JP3147972B2 - 差圧測定装置 - Google Patents
差圧測定装置Info
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- JP3147972B2 JP3147972B2 JP04834192A JP4834192A JP3147972B2 JP 3147972 B2 JP3147972 B2 JP 3147972B2 JP 04834192 A JP04834192 A JP 04834192A JP 4834192 A JP4834192 A JP 4834192A JP 3147972 B2 JP3147972 B2 JP 3147972B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ばね要素とセンターダ
イアフラム或いはハウジングとの摺動面の摩擦係数を下
げ摺動による金属表面の磨耗を防止する差圧測定装置に
関するものである。
イアフラム或いはハウジングとの摺動面の摩擦係数を下
げ摺動による金属表面の磨耗を防止する差圧測定装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来より一般に使用されている
従来例の構成説明図で、例えば、実願平２−６２８８４
号に示されている。図において、ハウジング１の両側に
高圧側フランジ２、低圧側フランジ３が溶接等によって
固定されており、両フランジ２，３には測定せんとする
圧力ＰHの高圧流体の導入口４、圧力ＰLの低圧流体の導
入口５が設けられている。
従来例の構成説明図で、例えば、実願平２−６２８８４
号に示されている。図において、ハウジング１の両側に
高圧側フランジ２、低圧側フランジ３が溶接等によって
固定されており、両フランジ２，３には測定せんとする
圧力ＰHの高圧流体の導入口４、圧力ＰLの低圧流体の導
入口５が設けられている。
【０００３】ハウジング １内に圧力測定室６が形成さ
れており、この圧力測定室６内に金属のセンターダイア
フラム７とシリコンダイアフラム８が設けられている。
センターダイアフラム７とシリコンダイアフラム８はそ
れぞれ別個に圧力測定室６の壁に固定されており、セン
ターダイアフラム７とシリコンダイアフラム８の両者で
もって圧力測定室６を２分している。
れており、この圧力測定室６内に金属のセンターダイア
フラム７とシリコンダイアフラム８が設けられている。
センターダイアフラム７とシリコンダイアフラム８はそ
れぞれ別個に圧力測定室６の壁に固定されており、セン
ターダイアフラム７とシリコンダイアフラム８の両者で
もって圧力測定室６を２分している。
【０００４】７Ａは、センターダイアフラム７により分
けられた低圧側室内に設けられ低圧側室を第１室７Ｂと
第２室７Ｃとに２分するように設けられた金属の板ばね
である。なお、板ばね７Ａの形状は、センタダイアフラ
ム７と同様な波形でもよく、平板でもよい。また、直径
は、センタダイアフラム７と同じでもよい。また、セン
ターダイアフラム７と板ばね７Ａは、平時の測定範囲下
において、接していても良い。
けられた低圧側室内に設けられ低圧側室を第１室７Ｂと
第２室７Ｃとに２分するように設けられた金属の板ばね
である。なお、板ばね７Ａの形状は、センタダイアフラ
ム７と同様な波形でもよく、平板でもよい。また、直径
は、センタダイアフラム７と同じでもよい。また、セン
ターダイアフラム７と板ばね７Ａは、平時の測定範囲下
において、接していても良い。
【０００５】７Ｄは、ハウジング１に設けられ第１室７
Ｂと第２室７Ｃとを連通する連通口である。センターダ
イアフラム７と板ばね７Ａの間隙は出来るだけ小さくな
るようにし、差圧ΔＰ（＝圧力ＰH―圧力ＰL）がダイア
フラム７側から作用した時、即座にセンターダイアフラ
ム７と板ばね７Ａで受けるようにする。
Ｂと第２室７Ｃとを連通する連通口である。センターダ
イアフラム７と板ばね７Ａの間隙は出来るだけ小さくな
るようにし、差圧ΔＰ（＝圧力ＰH―圧力ＰL）がダイア
フラム７側から作用した時、即座にセンターダイアフラ
