JP3132956B2 - Method for producing oxide single crystal - Google Patents
Method for producing oxide single crystalInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はタンタル酸リチウムまた
はニオブ酸リチウムからなる酸化物単結晶の製造方法、
特にはこの酸化物単結晶の育成中に生じた熱歪みを除去
する高温熱処理時における炉体、保持体の劣化を防止
し、品質のよい酸化物単結晶を製造する方法に関するも
のである。The present invention relates to a method for producing an oxide single crystal comprising lithium tantalate or lithium niobate,
In particular, the present invention relates to a method for producing a high-quality oxide single crystal by preventing deterioration of a furnace body and a holder during high-temperature heat treatment for removing thermal strain generated during growth of the oxide single crystal.
【0002】[0002]
【従来の技術】タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチ
ウムなどのような酸化物単結晶の製造は、従来からこれ
らの原料物質の融液に回転している種結晶を接触させ、
この種結晶を融液より引上げて育成する引上げ法(チョ
コラルスキー法)を用いて育成されているが、この方法
では結晶自体の熱伝導を利用して結晶化に伴なう熱など
が結晶界面から結晶上面へ、さらに雰囲気へと伝導する
ことで、成長界面が固化することにより結晶が育成され
る。このため、さきに育成された結晶部分と育成界面の
間には温度勾配があることより、この結晶内部に熱歪み
が発生し、この熱歪みによってその後の切断、加工工程
においてクラックが発生するという不利があるというこ
とから、この引上げ法で育成された単結晶についてはこ
れを高温でアニーリングして結晶内部の熱歪みを開放す
るという方法が取られている。2. Description of the Related Art A single crystal of oxide such as lithium tantalate or lithium niobate is produced by bringing a rotating seed crystal into contact with a melt of these raw materials.
The seed crystal is grown using a pulling method (Czochralski method) in which the seed crystal is pulled from the melt, and in this method, the heat accompanying the crystallization is utilized by utilizing the heat conduction of the crystal itself. From the crystal to the upper surface of the crystal and further to the atmosphere, and the growth interface is solidified, thereby growing the crystal. For this reason, there is a temperature gradient between the crystal portion grown earlier and the growth interface, so that thermal distortion occurs inside the crystal, and cracks are generated in the subsequent cutting and processing steps due to the thermal distortion. Because of the disadvantages, a method is employed in which a single crystal grown by the pulling method is annealed at a high temperature to release thermal strain inside the crystal.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このアニーリ
ングにおいてもこの酸化物単結晶をルツボなどの保持体
中で熱処理するとこの単結晶と保持体との接触でこの部
分にクラックが発生することから、この単結晶と保持体
との間にこの酸化物単結晶の粉末を介在させて高温処理
をするという方法が提案されている(特公昭56-36160
号、特開昭 59-227799号各公報参照)。すなわち、これ
によれば酸化物単結晶と保持体とが直接接触しなくなる
ので、クラック発生という不利は避けることができるけ
れども、この場合には酸化物単結晶としてのタンタル酸
リチウムまたはニオブ酸リチウムおよびこの粉末から高
温において酸化リチウム(Li2O)を主とするリチウム
(Li)分が揮散し、この高温処理用の高温炉およびア
ルミナなどのセラミックからなる保持体がアルカリ雰囲
気では激しく劣化し、これらの寿命が著しく短くなる
し、得られる単結晶も組成が不均一で品質のわるいもの
になるという不利の発生することが判った。However, even in this annealing, when this oxide single crystal is heat-treated in a support such as a crucible, cracks occur in this portion due to the contact between the single crystal and the support. A method has been proposed in which a powder of this oxide single crystal is interposed between the single crystal and the support to perform high-temperature treatment (Japanese Patent Publication No. 56-36160).
