JP3117764B2 - 抵抗溶接制御方法 - Google Patents
抵抗溶接制御方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部に特別な付加装置
を付けることなく、電極チップの摩耗等による電流密度
の低下を自動的に補正して、溶接の品質を均一に保つ方
法と、その初期設定の自動化に関する。
を付けることなく、電極チップの摩耗等による電流密度
の低下を自動的に補正して、溶接の品質を均一に保つ方
法と、その初期設定の自動化に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、被溶接部にチリが発生すると電極
チップ間の抵抗値が小さくなることを利用して、溶接機
の負荷力率の微小な変化から被溶接部にチリが発生した
ことを検出し、溶接電流をチリが発生する近辺の電流値
になるように制御している。
チップ間の抵抗値が小さくなることを利用して、溶接機
の負荷力率の微小な変化から被溶接部にチリが発生した
ことを検出し、溶接電流をチリが発生する近辺の電流値
になるように制御している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この場合、負荷力率は
負荷の抵抗成分とリアクタンス成分の比率で表されるた
め、負荷力率の変化量は抵抗値とリアクタンスの相対的
な変化量を表し、抵抗値自体の変化量を検出するもので
はなく、従って、溶接電流による反発力で溶接ケーブル
がキックしてインダクタンス成分が変化するような溶接
機や溶接箇所によってインダクタンスが変化するような
溶接機には使用できず、又、力率角やインダクタンスの
大きさによって抵抗値の変化量の大きさも異なり、初期
設定として幾つものパラメータがカットアンドトライに
よって調整しなければならないと言う欠点があった。そ
の結果、現実の作業においては、溶接作業中にチリが発
生することによってチリ限界を求めるしかなく、チリを
発生させないと溶接制御ができない。その場合、溶接部
の強度が低下し、外観が悪くなるばかりか、チリの発生
は作業の安全上好ましくない。そこで本発明の目的は、
溶接トランスの２次側抵抗値の変化量を容易に検出し
て、電極チップの摩耗等に影響されることなく溶接の品
質を均一にすることができ、しかも、溶接作業中にチリ
を発生させない最適状態で溶接作業を行うことができる
抵抗溶接制御方法を提供することにある。
負荷の抵抗成分とリアクタンス成分の比率で表されるた
め、負荷力率の変化量は抵抗値とリアクタンスの相対的
な変化量を表し、抵抗値自体の変化量を検出するもので
はなく、従って、溶接電流による反発力で溶接ケーブル
がキックしてインダクタンス成分が変化するような溶接
機や溶接箇所によってインダクタンスが変化するような
溶接機には使用できず、又、力率角やインダクタンスの
大きさによって抵抗値の変化量の大きさも異なり、初期
設定として幾つものパラメータがカットアンドトライに
よって調整しなければならないと言う欠点があった。そ
の結果、現実の作業においては、溶接作業中にチリが発
生することによってチリ限界を求めるしかなく、チリを
発生させないと溶接制御ができない。その場合、溶接部
の強度が低下し、外観が悪くなるばかりか、チリの発生
は作業の安全上好ましくない。そこで本発明の目的は、
溶接トランスの２次側抵抗値の変化量を容易に検出し
て、電極チップの摩耗等に影響されることなく溶接の品
質を均一にすることができ、しかも、溶接作業中にチリ
を発生させない最適状態で溶接作業を行うことができる
抵抗溶接制御方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、溶接中
の１次電流の変化率が０のタイミングにおいて溶接トラ
ンスの１次側電圧と１次側電流を測定して溶接トランス
の２次側抵抗値を計算するとともに、溶接中における２
次側抵抗値の変化量が予め設定した抵抗値変化量になる
ように溶接電流をフィードバック制御する抵抗溶接制御
方法にある。この場合において、初期設定の抵抗値変化
量と溶接電流値は、溶接毎にチリの発生を電極チップ間