ム７と板ばね７Ａで受けるようにする。
【０００６】センターダイアフラム７と板ばね７Ａと対
向する圧力測定室６の壁６Ａ，６Ｂには、センターダイ
アフラム７と板ばね７Ａと類似の形状のバックプレ―ト
が形成されている。このバックプレ―ト６Ａ，６Ｂは、
圧力測定室６の容積を減少させるのに有効である。シリ
コンダイアフラム８は全体が単結晶のシリコン基板から
形成されている。
向する圧力測定室６の壁６Ａ，６Ｂには、センターダイ
アフラム７と板ばね７Ａと類似の形状のバックプレ―ト
が形成されている。このバックプレ―ト６Ａ，６Ｂは、
圧力測定室６の容積を減少させるのに有効である。シリ
コンダイアフラム８は全体が単結晶のシリコン基板から
形成されている。
【０００７】シリコン基板の一方の面にボロン等の不純
物を選択拡散して４っのストレンゲ―ジ８０を形成し、
他方の面を機械加工、エッチングし、全体が凹形のダイ
アフラムを形成する。４っのストレインゲ―ジ８０は、
シリコンダイアフラム８が差圧ΔＰを受けてたわむ時、
２つが引張り、２つが圧縮を受けるようになっており、
これらがホイ―トストン・ブリッジ回路に接続され、抵
抗変化が差圧ΔＰの変化として検出される。
物を選択拡散して４っのストレンゲ―ジ８０を形成し、
他方の面を機械加工、エッチングし、全体が凹形のダイ
アフラムを形成する。４っのストレインゲ―ジ８０は、
シリコンダイアフラム８が差圧ΔＰを受けてたわむ時、
２つが引張り、２つが圧縮を受けるようになっており、
これらがホイ―トストン・ブリッジ回路に接続され、抵
抗変化が差圧ΔＰの変化として検出される。
【０００８】ハウジング１は一般にステンレス鋼で作ら
れており、シリコンダイアフラム８とではかなりの熱膨
脹係数の違いがある。このためハウジング１とシリコン
ダイアフラム８との間に、シリコンと大体同じ熱膨脹係
数を有する中空の支持体９を設け、シリコンダイアフラ
ム８を圧力測定室６内に突出させるようにする。支持体
９に硼圭ガラス等の耐熱ガラスを使えば、シリコンダイ
アフラム８、支持体９、ハウジング１の３陽極結合法で
接合出来、各部材間の接着面の滑りのない強固な接着が
出来る。
れており、シリコンダイアフラム８とではかなりの熱膨
脹係数の違いがある。このためハウジング１とシリコン
ダイアフラム８との間に、シリコンと大体同じ熱膨脹係
数を有する中空の支持体９を設け、シリコンダイアフラ
ム８を圧力測定室６内に突出させるようにする。支持体
９に硼圭ガラス等の耐熱ガラスを使えば、シリコンダイ
アフラム８、支持体９、ハウジング１の３陽極結合法で
接合出来、各部材間の接着面の滑りのない強固な接着が
出来る。
【０００９】ハウジング１と高圧側フランジ２、および
低圧側フランジ３との間に、圧力導入室１０，１１が形
成されている。この圧力導入室１０，１１内に隔液ダイ
アフラム１２，１３を設け、この隔液ダイアフラム１
２，１３と対向するハウジング１の壁１０Ａ，１１Ａに
隔液ダイアフラム１２，１３と類似の形状のバックプレ
―トが形成されている。
低圧側フランジ３との間に、圧力導入室１０，１１が形
成されている。この圧力導入室１０，１１内に隔液ダイ
アフラム１２，１３を設け、この隔液ダイアフラム１
２，１３と対向するハウジング１の壁１０Ａ，１１Ａに
隔液ダイアフラム１２，１３と類似の形状のバックプレ
―トが形成されている。
【００１０】隔液ダイアフラム１２，１３とバックプレ
―ト１０Ａ，１１Ａとで形成される空間と、圧力測定室
６は、連通孔１４，１５を介して導通している。そし
て、隔液ダイアフラム１２，１３間にシリコンオイル等
の封入液１０１，１０２が満たされ、この封入液が連通
口１６，１７を介してシリコンダイアフラム８の上下面
にまで至っている。
―ト１０Ａ，１１Ａとで形成される空間と、圧力測定室
６は、連通孔１４，１５を介して導通している。そし
て、隔液ダイアフラム１２，１３間にシリコンオイル等
の封入液１０１，１０２が満たされ、この封入液が連通
口１６，１７を介してシリコンダイアフラム８の上下面
にまで至っている。
【００１１】封入液１０１，１０２は受圧ダイアフラム
