JP3141790B2 - 活性エネルギー線照射方法および活性エネルギー線照射物 - Google Patents
活性エネルギー線照射方法および活性エネルギー線照射物Info
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- JP3141790B2 JP3141790B2 JP08250262A JP25026296A JP3141790B2 JP 3141790 B2 JP3141790 B2 JP 3141790B2 JP 08250262 A JP08250262 A JP 08250262A JP 25026296 A JP25026296 A JP 25026296A JP 3141790 B2 JP3141790 B2 JP 3141790B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば基材に設け
られる塗料、印刷インキ、接着剤等の被覆剤等に対し
て、真空中で電子を電圧にて加速し、この加速された電
子を常圧中に取り出して物体に電子線（ＥＢ）を照射
し、被覆剤等を硬化もしくは架橋する活性エネルギー照
射方法および活性エネルギー線照射物に関する。
られる塗料、印刷インキ、接着剤等の被覆剤等に対し
て、真空中で電子を電圧にて加速し、この加速された電
子を常圧中に取り出して物体に電子線（ＥＢ）を照射
し、被覆剤等を硬化もしくは架橋する活性エネルギー照
射方法および活性エネルギー線照射物に関する。
【０００２】
【従来の技術】基材に施された塗料、印刷インキ、接着
剤等の被覆剤の硬化または架橋方法として電子線硬化が
提案されている。電子線硬化は、真空中で電子を電圧に
て加速し、この加速された電子を空気中等の常圧雰囲気
中に取り出し、物体に対して電子線（ＥＢ）を照射する
方法であり、加速電圧は通常３００ｋＶ〜１ＭＶであ
る。
剤等の被覆剤の硬化または架橋方法として電子線硬化が
提案されている。電子線硬化は、真空中で電子を電圧に
て加速し、この加速された電子を空気中等の常圧雰囲気
中に取り出し、物体に対して電子線（ＥＢ）を照射する
方法であり、加速電圧は通常３００ｋＶ〜１ＭＶであ
る。
【０００３】電子線照射による硬化および架橋の利点と
しては、次のようなものが挙げられる。 (1) 希釈剤として有機溶剤を含有させる必要がないので
環境に優しい。
しては、次のようなものが挙げられる。 (1) 希釈剤として有機溶剤を含有させる必要がないので
環境に優しい。
【０００４】(2) 硬化速度が速い（生産性大）。 (3) 熱乾燥よりも硬化作業面積が少なくてすむ。 (4) 基材に熱がかからない（熱に弱いものにも適用可
能）。
能）。
【０００５】(5) 後加工がすぐできる（冷却、エージン
グ等が不要である）。 (6) 電気的作業条件を管理すればよいから、熱乾燥の際
の温度管理よりも管理しやすい。
グ等が不要である）。 (6) 電気的作業条件を管理すればよいから、熱乾燥の際
の温度管理よりも管理しやすい。
【０００６】(7) 開始剤、増感剤がなくてもよいので、
不純物の少ないものができる（品質の向上）。 ところで、一般に工業的に利用されている電子線硬化装
置においては、被処理物に電子線を照射することによっ
て発生したラジカルにより重合反応を生じさせ、これに
よってポリマーが形成され硬化が進行する。この場合、
照射室内に酸素が存在していると、処理物中の成長ラジ
カルと電子線によって発生した酸素ラジカルとの反応に
より、ラジカル重合が阻害される。このため、一般に２
００ｋＶ程度の比較的低加速電圧においても、窒素等を
用いて、酸素濃度５００ｐｐｍ以下で照射しているのが
現状である。
不純物の少ないものができる（品質の向上）。 ところで、一般に工業的に利用されている電子線硬化装
置においては、被処理物に電子線を照射することによっ
て発生したラジカルにより重合反応を生じさせ、これに
よってポリマーが形成され硬化が進行する。この場合、
照射室内に酸素が存在していると、処理物中の成長ラジ
カルと電子線によって発生した酸素ラジカルとの反応に
より、ラジカル重合が阻害される。このため、一般に２
００ｋＶ程度の比較的低加速電圧においても、窒素等を
用いて、酸素濃度５００ｐｐｍ以下で照射しているのが
現状である。
【０００７】また、電子線を空気雰囲気中で照射する
と、酸素分子はオゾンに変わる。オゾンは人体に非常に
