JP3118733B2 - プラズマエッチング用電極板及び治具 - Google Patents
プラズマエッチング用電極板及び治具Info
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- JP3118733B2 JP3118733B2 JP04179257A JP17925792A JP3118733B2 JP 3118733 B2 JP3118733 B2 JP 3118733B2 JP 04179257 A JP04179257 A JP 04179257A JP 17925792 A JP17925792 A JP 17925792A JP 3118733 B2 JP3118733 B2 JP 3118733B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
に際し、ウエハのプラズマエッチング加工に用いるプラ
ズマエッチング用電極板及び治具に関するものである。
に際し、ウエハのプラズマエッチング加工に用いるプラ
ズマエッチング用電極板及び治具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近になって、半導体集積回路の微細化
技術と高密度化技術の発展と共に、平行平板形電極を使
用し、ウエハ上に微細なパターンを高精度に形成するこ
とのできるプラズマエッチング技術の重要性が高まって
いる。
技術と高密度化技術の発展と共に、平行平板形電極を使
用し、ウエハ上に微細なパターンを高精度に形成するこ
とのできるプラズマエッチング技術の重要性が高まって
いる。
【０００３】このプラズマエッチングに用いられる電極
板を形成するための素材には、導電性や化学的安定性等
が必要とされ、従来より、例えば黒鉛材料の使用が試み
られている。しかし、この黒鉛材料は、コークス或いは
カーボンの粉砕物をタールやピッチ等のバインダー成分
と混合した後、成形し、更に焼成して黒鉛化することに
よって製造されているものであって、緻密且つ均質な組
織を得ることが困難であるばかりか、プラズマエッチン
グ装置に装着してウエハのプラズマエッチング加工をす
る際に、組成を構成する粒体が脱落して消耗を早めた
り、ウエハを汚損してパターン形成を阻害する等の欠点
を有している。
板を形成するための素材には、導電性や化学的安定性等
が必要とされ、従来より、例えば黒鉛材料の使用が試み
られている。しかし、この黒鉛材料は、コークス或いは
カーボンの粉砕物をタールやピッチ等のバインダー成分
と混合した後、成形し、更に焼成して黒鉛化することに
よって製造されているものであって、緻密且つ均質な組
織を得ることが困難であるばかりか、プラズマエッチン
グ装置に装着してウエハのプラズマエッチング加工をす
る際に、組成を構成する粒体が脱落して消耗を早めた
り、ウエハを汚損してパターン形成を阻害する等の欠点
を有している。
【０００４】このような背景の中、等方性の組成を有し
高硬度であるガラス状炭素を、プラズマエッチング用電
極板として利用することが検討されており、現在、プラ
ズマエッチング用電極板としての利用或いはその検討が
なされているものには、例えば次の方法で製造されるガ
ラス状炭素がある。
高硬度であるガラス状炭素を、プラズマエッチング用電
極板として利用することが検討されており、現在、プラ
ズマエッチング用電極板としての利用或いはその検討が
なされているものには、例えば次の方法で製造されるガ
ラス状炭素がある。
【０００５】即ち、特開昭６２−２５２９４２号公報に
は、高純度のガラス状炭素からなるプラズマエッチング
用電極板が開示されているのであり、このガラス状炭素
は、液状フラン樹脂、フェノール樹脂又はこれらの混合
樹脂、若しくはこれらの液状樹脂に同一種類の硬化性樹
脂粉末を添加混合したものを平板状に硬化させ、その平
板状の硬化物を不活性雰囲気下で焼成することにより得
られるとされている。そして、このようにして製造され
たガラス状炭素の一例は、かさ比重１．４５ｇ／ｃ
ｍ3、気孔率３％、ショア硬さ７５、曲げ強度５８０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2、弾性率２４３０ｋｇｆ／ｃｍ2という物性
を有すると記載されている。
は、高純度のガラス状炭素からなるプラズマエッチング