７とシリコンダイアフラム８とによって２分されている
が、その量がほぼ均等になるように配慮されている。封
入液１０１，１０２の量は、周囲の温度変化の影響を出
来るだけ少なくする上で少ない方が好ましいが、バック
プレ―ト６Ａ，６Ｂ，１０Ａ，１１Ａが封入液量を少な
くするのに役立っている。
７とシリコンダイアフラム８とによって２分されている
が、その量がほぼ均等になるように配慮されている。封
入液１０１，１０２の量は、周囲の温度変化の影響を出
来るだけ少なくする上で少ない方が好ましいが、バック
プレ―ト６Ａ，６Ｂ，１０Ａ，１１Ａが封入液量を少な
くするのに役立っている。
【００１２】隔液ダイアフラム１２，１３のスチフネス
は、圧力に対する応答性、および封入液の熱膨脹を吸収
する上で小さい方が好ましい。センターダイアフラム７
と隔液ダイアフラム１２，１３との間には、隔液ダイア
フラム１２，１３がバックプレ―ト１０Ａ，１１Ａに当
接する前にセンターダイアフラム７がバックプレ―ト６
Ａ，６Ｂに当接しないような関係にしておく。
は、圧力に対する応答性、および封入液の熱膨脹を吸収
する上で小さい方が好ましい。センターダイアフラム７
と隔液ダイアフラム１２，１３との間には、隔液ダイア
フラム１２，１３がバックプレ―ト１０Ａ，１１Ａに当
接する前にセンターダイアフラム７がバックプレ―ト６
Ａ，６Ｂに当接しないような関係にしておく。
【００１３】以上の構成において、、導入口４，５から
圧力ＰHの被測定流体、圧力ＰLの被測定流体がハウジン
グ１内に導入された場合、流体の圧力ＰH，ＰLはそれぞ
れ隔液ダイアフラム１２，１３を介して封入液１０１，
１０２に伝達され、シリコンダイアフラム８により両流
体の差圧ΔＰ＝｜ＰH−ＰL｜が検出される事になる。
圧力ＰHの被測定流体、圧力ＰLの被測定流体がハウジン
グ１内に導入された場合、流体の圧力ＰH，ＰLはそれぞ
れ隔液ダイアフラム１２，１３を介して封入液１０１，
１０２に伝達され、シリコンダイアフラム８により両流
体の差圧ΔＰ＝｜ＰH−ＰL｜が検出される事になる。
【００１４】而して、図４に示す如く、高圧側から過大
圧が印加された場合には、センタダイアフラム７は僅か
の圧力で板ばね７Ａに接触し、その後は、板ばね７Ａと
共に変形するため、容積変化定数が小さくなり、図５に
示す如く、低圧側から過大圧が印加された場合よりも高
い圧力で隔液ダイアフラム１２がバックプレ―ト１０Ａ
に着座する。図６に、本実施例における圧力Ｐと容積変
化量ΔＶとの関係を示す。図のＣ点において、センタダ
イアフラム７は板ばね７Ａに接触する。平時の測定範囲
下において、センターダイアフラム７と板ばねとが接し
ている場合の圧力Ｐと容積変化量ΔＶとの関係を図７に
示す。
圧が印加された場合には、センタダイアフラム７は僅か
の圧力で板ばね７Ａに接触し、その後は、板ばね７Ａと
共に変形するため、容積変化定数が小さくなり、図５に
示す如く、低圧側から過大圧が印加された場合よりも高
い圧力で隔液ダイアフラム１２がバックプレ―ト１０Ａ
に着座する。図６に、本実施例における圧力Ｐと容積変
化量ΔＶとの関係を示す。図のＣ点において、センタダ
イアフラム７は板ばね７Ａに接触する。平時の測定範囲
下において、センターダイアフラム７と板ばねとが接し
ている場合の圧力Ｐと容積変化量ΔＶとの関係を図７に
示す。
【００１５】この結果、ハウジング１内の低圧側室内に
低圧側室を２分するように板ばね７Ａが配置され、この
板ばね７Ａによって２分された第１室７Ｂと第２室７Ｃ
を連通口７Ｄによって連通させたので、過大圧時の隔液
ダイアフラムがバックプレ―トに着座するときの圧力
が、高圧側と低圧側とで異なる為、簡単な構成で、少な
い部品点数で、高圧側の耐圧に応じた広い範囲の差圧測
定が可能な差圧測定装置が得られる。
低圧側室を２分するように板ばね７Ａが配置され、この
板ばね７Ａによって２分された第１室７Ｂと第２室７Ｃ
を連通口７Ｄによって連通させたので、過大圧時の隔液
ダイアフラムがバックプレ―トに着座するときの圧力
が、高圧側と低圧側とで異なる為、簡単な構成で、少な