No., JP-A-59-227799). That is, according to this, since the oxide single crystal does not come into direct contact with the holder, the disadvantage of crack generation can be avoided, but in this case, lithium tantalate or lithium niobate as the oxide single crystal and Lithium (Li) mainly composed of lithium oxide (Li 2 O) volatilizes at a high temperature from this powder, and a high-temperature furnace for high-temperature treatment and a support made of ceramic such as alumina are severely deteriorated in an alkaline atmosphere. It has been found that the life of the obtained single crystal is remarkably shortened, and that the obtained single crystal also has disadvantages in that the composition is non-uniform and the quality is poor.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不利
を解決した酸化物単結晶の製造方法に関するものであ
り、これは引上げ法により育成したタンタル酸リチウム
単結晶またはニオブ酸リチウムからなる酸化物単結晶を
保持体上に、この酸化物単結晶の粉末を介して保持し、
これを高温で熱処理する酸化物単結晶の製造方法におい
て、この酸化物単結晶の粉末をその組成(Ta/Liま
たはTa/Nb=X)が 1.2≦X≦1.5 のものとしてな
ることを特徴とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method for producing an oxide single crystal which has solved the above-mentioned disadvantages, and relates to an oxide comprising lithium tantalate single crystal or lithium niobate grown by a pulling method. The product single crystal is held on a holding body via the oxide single crystal powder,
A method for producing an oxide single crystal, which is heat-treated at a high temperature, is characterized in that the oxide single crystal powder has a composition (Ta / Li or Ta / Nb = X) of 1.2 ≦ X ≦ 1.5. Is what you do.
【0005】すなわち、本発明者らはタンタル酸リチウ
ム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶からなる酸化物
単結晶の高温処理による不利を解決すべく種々検討した
結果、この高温処理時にこの酸化物単結晶と保持体との
直接接触を避けるために使用される酸化物単結晶粉末の
組成をそのTa/LiまたはTa/Nbの値(X)が1.
2≦X≦1.5 のものとしたところ、余剰の Ta2O5にLi
分がトラップされ、これからのLi分の揮散が減少する
ので、アルミナからなる保持体および炉体の劣化が見ら
れなくなるということを見出し、さらにこのLi分の揮
散防止法、揮散Li分の除去方法などについての研究を
進めて本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。That is, the present inventors have conducted various studies to solve the disadvantages caused by high-temperature treatment of an oxide single crystal composed of lithium tantalate single crystal or lithium niobate single crystal. The composition of the oxide single crystal powder used to avoid direct contact with the support and the Ta / Li or Ta / Nb value (X) is 1.
When 2 ≦ X ≦ 1.5, surplus Ta 2 O 5 is converted to Li
Is trapped and the volatilization of Li from now on is reduced, so that the deterioration of the holder and the furnace body made of alumina is no longer observed. The present inventors have completed the present invention by conducting research on such factors. This will be described in more detail below.
【0006】[0006]
【作用】本発明はタンタル酸リチウム単結晶またはニオ
ブ酸リチウムからなる酸化物単結晶の製造方法に関する
ものであり、これは引上げ法で育成したこの種の酸化物
単結晶を保持体上に、この酸化物単結晶の粉末を介して
保持し、これを高温で熱処理する酸化物単結晶の製造方
法において、この酸化物単結晶の粉末をその組成(Ta
/LiまたはTa/Nb=X)が 1.2≦X≦1.5 のもの
としてなることを特徴とするものであるが、これによれ
ば高温での熱処理でもこの粉末からのリチウム(Li)
分の揮発が抑制されるので、この揮発したLi分による
高熱炉および保持体の劣化することが防止され、この寿
命が長くなり、得られる酸化物単結晶も品質のよいもの
になるという有利性が与えられる。The present invention relates to a method for producing a single crystal of lithium tantalate or a single crystal of lithium niobate. This single crystal of this type grown by the pulling method is placed on a support. In a method for producing an oxide single crystal, which is held via an oxide single crystal powder and heat-treated at a high temperature, the powder of the oxide single crystal has a composition (Ta
/ Li or Ta / Nb = X) is such that 1.2 ≦ X ≦ 1.5. According to this, even if the heat treatment at a high temperature, lithium (Li)
Since the volatilization of the sulfur is suppressed, the high-temperature furnace and the holder are prevented from being deteriorated due to the volatilized Li, and the life is prolonged, and the obtained oxide single crystal has an advantage of high quality. Is given.