用電極板が開示されているのであり、このガラス状炭素
は、液状フラン樹脂、フェノール樹脂又はこれらの混合
樹脂、若しくはこれらの液状樹脂に同一種類の硬化性樹
脂粉末を添加混合したものを平板状に硬化させ、その平
板状の硬化物を不活性雰囲気下で焼成することにより得
られるとされている。そして、このようにして製造され
たガラス状炭素の一例は、かさ比重１．４５ｇ／ｃ
ｍ3、気孔率３％、ショア硬さ７５、曲げ強度５８０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2、弾性率２４３０ｋｇｆ／ｃｍ2という物性
を有すると記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
製造方法により得られるガラス状炭素においては、成形
時に形成される空隙がそのまま残ったり、熱処理時に揮
発成分が散逸すること等により、大きな径（例えば約２
μｍ）の気孔が多数発生してしまうという難点のあるこ
とが指摘されている（特開平３−２８５０８６号公報参
照）。
製造方法により得られるガラス状炭素においては、成形
時に形成される空隙がそのまま残ったり、熱処理時に揮
発成分が散逸すること等により、大きな径（例えば約２
μｍ）の気孔が多数発生してしまうという難点のあるこ
とが指摘されている（特開平３−２８５０８６号公報参
照）。
【０００７】又、特開平３−２８５０８６号公報には、
変成フラン樹脂等の熱硬化性樹脂を脱泡処理した後、板
状に硬化させ、その後に不活性雰囲気中で焼成するとい
う、基本的に前記特開昭６２−２５２９４２号公報に開
示されている方法と同様の製造方法により得られるガラ
ス状炭素が開示されているが、この方法により製造され
たガラス状炭素も、やはり０．０２〜０．２％の気孔率
を示すものとなってしまう。
変成フラン樹脂等の熱硬化性樹脂を脱泡処理した後、板
状に硬化させ、その後に不活性雰囲気中で焼成するとい
う、基本的に前記特開昭６２−２５２９４２号公報に開
示されている方法と同様の製造方法により得られるガラ
ス状炭素が開示されているが、この方法により製造され
たガラス状炭素も、やはり０．０２〜０．２％の気孔率
を示すものとなってしまう。
【０００８】尚、上記特開平３−２８５０８６号公報に
は気孔率以外の物性の記載はないが、原料及び製造方法
が基本的に前記特開昭６２−２５２９４２号公報と同様
であるため、気孔率以外の物性その他も特開昭６２−２
５２９４２号に開示されているガラス状炭素とほぼ同程
度と考えられる。
は気孔率以外の物性の記載はないが、原料及び製造方法
が基本的に前記特開昭６２−２５２９４２号公報と同様
であるため、気孔率以外の物性その他も特開昭６２−２
５２９４２号に開示されているガラス状炭素とほぼ同程
度と考えられる。
【０００９】このように、従来のガラス状炭素の製造方
法では、フェノール系樹脂やフラン系樹脂を用いるた
め、硬化反応させる際に脱水反応で縮合水が発生し、従
って硬化後の樹脂を焼成した場合に気孔の発生を避ける
ことができない。そして、この発生した気孔は、得られ
るガラス状炭素をプラズマエッチング用電極板として使
用した場合、比表面積が増大し、且つ、酸化特性や強度
が低下するなどの不都合が生じる原因になってしまうの
である。
法では、フェノール系樹脂やフラン系樹脂を用いるた
め、硬化反応させる際に脱水反応で縮合水が発生し、従
って硬化後の樹脂を焼成した場合に気孔の発生を避ける
ことができない。そして、この発生した気孔は、得られ
るガラス状炭素をプラズマエッチング用電極板として使
用した場合、比表面積が増大し、且つ、酸化特性や強度
が低下するなどの不都合が生じる原因になってしまうの
である。
【００１０】又、従来方法により得られるガラス状炭素
にあっては、硬化後の樹脂そのものの強度不足に加え、
脱水反応で生じる上記気孔が、力学特性に限界を与えて
しまう。
にあっては、硬化後の樹脂そのものの強度不足に加え、
脱水反応で生じる上記気孔が、力学特性に限界を与えて
しまう。
【００１１】本発明は、上記従来技術の難点を解決する
ためになされたものであり、高精度なエッチング加工を
行うことができ、しかも力学的特性及び耐久性に優れた
プラズマエッチング用電極板及び治具を提供することを
目的とする。
ためになされたものであり、高精度なエッチング加工を
行うことができ、しかも力学的特性及び耐久性に優れた
プラズマエッチング用電極板及び治具を提供することを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明が採用したプラズマエッチング用電極板の構成
は、フェノール樹脂及びポリカルボジイミド樹脂を原料
として製造したガラス状炭素材からなることを特徴とす
るものである。
に本発明が採用したプラズマエッチング用電極板の構成
は、フェノール樹脂及びポリカルボジイミド樹脂を原料
として製造したガラス状炭素材からなることを特徴とす
るものである。
【００１３】即ち、本発明の発明者らは、プラズマエッ
チング用電極板として利用することのできるガラス状炭
素材について種々検討する中で、フェノール樹脂を単独
で硬化させると、脱水反応で発生する縮合水が原因とな
って、焼成後のガラス状炭素中に多くの気孔が生じる
が、このフェノール樹脂にポリカルボジイミド樹脂を混
合し硬化させると、脱水反応が抑さえられると共に均一
な硬化物の得られることに注目し、更に検討を行った結
果、フェノール樹脂とポリカルボジイミド樹脂との混合
樹脂の硬化物を焼成したガラス状炭素材が気孔を有して
おらず、しかも力学的特性に優れていること、及び、プ
ラズマエッチング用電極板として要求される特性並びに
実用性能を十分に満足し得ることを見い出し、本発明を
完成したのである。
チング用電極板として利用することのできるガラス状炭
素材について種々検討する中で、フェノール樹脂を単独
で硬化させると、脱水反応で発生する縮合水が原因とな
って、焼成後のガラス状炭素中に多くの気孔が生じる
が、このフェノール樹脂にポリカルボジイミド樹脂を混
合し硬化させると、脱水反応が抑さえられると共に均一
な硬化物の得られることに注目し、更に検討を行った結
果、フェノール樹脂とポリカルボジイミド樹脂との混合
樹脂の硬化物を焼成したガラス状炭素材が気孔を有して
おらず、しかも力学的特性に優れていること、及び、プ
ラズマエッチング用電極板として要求される特性並びに
実用性能を十分に満足し得ることを見い出し、本発明を
完成したのである。
【００１４】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１５】本発明において使用するフェノール樹脂
は、一般にフェノール樹脂として知られているものであ
ればよいが、中でも液状のレゾール型フェノール樹脂が
好ましい。
は、一般にフェノール樹脂として知られているものであ
ればよいが、中でも液状のレゾール型フェノール樹脂が
好ましい。
【００１６】又、本発明において使用するポリガルボジ
イミド樹脂は、例えば特開昭５１−６１５９９号公報に
開示されている方法、或いは、特開平２−２９２３１６
号公報に開示されている方法などによって製造すること
ができるものであって、例えば有機ジイソシアネートの
脱二酸化炭素を伴う縮合反応により容易に製造すること
ができる。
イミド樹脂は、例えば特開昭５１−６１５９９号公報に
開示されている方法、或いは、特開平２−２９２３１６
号公報に開示されている方法などによって製造すること
ができるものであって、例えば有機ジイソシアネートの
脱二酸化炭素を伴う縮合反応により容易に製造すること
ができる。
【００１７】上記ポリカルボジイミド樹脂の製造に使用
される有機ジイソシアネートとしては、脂肪族系、脂環
式系、芳香族系或いは芳香−脂肪族系等のいずれのタイ
プのものであってもよく、これらは単独で用いても、或
いは、２種類以上を組み合わせて共重合体として使用し
てもよい。
される有機ジイソシアネートとしては、脂肪族系、脂環
式系、芳香族系或いは芳香−脂肪族系等のいずれのタイ
プのものであってもよく、これらは単独で用いても、或
いは、２種類以上を組み合わせて共重合体として使用し
てもよい。
【００１８】更に具体的には、２，４−トリレンジイソ
シアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、２，
４−トリレンジイソシアネートと２，６−トリレンジイ
ソシアネートの混合物、粗トリレンジイソシアネート、
キシレンジイソシアネート、ｍ−フェニルジイソシアネ
ート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、４，
４’−ビフェニレンジイソシアネートや３，３’−ジメ
トキシ−４，４’−ビフェニルジイソシアネート、メチ
レンジフェニルジイソシアネート、或いはこれらの混合
物を上記有機ジイソシアネートとして例示することがで
きる。
シアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、２，
４−トリレンジイソシアネートと２，６−トリレンジイ
ソシアネートの混合物、粗トリレンジイソシアネート、
キシレンジイソシアネート、ｍ−フェニルジイソシアネ
ート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、４，
４’−ビフェニレンジイソシアネートや３，３’−ジメ
トキシ−４，４’−ビフェニルジイソシアネート、メチ
レンジフェニルジイソシアネート、或いはこれらの混合
物を上記有機ジイソシアネートとして例示することがで
きる。
【００１９】従って、本発明で使用するポリカルボジイ
ミド樹脂には、式 −Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− で示される少なくとも１種の繰り返し単位からなる単独
重合体又は共重合体が包含される（尚、式中のＲは有機
ジイソシアネート残基を示す）。
ミド樹脂には、式 −Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− で示される少なくとも１種の繰り返し単位からなる単独
重合体又は共重合体が包含される（尚、式中のＲは有機
ジイソシアネート残基を示す）。
【００２０】有機ジイソシアネート分子から２つのイソ
シアネート基（ＮＣＯ）を除いた残りの部分である上記
有機ジイソシアネート残基は、好適には芳香族ジイソシ
アネート残基である。
シアネート基（ＮＣＯ）を除いた残りの部分である上記
有機ジイソシアネート残基は、好適には芳香族ジイソシ
アネート残基である。
【００２１】又、上記ポリカルボジイミド樹脂は、その
分子量を、モノイソシアネートの一種以上を用いて重縮
合を停止させる等して低下させたものでもよい。このよ
うにポリカルボジイミドの端末を封止してその分子量を
制御するためのモノイソシアネートしては、フェニルイ
ソシアネート、（オルト、メタ、パラ）−トリルイソシ
アネート、ジメチルフェニルイソシアネート、シクロヘ
キシルイソシアネート、メチルイソシアネート等を例示
することができる。
分子量を、モノイソシアネートの一種以上を用いて重縮
合を停止させる等して低下させたものでもよい。このよ
うにポリカルボジイミドの端末を封止してその分子量を
制御するためのモノイソシアネートしては、フェニルイ
ソシアネート、（オルト、メタ、パラ）−トリルイソシ
アネート、ジメチルフェニルイソシアネート、シクロヘ
キシルイソシアネート、メチルイソシアネート等を例示
することができる。
【００２２】而して、本発明で使用するガラス状炭素材
を製造するには、上記フェノール樹脂及びポリカルボジ
イミド樹脂を混合し、この混合樹脂を板状に硬化させた
後、好ましくは不活性雰囲気下、例えば１０００℃以上
の温度で炭化するのである。
を製造するには、上記フェノール樹脂及びポリカルボジ
イミド樹脂を混合し、この混合樹脂を板状に硬化させた
後、好ましくは不活性雰囲気下、例えば１０００℃以上
の温度で炭化するのである。
【００２３】上記ガラス状炭素材の製造に際しては、フ
ェノール樹脂１００重量部に対し、ポリカルボジイミド
樹脂が１０〜１００重量部となるように混合することが
好ましい。フェノール樹脂１００重量部に対し、ポリカ
ルボジイミド樹脂が１０重量部以下の場合は、フェノー
ルの脱水反応を抑制することが難しくなり、従ってガラ
ス状炭素中に気孔が多く生じ、プラズマエッチング電極
として使用した場合の強度及びライフが低下してしま
い、好ましくない。又、逆にポリカルボジイミド樹脂が
１００重量部以上の場合は、相分離を起こし、従ってガ
ラス状炭素が不均一となってしまい、プラズマエッチン
グ電極として使用した場合の強度及びライフが低下し、
やはり好ましくない。
ェノール樹脂１００重量部に対し、ポリカルボジイミド
樹脂が１０〜１００重量部となるように混合することが
好ましい。フェノール樹脂１００重量部に対し、ポリカ
ルボジイミド樹脂が１０重量部以下の場合は、フェノー
ルの脱水反応を抑制することが難しくなり、従ってガラ
ス状炭素中に気孔が多く生じ、プラズマエッチング電極
として使用した場合の強度及びライフが低下してしま
い、好ましくない。又、逆にポリカルボジイミド樹脂が
１００重量部以上の場合は、相分離を起こし、従ってガ
ラス状炭素が不均一となってしまい、プラズマエッチン
グ電極として使用した場合の強度及びライフが低下し、
やはり好ましくない。
【００２４】尚、ポリカルボジイミド−フェノール樹脂
の成形方法、硬化時間及び焼成時間は適宜選択すること
ができるが、硬化及び焼成は緩やかに行う方が好まし
い。
の成形方法、硬化時間及び焼成時間は適宜選択すること
ができるが、硬化及び焼成は緩やかに行う方が好まし
い。
【００２５】このようにして得られたガラス状炭素材は
気孔を全く乃至は殆ど含んでおらず、従って気孔率は０
乃至０．０２％である。そして、本発明で使用するガラ
ス状炭素は、例えば曲げ強度１８００乃至２５００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2、嵩密度１．５３乃至１．５７ｇ／ｃｍ3とい
う優れた力学的特性を示すものである。
気孔を全く乃至は殆ど含んでおらず、従って気孔率は０
乃至０．０２％である。そして、本発明で使用するガラ
ス状炭素は、例えば曲げ強度１８００乃至２５００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2、嵩密度１．５３乃至１．５７ｇ／ｃｍ3とい
う優れた力学的特性を示すものである。
【００２６】尚、プラズマエッチング用電極板として使
用するには、上記ガラス状炭素材に含まれる不純物は５
ｐｐｍ以下であることが要求される。又、上記ガラス状
炭素材は、プラズマエッチング用電極板としてのみなら
ずプラズマエッチング治具としても広く使用することが
できる。
用するには、上記ガラス状炭素材に含まれる不純物は５
ｐｐｍ以下であることが要求される。又、上記ガラス状
炭素材は、プラズマエッチング用電極板としてのみなら
ずプラズマエッチング治具としても広く使用することが
できる。
【００２７】
【実施例】以下に本発明を実施例により更に詳細に説明
する。
する。
【００２８】実施例１ メチレンジフェニルジイソシアネート（ＭＤＩ）５０ｇ
を、テトラヒドロフラン８８０ｍｌ中で、カルボジイミ
ド化触媒（１−フェニル−３−メチルフォスフォレンオ
キサイド）０．１３ｇと共に、６８℃で１２時間反応さ
せ、ポリカルボジイミド溶液を得た。
を、テトラヒドロフラン８８０ｍｌ中で、カルボジイミ
ド化触媒（１−フェニル−３−メチルフォスフォレンオ
キサイド）０．１３ｇと共に、６８℃で１２時間反応さ
せ、ポリカルボジイミド溶液を得た。
【００２９】次いで、フェノール樹脂（レゾール型フェ
ノール樹脂；商品名ＢＲＬ−２７４、昭和高分子（株）
製）１００重量部に上記のポリカルボジイミド溶液３３
３重量部（ポリカルボジイミド樹脂固形分２０重量部）
を加え、４５℃にて２時間混合、攪拌した。この液をガ
ラスシャーレーにあけ、４５℃で２０時間、６０℃で５
時間乾燥した後、１℃／時間の昇温速度で２００℃まで
加熱し、硬化した板を得た。得られた硬化板を、２℃／
時間の昇温速度で１０００℃まで昇温した。その後、２
ｍｍの等間隔で直径０．５ｍｍ貫通孔を放電加工により
開けた後、２３００℃にてハロゲンガスを流して高純度
化を行い、ガラス状炭素板を得た。
ノール樹脂；商品名ＢＲＬ−２７４、昭和高分子（株）
製）１００重量部に上記のポリカルボジイミド溶液３３
３重量部（ポリカルボジイミド樹脂固形分２０重量部）
を加え、４５℃にて２時間混合、攪拌した。この液をガ
ラスシャーレーにあけ、４５℃で２０時間、６０℃で５
時間乾燥した後、１℃／時間の昇温速度で２００℃まで
加熱し、硬化した板を得た。得られた硬化板を、２℃／
時間の昇温速度で１０００℃まで昇温した。その後、２
ｍｍの等間隔で直径０．５ｍｍ貫通孔を放電加工により
開けた後、２３００℃にてハロゲンガスを流して高純度
化を行い、ガラス状炭素板を得た。
【００３０】次に、このようにして得られたガラス状炭
素板を電極板としてエッチング装置に取付け、ＣＦ4、
Ａｒ、Ｏ2の混合ガスを流してプラズマを発生させ、シ
リコンウエハをエッチングした。初期厚みを３ｍｍと
し、残留厚みが０．５ｍｍになった点をライフとした。
本発明プラズマエッチング用電極板の物性値及び測定値
を表１に示す。
素板を電極板としてエッチング装置に取付け、ＣＦ4、
Ａｒ、Ｏ2の混合ガスを流してプラズマを発生させ、シ
リコンウエハをエッチングした。初期厚みを３ｍｍと
し、残留厚みが０．５ｍｍになった点をライフとした。
本発明プラズマエッチング用電極板の物性値及び測定値
を表１に示す。
【００３１】実施例２ フェノール樹脂（実施例１に使用したものと同じ）１０
０重量部に、実施例１と同様に作成したポリカルボジイ
ミド溶液８３０重量部（ポリカルジイミド樹脂固形分５
０重量部）を加え、実施例１と同様な方法でプラズマエ
ッチング用電極を作成し、測定を行った。この結果を表
１に示す。
０重量部に、実施例１と同様に作成したポリカルボジイ
ミド溶液８３０重量部（ポリカルジイミド樹脂固形分５
０重量部）を加え、実施例１と同様な方法でプラズマエ
ッチング用電極を作成し、測定を行った。この結果を表
１に示す。
【００３２】実施例３ フェノール樹脂（実施例１に使用したものと同じ）１０
０重量部に、実施例１と同様に作成したポリカルボジイ
ミド溶液１５００重量部（ポリカルジイミド樹脂固形分
９０重量部）を加え、実施例１と同様な方法でプラズマ
エッチング用電極を作成し、測定を行った。この結果を
表１に示す。
０重量部に、実施例１と同様に作成したポリカルボジイ
ミド溶液１５００重量部（ポリカルジイミド樹脂固形分
９０重量部）を加え、実施例１と同様な方法でプラズマ
エッチング用電極を作成し、測定を行った。この結果を
表１に示す。
【００３３】比較例１ フェノール樹脂（実施例１に使用したものと同じ）１０
０重量部に、実施例１と同様に作成したポリカルボジイ
ミド溶液３３３０重量部（ポリカルジイミド樹脂固形分
２００重量部）を加え、実施例１と同様な方法でプラズ
マエッチング用電極を作成し、測定を行った。この結果
を表１に示す。
０重量部に、実施例１と同様に作成したポリカルボジイ
ミド溶液３３３０重量部（ポリカルジイミド樹脂固形分
２００重量部）を加え、実施例１と同様な方法でプラズ
マエッチング用電極を作成し、測定を行った。この結果
を表１に示す。
【００３４】比較例２ フェノール樹脂（実施例１に使用したものと同じ）を使
用し、実施例１と同様な方法でプラズマエッチング用電
極を作成し、測定を行った。この結果を表１に示す。
用し、実施例１と同様な方法でプラズマエッチング用電
極を作成し、測定を行った。この結果を表１に示す。
【００３５】比較例３ フルフリルアルコール１００重量部にｐ−トルエンスル
ホン酸を０．４重量部加え、混合した。この重合物を脱
泡処理した後、ガラスシャーレーにあけ、実施例１と同
様の方法によりガラス状炭素板を得、実施例１と同様に
試験を行った。この結果を表１に示す。
ホン酸を０．４重量部加え、混合した。この重合物を脱
泡処理した後、ガラスシャーレーにあけ、実施例１と同
様の方法によりガラス状炭素板を得、実施例１と同様に
試験を行った。この結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】本発明は以上のとおりであり、本発明のプ
ラズマエッチング用電極板は高精度なエッチング加工を
行うことができ、しかも力学的特性及び耐久性に優れて
いる。
ラズマエッチング用電極板は高精度なエッチング加工を
行うことができ、しかも力学的特性及び耐久性に優れて
いる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−320955（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−74658（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−285086（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−14453（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−246245（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−175756（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−218750（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/302 C23F 4/00 H01L 21/28 C08L 61/00 - 79/08
Claims (5)
- 【請求項１】 フェノール樹脂及びポリカルボジイミド
樹脂を原料として製造したガラス状炭素材からなること
を特徴とするプラズマエッチング用電極板。 - 【請求項２】 ガラス状炭素材は、フェノール樹脂１０
０重量部に対し、ポリカルボジイミド樹脂を１０〜１０
０重量部含有する混合物を原料として製造されたもので
ある請求項１に記載のプラズマエッチング用電極板。 - 【請求項３】 ガラス状炭素材は、その気孔率が０乃至
０．０２％である請求項１に記載のプラズマエッチング
用電極板。 - 【請求項４】 ガラス状炭素材は、その曲げ強度１８０
０乃至２５００ｋｇｆ／ｃｍ2、嵩密度が１．５３乃至
１．５７ｇ／ｃｍ3である請求項１に記載のプラズマエ
ッチング用電極板。 - 【請求項５】 フェノール樹脂及びポリカルボジイミド
樹脂を原料として製造したガラス状炭素材からなること
を特徴とするプラズマエッチング用治具。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04179257A JP3118733B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | プラズマエッチング用電極板及び治具 |
| US08/071,399 US5871609A (en) | 1992-06-12 | 1993-06-04 | Electrode plate and jig for use in plasma etching |
| EP93109028A EP0573915A1 (en) | 1992-06-12 | 1993-06-04 | Electrode plate and jig for use in plasma etching |
| CA002098162A CA2098162A1 (en) | 1992-06-12 | 1993-06-10 | Electrode plate and jig for use in plasma etching |
| KR1019930010736A KR100287332B1 (ko) | 1992-06-12 | 1993-06-12 | 플라즈마 에칭용 전극판 및 지그 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04179257A JP3118733B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | プラズマエッチング用電極板及び治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347276A JPH05347276A (ja) | 1993-12-27 |
| JP3118733B2 true JP3118733B2 (ja) | 2000-12-18 |
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ID=16062692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04179257A Expired - Fee Related JP3118733B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | プラズマエッチング用電極板及び治具 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10130055A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置用電極板の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP04179257A patent/JP3118733B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05347276A (ja) | 1993-12-27 |
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