い部品点数で、高圧側の耐圧に応じた広い範囲の差圧測
定が可能な差圧測定装置が得られる。
【００１６】而して、低圧側からの圧力に対しては、封
入液は第２室７Ｃから連通孔７Ｄを通り、板ばね７Ａの
外周部から第１室７Ｂに流入する。第１室７Ｂの全周部
分を封入液１０２の移動のために開口させる事ができ、
また、連通孔７Ｄは大きな直径にする事が出来るので、
低圧側からの瞬間的な過大圧に対しても、封入液の移動
がスム―ズに行うことが出来る。
入液は第２室７Ｃから連通孔７Ｄを通り、板ばね７Ａの
外周部から第１室７Ｂに流入する。第１室７Ｂの全周部
分を封入液１０２の移動のために開口させる事ができ、
また、連通孔７Ｄは大きな直径にする事が出来るので、
低圧側からの瞬間的な過大圧に対しても、封入液の移動
がスム―ズに行うことが出来る。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な装置においては、測定差圧が大きく一枚のセンターダ
イアフラム７では十分な剛さが得られ無いため、波形状
のセンターダイアフラム７の他に、板ばね７Ａを併せて
使用している。差圧或いは過大圧が印加されると、この
センターダイアフラム７と板ばね７Ａは互いに接触しな
がら変位することになる。
な装置においては、測定差圧が大きく一枚のセンターダ
イアフラム７では十分な剛さが得られ無いため、波形状
のセンターダイアフラム７の他に、板ばね７Ａを併せて
使用している。差圧或いは過大圧が印加されると、この
センターダイアフラム７と板ばね７Ａは互いに接触しな
がら変位することになる。
【００１８】従って、センターダイアフラム７と板ばね
７Ａの接している面では、圧力の繰り返しに伴って、摺
り合わさる現象が生じる。センターダイアフラム７と板
ばね７Ａは、平滑な面をしてはいるが、１０万回を越え
る繰り返しが連続して生じると、互いの金属が磨耗し微
細な金属粉を発生することになる。
７Ａの接している面では、圧力の繰り返しに伴って、摺
り合わさる現象が生じる。センターダイアフラム７と板
ばね７Ａは、平滑な面をしてはいるが、１０万回を越え
る繰り返しが連続して生じると、互いの金属が磨耗し微
細な金属粉を発生することになる。
【００１９】この金属粉は封入液１０１，１０２と共に
移動し、たとえば、隔液ダイアフラム１２，１３とバッ
クプレート１０Ａ，１１Ａとの間に挟み込まれる場合が
生じ、差圧による隔液ダイアフラム１２，１３の変位を
妨げる危険がある。これにより、差圧測定装置としての
入出力特性の劣化が生じる。本発明は、この問題点を、
解決するものである。本発明の目的は、ばね要素とセン
ターダイアフラム或いはハウジングとの摺動面の摩擦係
数を下げ摺動による金属表面の磨耗を防止する差圧測定
装置を提供するにある。
移動し、たとえば、隔液ダイアフラム１２，１３とバッ
クプレート１０Ａ，１１Ａとの間に挟み込まれる場合が
生じ、差圧による隔液ダイアフラム１２，１３の変位を
妨げる危険がある。これにより、差圧測定装置としての
入出力特性の劣化が生じる。本発明は、この問題点を、
解決するものである。本発明の目的は、ばね要素とセン
ターダイアフラム或いはハウジングとの摺動面の摩擦係
数を下げ摺動による金属表面の磨耗を防止する差圧測定
装置を提供するにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、内部に封入液が満たされたハウジング
と、該ハウジングの両側に設けられた一対の隔液ダイア
フラムと、前記ハウジング内に設けられた圧力―電気変
換素子と、前記ハウジングに該圧力―電気変換素子と共
に高圧側室と低圧側室とに２分するように設けられたセ
ンタダイアフラムとを具備する差圧測定装置に於いて、
前記低圧側室内に設けられ測定範囲内において該センタ
ーダイアフラムと接し該センターダイアフラムの変位量
を抑える様に設けられたばね要素と、該ばね要素の少な
くとも前記センターダイアフラム或いは前記ハウジング
に接する部分に接触摩擦抵抗を減少する様に設けられた
コーティング層とを具備したことを特徴とする差圧測定
装置を構成したものである。
