JP3148964B2 - 電子写真装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子写真装置に係り、特
にａ−Ｓｉドラムを用いたプリンタ、複写機、ファクシ
ミリ等の電子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より感光体ドラム外周面上に、露
光、現像、転写、クリーニング（残留トナー除去）、除
電、及び帯電の各プロセス手段を配置し、所定の電子写
真プロセスにより画像形成を行なう、いわゆるカールソ
ンプロセスに基づく電子写真装置は周知である。

【０００３】又近年円筒状の透光性支持体上に透光性導
電層と光導電体層を積層して感光体ドラムを形成すると
共に、該ドラム内に、画像情報に対応した光出力を生成
する露光手段（例えばＬＥＤヘッド）を内挿し、所定の
帯電手段を用いて帯電させた感光体ドラム上に前記露光
手段の光出力を集束レンズを通して露光すると同時若し
くはその直後に前記感光体ドラムと対面配置させた現像
スリーブを介して前記潜像をトナー像化（現像）した
後、該トナー像を転写ローラその他の転写手段を介して
記録紙に転写可能に構成した電子写真装置（特開昭５８
−１５３９５７号他）も公知である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】この種の電子写真装置
において、例えば露光源に半導体レーザを用いるレーザ
プリンタにおいては半導体レーザよりの発振波長をコリ
メータレンズを介してポリゴンミラーによりビーム走査
した後、ｆθレンズを介して感光体ドラム上に結像させ
るように構成しているが、前記のレーザプリンタにおい
てはポリゴンミラーによりＡー４サイズ付近まで拡幅化
された帯状光を精度よく結像させなければならず、この
為前記ｆθレンズにはＡー４サイズに対応する長さの長
幅なレンズを必要とし、これを精度よく組み付けるのが
中々困難であり、組み立て、加工誤差及び熱膨脹等が生
じやすい。

【０００５】この為前記誤差及び長幅なレンズに起因し
て感光体ドラム上に光収差や結像ずれが生じ、そして従
来用いられているｏｐｃドラムやａ−Ｓｉ系ドラムにお
いてはこれらの収差分の光量も拾ってしまうために、画
像コントラストや先鋭度を高めることも困難であった。

【０００６】又前記レーザプリンタは小型化を図るため
に、その焦点距離の短縮化を図っているが、ポリゴンミ
ラーによりＡー４サイズ付近まで拡幅化された帯状光を
精度よく結像させなければならず、この為前記ｆθレン
ズにはＡー４サイズに対応する長さの長幅なレンズを必
要とし、而もその曲面をトーリック形状にする等種々の
工夫を必要とする。

【０００７】しかしながらこのように長幅で且つ複雑な
形状のレンズを形成するには、プラスチックレンズが好
ましいが、プラスチックレンズのように屈折率の低いレ
ンズを用いると、その両端部における結像部が必ずしも
感光体ドラム母線と一致する直線状とならず、主走査方
向に等幅の高品質な画像を形成するのに設計上の工夫を
必要とする。

【０００８】これはＬＥＤプリンタや複写機においても
同様であり、一般に露光像を結像させる為に、セルフォ
ックレンズ（商品名）を用いているが、セルフォックレ
ンズにおいても多数本のファイバを長さを揃えて一体化
させたものであるために、プラスチックレンズのように
屈折率の低いレンズを用いると、焦点距離が長くなるた
めに結像誤差が生じやすく、該誤差から起因する収差を
拾ってやはり先鋭度が低下し高品質の且つコントラスト
の高いドット画像を形成し得ない。