の抵抗値が急激に変化したかどうかで判定して次の溶接
電流値を求めて再度溶接を行いながら被溶接物のチリ限
界値を求め、このチリ限界時の抵抗値変化量と溶接電流
値を初期設定データとしてコンピュータに自動的にプロ
グラムする。
の１次電流の変化率が０のタイミングにおいて溶接トラ
ンスの１次側電圧と１次側電流を測定して溶接トランス
の２次側抵抗値を計算するとともに、溶接中における２
次側抵抗値の変化量が予め設定した抵抗値変化量になる
ように溶接電流をフィードバック制御する抵抗溶接制御
方法にある。この場合において、初期設定の抵抗値変化
量と溶接電流値は、溶接毎にチリの発生を電極チップ間
の抵抗値が急激に変化したかどうかで判定して次の溶接
電流値を求めて再度溶接を行いながら被溶接物のチリ限
界値を求め、このチリ限界時の抵抗値変化量と溶接電流
値を初期設定データとしてコンピュータに自動的にプロ
グラムする。
【０００５】
【作用】このように構成された抵抗溶接制御の場合、実
際の溶接作業に入る前にまず、抵抗値変化量と溶接電流
値をチリ限界で設定するため、試験的溶接毎にチリの発
生を電極チップ間の抵抗値が急激に変化したかどうかで
判定し、チリが発生していない状態において次の溶接電
流値を増大させて再度溶接を行いながら被溶接物のチリ
限界値を求め、このチリ限界時の抵抗値変化量と溶接電
流値を初期設定データとしてコンピュータに自動的にプ
ログラムする。このように最適溶接に対応した抵抗値変
化量と溶接電流値を初期設定した状態において、溶接作
業を開始し、溶接中の１次電流の変化率が０のタイミン
グ、例えば電源の各サイクル別溶接電流波形のピーク時
において溶接トランスの１次側電圧と１次側電流を測定
して溶接トランスの２次側抵抗値を計算するとともに、
溶接中における２次側抵抗値の変化量が予め設定した前
記抵抗値変化量になるように溶接電流をフィードバック
制御する。
際の溶接作業に入る前にまず、抵抗値変化量と溶接電流
値をチリ限界で設定するため、試験的溶接毎にチリの発
生を電極チップ間の抵抗値が急激に変化したかどうかで
判定し、チリが発生していない状態において次の溶接電
流値を増大させて再度溶接を行いながら被溶接物のチリ
限界値を求め、このチリ限界時の抵抗値変化量と溶接電
流値を初期設定データとしてコンピュータに自動的にプ
ログラムする。このように最適溶接に対応した抵抗値変
化量と溶接電流値を初期設定した状態において、溶接作
業を開始し、溶接中の１次電流の変化率が０のタイミン
グ、例えば電源の各サイクル別溶接電流波形のピーク時
において溶接トランスの１次側電圧と１次側電流を測定
して溶接トランスの２次側抵抗値を計算するとともに、
溶接中における２次側抵抗値の変化量が予め設定した前
記抵抗値変化量になるように溶接電流をフィードバック
制御する。
【０００６】
【発明の効果】その結果、本発明は、溶接制御の初期設
定において、チリ限界の抵抗値変化量ΔＲ値を絶対値で
プログラムし、溶接作業中にチリを発生させない最適状
態のチリ限界で溶接制御を行うことができ、これによっ
て、電極チップの摩耗等に影響されることなく溶接の品
質を均一にすることができ、しかも、強度と外観を含む
溶接の仕上がりを最良均一に保つことができる効果があ
る。
定において、チリ限界の抵抗値変化量ΔＲ値を絶対値で
プログラムし、溶接作業中にチリを発生させない最適状
態のチリ限界で溶接制御を行うことができ、これによっ
て、電極チップの摩耗等に影響されることなく溶接の品
質を均一にすることができ、しかも、強度と外観を含む
溶接の仕上がりを最良均一に保つことができる効果があ
る。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の一実施例の構成を図によって
説明する。図１は溶接トランスＷＴの２次側抵抗値を１
次側で検出するブロック回路図を示し、１次変流器ＣＴ
は溶接トランスＷＴの１次側に流れる電流を検出するた
めの空芯ＣＴで、この回路には実際の電流波形の微分信
号が入力され、この微分信号は積分回路ＩＣによって電
流波形に復元される。１次電圧入力は溶接電源を計測器
用トランスＭＴで降圧された信号で増幅回路ＡＭＣによ