有害な物質であり、日本産業衛生学会の許容濃度の勧告
（１９９２年）によればオゾンの許容濃度は０．１ｐｐ
ｍと定められており、また日本空気清浄協会の設計基準
でもオゾン濃度は最高０．１ｐｐｍ、平均０．０５ｐｐ
ｍ以下と定められている。従って、電子線照射時の作業
環境においては換気等に十分留意する必要がある。オゾ
ンの処理方法については、活性炭によりオゾンを分解
し、酸素分子に還元する方法も用いられているが、活性
炭の寿命が短い等の問題があり、実用上は問題が大き
い。
と、酸素分子はオゾンに変わる。オゾンは人体に非常に
有害な物質であり、日本産業衛生学会の許容濃度の勧告
（１９９２年）によればオゾンの許容濃度は０．１ｐｐ
ｍと定められており、また日本空気清浄協会の設計基準
でもオゾン濃度は最高０．１ｐｐｍ、平均０．０５ｐｐ
ｍ以下と定められている。従って、電子線照射時の作業
環境においては換気等に十分留意する必要がある。オゾ
ンの処理方法については、活性炭によりオゾンを分解
し、酸素分子に還元する方法も用いられているが、活性
炭の寿命が短い等の問題があり、実用上は問題が大き
い。
【０００８】このため、電子線照射による硬化もしくは
架橋技術は地球的問題である環境問題の面から、省エネ
ルギーかつ溶剤を放出しない環境に優しいプロセスとし
て注目を集めているものの、上述したような品質上の問
題と装置が大型で初期投資が高く、イナートガス（窒
素）の使用によるランニングコストが高い等の問題か
ら、実用化に至らない例が多数ある。
架橋技術は地球的問題である環境問題の面から、省エネ
ルギーかつ溶剤を放出しない環境に優しいプロセスとし
て注目を集めているものの、上述したような品質上の問
題と装置が大型で初期投資が高く、イナートガス（窒
素）の使用によるランニングコストが高い等の問題か
ら、実用化に至らない例が多数ある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、作業環境への悪影響が少
なく、不活性ガスによるイナーティングの程度を少なく
することができる活性エネルギー線照射方法および活性
エネルギー照射物を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであって、作業環境への悪影響が少
なく、不活性ガスによるイナーティングの程度を少なく
することができる活性エネルギー線照射方法および活性
エネルギー照射物を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、第１に、電子線照射部の酸素濃度が、照
射する電子線の加速電圧が４０ｋＶ以下の場合には、略
空気中の酸素濃度またはそれ以下の濃度、照射する電子
線の加速電圧が４０ｋＶ超においては、加速電圧（ｋ
Ｖ）をＸ、電子線照射部分の酸素濃度（％）をＹとした
とき、（ａ）式で示される酸素濃度になるようにして被
照射物に電子線照射することを特徴とする活性エネルギ
ー線照射方法を提供する。
に、本発明は、第１に、電子線照射部の酸素濃度が、照
射する電子線の加速電圧が４０ｋＶ以下の場合には、略
空気中の酸素濃度またはそれ以下の濃度、照射する電子
線の加速電圧が４０ｋＶ超においては、加速電圧（ｋ
Ｖ）をＸ、電子線照射部分の酸素濃度（％）をＹとした
とき、（ａ）式で示される酸素濃度になるようにして被
照射物に電子線照射することを特徴とする活性エネルギ
ー線照射方法を提供する。
【００１１】 Ｙ≦１．１９×１０2 ×ｅｘｐ（−４．４５×１０-2×Ｘ）……（ａ） 第２に、電子線照射部の酸素濃度が、照射する電子線の
加速電圧が４０ｋＶ以下の場合には、略空気中の酸素濃
度またはそれ以下の濃度、照射する電子線の加速電圧が
４０ｋＶ超においては、加速電圧（ｋＶ）をＸ、電子線
照射部分の酸素濃度（％）をＹとしたとき、（ｂ）式で
示される酸素濃度になるようにして被照射物に電子線照
射することを特徴とする活性エネルギー線照射方法を提
供する。
加速電圧が４０ｋＶ以下の場合には、略空気中の酸素濃
度またはそれ以下の濃度、照射する電子線の加速電圧が
４０ｋＶ超においては、加速電圧（ｋＶ）をＸ、電子線
照射部分の酸素濃度（％）をＹとしたとき、（ｂ）式で
示される酸素濃度になるようにして被照射物に電子線照
射することを特徴とする活性エネルギー線照射方法を提
供する。
【００１２】 １．１９×１０2 ×ｅｘｐ（−４．４５×１０-2×Ｘ）≧Ｙ≧０．０５…… （ｂ） 第３に、上記いずれかの方法において、加速電圧が１５