【０００９】本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、ａ
−Ｓｉドラムを用いて高耐久性を図りつつ結像収差や焦
点誤差が生じても、感光体ドラム上の収差分の光量を拾
わずに、画像コントラストや先鋭度を高めるために、前
記感光体層の表面電位の１／２まで露光電位が低下する
に必要な感光体半減感度が、感光体の膜厚に依存する度
合いを突止め、その感光体層厚を規制するとともに、感
光体半減感度の範囲を設定し、結像誤差その他に起因す
る光収差分の光量を拾うことなく中心光量のみを拾い、
この結果、プラスチックレンズを用いてコントラストの
高い高品質の画像が形成可能な電子写真装置を提供する
事を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記感光体層
を２〜２５μｍの膜厚からなるａ−Ｓｉ層で形成すると
共に、表面層の膜厚を０．０５〜５μｍに設定し、前記
感光体層の表面電位の１／２まで露光電位が低下するに
必要な感光体半減感度を、８〜１ｃｍ^２／μＪの範囲に
設定するとともに、４５０Ｖで帯電させ、７４０ｎｍの
露光波長を用いて、エネルギ密度０．２μＪ／ｃｍ^２で
露光した場合の焦点深度３００μｍ以上となるように構
成し、前記露光像を結像するための光学レンズを、プラ
スチックレンズで構成配置したことを特徴とする。かか
る技術により結像誤差その他に起因する光収差分の光量
を拾うことなく中心光量のみを拾い、この結果、プラス
チックレンズを用いても画像コントラストや先鋭度の高
い高品質のドット画像の形成が可能である。

【００１１】すなわち、前記のように結像収差が生じて
も中心波長のみを拾うことは結果として焦点深度が深く
なり、この為ｆθレンズのように長幅なレンズの両端部
において結像収差が発生しても、この収差を拾うことな
く主走査方向に等幅の高品質な画像を形成し得る。

【００１２】そして、ＬＥＤプリンタや複写機において
セルフォックレンズ（商品名）にプラスチックレンズの
ように屈折率の低いレンズを用いて±３００μｍ前後の
焦点誤差が生じてもこれを容易に吸収し、高品質の且つ
コントラストの高いドット画像を形成し得う。

【００１３】従って本発明によれば、前記露光像を結像
するための光学レンズを、屈折率が略１．５１のプラス
チックレンズで構成した場合においても、高品質な画像
形成が可能となり、而も組み立て加工誤差も許容し得る
ために、製造コストが大幅に低減する。

【００１４】

【作用】次に本発明の作用を図１乃至図４に基づいて説
明する。尚、該グラフの説明は後記実施例にて詳細に説
明する。図１（Ａ）はａ−Ｓｉ感光体の膜厚と感光体半
減感度の関係を示す表、図１（Ｂ）はこれをグラフ化し
たもので、露光波長が７４０ｎｍ若しくは６８５ｎｍの
いずれにおいてもａ−Ｓｉ感光体膜厚に比例して感光体
半減感度が低下することが理解される。

【００１５】そして図２は垂直、水平線幅とドット数の
関係を感光体の膜厚毎に調べたもので、本図より理解さ
れるように、膜厚が２５μｍのものは、膜厚が４０μｍ
の場合に比して線幅が先鋭化して画像品質が大幅に向上
していることが理解できるが、逆に２５μｍ以下では線
幅の先鋭度はほぼ一致し、その間に有意差は見られなか
った。としてみると膜厚が２５μｍの場合の半減感度
は、露光波長６８５ｎｍで７．５８ｃｍ^２／μＪ、露光
波長７４０ｎｍで５．８５ｃｍ^２／μＪで、一方膜厚が
４０μｍの場合の半減感度は、露光波長６８５ｎｍで１
１．１１ｃｍ^２／μＪ、露光波長７４０ｎｍで９．０９
ｃｍ^２／μＪでかかる実験より明らかなように、感光体
半減感度を８ｃｍ^２／μＪ以下に設定することにより図
２に示す先鋭度の高いドット画像の形成が可能となる。

【００１６】又前記半減感度を余りに低くすると、線画
像自体がぼけてしまうから、図１（Ａ）の表より明らか
なごとく露光波長７４０ｎｍで膜厚７μｍの半減感度
１．７５ｃｍ^２／μＪでも十分なる先鋭度が確保できた
ことから、前記半減感度は２ｃｍ^２／μＪ以上あれば問
題が生じないことが理解される。

【００１７】図３は焦点深度とドラム感度の関係を示し
たもので、ドラム感度が低下すると結果として前記した
ように結像位置周囲の収差分を拾わない為に、焦点深度
が大になるが、膜厚が４０μｍの場合は焦点深度が１５
０〜２３０μｍ前後であるが、膜厚が１５μｍでは焦点
深度が３８０μｍ前後に大幅に向上し、而もこれは膜厚
を７μｍに薄くしてもほとんど変化がない。したがって
焦点深度が大になることは、露光像を感光体ドラム上に
結像させる為の光学系の加工精度や組み立て精度をラフ
に設定できると共に、画像品質のバラツキが大幅に低減
するとともに前記したようにプラスチックレンズの使用
が可能となる。これは、図４に示すように膜厚が２５μ
ｍ以下のものについてはプラスチックレンズでも、又光
学ガラスレンズでもそのＭＴＦ値はほとんど変らない
が、４０μｍの膜厚のものについてはプラスチックレン
ズを用いたものはＭＴＦ値が大幅に低下している事から
も理解される。

【００１８】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を例示
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図５
は本発明が適用される電子写真装置を示し、図上時計回
りに回転するａ−Ｓｉ感光体ドラム１の周囲に、回転方
向に沿って露光用ＬＥＤヘッド２及びセルフォックレン
ズ３からなる光学系、二成分現像ユニット４、転写ロー
ラ５、クリーニングブレード６、除電ランプ７、及び粒
子帯電ユニット８が配設されている。

【００１９】次に夫々の各構成要素について説明する。
感光体ドラム１は導電性支持体１ａ上に感光体層１ｂ、
及び表面層１ｃが積層されて形成されており、該支持体
１ａは、一般にはアルミ性の円筒体を用いるが、表面に
導電膜を被着させたガラス等無機材料や、エポキシ等の
透明な樹脂等で形成され、本実施例においては肉厚が２
ｍｍで外周径を３０ｍｍに設定すると共に、軸方向に３
００ｍｍの長さを有するアルミ製円筒体を用いている。

【００２０】又前記ａ−Ｓｉ系感光体層１ｂ、及び表面
層１ｃは、グロー放電分解法、スパッタリング法、ＥＣ
Ｒ法、蒸着法等により膜形成し、その形成にあたって、
ダングリングボンド終端用の元素、例えば（Ｈ）やハロ
ゲンを５〜４０ｗｔ．％含有させるのがよい。即ち、感
光体層１ｂはａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電体を用い、そ
して現像バイアスが正の場合には電子の移動度を高める
為、ノンドープ又はＶａ族元素を含有させ、又現像バイ
アスが負の場合には正孔の移動度を高めるため、IIIａ
族元素を含有させるのが好ましい。又必要に応じて暗導
電率や光導電率等の電気的特性、光学的バンドギャップ
等について所望の特性を得るために、Ｃ，Ｏ，Ｎ等の元
素を含有させても良い。そして、前記感光体層１ｂ全体
の膜厚は、必要な帯電および絶縁耐圧の確保や、露光さ
れた光の吸収や前記した残留電位の抑制等から２〜２５
μｍ程度にするのがよい。

【００２１】又、表面層１ｃは、ａ−ＳｉＣ、ａ−Ｓｉ
Ｏ、ａ−ＳｉＮ、ａ−ＳｉＯＮ、ａ−ＳｉＣＯＮ等のａ
−Ｓｉ系の無機高抵抗若しくは絶縁材料、ポリエチレン
テレフタレート、パリレン、ポリ四フッ化エチレン、ポ
リイミド、ポリフッ化エチレンプロピレン等の有機絶縁
材料を用いるのがよく、特に高抵抗のａ−ＳｉＣ層を用
いると、絶縁耐圧や耐摩耗性、耐環境性等の特性が高め
られる。このａ−Ｓｉ1-xＣxのｘ値は0.3≦ｘ＜1.0、好
適には0.5≦ｘ≦0.95に設定する事により１０^１２〜１
０^１３Ω・ｃｍ範囲の抵抗値で高耐湿性を得る事が出
来、この場合層内でＣ量に勾配を持たせてもよい。また
Ｃと同時にＮ，Ｏ，Ｇｅを含有させる事により耐湿性を
更に高めることが出来る。

【００２２】表面層１ｃの厚みは0.05〜5μｍ、好適に
は0.1〜3μｍの範囲内が良く、又その厚みはこの際表面
層１ｃの抵抗は１０^１２〜１０^１３Ω・ｃｍに設定し
た。