に、本発明は、内部に封入液が満たされたハウジング
と、該ハウジングの両側に設けられた一対の隔液ダイア
フラムと、前記ハウジング内に設けられた圧力―電気変
換素子と、前記ハウジングに該圧力―電気変換素子と共
に高圧側室と低圧側室とに２分するように設けられたセ
ンタダイアフラムとを具備する差圧測定装置に於いて、
前記低圧側室内に設けられ測定範囲内において該センタ
ーダイアフラムと接し該センターダイアフラムの変位量
を抑える様に設けられたばね要素と、該ばね要素の少な
くとも前記センターダイアフラム或いは前記ハウジング
に接する部分に接触摩擦抵抗を減少する様に設けられた
コーティング層とを具備したことを特徴とする差圧測定
装置を構成したものである。
【００２１】
【作用】以上の構成において、、導入口から圧力の被測
定流体、圧力の被測定流体がハウジング内に導入された
場合、流体の圧力はそれぞれ隔液ダイアフラムを介して
封入液に伝達され、シリコンダイアフラムにより両流体
の差圧が検出される事になる。而して、、高圧側から過
大圧が印加された場合には、センタダイアフラムは僅か
の圧力で板ばねに接触し、その後は、板ばねと共に変形
するため、容積変化定数が小さくなり、低圧側から過大
圧が印加された場合よりも高い圧力で隔液ダイアフラム
がバックプレ―トに着座する。
定流体、圧力の被測定流体がハウジング内に導入された
場合、流体の圧力はそれぞれ隔液ダイアフラムを介して
封入液に伝達され、シリコンダイアフラムにより両流体
の差圧が検出される事になる。而して、、高圧側から過
大圧が印加された場合には、センタダイアフラムは僅か
の圧力で板ばねに接触し、その後は、板ばねと共に変形
するため、容積変化定数が小さくなり、低圧側から過大
圧が印加された場合よりも高い圧力で隔液ダイアフラム
がバックプレ―トに着座する。
【００２２】而して、低圧側から過大圧が印加された場
合には、封入液は第２室から連通孔を通り、板ばねの外
周部から第１室に流入する。第１室の全周部分を封入液
の移動のために開口させる事ができ、また、連通孔は大
きな直径にする事が出来るので、低圧側からの瞬間的な
過大圧に対しても、封入液の移動がスム―ズに行うこと
が出来る。
合には、封入液は第２室から連通孔を通り、板ばねの外
周部から第１室に流入する。第１室の全周部分を封入液
の移動のために開口させる事ができ、また、連通孔は大
きな直径にする事が出来るので、低圧側からの瞬間的な
過大圧に対しても、封入液の移動がスム―ズに行うこと
が出来る。
【００２３】而して、ばね要素の少なくとも、センター
ダイアフラム或いはハウジングに接する部分に接触摩擦
抵抗を減少するコーティング層が設けられたので、ばね
要素とセンターダイアフラム或いはハウジングとの摺動
による金属表面の磨耗がなくなり、微細な金属粉の発生
の恐れが無い差圧測定装置が得られる。以下、実施例に
基づき詳細に説明する。
ダイアフラム或いはハウジングに接する部分に接触摩擦
抵抗を減少するコーティング層が設けられたので、ばね
要素とセンターダイアフラム或いはハウジングとの摺動
による金属表面の磨耗がなくなり、微細な金属粉の発生
の恐れが無い差圧測定装置が得られる。以下、実施例に
基づき詳細に説明する。
【００２４】
【実施例】図１は本発明の一実施例の要部構成説明図で
ある。図において、図３と同一記号の構成は同一機能を
表わす。以下、図３と相違部分のみ説明する。２１は、
ばね要素７Ａの少なくとも、センターダイアフラム７或
いはハウジング１に接する部分に、接触摩擦抵抗を減少
する様に設けられたコーティング層である。この場合
は、ＦＥＰ樹脂（商品名テフロン）を主成分とする樹脂
コーティング層が使用されている。
ある。図において、図３と同一記号の構成は同一機能を
表わす。以下、図３と相違部分のみ説明する。２１は、
ばね要素７Ａの少なくとも、センターダイアフラム７或
いはハウジング１に接する部分に、接触摩擦抵抗を減少
する様に設けられたコーティング層である。この場合
は、ＦＥＰ樹脂（商品名テフロン）を主成分とする樹脂
コーティング層が使用されている。