【0007】本発明で使用されるタンタル酸リチウム単
結晶またはニオブ酸リチウム単結晶からなる酸化物単結
晶はこれらの単結晶を育成する素材としての酸化タンタ
ルまたは酸化ニオブと炭酸リチウムとを融解した融液
に、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからな
る種結晶を接触させ、この種結晶をこの融液から引上げ
て単結晶を育成するという、いわゆるチョコラルスキー
法で育成されるが、このタンタル酸リチウム単結晶は式
LiTaO3で示され、ニオブ酸リチウム単結晶は式LiNbO3で
示されるものであることから、これらはその組成Ta/
LiまたはNb/Li=Xが、X=1のものである。The oxide single crystal comprising lithium tantalate single crystal or lithium niobate single crystal used in the present invention is obtained by melting tantalum oxide or niobium oxide as a material for growing these single crystals and lithium carbonate. The seed crystal made of lithium tantalate or lithium niobate is brought into contact with the liquid, and the seed crystal is pulled up from the melt to grow a single crystal. The crystal has the formula
Since they are represented by LiTaO 3 and the lithium niobate single crystal is represented by the formula LiNbO 3 , they have the composition Ta /
Li or Nb / Li = X is where X = 1.
【0008】したがってこのLiTaO3またはLiNbO3ではこ
れが高温に加熱されるとこの中からLi分だけが揮発
し、これが加熱炉および保持体を侵蝕するのであるが、
本発明で使用される酸化物単結晶の粉末はこの組成Ta
/LiまたはNb/Li=Xが、X=1.2 未満ではまだ
Li分をトラップする余剰の Ta2O5量が少ないため、高
温加熱時におけるLi分の揮発が多くなり、X=1.5 よ
り大きくすると得られる酸化物単結晶が表面からのLi
分の解離が多くなり、不均一なものとなるので、これは
Xが 1.2≦X≦1.5 のものとすることが必要とされる
が、これらは通常のX=1であるLiTaO3またはLiNbO3に
比べてLiの含有量が少なく、余剰の Ta2O5にLi分が
トラップされ、このものは高温に加熱したときに揮発す
るLi分の量が抑制され、したがってこの揮発による侵
蝕が防止されるし、得られる単結晶は良質なものになる
という有利性が与えられる。Therefore, in LiTaO 3 or LiNbO 3 , when it is heated to a high temperature, only Li is volatilized from this, and this erodes the heating furnace and the holder.
The oxide single crystal powder used in the present invention has the composition Ta
If X / Li or Nb / Li = X is less than X = 1.2, the amount of excess Ta 2 O 5 that still traps the Li content is small, so that the Li content volatilizes during high-temperature heating and becomes larger than X = 1.5. The resulting oxide single crystal is Li
It is necessary that X is 1.2 ≦ X ≦ 1.5, since the dissociation of these components is increased and becomes non-uniform, but these are usually LiTaO 3 or LiNbO 3 where X = 1. The Li content is smaller than that of Li, and the Li content is trapped in the surplus Ta 2 O 5 , which suppresses the amount of Li content that evaporates when heated to a high temperature, thus preventing erosion due to this volatilization. In addition, the obtained single crystal has the advantage of being of high quality.
【0009】なお、この組成比Ta/LiまたはNb/
Li=Xが、X=1.2 〜1.5 であるタンタル酸リチウ
ム、ニオブ酸リチウムの粉末はタンタル酸化物またはニ
オブ酸化物と炭酸リチウムとをタンタルまたはニオブと
リチウムとの比が 1.2〜1.5 となるように調整したもの
を約 1,000℃で焼成すればよく、これによればX=1.2
〜1.5 である酸化物単結晶を容易に得ることができるの
で、これを粉砕すればよい。The composition ratio Ta / Li or Nb /
The powder of lithium tantalate or lithium niobate in which Li = X and X = 1.2 to 1.5 is prepared by mixing tantalum oxide or niobium oxide with lithium carbonate such that the ratio of tantalum or niobium to lithium is 1.2 to 1.5. What is necessary is just to bake the adjusted thing at about 1,000 degreeC, According to this, X = 1.2
Since an oxide single crystal having a size of ~ 1.5 can be easily obtained, it may be pulverized.
【0010】本発明によるタンタル酸リチウム単結晶ま
たはニオブ酸リチウム単結晶からなる酸化物単結晶の熱
処理による製造方法は図1に示した装置で行なわれる。
図1は本発明による酸化物単結晶熱処理装置の一例の縦
断面図を示したものであるが、これは引上げ法により育
成されたタンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチ
ウム単結晶のような酸化物単結晶1をこれらの酸化物単
結晶の粉末2の上に載置したものを白金箔3を介してア
ルミナ製の保持体4に収納したものであり、この保持体
4は図示されていないこの保持体の外側に配置されてい
る加熱器で所定の温度、例えばLiTaO3単結晶では 1,300
〜 1,400℃に加熱されるようにされている。The method for producing an oxide single crystal of lithium tantalate single crystal or lithium niobate single crystal by heat treatment according to the present invention is performed by the apparatus shown in FIG.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an example of an oxide single crystal heat treatment apparatus according to the present invention, which is an oxide such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal grown by a pulling method. The single crystal 1 placed on the powder 2 of these oxide single crystals is housed in a holder 4 made of alumina via a platinum foil 3, and this holder 4 is not shown. Predetermined temperature by a heater arranged outside the holder, for example, 1,300 for LiTaO 3 single crystal
It is designed to be heated to ~ 1,400 ° C.
【0011】しかして、この場合この加熱器でこれを加
熱すると、この酸化物単結晶はこの加熱によりアニーリ
ングされて結晶育成時にこの単結晶に与えられた成長歪
み、熱歪みが解消されるし、この単結晶は単結晶粉末の
存在によって保持体と直接接触することがなく、したが
ってここにクラックが発生するということも回避される
けれども、ここに使用される単結晶粉末をその組成がT
a/LiまたはNb/Liの比が 1.0であるものとする
と、この加熱中にこの酸化物単結晶およびその粉末から
揮発するLi分によってこの高熱炉およびアルミナ製の
保持体が侵蝕されるという不利が発生する。However, in this case, when the single crystal is heated by the heater, the single crystal of the oxide is annealed by the heating to eliminate the growth distortion and the thermal distortion given to the single crystal during the crystal growth. Although the single crystal does not come into direct contact with the support due to the presence of the single crystal powder, it is possible to avoid cracks there, but the single crystal powder used here has a composition of T
Assuming that the ratio of a / Li or Nb / Li is 1.0, there is a disadvantage that the high-temperature furnace and the alumina support are eroded by Li content volatilized from the oxide single crystal and the powder during the heating. Occurs.
【0012】しかるに、本発明にしたがって、この酸化
物単結晶の粉末をその組成(Ta/LiまたはNb/L
i=X)がX=1.2 〜1.5 であるものとすると、このも
のはLiの含有量が従来公知の酸化物単結晶に比べて少
ないので、この揮発が抑制され、したがってこの高熱炉
および保持体の揮発Li分による侵蝕が軽減され、これ
が長寿命なものになるという有利性が与えられるが、こ
の場合でもこの保持体についてはこれを蓋付の箱体とす
ればこれを開放したものに比べてLi分の揮発を防止す
ることができるし、ここに揮発したLi分についてはこ
れを系内にトラップを設けてこれを回収するようにすれ
ばよりよい結果を得ることができる。However, according to the present invention, the powder of this oxide single crystal is made to have a composition (Ta / Li or Nb / L
Assuming that i = X) is X = 1.2 to 1.5, since the content of Li is smaller than that of a conventionally known oxide single crystal, the volatilization is suppressed, and therefore, the high heat furnace and the support This has the advantage of reducing the erosion due to the volatile Li content of the metal, and has the advantage that it has a long life. However, even in this case, if this holding body is made to be a box with a lid, it can be compared with one that is opened. The Li content can be prevented from being volatilized, and a better result can be obtained by providing a trap in the system for recovering the Li content volatilized here.
【0013】[0013]
【実施例】つぎに本発明の実施例および比較例をあげ
る。 実施例、比較例 大きさが 250mm×400mm 、深さ 100mmのアルミナ製の蓋
付き箱型の保持体の床に厚さ 0.5mmの白金箔を配置し、
その上にタンタル酸リチウム単結晶の粉末を厚さ20mmに
敷き、ここにチョコラルスキー法で育成した直径80mm、
長さ 120mmのタンタル酸リチウム単結晶棒を配置し、こ
れを 1,400℃の高温で16時間熱処理したが、このときの
タンタル酸リチウム単結晶の粉末をその組成(Ta/L
i=X)が表1に示したようにX=1.0 、1.2 、1.5 、
1.7 である4種のものとしたところ、この炉体および保
持体の劣化、結晶の品質について表1に示したとおりの
結果が得られた。Next, examples of the present invention and comparative examples will be described. Example, Comparative Example A platinum foil with a thickness of 0.5 mm was placed on the floor of a box-shaped holder with a lid made of alumina having a size of 250 mm × 400 mm and a depth of 100 mm,
Spread lithium tantalate single crystal powder on top of it to a thickness of 20 mm and grow it here by the Czochralski method with a diameter of 80 mm.
A lithium tantalate single crystal rod having a length of 120 mm was placed and heat-treated at a high temperature of 1,400 ° C. for 16 hours. The powder of the lithium tantalate single crystal at this time was made up of the composition (Ta / L
i = X) as shown in Table 1, where X = 1.0, 1.2, 1.5,
Assuming that there were four types of 1.7, the results shown in Table 1 were obtained for the deterioration of the furnace body and the holder and the quality of the crystals.
【0014】すなわち、本発明に従ってこのタンタル酸
リチウム単結晶粉末をその組成(Ta/Li=1.2 〜1.
5 であるものとしたときには高温炉体および保持体に劣
化は見られず、得られた結晶も良質なものであったが、
比較のためにこれをその組成がTa/Li=1.0 とした
ものには得られた結晶は良質のものであったが、炉体お
よび保持体に劣化が見られ、この組成がTa/Li=1.
7 のものでは炉体および保持体に劣化はみられなかった
が得られる結晶表面からLi分が脱離したため、この結
晶から作成した3インチのウェーハの組成に不均一性が
生じ、このウェーハの格子定数を格子定数精密測定装置
で測ったところ、中央部と周辺部の4点とで格子定数の
差が大きくなるという不利が認められた。That is, according to the present invention, this lithium tantalate single crystal powder has the composition (Ta / Li = 1.2 to 1.
When the value was 5, no deterioration was observed in the high-temperature furnace body and the holder, and the obtained crystals were of good quality.
For comparison, when the composition was Ta / Li = 1.0, the obtained crystal was of good quality, but the furnace body and the holder were deteriorated, and the composition was Ta / Li = 1.0. 1.
No deterioration was observed in the furnace body and the holder in the case of No. 7, but since the Li component was desorbed from the crystal surface obtained, the composition of the 3-inch wafer formed from this crystal caused non-uniformity, When the lattice constant was measured with a lattice constant precision measuring device, the disadvantage that the difference in lattice constant between the central part and the four points at the peripheral part was large was recognized.
【0015】[0015]
【表1】 [Table 1]
【0016】[0016]
【発明の効果】本発明は酸化物単結晶の製造方法に関す
るものであり、これは前記したように引上げ法により育
成したタンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウ
ム単結晶からなる酸化物単結晶を保持体上に、この酸化
物単結晶の粉末を介して保持し、これを高温で熱処理す
る酸化物単結晶の製造方法において、この酸化物単結晶
の粉末をその組成(Ta/LiまたはNb/Li=X)
が 1.2≦X≦1.5 のものとしてなることを特徴とするも
のであるが、これによればこの酸化物単結晶粉末からの
Li分の揮発が抑制されるので炉体および保持体のLi
分による侵蝕が防止され、得られる酸化物単結晶が良質
なものになるという有利性が与えられる。The present invention relates to a method for producing an oxide single crystal, which holds an oxide single crystal composed of a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal grown by the pulling method as described above. In a method for producing an oxide single crystal, which is held on a body via the oxide single crystal powder and heat-treated at a high temperature, the oxide single crystal powder has a composition (Ta / Li or Nb / Li). = X)
Is characterized by 1.2 ≦ X ≦ 1.5. However, according to this, since the volatilization of Li from this oxide single crystal powder is suppressed, the Li
This provides the advantage that the erosion due to impurities is prevented and the obtained oxide single crystal has a high quality.
【図1】本発明による酸化物単結晶熱処理装置の一例の
縦断面図を示したものである。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an example of an oxide single crystal heat treatment apparatus according to the present invention.
1 酸化物単結晶 2 酸化物単結晶粉末 3 白金箔 4 アルミナ製保持体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Oxide single crystal 2 Oxide single crystal powder 3 Platinum foil 4 Alumina holder
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 流王 俊彦 群馬県安中市磯部2丁目13番1号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (56)参考文献 特開 昭54−5900(JP,A) 特開 平3−218996(JP,A) 特開 昭59−227799(JP,A) 特開 昭56−54300(JP,A) 特開 平6−211600(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C30B 1/00 - 35/00 CA(STN) JICSTファイル(JOIS)──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Toshihiko Nagao 2-13-1, Isobe, Annaka-shi, Gunma Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Precision Functional Materials Research Laboratories (56) References JP-A-54-5900 JP, A) JP-A-3-218996 (JP, A) JP-A-59-227799 (JP, A) JP-A-56-54300 (JP, A) JP-A-6-211600 (JP, A) (58) ) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C30B 1/00-35/00 CA (STN) JICST file (JOIS)
Claims (1)
ウムまたはニオブ酸リチウム単結晶からなる酸化物単結
晶を保持体上に、この酸化物単結晶の粉末を介して保持
し、これを高温で熱処理する酸化物単結晶の製造方法に
おいて、この酸化物単結晶の粉末をその組成(Ta/L
iまたはNb/Li=X)が 1.2≦X≦1.5 のものとし
てなることを特徴とするタンタル酸リチウムまたはニオ
ブ酸リチウムからなる酸化物単結晶の製造方法。1. An oxide single crystal composed of lithium tantalate or lithium niobate single crystal grown by a pulling method is held on a holder via a powder of the oxide single crystal, and is heat-treated at a high temperature. In the method for producing an oxide single crystal, the powder of the oxide single crystal is mixed with its composition (Ta / L
i or Nb / Li = X) wherein 1.2 ≦ X ≦ 1.5. A method for producing an oxide single crystal comprising lithium tantalate or lithium niobate.
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---|---|---|---|
JP05330566A JP3132956B2 (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Method for producing oxide single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
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JPH07187898A JPH07187898A (en) | 1995-07-25 |
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JP7095403B2 (en) * | 2018-05-24 | 2022-07-05 | 住友金属鉱山株式会社 | Heat treatment method for oxide single crystal |
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1993
- 1993-12-27 JP JP05330566A patent/JP3132956B2/en not_active Expired - Fee Related
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