안정화 장치 |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP30691693A patent/JP3152040B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0777149A (ja) | 1995-03-20 |
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