【００２５】以上の構成において、導入口４，５から圧
力ＰHの被測定流体、圧力ＰLの被測定流体がハウジング
１内に導入された場合、流体の圧力ＰH，ＰLはそれぞれ
隔液ダイアフラム１２，１３を介して封入液１０１，１
０２に伝達され、シリコンダイアフラム８により両流体
の差圧ΔＰ＝｜ＰH−ＰL｜が検出される事になる。
力ＰHの被測定流体、圧力ＰLの被測定流体がハウジング
１内に導入された場合、流体の圧力ＰH，ＰLはそれぞれ
隔液ダイアフラム１２，１３を介して封入液１０１，１
０２に伝達され、シリコンダイアフラム８により両流体
の差圧ΔＰ＝｜ＰH−ＰL｜が検出される事になる。
【００２６】而して、高圧側から過大圧が印加された場
合には、センタダイアフラム７は僅かの圧力で板ばね７
Ａに接触し、その後は、板ばね７Ａと共に変形するた
め、容積変化定数が小さくなり、低圧側から過大圧が印
加された場合よりも高い圧力で隔液ダイアフラム１２が
バックプレ―ト１０Ａに着座する。
合には、センタダイアフラム７は僅かの圧力で板ばね７
Ａに接触し、その後は、板ばね７Ａと共に変形するた
め、容積変化定数が小さくなり、低圧側から過大圧が印
加された場合よりも高い圧力で隔液ダイアフラム１２が
バックプレ―ト１０Ａに着座する。
【００２７】而して、低圧側から過大圧が印加された場
合には、封入液１０２は第２室７Ｃから連通孔７Ｄを通
り、板ばね７Ａの外周部から第１室７Ｂに流入する。第
１室７Ｂの全周部分を封入液１０２の移動のために開口
させる事ができ、また、連通孔７Ｄは大きな直径にする
事が出来るので、低圧側からの瞬間的な過大圧に対して
も、封入液１０２の移動がスム―ズに行うことが出来
る。
合には、封入液１０２は第２室７Ｃから連通孔７Ｄを通
り、板ばね７Ａの外周部から第１室７Ｂに流入する。第
１室７Ｂの全周部分を封入液１０２の移動のために開口
させる事ができ、また、連通孔７Ｄは大きな直径にする
事が出来るので、低圧側からの瞬間的な過大圧に対して
も、封入液１０２の移動がスム―ズに行うことが出来
る。
【００２８】而して、ばね要素７Ａの少なくとも、セン
ターダイアフラム７或いはハウジング１に接する部分
に、接触摩擦抵抗を減少するコーティング層２１が設け
られたので、ばね要素７Ａとセンターダイアフラム７或
いはハウジング１との摺動による金属表面の磨耗がなく
なり、微細な金属粉の発生の恐れが無い差圧測定装置が
得られる。
ターダイアフラム７或いはハウジング１に接する部分
に、接触摩擦抵抗を減少するコーティング層２１が設け
られたので、ばね要素７Ａとセンターダイアフラム７或
いはハウジング１との摺動による金属表面の磨耗がなく
なり、微細な金属粉の発生の恐れが無い差圧測定装置が
得られる。
【００２９】この結果、 （１）隔液ダイアフラム１２，１３の裏に金属粉が侵入
して特性不良となる現象を防止する事ができる。 （２）摩擦係数の減少により、センターダイアフラム７
のヒステリシスが大幅に減少して、入出力特性のヒステ
リシス、分解能等も大幅に改善される。
して特性不良となる現象を防止する事ができる。 （２）摩擦係数の減少により、センターダイアフラム７
のヒステリシスが大幅に減少して、入出力特性のヒステ
リシス、分解能等も大幅に改善される。
【００３０】図２は本発明の他の実施例の要部構成説明
図である。本実施例においては、ばね要素３０として、
ブロック３１と皿ばね３２を使用し、ブロック３１と皿
ばね３２の表面にそれぞれコーティング層３３，３４が
設けられたものである。なお、前述の実施例において
は、コーティング層２１はＦＥＰ樹脂（商品名テフロ
ン）を主成分とする樹脂コーティング層が使用されてい
ると説明したが、これに限ることはなく、例えば、モリ
ブデンを主成分とするコーティング層でも良い。要する
に、ばね要素とセンターダイアフラム或いはハウジング
との接触摩擦抵抗を減少する様なコーティング層であれ
ばよい。
図である。本実施例においては、ばね要素３０として、
ブロック３１と皿ばね３２を使用し、ブロック３１と皿
ばね３２の表面にそれぞれコーティング層３３，３４が
設けられたものである。なお、前述の実施例において
