JP2000343022A - 塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物 - Google Patents
塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物Info
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- JP2000343022A JP2000343022A JP15915699A JP15915699A JP2000343022A JP 2000343022 A JP2000343022 A JP 2000343022A JP 15915699 A JP15915699 A JP 15915699A JP 15915699 A JP15915699 A JP 15915699A JP 2000343022 A JP2000343022 A JP 2000343022A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗膜に電子線等の放射線を照射して架橋また
は硬化する際に、酸素の影響を極めて少なくすることが
できる塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物を
提供すること。 【解決手段】 基材２上に塗膜を形成する塗膜形成部１
０と、基材２上に形成された塗膜に放射線を照射して塗
膜を架橋または硬化させる放射線照射部２０と、塗膜形
成部１０および放射線照射部２０の両方に不活性ガスを
供給する不活性ガス供給部３０とにより塗膜形成装置１
を構成する。この塗膜形成装置１を用いて、塗膜形成工
程および放射線照射工程の両方を不活性雰囲気で実施す
る。
は硬化する際に、酸素の影響を極めて少なくすることが
できる塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物を
提供すること。 【解決手段】 基材２上に塗膜を形成する塗膜形成部１
０と、基材２上に形成された塗膜に放射線を照射して塗
膜を架橋または硬化させる放射線照射部２０と、塗膜形
成部１０および放射線照射部２０の両方に不活性ガスを
供給する不活性ガス供給部３０とにより塗膜形成装置１
を構成する。この塗膜形成装置１を用いて、塗膜形成工
程および放射線照射工程の両方を不活性雰囲気で実施す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、印刷機や塗工機等
で塗膜を形成した後、放射線を照射して塗膜を硬化させ
る塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物に関す
る。
で塗膜を形成した後、放射線を照射して塗膜を硬化させ
る塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】基材に施された塗料、印刷インキ、接着
剤、粘着剤等の被覆剤等の塗膜の架橋、硬化方法として
電子線照射によるものが提案されており、これまでに多
くの検討がなされている。この方法は、真空中で電子を
電圧にて加速し、この加速された電子を空気中等の常圧
雰囲気中に取り出し、物体に対して電子線（ＥＢ）を照
射する方法である。
剤、粘着剤等の被覆剤等の塗膜の架橋、硬化方法として
電子線照射によるものが提案されており、これまでに多
くの検討がなされている。この方法は、真空中で電子を
電圧にて加速し、この加速された電子を空気中等の常圧
雰囲気中に取り出し、物体に対して電子線（ＥＢ）を照
射する方法である。
【０００３】電子線照射による硬化、架橋の利点として
は、次のようなものが挙げられる。 (1)希釈剤として有機溶剤を含有させる必要がないので
環境に優しい。 (2)硬化速度が速い（生産性大）。 (3)熱乾燥よりも硬化作業面積が少なくてすむ。 (4)基材に熱がかからない（熱に弱いものにも適用可
能）。 (5)後加工がすぐできる（冷却、エージング等が不要で
ある）。 (6)電気的作業条件を管理すればよいから、熱乾燥の際
の温度管理よりも管理しやすい。 (7)開始剤、増感剤がなくてもよいので、不純物の少な
いものができる（品質の向上）。
は、次のようなものが挙げられる。 (1)希釈剤として有機溶剤を含有させる必要がないので
環境に優しい。 (2)硬化速度が速い（生産性大）。 (3)熱乾燥よりも硬化作業面積が少なくてすむ。 (4)基材に熱がかからない（熱に弱いものにも適用可
能）。 (5)後加工がすぐできる（冷却、エージング等が不要で
ある）。 (6)電気的作業条件を管理すればよいから、熱乾燥の際
の温度管理よりも管理しやすい。 (7)開始剤、増感剤がなくてもよいので、不純物の少な
いものができる（品質の向上）。
【０００４】ところで、電子線照射により硬化、架橋を
行う場合、雰囲気に酸素が含まれていると、塗膜として
用いられている樹脂の重合が阻害されるため、電子線の
照射線量を高くせざるを得ないという不都合が生じる。