０ｋＶ以下であることを特徴とする活性エネルギー線照
射方法を提供する。
０ｋＶ以下であることを特徴とする活性エネルギー線照
射方法を提供する。
【００１３】第４に、空気中で、被照射物に紫外線照射
し、次に電子線照射することを特徴とする活性エネルギ
ー線照射方法を提供する。第５に、空気中で、被照射物
に加速電圧が４０ｋＶ以下の電子線照射し、次に紫外線
照射することを特徴とする活性エネルギー線照射方法を
提供する。
し、次に電子線照射することを特徴とする活性エネルギ
ー線照射方法を提供する。第５に、空気中で、被照射物
に加速電圧が４０ｋＶ以下の電子線照射し、次に紫外線
照射することを特徴とする活性エネルギー線照射方法を
提供する。
【００１４】第６に、空気中で、被照射物に加速電圧が
４０ｋＶ以下の電子線照射を行った後、それより高い加
速電圧で電子線照射を行うことを特徴とする活性エネル
ギー線照射方法を提供する。
４０ｋＶ以下の電子線照射を行った後、それより高い加
速電圧で電子線照射を行うことを特徴とする活性エネル
ギー線照射方法を提供する。
【００１５】第７に、空気中で、被照射物に加速電圧が
３０ｋＶ以下の電子線照射を行った後、それより高い加
速電圧で電子線照射を行うことを特徴とする活性エネル
ギー線照射方法を提供する。
３０ｋＶ以下の電子線照射を行った後、それより高い加
速電圧で電子線照射を行うことを特徴とする活性エネル
ギー線照射方法を提供する。
【００１６】第８に、上記いずれかの方法において、前
記被照射物は、基材に被覆剤が形成されて構成されてお
り、前記電子線の照射によりその被覆剤が硬化または架
橋することを特徴とする活性エネルギー照射方法を提供
する。第９に、上記いずれか記載の方法で電子線照射し
て得られた活性エネルギー線照射物を提供する。
記被照射物は、基材に被覆剤が形成されて構成されてお
り、前記電子線の照射によりその被覆剤が硬化または架
橋することを特徴とする活性エネルギー照射方法を提供
する。第９に、上記いずれか記載の方法で電子線照射し
て得られた活性エネルギー線照射物を提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明する。図１は本発明を実施するための電
子線照射装置を示す模式図である。この装置は、円筒状
をなすガラスまたはセラミック製の真空容器１と、その
容器１内に設けられ、陰極から放出された電子を電子線
として取り出してこれを加速する電子線発生部２と、真
空容器１の端部に設けられ、電子線を射出する電子線射
出部３と、図示しない給電部より給電するためのピン部
４とを有する。電子線射出部３には薄膜状の照射窓５が
設けられている。電子線射出部３の照射窓５は、ガスは
透過せずに電子線を透過する機能を有しており、図２に
示すように、偏平状をなしている。そして、照射室内に
配置された被照射物に照射窓５から射出された電子線が
照射される。
て具体的に説明する。図１は本発明を実施するための電
子線照射装置を示す模式図である。この装置は、円筒状
をなすガラスまたはセラミック製の真空容器１と、その
容器１内に設けられ、陰極から放出された電子を電子線
として取り出してこれを加速する電子線発生部２と、真
空容器１の端部に設けられ、電子線を射出する電子線射
出部３と、図示しない給電部より給電するためのピン部
４とを有する。電子線射出部３には薄膜状の照射窓５が
設けられている。電子線射出部３の照射窓５は、ガスは
透過せずに電子線を透過する機能を有しており、図２に
示すように、偏平状をなしている。そして、照射室内に
配置された被照射物に照射窓５から射出された電子線が
照射される。
【００１８】このような構成を有する装置は、米国特許
第５，４１４，２６７号に開示されており、American I
nternational Technologies （ＡＩＴ）社によりＭｉｎ
−ＥＢ装置として検討されている。この装置において
は、低加速電圧でも電子線の透過力の低下が小さく、有
効に電子線を取り出すことができる。これによって、基
材上の被覆材に対し低深度で電子線を作用させることが
可能となり、基材への悪影響および２次電子線の発生量
を低下させることができるようになり、大掛かりなシー
ルドは不必要となる。
第５，４１４，２６７号に開示されており、American I
nternational Technologies （ＡＩＴ）社によりＭｉｎ