は、コーティング層２１はＦＥＰ樹脂（商品名テフロ
ン）を主成分とする樹脂コーティング層が使用されてい
ると説明したが、これに限ることはなく、例えば、モリ
ブデンを主成分とするコーティング層でも良い。要する
に、ばね要素とセンターダイアフラム或いはハウジング
との接触摩擦抵抗を減少する様なコーティング層であれ
ばよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、内部に
封入液が満たされたハウジングと、該ハウジングの両側
に設けられた一対の隔液ダイアフラムと、前記ハウジン
グ内に設けられた圧力―電気変換素子と、前記ハウジン
グに該圧力―電気変換素子と共に高圧側室と低圧側室と
に２分するように設けられたセンタダイアフラムとを具
備する差圧測定装置に於いて、前記低圧側室内に設けら
れ測定範囲内において該センターダイアフラムと接し該
センターダイアフラムの変位量を抑える様に設けられた
ばね要素と、該ばね要素の少なくとも前記センターダイ
アフラム或いは前記ハウジングに接する部分に接触摩擦
抵抗を減少する様に設けられたコーティング層とを具備
したことを特徴とする差圧測定装置を構成した。
封入液が満たされたハウジングと、該ハウジングの両側
に設けられた一対の隔液ダイアフラムと、前記ハウジン
グ内に設けられた圧力―電気変換素子と、前記ハウジン
グに該圧力―電気変換素子と共に高圧側室と低圧側室と
に２分するように設けられたセンタダイアフラムとを具
備する差圧測定装置に於いて、前記低圧側室内に設けら
れ測定範囲内において該センターダイアフラムと接し該
センターダイアフラムの変位量を抑える様に設けられた
ばね要素と、該ばね要素の少なくとも前記センターダイ
アフラム或いは前記ハウジングに接する部分に接触摩擦
抵抗を減少する様に設けられたコーティング層とを具備
したことを特徴とする差圧測定装置を構成した。
【００３２】この結果、 （１）隔液ダイアフラム１２，１３の裏に金属粉が侵入
して特性不良となる現象を防止する事ができる。 （２）摩擦係数の減少により、センターダイアフラム７
のヒステリシスが大幅に減少して、入出力特性のヒステ
リシス、分解能等も大幅に改善される。従って、本発明
によれば、ばね要素とセンターダイアフラム或いはハウ
ジングとの摺動面の摩擦係数を下げ摺動による金属表面
の磨耗を防止する差圧測定装置を実現することが出来
る。
して特性不良となる現象を防止する事ができる。 （２）摩擦係数の減少により、センターダイアフラム７
のヒステリシスが大幅に減少して、入出力特性のヒステ
リシス、分解能等も大幅に改善される。従って、本発明
によれば、ばね要素とセンターダイアフラム或いはハウ
ジングとの摺動面の摩擦係数を下げ摺動による金属表面
の磨耗を防止する差圧測定装置を実現することが出来
る。
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図３】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
明図である。
【図４】図３の動作説明図である。
【図５】図３の動作説明図である。
【図６】図３の動作説明図である。
【図７】図３の動作説明図である。
１…ハウジング ２…高圧側フランジ ３…低圧側フランジ ４…導入口 ５…導入口 ６…圧力測定室 ６Ａ…バックプレ―ト ６Ｂ…バックプレ―ト ７…センターダイアフラム ７Ａ…板ばね ７Ｂ…第１室 ７Ｃ…第２室 ７Ｄ…連通孔 ８…シリコンダイアフラム ９…支持体 １０…圧力導入室 １０Ａ…バックプレ―ト １１…圧力導入室 １１Ａ…バックプレ―ト １２…隔液ダイアフラム １３…隔液ダイアフラム １４…連通口 １５…連通口 １６…連通口 １７…連通口 ２１…コーティング層 ３０…ばね要素 ３１…ブロック ３２…皿ばね ３３…コーティング層 ３４…コーティング層 ８０…ストレインゲ―ジ １０１…封入液 １０２…封入液