したがって、窒素等の不活性ガスによるイナーティング
が行われている。
行う場合、雰囲気に酸素が含まれていると、塗膜として
用いられている樹脂の重合が阻害されるため、電子線の
照射線量を高くせざるを得ないという不都合が生じる。
したがって、窒素等の不活性ガスによるイナーティング
が行われている。
【０００５】従来、このようなイナーティングを行う方
法としては、照射室内を窒素ガス等の不活性ガス雰囲気
とする方法が採用されている。
法としては、照射室内を窒素ガス等の不活性ガス雰囲気
とする方法が採用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに照射室内をイナーティングしても、酸素による電子
線硬化型樹脂の重合の阻害を完全に防止することができ
ず、このような酸素の影響をさらに低減することが求め
られている。
うに照射室内をイナーティングしても、酸素による電子
線硬化型樹脂の重合の阻害を完全に防止することができ
ず、このような酸素の影響をさらに低減することが求め
られている。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、塗膜に電子線等の放射線を照射して架橋また
は硬化する際に、酸素の影響を極めて少なくすることが
できる塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物を
提供することを目的とする。
であって、塗膜に電子線等の放射線を照射して架橋また
は硬化する際に、酸素の影響を極めて少なくすることが
できる塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らの検討結果に
よれば、塗膜を構成する樹脂の重合を阻害するのは、塗
膜表面に存在している酸素ばかりでなく、塗膜中に微量
に溶存している酸素によっても重合が阻害されることが
判明した。すなわち、塗膜形成工程においては、ローラ
などでインキ、塗料または接着剤が練られる、撹拌され
るなどのため、塗膜内部に微量の酸素が混入し、この酸
素も塗膜の架橋、硬化に悪影響を及ぼす。
よれば、塗膜を構成する樹脂の重合を阻害するのは、塗
膜表面に存在している酸素ばかりでなく、塗膜中に微量
に溶存している酸素によっても重合が阻害されることが
判明した。すなわち、塗膜形成工程においては、ローラ
などでインキ、塗料または接着剤が練られる、撹拌され
るなどのため、塗膜内部に微量の酸素が混入し、この酸
素も塗膜の架橋、硬化に悪影響を及ぼす。
【０００９】そして、このような塗膜中の溶存酸素の影
響を排除するためには、塗膜形成過程でもイナーティン
グを行えばよいことに想到し、本発明を完成するに至っ
た。
響を排除するためには、塗膜形成過程でもイナーティン
グを行えばよいことに想到し、本発明を完成するに至っ
た。
【００１０】すなわち、本発明は、基材上に塗膜を形成
する塗膜形成部と、基材上に形成された塗膜に放射線を
照射して塗膜を架橋または硬化させる放射線照射部と、
前記塗膜形成部および前記放射線照射部の両方に不活性
ガスを供給する不活性供給部とを具備することを特徴と
する塗膜形成装置を提供する。
する塗膜形成部と、基材上に形成された塗膜に放射線を
照射して塗膜を架橋または硬化させる放射線照射部と、
前記塗膜形成部および前記放射線照射部の両方に不活性
ガスを供給する不活性供給部とを具備することを特徴と
する塗膜形成装置を提供する。
【００１１】また、本発明は、基材上に塗膜を形成する
塗膜形成工程と、基材上に形成された塗膜に放射線を照
射して塗膜を架橋または硬化させる放射線照射工程とを
具備する塗膜形成方法であって、これら塗膜形成工程お
よび放射線照射工程の両方を不活性雰囲気で実施するこ
とを特徴とする塗膜形成方法を提供する。
塗膜形成工程と、基材上に形成された塗膜に放射線を照
射して塗膜を架橋または硬化させる放射線照射工程とを
具備する塗膜形成方法であって、これら塗膜形成工程お
よび放射線照射工程の両方を不活性雰囲気で実施するこ
とを特徴とする塗膜形成方法を提供する。
【００１２】さらに、本発明は、このような方法によっ
て得られた塗膜形成物を提供する。
て得られた塗膜形成物を提供する。
【００１３】上記装置において、前記塗膜形成部を収容
する第１の筐体と、放射線照射部を収容する第２の筐体
とを具備し、前記不活性ガス供給部は、これら第１の筐
体および第２の筐体へ不活性ガスを供給するように構成
することができる。
する第１の筐体と、放射線照射部を収容する第２の筐体
とを具備し、前記不活性ガス供給部は、これら第１の筐
体および第２の筐体へ不活性ガスを供給するように構成
することができる。
【００１４】この場合に、前記不活性ガス供給部は、前
記第２の筐体内に不活性ガスを供給し、前記第２の筐体
を経て前記第１の筐体に供給されるように構成すること
ができる。
記第２の筐体内に不活性ガスを供給し、前記第２の筐体
を経て前記第１の筐体に供給されるように構成すること
ができる。
【００１５】また、上記装置において、前記塗膜形成部
および前記放射線照射部を一体的に収容する筐体を有
し、前記不活性ガス供給手段は、筐体へ不活性ガスを供
給するように構成することもできる。
および前記放射線照射部を一体的に収容する筐体を有
し、前記不活性ガス供給手段は、筐体へ不活性ガスを供
給するように構成することもできる。
【００１６】上記塗膜形成方法において、前記塗膜形成
工程における不活性ガス雰囲気の酸素濃度が５％以下で
あることが好ましい。
工程における不活性ガス雰囲気の酸素濃度が５％以下で
あることが好ましい。
【００１７】なお、上記塗膜形成装置および塗膜形成方
法において、放射線照射には電子線照射を適用すること
ができる。
法において、放射線照射には電子線照射を適用すること
ができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について具体的に説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
る塗膜形成装置を示す模式図である。この塗膜形成装置
１は、塗工液（印刷インキ、塗料、接着剤等）を基材２
に転写して塗膜を形成する転写部１０と、塗膜に電子線
を照射して塗膜を架橋または硬化させる電子線照射部２
０と、転写部１０および電子線照射部２０に不活性ガス
として例えば窒素ガスを供給する不活性ガス供給部３０
とを具備している。
の実施の形態について具体的に説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
る塗膜形成装置を示す模式図である。この塗膜形成装置
１は、塗工液（印刷インキ、塗料、接着剤等）を基材２
に転写して塗膜を形成する転写部１０と、塗膜に電子線
を照射して塗膜を架橋または硬化させる電子線照射部２
０と、転写部１０および電子線照射部２０に不活性ガス
として例えば窒素ガスを供給する不活性ガス供給部３０
とを具備している。
【００１９】巻出しロール３から繰り出された基材２
は、転写部１０および電子線照射部２０を経て、巻き取
りロール５に巻き取られる。この際に、基材２はガイド
ロール６にガイドされながら搬送ライン４を搬送され
る。
は、転写部１０および電子線照射部２０を経て、巻き取
りロール５に巻き取られる。この際に、基材２はガイド
ロール６にガイドされながら搬送ライン４を搬送され
る。
【００２０】転写部１０は、基材を挟むように設けられ
た一対の転写ロール１１と、この転写ロール１１に塗工
液を供給する供給ロール１２と、塗工液を充填する塗工
液充填容器１３と、この塗工液充填容器１３内の塗工液
を供給ロール１２へ供給する塗工液供給装置１４とを具
備している。また、この転写部１０は筐体１５内に収容
されている。この筐体１５には、基材２が通過するため
の通過孔１６が設けられている。
た一対の転写ロール１１と、この転写ロール１１に塗工
液を供給する供給ロール１２と、塗工液を充填する塗工
液充填容器１３と、この塗工液充填容器１３内の塗工液
を供給ロール１２へ供給する塗工液供給装置１４とを具
備している。また、この転写部１０は筐体１５内に収容
されている。この筐体１５には、基材２が通過するため
の通過孔１６が設けられている。
【００２１】電子線照射部２０は、電子線照射装置２１
と、照射空間２２とを備えており、照射空間２２を走行
する塗膜が形成された基材２に電子線照射装置２１から
電子線が照射されるようになっている。また、電子線照
射部２０は筐体２３内に収容されている。この筐体２３
には、基材が通過する通過孔２４が設けられている。
と、照射空間２２とを備えており、照射空間２２を走行
する塗膜が形成された基材２に電子線照射装置２１から
電子線が照射されるようになっている。また、電子線照
射部２０は筐体２３内に収容されている。この筐体２３
には、基材が通過する通過孔２４が設けられている。
【００２２】不活性ガス供給部３０は、Ｎ２ガス等の不
活性ガスを供給するための不活性ガス供給源３１と、不
活性ガス供給源３１から不活性ガスを導くガス配管３２
と、ガス配管３２に連結され、それぞれ転写部１０およ
び電子線照射部２０へ不活性ガスを導く不活性ガス導入
管３３，３４とを有している。なお、転写部１０全体で
はなく、転写ロール１１から塗膜を基材に移転させる部
分のみに不活性ガスを供給してイナーティングするよう
にしてもよい。
活性ガスを供給するための不活性ガス供給源３１と、不
活性ガス供給源３１から不活性ガスを導くガス配管３２
と、ガス配管３２に連結され、それぞれ転写部１０およ
び電子線照射部２０へ不活性ガスを導く不活性ガス導入
管３３，３４とを有している。なお、転写部１０全体で
はなく、転写ロール１１から塗膜を基材に移転させる部
分のみに不活性ガスを供給してイナーティングするよう
にしてもよい。
【００２３】本発明の電子線照射装置としては、真空管
型の電子線照射管を有する電子線照射装置を用いること
ができる。真空管型の電子線照射管は、図２の（ａ）に
示すように、円筒状をなすガラス、セラミックまたは金
属製の真空容器４１と、その容器４１内に設けられ、陰
極から放出された電子を電子線として取り出してこれを
加速する電子線発生部４２と、真空容器４１の端部に設
けられ、電子線を射出する電子線射出部４３と、図示し
ない給電部より給電するためのピン部４４とを有する。
また、電子線射出部４３には薄膜状の照射窓４５が設け
られている。電子線射出部４３の照射窓４５は、ガスは
透過せずに電子線を透過する機能を有しており、図２の
（ｂ）に示すように、偏平状をなしている。そして、照
射室内に配置された被照射物に照射窓４５から射出され
た電子線が照射される。
型の電子線照射管を有する電子線照射装置を用いること
ができる。真空管型の電子線照射管は、図２の（ａ）に
示すように、円筒状をなすガラス、セラミックまたは金
属製の真空容器４１と、その容器４１内に設けられ、陰
極から放出された電子を電子線として取り出してこれを
加速する電子線発生部４２と、真空容器４１の端部に設
けられ、電子線を射出する電子線射出部４３と、図示し
ない給電部より給電するためのピン部４４とを有する。
また、電子線射出部４３には薄膜状の照射窓４５が設け
られている。電子線射出部４３の照射窓４５は、ガスは
透過せずに電子線を透過する機能を有しており、図２の
（ｂ）に示すように、偏平状をなしている。そして、照
射室内に配置された被照射物に照射窓４５から射出され
た電子線が照射される。
【００２４】このような真空管型の電子線照射管を有す
る電子線照射装置は、米国特許第５，４１４，２６７号
に開示されており、American International Technolog
ies（ＡＩＴ）社によりＭｉｎ−ＥＢ装置として検討さ
れている。この装置においては、１００ｋＶ以下という
低加速電圧でも電子線の透過力の低下が小さく、有効に
電子線を取り出すことができる。
る電子線照射装置は、米国特許第５，４１４，２６７号
に開示されており、American International Technolog
ies（ＡＩＴ）社によりＭｉｎ−ＥＢ装置として検討さ
れている。この装置においては、１００ｋＶ以下という
低加速電圧でも電子線の透過力の低下が小さく、有効に
電子線を取り出すことができる。
【００２５】このように構成される塗膜形成装置１にお
いては、不活性ガス供給部３０から、電子線照射部２０
および転写部１０の両方にＮ２ガス等の不活性ガスを供
給してイナーティングを行いつつ、まず、巻出しロール
３から繰り出された基材２が転写部１０に導入され、転
写部１０において、塗工液供給装置１４から供給ロール
１２および転写ロール１３を介して基材２に印刷インキ
が転写（塗布）される。この際に、不活性ガス供給部３
０からＮ２ガス等の不活性ガスが供給されているので、
転写の際に塗膜内部への酸素の混入が抑制される。
いては、不活性ガス供給部３０から、電子線照射部２０
および転写部１０の両方にＮ２ガス等の不活性ガスを供
給してイナーティングを行いつつ、まず、巻出しロール
３から繰り出された基材２が転写部１０に導入され、転
写部１０において、塗工液供給装置１４から供給ロール
１２および転写ロール１３を介して基材２に印刷インキ
が転写（塗布）される。この際に、不活性ガス供給部３
０からＮ２ガス等の不活性ガスが供給されているので、
転写の際に塗膜内部への酸素の混入が抑制される。
【００２６】この場合に、塗膜内部に混入される酸素が
電子線照射による塗膜の架橋、硬化に及ぼす悪影響をよ
り小さくする観点から、転写部１０内の酸素濃度は５％
以下が好ましく、０．５％以下がより好ましい。さらに
好ましくは０．０５％以下である。
電子線照射による塗膜の架橋、硬化に及ぼす悪影響をよ
り小さくする観点から、転写部１０内の酸素濃度は５％
以下が好ましく、０．５％以下がより好ましい。さらに
好ましくは０．０５％以下である。
【００２７】このようにして印刷インキが転写された基
材２は電子線照射部２０に至る。電子線照射部２０では
照射空間２２を走行する塗膜が形成された基材２に電子
線照射装置２１から電子線が照射され、塗膜が架橋、硬
化される。
材２は電子線照射部２０に至る。電子線照射部２０では
照射空間２２を走行する塗膜が形成された基材２に電子
線照射装置２１から電子線が照射され、塗膜が架橋、硬
化される。
【００２８】この際に、電子線照射部２０に不活性ガス
供給部３０からＮ２ガス等の不活性ガスが供給されてイ
ナーティングされる。電子線照射の際にイナーティング
が必要なことは従来から知られており、通常の電子線照
射装置の場合、加速電圧が２００ｋＶ以上であり、雰囲
気の酸素濃度が０．０５％（５００ｐｐｍ）以下になる
ようにイナーティングする。本発明では電子線照射部の
酸素濃度は１％以下、好ましくは０．５％以下、より好
ましくは０．０５％以下である。
供給部３０からＮ２ガス等の不活性ガスが供給されてイ
ナーティングされる。電子線照射の際にイナーティング
が必要なことは従来から知られており、通常の電子線照
射装置の場合、加速電圧が２００ｋＶ以上であり、雰囲
気の酸素濃度が０．０５％（５００ｐｐｍ）以下になる
ようにイナーティングする。本発明では電子線照射部の
酸素濃度は１％以下、好ましくは０．５％以下、より好
ましくは０．０５％以下である。
【００２９】以上のように、本実施形態では、従来イナ
ーティングを行っていた電子線照射部２０のみならず、
塗膜形成工程を実施する転写部１０でもイナーティング
を行うので、塗膜内部への酸素の混入を少なくすること
ができ、架橋、硬化への酸素の悪影響をより一層小さく
することができる。
ーティングを行っていた電子線照射部２０のみならず、
塗膜形成工程を実施する転写部１０でもイナーティング
を行うので、塗膜内部への酸素の混入を少なくすること
ができ、架橋、硬化への酸素の悪影響をより一層小さく
することができる。
【００３０】（第２の実施形態）第１の実施形態では、
不活性ガス供給部３０から、転写部１０および電子線照
射部２０の両方に別個に不活性ガスを導入するように構
成したが、この場合には不活性ガスが多量に必要とな
る。そこで、本実施の形態では、図３に示すように、不
活性ガス供給部３０の配管３２’を電子線照射部２０の
みに接続し、電子線照射部２０から配管２５を介して転
写部１０へ不活性ガスが導入されるようにする。これに
より、不活性ガスの再利用を図ることができ、不活性ガ
スの使用量を減少させることができる。また、図４に示
すように、基材２の搬送ライン４に沿って筐体１５と筐
体２３とを接続する配管２５’を設け、電子線照射部２
０に供給された不活性ガスが、配管２５’を通って転写
部１０に至るようにしてもよい。
不活性ガス供給部３０から、転写部１０および電子線照
射部２０の両方に別個に不活性ガスを導入するように構
成したが、この場合には不活性ガスが多量に必要とな
る。そこで、本実施の形態では、図３に示すように、不
活性ガス供給部３０の配管３２’を電子線照射部２０の
みに接続し、電子線照射部２０から配管２５を介して転
写部１０へ不活性ガスが導入されるようにする。これに
より、不活性ガスの再利用を図ることができ、不活性ガ
スの使用量を減少させることができる。また、図４に示
すように、基材２の搬送ライン４に沿って筐体１５と筐
体２３とを接続する配管２５’を設け、電子線照射部２
０に供給された不活性ガスが、配管２５’を通って転写
部１０に至るようにしてもよい。
【００３１】（第３の実施形態）本実施形態では、図５
に示すように、転写部１０と電子線照射部２０とを一つ
の筐体２６内に収容して一体化し、不活性ガス供給部３
０から配管３５を介してこの筐体２６内に不活性ガスを
導入するようにする。このような装置構成により、装置
全体の構造が簡略化するとともに、イナーティングの効
率を高くすることができる。
に示すように、転写部１０と電子線照射部２０とを一つ
の筐体２６内に収容して一体化し、不活性ガス供給部３
０から配管３５を介してこの筐体２６内に不活性ガスを
導入するようにする。このような装置構成により、装置
全体の構造が簡略化するとともに、イナーティングの効
率を高くすることができる。
【００３２】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態で
は、転写により印刷インキ、塗料、接着剤等を形成する
場合について示したが、これに限らず、他の塗膜を形成
する場合、例えば押し出し機等によりフィルム状塗膜を
基材に積層する方法の場合にも本発明を適用することが
可能である。また、上記実施形態ではローラ間を転移す
る方法により塗膜を形成したが、これに限らず、印刷イ
ンキ、塗料、接着剤等を吐出する手段から直接基材に塗
膜を設けるようにすることもできる。さらに、放射線と
して電子線を用いた場合について示したが、これに限ら
ず、紫外線等の他の放射線を用いることもできる。
ことなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態で
は、転写により印刷インキ、塗料、接着剤等を形成する
場合について示したが、これに限らず、他の塗膜を形成
する場合、例えば押し出し機等によりフィルム状塗膜を
基材に積層する方法の場合にも本発明を適用することが
可能である。また、上記実施形態ではローラ間を転移す
る方法により塗膜を形成したが、これに限らず、印刷イ
ンキ、塗料、接着剤等を吐出する手段から直接基材に塗
膜を設けるようにすることもできる。さらに、放射線と
して電子線を用いた場合について示したが、これに限ら
ず、紫外線等の他の放射線を用いることもできる。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１に示した塗膜形成装置を用い、電子線照射装置として
図２に示す真空管型の照射部を有するものを用いて以下
の条件で印刷インキを転写し、電子線照射により硬化さ
せて塗膜を形成した。 ウエブ速度：５０ｍ／ｍｉｎ 電子線照射装置の加速電圧：５０ｋＶ 基材：Ｅ５１０１（東洋紡製）
１に示した塗膜形成装置を用い、電子線照射装置として
図２に示す真空管型の照射部を有するものを用いて以下
の条件で印刷インキを転写し、電子線照射により硬化さ
せて塗膜を形成した。 ウエブ速度：５０ｍ／ｍｉｎ 電子線照射装置の加速電圧：５０ｋＶ 基材：Ｅ５１０１（東洋紡製）
【００３４】この際のインキの処方例を以下に示す。な
お、以下の「部」、「％」は、それぞれ「重量部」、
「重量％」である。
お、以下の「部」、「％」は、それぞれ「重量部」、
「重量％」である。
【００３５】［ワニスの作成］トリメチロールプロパン
トリアクリレート５９．９％、ハイドロキノン０．１
％、ＤＴ１５０（東都化成株式会社製ジアリルフタレー
ト樹脂）４０％を１００℃以下で溶解しワニスとした。 ［印刷インキの調整］以下の処方に従って混合し、３本
ロールに分散させ、電子線硬化型オフセット印刷用イン
キとした。 （処方） ＬＩＯＮＯＬ ＢＬＵＥ ＦＧ−７３５１ ２０部 （東洋インキ製造株式会社製フタロシアニン顔料） 上記ワニス ６０部 ペンタエリスリトールテトラアクリレート ２０部
トリアクリレート５９．９％、ハイドロキノン０．１
％、ＤＴ１５０（東都化成株式会社製ジアリルフタレー
ト樹脂）４０％を１００℃以下で溶解しワニスとした。 ［印刷インキの調整］以下の処方に従って混合し、３本
ロールに分散させ、電子線硬化型オフセット印刷用イン
キとした。 （処方） ＬＩＯＮＯＬ ＢＬＵＥ ＦＧ−７３５１ ２０部 （東洋インキ製造株式会社製フタロシアニン顔料） 上記ワニス ６０部 ペンタエリスリトールテトラアクリレート ２０部
【００３６】転写部の酸素濃度を変化させて上記のよう
に塗膜を形成し、その際のインキの硬化性を評価し、イ
ンキのメタノール抽出率を算出した。これらの方法は以
下のとおりである。なお、電子線照射部の酸素濃度は、
いずれも０．００５％であった。
に塗膜を形成し、その際のインキの硬化性を評価し、イ
ンキのメタノール抽出率を算出した。これらの方法は以
下のとおりである。なお、電子線照射部の酸素濃度は、
いずれも０．００５％であった。
【００３７】［インキ硬化性の評価方法］インキ硬化性
の評価は、メチルエチルケトンをしみ込ませた綿棒を往
復させ、インキが基材からはぎ取られるまでの回数を計
測した。 ［メタノール抽出方法および抽出率の算出方法］ （ａ）フィルム上に約１μｍの膜圧で印刷された９６ｃ
ｍ２のべた部を切り取り、４０．０ｇのメタノールとと
もに容器に入れる。 （ｂ）ロータリーミキサーで５時間、回転させながら抽
出する。 （ｃ）濾過する。（メタノールが蒸発してモノマー分が
溶け出ている。） （ｄ）濾過した溶液をあらかじめ計量しておき、その
後、ドライバスで７０℃、１５時間処理する。（メタノ
ールが蒸発してモノマー分が残る。） （ｅ）メタノール４０ｇに溶け出したモノマー量に換算
する。（これをＡとする）。 （ｆ）インキ膜厚とべた面積からインキ塗布量を算出す
る。（これをＢとする。） （ｇ）以下の式により抽出率を算出した。 抽出率＝Ａ／Ｂ×１００（％）
の評価は、メチルエチルケトンをしみ込ませた綿棒を往
復させ、インキが基材からはぎ取られるまでの回数を計
測した。 ［メタノール抽出方法および抽出率の算出方法］ （ａ）フィルム上に約１μｍの膜圧で印刷された９６ｃ
ｍ２のべた部を切り取り、４０．０ｇのメタノールとと
もに容器に入れる。 （ｂ）ロータリーミキサーで５時間、回転させながら抽
出する。 （ｃ）濾過する。（メタノールが蒸発してモノマー分が
溶け出ている。） （ｄ）濾過した溶液をあらかじめ計量しておき、その
後、ドライバスで７０℃、１５時間処理する。（メタノ
ールが蒸発してモノマー分が残る。） （ｅ）メタノール４０ｇに溶け出したモノマー量に換算
する。（これをＡとする）。 （ｆ）インキ膜厚とべた面積からインキ塗布量を算出す
る。（これをＢとする。） （ｇ）以下の式により抽出率を算出した。 抽出率＝Ａ／Ｂ×１００（％）
【００３８】表１に、電子線照射による吸収線量、転写
部の酸素濃度、インキの硬化性、およびインキのメタノ
ール抽出率を示す。なお、表１のＮｏ．１は、イナーテ
ィングを行わなかったものである。
部の酸素濃度、インキの硬化性、およびインキのメタノ
ール抽出率を示す。なお、表１のＮｏ．１は、イナーテ
ィングを行わなかったものである。
【００３９】
【表１】
【００４０】表１に示すように、転写部のイナーティン
グを行わなかったＮｏ．１は、インキの硬化性が低く、
かつメタノール抽出率が高いことから、塗膜の硬化が十
分ではなく、酸素による硬化阻害の影響が大きいことが
把握された。これに対し、転写部のイナーティングを行
って雰囲気の酸素濃度を低下させたＮｏ．２，３はＮ
ｏ．１よりもインキの硬化性が高く、かつメタノール抽
出率が低いことから、酸素による硬化阻害の影響が低下
したことが把握された。また、転写部の酸素濃度が３．
８％のＮｏ．２に比較して、さらに酸素濃度を低下させ
０．９％としたＮｏ．３はインキの硬化性が１０回、メ
タノール抽出率が９．５％となり、酸素による硬化阻害
の影響が極めて少ないことが確認された。
グを行わなかったＮｏ．１は、インキの硬化性が低く、
かつメタノール抽出率が高いことから、塗膜の硬化が十
分ではなく、酸素による硬化阻害の影響が大きいことが
把握された。これに対し、転写部のイナーティングを行
って雰囲気の酸素濃度を低下させたＮｏ．２，３はＮ
ｏ．１よりもインキの硬化性が高く、かつメタノール抽
出率が低いことから、酸素による硬化阻害の影響が低下
したことが把握された。また、転写部の酸素濃度が３．
８％のＮｏ．２に比較して、さらに酸素濃度を低下させ
０．９％としたＮｏ．３はインキの硬化性が１０回、メ
タノール抽出率が９．５％となり、酸素による硬化阻害
の影響が極めて少ないことが確認された。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子線照射部のみならず転写部にも不活性ガスを供給す
ることにより、塗膜へ混入する酸素を低減することがで
き、酸素による硬化阻害の影響を少なくして、効率的に
塗膜を硬化することができる。
電子線照射部のみならず転写部にも不活性ガスを供給す
ることにより、塗膜へ混入する酸素を低減することがで
き、酸素による硬化阻害の影響を少なくして、効率的に
塗膜を硬化することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る塗膜形成装置を
示す模式図。
示す模式図。
【図２】図１の電子線照射部の電子線照射装置に用いら
れる好ましい電子線照射管の構造を示す図。
れる好ましい電子線照射管の構造を示す図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る塗膜形成装置を
示す模式図。
示す模式図。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る塗膜形成装置の
他の例を示す模式図。
他の例を示す模式図。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る塗膜形成装置を
示す模式図。
示す模式図。
１……塗膜形成装置 ２……基材 １０……転写部（塗膜形成部） ２０……電子線照射部 ２１……電子線照射装置 ３０……不活性ガス供給部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4D075 AC23 BB42Z BB47Z BB57Z DA04 EA33 EA35 4F042 AA22 DB52 4J039 AD10 AE06 BC17 BE01 CA02 EA04 4J040 PB01 PB06 PB24
Claims (9)
- 【請求項１】 基材上に塗膜を形成する塗膜形成部と、 基材上に形成された塗膜に放射線を照射して塗膜を架橋
または硬化させる放射線照射部と、 前記塗膜形成部および前記放射線照射部の両方に不活性
ガスを供給する不活性ガス供給部とを具備することを特
徴とする塗膜形成装置。 - 【請求項２】 前記放射線が電子線であることを特徴と
する請求項１に記載の塗膜形成装置。 - 【請求項３】 前記塗膜形成部を収容する第１の筐体
と、放射線照射部を収容する第２の筐体とを具備し、前
記不活性ガス供給部は、これら第１の筐体および第２の
筐体へ不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１
または請求項２に記載の塗膜形成装置。 - 【請求項４】 前記不活性ガス供給部は、前記第２の筐
体内に不活性ガスを供給し、前記第２の筐体を経て前記
第１の筐体に供給されることを特徴とする請求項３に記
載の塗膜形成装置。 - 【請求項５】 前記塗膜形成部および前記放射線照射部
を一体的に収容する筐体を有し、前記不活性ガス供給手
段は、筐体へ不活性ガスを供給することを特徴とする請
求項１または請求項２に記載の塗膜形成装置。 - 【請求項６】 基材上に塗膜を形成する塗膜形成工程
と、基材上に形成された塗膜に放射線を照射して塗膜を
架橋または硬化させる放射線照射工程とを具備する塗膜
形成方法であって、 これら塗膜形成工程および放射線照射工程の両方を不活
性雰囲気で実施することを特徴とする塗膜形成方法。 - 【請求項７】 前記放射線照射工程は電子線を照射する
ことにより実施されることを特徴とする請求項６に記載
の塗膜形成方法。 - 【請求項８】 前記塗膜形成工程における不活性ガス雰
囲気の酸素濃度が５％以下であることを特徴とする請求
項６または請求項７に記載の塗膜形成方法。 - 【請求項９】 請求項６ないし請求項８のいずれかの方
法によって得られた塗膜形成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15915699A JP2000343022A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | 塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15915699A JP2000343022A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | 塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000343022A true JP2000343022A (ja) | 2000-12-12 |
Family
ID=15687501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15915699A Pending JP2000343022A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | 塗膜形成装置、塗膜形成方法および塗膜形成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000343022A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102942A1 (fr) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. | Disque optique et son procede de fabrication |
| JP2004291455A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミックグリーンシート及びその製造方法、並びに、積層型電子部品及びその製造方法 |
| WO2006098478A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Fujifilm Corporation | Method and apparatus for curing coated film |
| JP2020165941A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | トヨタ自動車株式会社 | 塗料硬化装置および塗料硬化方法 |
| JPWO2021192653A1 (ja) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 |
-
1999
- 1999-06-07 JP JP15915699A patent/JP2000343022A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102942A1 (fr) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. | Disque optique et son procede de fabrication |
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| WO2006098478A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Fujifilm Corporation | Method and apparatus for curing coated film |
| JP2006255661A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 塗膜硬化方法及び装置 |
| CN101142033B (zh) * | 2005-03-18 | 2011-01-19 | 富士胶片株式会社 | 用于固化涂膜的方法和装置 |
| JP4710368B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-06-29 | 富士フイルム株式会社 | 塗膜硬化方法及び装置 |
| US8007874B2 (en) | 2005-03-18 | 2011-08-30 | Fujifilm Corporation | Method and apparatus for curing coated film |
| JP2020165941A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | トヨタ自動車株式会社 | 塗料硬化装置および塗料硬化方法 |
| JP7264013B2 (ja) | 2019-03-28 | 2023-04-25 | トヨタ自動車株式会社 | 塗料硬化装置および塗料硬化方法 |
| JPWO2021192653A1 (ja) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | ||
| JP7376692B2 (ja) | 2020-03-26 | 2023-11-08 | 富士フイルム株式会社 | 活性エネルギー線硬化型インク及び画像記録方法 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050614 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050810 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051220 |