−ＥＢ装置として検討されている。この装置において
は、低加速電圧でも電子線の透過力の低下が小さく、有
効に電子線を取り出すことができる。これによって、基
材上の被覆材に対し低深度で電子線を作用させることが
可能となり、基材への悪影響および２次電子線の発生量
を低下させることができるようになり、大掛かりなシー
ルドは不必要となる。
【００１９】低加速電圧による電子線照射は、酸素分子
への励起作用を大幅に低減し、酸素ラジカルに起因する
被覆剤表面での反応阻害を低減することができる。した
がって、窒素ガス等によるイナーティングの程度を従来
よりも少なくする可能性がある。
への励起作用を大幅に低減し、酸素ラジカルに起因する
被覆剤表面での反応阻害を低減することができる。した
がって、窒素ガス等によるイナーティングの程度を従来
よりも少なくする可能性がある。
【００２０】そこで、本発明者らは、低加速電圧領域に
おいて、照射する電子線の加速電圧と許容される酸素濃
度について鋭意検討を重ねた。その結果、加速電圧が４
０ｋＶ超においては、加速電圧（ｋＶ）をＸ、電子線照
射部分の酸素濃度（％）をＹとしたとき、以下の（ａ）
式で示される酸素濃度になるようにして被照射物に電子
線照射すれば、酸素ラジカルに起因する被覆剤表面での
反応阻害が生じず、所定の硬化性能を得ることができる
ことが判明した。
おいて、照射する電子線の加速電圧と許容される酸素濃
度について鋭意検討を重ねた。その結果、加速電圧が４
０ｋＶ超においては、加速電圧（ｋＶ）をＸ、電子線照
射部分の酸素濃度（％）をＹとしたとき、以下の（ａ）
式で示される酸素濃度になるようにして被照射物に電子
線照射すれば、酸素ラジカルに起因する被覆剤表面での
反応阻害が生じず、所定の硬化性能を得ることができる
ことが判明した。
【００２１】 Ｙ≦１．１９×１０2 ×ｅｘｐ（−４．４５×１０-2×Ｘ）……（ａ） また、４０ＫＶ以下の照射においては、酸素濃度２０％
前後、即ちイナーティングをしなくても電子線照射が可
能であることが判明した。
前後、即ちイナーティングをしなくても電子線照射が可
能であることが判明した。
【００２２】したがって、本発明では、加速電圧が４０
ｋＶ以下の場合には、略空気中の酸素濃度またはそれ以
下の濃度で電子線照射を行い、４０ｋＶ超においては、
加速電圧をＸ、電子線照射部分の酸素濃度をＹとしたと
き、上記（ａ）式で示される酸素濃度になるように被照
射物に電子線照射することとしている。
ｋＶ以下の場合には、略空気中の酸素濃度またはそれ以
下の濃度で電子線照射を行い、４０ｋＶ超においては、
加速電圧をＸ、電子線照射部分の酸素濃度をＹとしたと
き、上記（ａ）式で示される酸素濃度になるように被照
射物に電子線照射することとしている。
【００２３】酸素ラジカルに起因する被覆剤表面での反
応阻害を考慮した場合には、酸素濃度の下限はないが、
窒素置換によるランニングコスト等の観点から、以下の
（ｂ）式の範囲内であることが好ましい。
応阻害を考慮した場合には、酸素濃度の下限はないが、
窒素置換によるランニングコスト等の観点から、以下の
（ｂ）式の範囲内であることが好ましい。
【００２４】 １．１９×１０2 ×ｅｘｐ（−４．４５×１０-2×Ｘ）≧Ｙ≧０．０５…… （ｂ） なお、このように加速電圧が低い場合、同時にオゾンの
発生量も大幅に低減することが判っている。
発生量も大幅に低減することが判っている。
【００２５】イナーティングなしで空気中において電子
線照射することは、ランニングコストを低下させる等の
メリットがある。本発明では、このことを考慮して、空
気中の電子線照射で問題となる酸素ラジカルによる重合
阻害を防ぐために、まず被照射物に対して表層部分のみ
を硬化させる程度の紫外線照射を行い、その後電子線照
射を行う。これにより、酸素による重合阻害が生じず、
より完全な硬化物を得ることができる。
線照射することは、ランニングコストを低下させる等の
メリットがある。本発明では、このことを考慮して、空
気中の電子線照射で問題となる酸素ラジカルによる重合
阻害を防ぐために、まず被照射物に対して表層部分のみ
を硬化させる程度の紫外線照射を行い、その後電子線照
射を行う。これにより、酸素による重合阻害が生じず、
より完全な硬化物を得ることができる。
【００２６】また、空気中で、被照射物に加速電圧が４
０ｋＶ以下の電子線照射し、次に紫外線照射することに