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−74619（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−6434（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−19726（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−21938（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−104387（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】内部に封入液が満たされたハウジングと、 該ハウジングの両側に設けられた一対の隔液ダイアフラ
ムと、 前記ハウジング内に設けられた圧力―電気変換素子と、 前記ハウジングに該圧力―電気変換素子と共に高圧側室
と低圧側室とに２分するように設けられたセンタダイア
フラムとを具備する差圧測定装置に於いて、 前記低圧側室内に設けられ測定範囲内において該センタ
ーダイアフラムと接し該センターダイアフラムの変位量
を抑える様に設けられたばね要素と、 該ばね要素の少なくとも前記センターダイアフラム或い
は前記ハウジングに接する部分に接触摩擦抵抗を減少す
る様に設けられたコーティング層とを具備したことを特
徴とする差圧測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04834192A JP3147972B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 差圧測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04834192A JP3147972B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 差圧測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05248978A JPH05248978A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3147972B2 true JP3147972B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=12800699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04834192A Expired - Fee Related JP3147972B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 差圧測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3147972B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10334284B4 (de) * | 2003-07-25 | 2013-04-18 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdruckaufnehmer mit Überlastmembran |
| CN115014627B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-07-21 | 武汉新烽光电股份有限公司 | 一种高精度大气压力传感器 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP04834192A patent/JP3147972B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05248978A (ja) | 1993-09-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |