JP3143570B2 - マルチワイヤーソー - Google Patents

マルチワイヤーソー

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JP3143570B2 JP31162494A JP31162494A JP3143570B2 JP 3143570 B2 JP3143570 B2 JP 3143570B2 JP 31162494 A JP31162494 A JP 31162494A JP 31162494 A JP31162494 A JP 31162494A JP 3143570 B2 JP3143570 B2 JP 3143570B2
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  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハを製造するため
のマルチワイヤーソー及びマルチワイヤーソーによりス
ライスされたエウハを収納するカセットに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のマルチワイヤソーで半導体のスラ
イスを行う場合、半導体の固まり(インゴット)を、ガ
ラスまたはカーボンの板(捨て板)に接着剤で接着し、
この捨て板をホルダーにビスで止め、または捨て板の両
端を挟み込んでホルダーに固定する。あるいは、もう一
枚のアルミ等の金属板またはカーボン板等にこの捨て板
を接着剤で貼りつけ、これをホルダーにビス等で止め
る。
【0003】そして、このホルダーをマルチワイヤーソ
ー本体に装着し、砥粒とオイルとの混合物であるスラリ
ーをかけながらスライスを開始する。スライスが進み、
捨て板に若干(数mm)ワイヤーが切り込むと、スライ
スは終了する。この捨て板及び半導体からワイヤーを引
き抜き、再びホルダーを引き抜く。この後、ウエハに付
着したスラリーを軽油等で落とし、次に接着剤を剥がす
ために専用の溶液に浸し、ウエハを捨て板から剥離す
る。剥がしたウエハはカセットに収納される。カセット
の仕切の素材としてはフッ素、テフロンなどの樹脂、ま
たはアルミなどの金属が用いられており、構造的にウエ
ハ間隔を数mm程度に広くとる必要がある。従ってカセ
ットの重さや大きさといった作業性を考慮するとカセッ
トの収納枚数は、通常20〜25枚である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】樹脂、金属の板状の仕
切では、その幅を1mm以下にすると強度が非常に弱く
なり実質的には「仕切」としては機能しない。また、薄
い板を仕切として用いる場合、その全面にわたって平坦
度を保つのは極めて困難であり隣同士の壁が接触する恐
れがある。数十〜数百μmの厚さの板は実質的に紙と同
様の強度しかなく、強度的には非常に弱いものであり、
仕切としての役には立たない。
【0005】また、上述したように、スライスするにあ
たり、半導体インゴットを捨て板に接着する必要がある
が、接着剤が2液の場合、主剤と、硬化剤とを取り出し
て混合する工程と、捨て板に接着剤を均一に塗布する工
程と、スライス終了後にウエハを捨て板から剥がす工程
とが必要であり、これは工数的かつ材料費(捨て板、接
着剤)からみてもコストアップの要因となる。
【0006】本発明の第1の目的は、捨て板及び接着剤
を必要とせず、インゴットに接着剤を塗布する工程及び
スライス後の接着剤を剥がす工程を省くことの可能なマ
ルチワイヤーソーを提供することにある。
【0007】本発明の第2の目的は、上記マルチワイヤ
ーソーに使用され、仕切間隔を狭くし得るウエハ収納カ
セットを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】前述の第1の目的は、所
定間隔で張設されたワイヤー列を用いて半導体インゴッ
トを多数のウエハに切断するマルチワイヤーソーであっ
て、半導体インゴットを挟持し、ウエハに切断すべくワ
イヤの走行方向に垂直に移動させる保持手段を有してお
り、切断終了後ウエハを前記保持手段からウエハ収納カ
セットに落下させるように構成されていることを特徴と
するマルチワイヤーソーによって達成される。
【0009】前述の第2の目的は、前記保持手段が、切
断工程の前半において半導体インゴットを挟持する第1
の挟持部と、切断工程の後半において前記半導体インゴ
ットを挟持する第2の挟持部とを有する請求項2に記載
のマルチワイヤーソーによって達成される。
【0010】前述の第2の目的は、ウエハを相互に分離