よっても、同様に、酸素による重合阻害が生じず、より
完全な硬化物を得ることができる。
０ｋＶ以下の電子線照射し、次に紫外線照射することに
よっても、同様に、酸素による重合阻害が生じず、より
完全な硬化物を得ることができる。
【００２７】さらに、空気中で、被照射物に加速電圧が
４０ｋＶ以下の電子線照射した後に、それよりも高い加
速電圧で電子線照射を行うことによっても同様の効果を
得ることができる。この場合に、最初に加速電圧が３０
ｋＶ以下の電子線照射した後に、それより高い加速電圧
で電子線照射を行うことがより好ましい。
４０ｋＶ以下の電子線照射した後に、それよりも高い加
速電圧で電子線照射を行うことによっても同様の効果を
得ることができる。この場合に、最初に加速電圧が３０
ｋＶ以下の電子線照射した後に、それより高い加速電圧
で電子線照射を行うことがより好ましい。
【００２８】本発明の典型的な実施形態としては、図３
に示すように、上述した構成を有する電子線照射装置１
０を複数本合わせてアレイ１１を構成し、アレイ１１の
下方にある照射室１２において、所定の速度で搬送され
る被照射体１３に対し、アレイ１１を構成する各電子線
照射装置１０から電子線を照射する方法が挙げられる。
なお、図中参照符号１４はＸ線シールド、１５はコンベ
アシールドである。
に示すように、上述した構成を有する電子線照射装置１
０を複数本合わせてアレイ１１を構成し、アレイ１１の
下方にある照射室１２において、所定の速度で搬送され
る被照射体１３に対し、アレイ１１を構成する各電子線
照射装置１０から電子線を照射する方法が挙げられる。
なお、図中参照符号１４はＸ線シールド、１５はコンベ
アシールドである。
【００２９】本発明における被照射物としては、基材に
被覆剤を塗布などにより形成したものが挙げられる。被
覆剤を塗布する基材としては、処理、未処理を問わず印
刷用紙、またポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ナイ
ロン、塩化ビニル、塩化ビニリデン等のプラスチックフ
ィルム、さらにアルミニウムやスチールの金属缶および
ポリエステルフィルム被覆絞り金属缶等が挙げられる。
被覆剤を塗布などにより形成したものが挙げられる。被
覆剤を塗布する基材としては、処理、未処理を問わず印
刷用紙、またポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ナイ
ロン、塩化ビニル、塩化ビニリデン等のプラスチックフ
ィルム、さらにアルミニウムやスチールの金属缶および
ポリエステルフィルム被覆絞り金属缶等が挙げられる。
【００３０】適用可能な被覆剤としては、印刷インキ、
塗料、接着剤が挙げられる。これらのうち印刷インキと
しては、凸版インキ、オフセットインキ、グラビアイン
キ、フレキソインキ、スクリーンインキ等の紫外線や電
子線硬化型インキが挙げられる。
塗料、接着剤が挙げられる。これらのうち印刷インキと
しては、凸版インキ、オフセットインキ、グラビアイン
キ、フレキソインキ、スクリーンインキ等の紫外線や電
子線硬化型インキが挙げられる。
【００３１】また、塗料としては、アクリル樹脂系、エ
ポキシ樹脂系、ウレタン樹脂系、ポリエステル樹脂系等
の樹脂、および各種光感応性モノマーを用いた紫外線ま
たは電子線硬化型塗料が挙げられる。
ポキシ樹脂系、ウレタン樹脂系、ポリエステル樹脂系等
の樹脂、および各種光感応性モノマーを用いた紫外線ま
たは電子線硬化型塗料が挙げられる。
【００３２】さらに、接着剤としては、ビニル重合型
（シアノアクリレート系、ジアクリレート系、不飽和ポ
リエステル樹脂系）、縮合型（フェノール樹脂系、ユリ
ヤ樹脂系、メラミン樹脂系）、重付加型（エポキシ樹脂
系、ウレタン樹脂系）などの反応硬化型（モノマー型、
オリゴマー型）接着剤が挙げられる。接着剤の適用例と
しては、従来のものに加え、レンズの接着、ガラスシー
トの接着など、熱に弱い基材にも適応することができ
る。
（シアノアクリレート系、ジアクリレート系、不飽和ポ
リエステル樹脂系）、縮合型（フェノール樹脂系、ユリ
ヤ樹脂系、メラミン樹脂系）、重付加型（エポキシ樹脂
系、ウレタン樹脂系）などの反応硬化型（モノマー型、
オリゴマー型）接着剤が挙げられる。接着剤の適用例と
しては、従来のものに加え、レンズの接着、ガラスシー
トの接着など、熱に弱い基材にも適応することができ
る。