【００２３】そして、本実施例においては容量結合型グ
ロー放電分解装置を用いて、前記の材料構成で、ａ−Ｓ
ｉ感光体層１ｂを成膜した上にａ−ＳｉＣ表面層１ｃを
積層被覆した。そして本実施例においては、前記成膜時
間を変える事により感光体の層厚が夫々７、１０、１
５、２０、２５、４０μｍなるように成膜して膜厚の異
なる感光体ドラム１を作製した。この場合表面層１ｃの
膜厚は最大３μｍ以下で且つ全体層厚の略５％以下に設
定する。

【００２４】又露光用ＬＥＤヘッド２には露光波長が６
８５ｎｍと７４０ｎｍのヘッドアレイを用い、これをダ
イナミック駆動にて一走査ライン毎に６４ビット×４０
回分割露光されるように構成する。

【００２５】現像ユニット４は、キャリアとトナーから
なる複数成分現像剤が収納された現像容器４１と固定磁
石集成体４３が収納された現像ローラ４２からなり、該
ローラ４２に例えば５０〜４５０Ｖの直流現像バイアス
電源４４を接続して、低電界現像により現像を行うよう
に構成する。

【００２６】そして前記キャリアは、バインダ樹脂中に
磁性体が均一分散されてなるキャリア母粒子の表面に導
電性微粒子が固定されて構成されたものを用い、その磁
力は、５ｋＯｅ（エールステッド）の磁場での最大磁化
が５５〜８０ｅｍｕ／ｇ、キャリアの平均中心粒度は３
５μｍで特に３５μｍ以下の粒子を１５ｗｔ％以上含む
粒径分布の現像剤を用いる。

【００２７】又トナーは通常の高抵抗若しくは絶縁性ト
ナーが用いられ、例えば、バインダー樹脂、着色剤、電
荷制御剤、オフセット防止剤などに、磁性体を添加して
その平均中心粒度は５〜１５μｍ前後の磁性トナーとし
て構成し上記のキャリアとトナーと適正混合比を例えば
８５〜９０：１５〜１０重量％に設定する。

【００２８】転写ローラ５は転写効率を上げるために導
電性ローラを用い、前記トナーの帯電電位と逆極性の転
写バイアスを印加させるとともに、前記感光体ドラム１
周面に均一に圧接し、該ドラム１と同期して回転可能に
構成する。

【００２９】粒子帯電ユニット８は、図上右方向に回転
する感光体ドラム１に対し帯電ギャップ（０．５ｍｍ）
を介して前記感光体ドラム１の回転方向とアゲインスト
方向（図上左方向）に回転可能により非磁性スリーブ８
１を配設すると共に、該非磁性スリーブ８１の背面側の
帯電領域下流側に固定配置した固定磁石体８２Ａと、該
固定磁石体８２Ａの帯電領域上流方向、言換えればスリ
ーブ回転方向下流側に、前記固定磁石体８２Ａと同極性
の反発磁石体８２Ｂ、又スリーブ回転方向上流側に、前
記固定磁石体８２Ａと逆極性の磁石体８２Ｃを配設す
る。尚、８６は非磁性スリーブ８１を介して導電性磁性
粒子群８４に帯電バイアスを印加させるバイアス電源で
ある。

【００３０】そして前記帯電領域上に介在させる導電性
磁性粒子群は導電性であれば特に限定されないが、フェ
ライトや鉄粉、マグネタイト等の磁性コアの表面に導電
性樹脂で被覆した導電性磁性粒子で構成するか若しくは
導電性粒子と磁性粒子の混合粒子群で構成してもよい。
例えば平均粒径が３０μｍ前後の磁性粒子母材と、平均
粒径が１５μｍ前後の導電粒子材を適宜割合で配合した
ものを用いても良い。尚、本実施例においては平均粒径
が２０〜３５μｍ、抵抗率１０^５〜１０^６Ω・ｃｍのフ
ェライトコア粒子を用い、磁気特性を６０〜７０emu／
ｇ（1k Oe）に設定したものを用いる。

【００３１】一方、感光体ドラム１の背面側には、帯電
領域下流側に位置する前記固定磁石体８２Ａとほぼ対向
させて第１の磁石体８５Ａと、前記第１の磁石体８５Ａ
に隣接させて帯電領域上流側に第２の磁石体８５Ｂとを
隣接配置すると共に、第１の磁石体８５Ａは前記固定磁
石体８２Ａと逆極性のＳ極に設定し、第２の磁石体８５
Ｂは該第１の磁石体８５Ａと逆極性のＮ極に設定し、両
磁石体８５Ａ、８５Ｂ間の感光体ドラム１上に水平磁場
を形成する。

【００３２】かかる実施例においては、前記感光体ドラ
ム１上の前記両磁石体８５Ａ、８５Ｂ間の水平磁場上で
磁性粒子群８４Ｂを密着させながら感光体ドラム１表面
を円滑に帯電させた後、露光ヘッド２により所定の潜像
を露光させた後、現像ユニット４により該潜像にトナー
像を付着させた後、転写ローラ５を用いて図示しない記
録媒体に転写させる事が出来る。

【００３３】次にかかる装置を用い膜厚の異なる感光体
ドラム１を用いて次のような実験を行った。

【００３４】前記感光体ドラム１の表面電位が２００Ｖ
になるように粒子帯電バイアスを調整した後、露光ヘッ
ド２の出力を調整しながら膜厚の異なる各感光体ドラム
における半減感度（表面電位の１／２まで露光電位が低
下するに必要な露光エネルギー密度）を調べてみると、
膜厚に比例して半減感度が低くなり、且つ露光波長６８
５ｎｍに比して７４０ｎｍの方が低くなっていることが
理解できる。

【００３５】図２は表面電位２００Ｖで、露光波長７４
０ｎｍで露光した場合のドラム膜厚と線幅との関係を示
し、本図より理解されるように、水平線及び垂直線のい
ずれの場合も感光体膜厚が４０μｍ以下の場合の線幅
は、２５μｍ以下の場合の線幅に比較して太く、その分
先鋭度と解像度が低下している事が理解される。又２５
μｍ以下の場合は、先鋭度も解像度もほぼ一致してお
り、有意差はない。そして、図１に示すように、膜厚が
２５μｍの場合の半減感度は、露光波長６８５ｎｍで
７．５８ｃｍ^２／μＪ、露光波長７４０ｎｍで５．８５
ｃｍ^２／μＪで、一方膜厚が４０μｍの場合の半減感度
は、露光波長６８５ｎｍで１１．１１ｃｍ^２／μＪ、露
光波長７４０ｎｍで９．０９ｃｍ^２／μＪでかかる実験
より明らかなように、感光体半減感度を８ｃｍ^２／μＪ
以下に設定することにより図２に示す先鋭度の高いドッ
ト画像の形成が可能となる。又前記半減感度を余りに低
くすると、線画像自体がぼけてしまうから、図１（Ａ）
の表より明らかなごとく露光波長７４０ｎｍで膜厚７μ
ｍの露光波長１．７５ｃｍ^２／μＪでも十分なる先鋭度
が確保できたことから、前記半減感度は２ｃｍ^２／μＪ
以上あれば問題が生じないことが理解される。

【００３６】更に図３は図５に示す前記粒子帯電装置８
の代りにコロナ放電器を用いて表面電位が４５０Ｖで帯
電させた後、露光波長が７４０ｎｍで且つエネルギー密
度が０．２μＪ／ｃｍ^２で露光した場合の焦点深度とド
ラム電位の関係を示したもので、膜厚が４０μｍの場合
は焦点深度が１５０〜２３０μｍ前後であるが、膜厚が
１５μｍでは焦点深度が３８０μｍ前後に大幅に向上
し、而もこれは膜厚を７μｍに薄くしてもほとんど変化
がない。したがってドラム感度が低下すると結果として
前記したように結像位置周囲の収差分を拾わない為に、
焦点深度が大になるが、本図では膜厚が１５μｍ以下又
図２を考慮すると膜厚が２５μｍ以下でも３００μｍ以
上の焦点深度が得られる事が推定される。尚、図６中８
１はコロナ放電線、８２は制御グリッド、８３は放電バ
イアス、８４'は帯電制御バイアスである。