する仕切として、直径50〜300μmのワイヤーが張
設されていることを特徴とする請求項3に記載のウエハ
格納カセットによって達成される。
【0011】
【作用】請求項1及び2に記載のマルチワイヤーソーに
おいては、切断終了と同時に、ウエハはそのままカセッ
トに挿入される。また、捨て板、接着剤を必要としない
ので、接着剤を剥がす工程及び残存スラリーのために剥
がれ難くなっているウエハを人力で剥離するという非常
な労力を要する作業を省略することができる。
【0012】請求項3に記載のカセットにおいては、仕
切としてワイヤを用いているので十分な強度を保ちなが
ら仕切間隔を狭くすることができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明のマルチワイヤーソーの実施例
を図を参照しながら説明する。
【0014】本実施例のマルチワイヤーソーは、図3に
示すように、3個のワイヤーガイド20、21、22を
有している。これらのワイヤーガイドにはスライスする
ウエハの厚さ及びワイヤーの直径等に応じた溝が切って
あり、これらの溝に沿ってワイヤー23がピッチ600
μmで捲回されている。このワイヤー23は図示しない
ワイヤー駆動機構によって走行する。
【0015】ワイヤーガイド21と22との間には、1
00×100×160mmの結晶シリコンブロック24
を挟持する2組の挟み板25a,25b、及び26a,
26bが昇降自在な壁28(図4参照)に移動可能に配
設されている。なお、第1挟持部としての挟み板25
a,25bは幅が40mmであり、第2挟持部としての
挟み板26a,26bは幅が50mmであり、これらの
挟み板のシリコンブロック24との接触面にはゴムが張
ってあり、シリコンブロック24が破損しないようにな
っている。更に、ワイヤーガイド21、22の近傍に
は、砥粒とオイルの混合物であり、潤滑性と研磨性を有
するスラリーを噴出するスラリーノズル27a,27b
が配設されている。
【0016】また、マルチワイヤーソーは、図1(a)
に示すような、スライスされたウエハをそのまま収納す
るカセット5を具備している。カセットの素材としてテ
フロン樹脂が用いられている。190×110×10m
mの板1a及び板1bには、図1(b)に示すように直
径100μmの穴が縦方向に3mmピッチで20穴穿設
されており、横方向に600μmピッチで230列の穴
が穿設されている。これらの板1a、1bの間に、10
5×110×10mmの板2a、2bが配設され、板2
a、2bの間の底部に、収納したウエハの落下を防止す
る底板としての棒状の板3a、3bが配設されている。
【0017】板1a、1bに穿設された穴には仕切とし
てのワイヤー4が張設されている。ワイヤー4には直径
70μmのタングステンワイヤーが用いられている。
【0018】カセットの構成を図2(a)に示すような
ものにしても良い。図2において、カセット6は、側板
11a、11bを有しており、側板11a、11bの四
隅には直径18mm,長さ180mmのSUSの丸棒1
0a、10b、10c、10d が配設されており、側
板11aと側板11bとを所定間隔に保持している。こ
れらの丸棒10a、10b、10c、10dには厚さ1
mmのテフロンチューブが被覆されており、このテフロ
ンチューブにはピッチ600μm、深さ60μmの溝が
切られている。丸棒10a、10c及び10b、10d
の間隔はそれぞれ100mmであり,また、10a,
10b及び10c、10dの間隔は125mmである。
更に、底部には板12a、12bが配設されており、収
納されたウエハが落下しないようにするための床を構成
している。図2(b)に示すように丸棒10a、10
b、10c、10d には、センターから左右70m
m、即ち、全長140mm幅に仕切として機能する複数
のワイヤー13がピッチ600μmで張設されている。
【0019】次に、本実施例の動作を図4及び図5を用
いて説明する。なお、本実施例では、長さ160mmの
半導体ブロックの両端部各10mmを残し、従って、実
スライス幅は140mmである。
【0020】まず、図4(a)に示すように、挟み板2
5a,25bが前進し、半導体ブロック24の上部を挟
持する。この状態で、マルチワイヤーソーが始動する
と、ワイヤー23が走行し、同時にスラリーノズル27
a、27bからスラリーが噴出する。図示しない昇降機
構により壁28が下降、従って挟み板25a,25bが
下降すると、ワイヤー23により半導体ブロック24の
スライスが、図4(b)に示すように行われる。なお、
挟み板25a,25bの幅は40mmであるので、半導