【００３３】本発明に係わる被覆剤においては、従来か
ら使用されている各種添加剤を使用することができる。
各種添加剤の例としては、顔料、染料、安定剤、溶剤、
防腐剤、潤滑剤、活性剤等が挙げられる。
ら使用されている各種添加剤を使用することができる。
各種添加剤の例としては、顔料、染料、安定剤、溶剤、
防腐剤、潤滑剤、活性剤等が挙げられる。
【００３４】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。以
下の説明において、「部」、「％」は、それぞれ重量
部、重量％である。ここでは、硬化性被覆組成物として
オフセットインキを用いた例を示す。このオフセットイ
ンキの調整は以下の手順で行った。
下の説明において、「部」、「％」は、それぞれ重量
部、重量％である。ここでは、硬化性被覆組成物として
オフセットインキを用いた例を示す。このオフセットイ
ンキの調整は以下の手順で行った。
【００３５】〔ワニスの作成〕ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート６９．９％、ハイドロキノン０．１
％を仕込み、１００℃に昇温し、その後ＤＴ１５０（東
都化成製ジアリルフタレート樹脂）３０部を徐々に仕込
み、溶解した時点でくみ出した。このとき粘度は２１０
０ポイズ（２５℃）であった。
ヘキサアクリレート６９．９％、ハイドロキノン０．１
％を仕込み、１００℃に昇温し、その後ＤＴ１５０（東
都化成製ジアリルフタレート樹脂）３０部を徐々に仕込
み、溶解した時点でくみ出した。このとき粘度は２１０
０ポイズ（２５℃）であった。
【００３６】〔印刷インキの調整〕以下の処方に従って
混合し、３本ロールにて分散させ、オフセット印刷用イ
ンキとした。
混合し、３本ロールにて分散させ、オフセット印刷用イ
ンキとした。
【００３７】 藍顔料（LIONOL BLUE ＦＧ７３３０） １５部 上記ワニス ５０部 ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート ２５部 ペンタエリスリトールテトラアクリレート １０部 上記手順で得られたインキをＲＩテスター（印刷インキ
業界で一般的に使用されている簡便印刷機）にて厚さ約
２μｍに印刷した。
業界で一般的に使用されている簡便印刷機）にて厚さ約
２μｍに印刷した。
【００３８】印刷後、１ｋＶ単位で加速電圧を可変調整
することが可能なＡＩＴ社製Ｍｉｎ−ＥＢ装置を用いて
ＥＢ照射を行った。照射条件は加速電圧４０〜１５０Ｋ
Ｖ、電流値６００μＡ、コンベアスピート１０ｍ／ｍｉ
ｎとした。イナーティングは窒素を使用して行った。ま
た、酸素濃度は窒素流量を調整し変化させた。またこの
際、酸素濃度は酸素濃度計（東レエンジニアリング製ジ
ルコニア式 ＬＣ−７５０Ｈ）を使用して測定した。
することが可能なＡＩＴ社製Ｍｉｎ−ＥＢ装置を用いて
ＥＢ照射を行った。照射条件は加速電圧４０〜１５０Ｋ
Ｖ、電流値６００μＡ、コンベアスピート１０ｍ／ｍｉ
ｎとした。イナーティングは窒素を使用して行った。ま
た、酸素濃度は窒素流量を調整し変化させた。またこの
際、酸素濃度は酸素濃度計（東レエンジニアリング製ジ
ルコニア式 ＬＣ−７５０Ｈ）を使用して測定した。
【００３９】硬化性の評価は照射後、触指による乾燥性
およびセロテープ剥離による密着性によって行った。評
価基準は以下のとおりとした。 乾燥性：（完全硬化）５〜１（未硬化） 密着性： （良好） ５〜１（不良） 得られた結果を、表１に示した。
およびセロテープ剥離による密着性によって行った。評
価基準は以下のとおりとした。 乾燥性：（完全硬化）５〜１（未硬化） 密着性： （良好） ５〜１（不良） 得られた結果を、表１に示した。
【００４０】
【表１】
【００４１】この結果をもとに、良好な硬化性が得られ
る酸素濃度の範囲を加速電圧毎に把握した。その結果を
図４に示す。この図に示すように、加速電圧が４０ＫＶ
以上においては、加速電圧（ｋＶ）をＸ、電子線照射部
分の酸素濃度（％）をＹとしたとき、酸素濃度Ｙが図の
（１）式で示される直線の下の領域、すなわち（ａ）式
の領域において被照射物（基材に設けられた被覆物）に
電子線照射することが有効であることが確認された。
る酸素濃度の範囲を加速電圧毎に把握した。その結果を
図４に示す。この図に示すように、加速電圧が４０ＫＶ
以上においては、加速電圧（ｋＶ）をＸ、電子線照射部