【００３７】次に前記感光体ドラム上に露光像を結像さ
せるセルフォックレンズとして日本板硝子製のセルフォ
ックレンズＳＬＡ−２０（屈折率：略１．６３）と三菱
レイヨン製ＲＡ５７Ｓ−Ｓ２１（屈折率：略１．５０
８）の関係を図６の装置を用いて制御バイアスを３００
Ｖ（表面電位３００Ｖ）に設定して調べる。先ず、感光
体ドラムとセルフォックレンズ間の焦点距離を１５ｍ
ｍ、露光波長６８５ｎｍに維持してＡー４サイズの紙を
縦送りにして１０枚／分の速度で、露光エネルギーが２
５μｍの膜厚の感光体ドラムにおいては０．５〜０．６
μＪ／ｃｍ^２、膜厚が１０μｍのものについては０．７
〜０．９μＪ／ｃｍ^２、膜厚が４０μｍのものについて
は０．３〜０．４μＪ／ｃｍ^２の露光エネルギーにて露
光を行なった所、図４に示すように、膜厚が１０μｍ及
び２５μｍのものについてはプラスチックレンズでも、
又光学ガラスレンズでもそのＭＴＦ値はほとんど変ら
ず、６５以上を維持し得るが、４０μｍの膜厚のものに
ついてはプラスチックレンズを用いたものはＭＴＦ値が
大幅に低下している事が理解される。

【００３８】

【発明の効果】以上記載したごとく本発明によれば、感
光体の表面層の膜厚、感光体層の膜厚、露光波長、感光
体層の表面電位の１／２まで露光電位が低下するに必要
な感光体半減感度、前記露光波長を用いて露光するエネ
ルギ密度、露光の際の帯電電位及び焦点深度を請求項１
に記載するように設定することにより、前記露光像を結
像するための光学レンズを、プラスチックレンズで構成
配置することを可能としたものであり、かかる技術によ
り結像誤差その他に起因する光収差分の光量を拾うこと
なく中心光量のみを拾い、この結果、プラスチックレン
ズを用いても画像コントラストや先鋭度の高い高品質の
ドット画像の形成が可能な電子写真装置を提供する事が
出来る。そして、特に露光手段にプラスチックレンズを
用いる事により、自由な長さと曲面のレンズが形成出
来、製造コストを低減することができる。等の種々の著
効を有す。

【図面の簡単な説明】

【図１】 感光体半減感度と膜厚との関係を示し、
（Ａ）は表、（Ｂ）はグラフ図である。

【図２】 ドラム膜厚と線幅との関係を示し、（Ａ）は
水平線、（Ｂ）は垂直線を示す。

【図３】 ドラム感度と半減感度の関係を示すグラフ図
である。

【図４】 膜厚とレンズ種類の関係を示すグラフ図であ
る。

【図５】 本発明が適用される電子写真装置を示す概略
図である。

【図６】 本発明が適用される電子写真装置を示す概略
図である。

【符号の説明】

１ 感光体ドラム ２ 露光用ヘッド ３ 光学系 ４ 二成分現像ユニット ８、８' 帯電装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−21858（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−249723（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−72782（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−249170（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−324464（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−27464（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−2802（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−255818（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−90467（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 5/00 - 5/16 G03G 15/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体上に支持された感光体層に露光像を
   書込みながら画像形成を行う電子写真装置において、 前記感光体層を２〜２５μｍの膜厚からなるａ−Ｓｉ層
   で形成すると共に、表面層の膜厚を０．０５〜５μｍに
   設定し、 前記感光体層の表面電位の１／２まで露光電位が低下す
   るに必要な感光体半減感度を、８〜１ｃｍ^２／μＪの範
   囲に設定するとともに、 ４５０Ｖで帯電させ、７４０ｎｍの露光波長を用いて、
   エネルギ密度０．２μＪ／ｃｍ^２で露光した場合の焦点
   深度３００μｍ以上となるように構成し、 前記露光像を結像するための光学レンズを、プラスチッ
   クレンズで構成配置したことを特徴とする電子写真装
   置。