体ブロック24のスライスが55mm程度経過してワイ
ヤー23が挟み板25a,25bに接近したところで、
挟み板26a,26bが前進し、図4(c)に示すよう
に半導体ブロック24の下部が挟持される。この際、挟
み板26a,26bの下部からシリコンウエハの下端を
2mm程度露出しておく。挟み板25a,25bによる
半導体ブロック24の挟持が解除され、更に、図示しな
い昇降機構により挟み板26a,26bが下降し、半導
体ブロック24のスライスが続行される。
【0021】なお、挟み板26a,26bの挟持力は各
ウエハとブロック両側の10mmの部分とに分散される
ので、ウエハの割れは発生しない。また、ウエハの厚み
は200から450μmとすることができ、切り代は2
10から220μmである。
【0022】スライス終了時点では、図4(d)に示す
ように、ウエハ7は挟み板26a,26bにより挟持さ
れ、各ウエハ7の下端は挟み板26a,26bの下部か
ら2mm程度露出した状態になっている。ここで、図5
に示すように、カセット5の最上部のワイヤー4が露出
している複数のウエハ7の間に挿入され、且つ、挟み板
25a,25bにより各ウエハ7が挟持される。次に挟
み板26a,26bによる挟持が解放される。それか
ら、図示しない昇降機構により挟み板25a,25bが
下降すると、各ウエハ7はカセット5の仕切として機能
するワイヤー4に沿ってカセット5内に収納されてい
き、ウエハ7の半分までがカセット5内に収納された時
点で、挟み板25a,25bによる挟持が解放され、各
ウエハ7はカセット5の仕切として機能するワイヤー4
により分離された状態でカセット5内に収納される。
【0023】なお、各ウエハ7の間にスラリーがたまリ
密着性が強いこともあるので、挟み板26a,26b
は、抜き取るときに、前後左右に若干スイングできるよ
うにしておき、カセット5中にウエハ7が落下しやすい
ようにしておくとよい。
【0024】
【発明の効果】請求項1及び2に記載のマルチワイヤー
ソーによれば、スライス終了と同時にウエハをカセット
に収納でき、ウエハを人力で剥離するという非常に労力
を要する作業を省略することができる。また、捨て板、
接着剤を必要としないので、接着剤を塗布する工程、剥
解する工程を省略でき、作業効率の大幅な軽減を図るこ
とができ、更に接着剤、捨て板等の消耗品を低減でき、
コストダウンを図ることができる。
【0025】請求項3に記載のカセットによれば、仕切
としてワイヤを用いているので仕切り間隔を狭くするこ
とが可能であり、カセットを小形軽量にすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のカセットを示す図である。
【図2】本発明の他のカセットを示す図である。
【図3】本発明のマルチワイヤーソーの概略構成図であ
る。
【図4】本発明のマルチワイヤーソーの動作の説明図で
ある。
【図5】本発明のマルチワイヤーソーの動作の説明図で
ある。
【符号の説明】
4 ワイヤー 5,6 カセット 7 ウエハ 13 ワイヤー 20,21,22 ワイヤーガイド 23 ワイヤー 24 半導体インゴット 25a,25b,26a,26b 挟み板 28 壁

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定間隔で張設されたワイヤー列を用い
    て半導体インゴットを多数のウエハに切断するマルチワ
    イヤーソーであって、半導体インゴットを挟持し、ウエ
    ハに切断すべくワイヤの走行方向に垂直に移動させる保
    持手段を有しており、切断終了後ウエハを前記保持手段
    からウエハ収納カセットに落下させるように構成されて
    いることを特徴とするマルチワイヤーソー。
  2. 【請求項2】 前記保持手段は、切断工程の前半におい
    て半導体インゴットを挟持する第1の挟持部と、切断工
    程の後半において前記半導体インゴットを挟持する第2
    の挟持部とを有する請求項1に記載のマルチワイヤーソ
    ー。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載のマルチワイヤーソーに
    使用するカセットであって、ウエハを相互に分離する仕
    切として、直径50〜300μmのワイヤーが張設され
    ていることを特徴とするウエハ収納カセット。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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