分の酸素濃度（％）をＹとしたとき、酸素濃度Ｙが図の
（１）式で示される直線の下の領域、すなわち（ａ）式
の領域において被照射物（基材に設けられた被覆物）に
電子線照射することが有効であることが確認された。
【００４２】 Ｙ≦１．１９×１０2 ×ｅｘｐ（−４．４５×１０-2×Ｘ）……（ａ） なお、経済性等を考慮すると図１の（１）式と（２）式
の間の領域、すなわち（ｂ）式の領域がより好ましいこ
とが確認された。 １．１９×１０2 ×ｅｘｐ（−４．４５×１０-2×Ｘ）≧Ｙ≧０．０５…… （ｂ）
の間の領域、すなわち（ｂ）式の領域がより好ましいこ
とが確認された。 １．１９×１０2 ×ｅｘｐ（−４．４５×１０-2×Ｘ）≧Ｙ≧０．０５…… （ｂ）
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
作業環境への悪影響が少なく、不活性ガスによるイナー
ティングの程度を少なくすることができる活性エネルギ
ー線照射方法および活性エネルギー照射物が提供され
る。
作業環境への悪影響が少なく、不活性ガスによるイナー
ティングの程度を少なくすることができる活性エネルギ
ー線照射方法および活性エネルギー照射物が提供され
る。
【図１】本発明を実施するための電子線照射装置を示す
模式図。
模式図。
【図２】図１の装置の電子線射出部を示す面。
【図３】本発明を実施する際の一つの実施形態を説明す
るための図。
るための図。
【図４】加速電圧と許容酸素濃度との関係を示す図。
１……真空容器 ２……電子線発生部 ３……電子線射出部 ４……ピン部 ５……照射窓 １０……電子線照射装置 １１……アレイ １２……照射室 １３……被照射体 １４……Ｘ線シールド １５……コンベアシールド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G21K 5/04 C08J 7/00 G21K 5/10 C08J 7/18
Claims (9)
- 【請求項１】 電子線照射部の酸素濃度が、 照射する電子線の加速電圧が４０ｋＶ以下の場合には、
略空気中の酸素濃度またはそれ以下の濃度、 照射する電子線の加速電圧が４０ｋＶ超においては、加
速電圧（ｋＶ）をＸ、電子線照射部分の酸素濃度（％）
をＹとしたとき、（ａ）式で示される酸素濃度になるよ
うにして被照射物に電子線照射することを特徴とする活
性エネルギー線照射方法。 Ｙ≦１．１９×１０2 ×ｅｘｐ（−４．４５×１０-2×Ｘ）……（ａ） - 【請求項２】 電子線照射部の酸素濃度が、 照射する電子線の加速電圧が４０ｋＶ以下の場合には、
略空気中の酸素濃度またはそれ以下の濃度、 照射する電子線の加速電圧が４０ｋＶ超においては、加
速電圧（ｋＶ）をＸ、電子線照射部分の酸素濃度（％）
をＹとしたとき、（ｂ）式で示される酸素濃度になるよ
うにして被照射物に電子線照射することを特徴とする活
性エネルギー線照射方法。 １．１９×１０2 ×ｅｘｐ（−４．４５×１０-2×Ｘ）≧Ｙ≧０．０５…… （ｂ） - 【請求項３】 加速電圧が１５０ｋＶ以下であることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の活性エネル
ギー線照射方法。 - 【請求項４】 空気中で、被照射物に紫外線照射し、次
に電子線照射することを特徴とする活性エネルギー線照
射方法。 - 【請求項５】 空気中で、被照射物に加速電圧が４０ｋ
Ｖ以下の電子線照射し、次に紫外線照射することを特徴
とする活性エネルギー線照射方法。 - 【請求項６】 空気中で、被照射物に加速電圧が４０ｋ
Ｖ以下の電子線照射を行った後、それより高い加速電圧
で電子線照射を行うことを特徴とする活性エネルギー線
照射方法。 - 【請求項７】 空気中で、被照射物に加速電圧が３０ｋ
Ｖ以下の電子線照射を行った後、それより高い加速電圧
で電子線照射を行うことを特徴とする請求項６に記載の
活性エネルギー線照射方法。 - 【請求項８】 前記被照射物は、基材に被覆剤が形成さ
れて構成されており、前記電子線の照射によりその被覆
剤が硬化または架橋することを特徴とする請求項１ない
し請求項７に記載の活性エネルギー照射方法。 - 【請求項９】請求項１ないし請求項８いずれか記載の方
法で電子線照射して得られた活性エネルギー線照射物。
Priority Applications (9)
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|---|---|---|---|
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| EP97939173A EP0877389A4 (en) | 1996-09-04 | 1997-09-04 | METHOD OF EXPOSURE TO RADIATION OF ELECTRON BEAMS AND OBJECT TO BE SO EXPOSED |
| CA002236672A CA2236672A1 (en) | 1996-09-04 | 1997-09-04 | Electron beam irradiation process and an object irradiated with an electron beam |
| AU41347/97A AU744614B2 (en) | 1996-09-04 | 1997-09-04 | Electron beam irradiating method and object to be irradiated with electron beam |
| US09/065,052 US6188075B1 (en) | 1996-09-04 | 1997-09-04 | Electron beam irradiating method and object to be irradiated with electron beam |
| PCT/JP1997/003106 WO1998010430A1 (fr) | 1996-09-04 | 1997-09-04 | Procede d'exposition aux rayonnements de faisceaux d'electrons et objet devant etre ainsi expose |
| KR10-1998-0703262A KR100488225B1 (ko) | 1996-09-04 | 1997-09-04 | 전자선조사방법및전자선조사물 |
| TW086113674A TW343339B (en) | 1996-09-04 | 1997-09-20 | Electron-beam irradiation method and object irradiated with electron beam |
| US09/731,312 US6504163B2 (en) | 1996-09-04 | 2000-12-06 | Electron beam irradiation process and an object irradiated with an electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08250262A JP3141790B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 活性エネルギー線照射方法および活性エネルギー線照射物 |
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Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP08250262A Expired - Fee Related JP3141790B2 (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-20 | 活性エネルギー線照射方法および活性エネルギー線照射物 |
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| JP5816222B2 (ja) | 2013-04-25 | 2015-11-18 | 住友ゴム工業株式会社 | 表面改質方法及び表面改質弾性体 |
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| JP5820489B2 (ja) | 2014-01-06 | 2015-11-24 | 住友ゴム工業株式会社 | 表面改質方法及び表面改質弾性体 |
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-
1996
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