ってレベル調整されるとともに、これらの電流信号と電
圧信号はサンプルホールド回路ＳＨＣによって１次変流
器ＣＴ波形からｄi ／ｄt ＝０検出回路ＤＤＣで検出さ
れるｄi ／ｄt ＝０のタイミング信号毎にサンプルホー
ルドされる一方、このタイミング信号はマイクロコンピ
ュータＭＣに入力されて割り込みを発生させ、Ａ／Ｄ変
換器ＡＤＣによってＡ／Ｄ変換された電流、電圧データ
がサンプリングされ、サンプリングされたデータから溶
接トランスＷＴの２次側抵抗値Ｒが次式によりマイクロ
コンピュータＭＣで計算される。
説明する。図１は溶接トランスＷＴの２次側抵抗値を１
次側で検出するブロック回路図を示し、１次変流器ＣＴ
は溶接トランスＷＴの１次側に流れる電流を検出するた
めの空芯ＣＴで、この回路には実際の電流波形の微分信
号が入力され、この微分信号は積分回路ＩＣによって電
流波形に復元される。１次電圧入力は溶接電源を計測器
用トランスＭＴで降圧された信号で増幅回路ＡＭＣによ
ってレベル調整されるとともに、これらの電流信号と電
圧信号はサンプルホールド回路ＳＨＣによって１次変流
器ＣＴ波形からｄi ／ｄt ＝０検出回路ＤＤＣで検出さ
れるｄi ／ｄt ＝０のタイミング信号毎にサンプルホー
ルドされる一方、このタイミング信号はマイクロコンピ
ュータＭＣに入力されて割り込みを発生させ、Ａ／Ｄ変
換器ＡＤＣによってＡ／Ｄ変換された電流、電圧データ
がサンプリングされ、サンプリングされたデータから溶
接トランスＷＴの２次側抵抗値Ｒが次式によりマイクロ
コンピュータＭＣで計算される。
【０００８】 この抵抗値Ｒの最大値から溶接終了までの溶接１サイク
ルにおける抵抗値の差分ΔＲも計算される。
ルにおける抵抗値の差分ΔＲも計算される。
【０００９】次に、本実施例の作用について説明する。
このように構成された抵抗溶接制御の場合、実際の溶接
作業に入る前にまず、抵抗値変化量ΔＲと溶接電流値Ｉ
をチリ限界で設定するため、試験的溶接毎にチリの発生
を電極チップ１、１間の抵抗値が急激に変化したかどう
かで判定し、チリが発生していない状態において次の溶
接電流値Ｉを増大させて再度溶接を行いながら被溶接物
２のチリ限界値を求め、このチリ限界時の抵抗値変化量
ΔＲと溶接電流値Ｉを初期設定データとしてマイクロコ
ンピュータＭＣに自動的にプログラムする。
このように構成された抵抗溶接制御の場合、実際の溶接
作業に入る前にまず、抵抗値変化量ΔＲと溶接電流値Ｉ
をチリ限界で設定するため、試験的溶接毎にチリの発生
を電極チップ１、１間の抵抗値が急激に変化したかどう
かで判定し、チリが発生していない状態において次の溶
接電流値Ｉを増大させて再度溶接を行いながら被溶接物
２のチリ限界値を求め、このチリ限界時の抵抗値変化量
ΔＲと溶接電流値Ｉを初期設定データとしてマイクロコ
ンピュータＭＣに自動的にプログラムする。
【００１０】即ち、溶接電流Ｉの初期値は電極チップ１
の交換やチップ１研磨の作業時に増加された電流値Ｉを
初期値にリセットするためのものであり、従って、この
自動設定操作は電極チップ１交換やチップ１研磨後に行
うのが望ましい。そこで、まず、溶接制御装置３の動
作モードを〔設定モード〕にセットした状態で仮の溶
接電流を設定して（設定モードでは、この値は溶接毎に
更新される）、所定の被溶接物２を溶接する。このと
き、マイクロコンピュータＭＣ内部ではチリの発生有無
と抵抗値変化量ΔＲを計算して、次回溶接のための電流
値Ｉを設定するとともに、このときのティーチングボ
ックスに表示される判定結果が〔ＯＫ〕であれば〔設定
キー〕を押すことによって現在の抵抗値変化量ΔＲと溶
接電流値ＩがマイクロコンピュータＭＣの所定のプログ
ラムエリアに書き込まれ、〔ＮＧ〕の場合はの動作を
繰り返す。
の交換やチップ１研磨の作業時に増加された電流値Ｉを
初期値にリセットするためのものであり、従って、この
自動設定操作は電極チップ１交換やチップ１研磨後に行
うのが望ましい。そこで、まず、溶接制御装置３の動
作モードを〔設定モード〕にセットした状態で仮の溶
接電流を設定して（設定モードでは、この値は溶接毎に
更新される）、所定の被溶接物２を溶接する。このと
き、マイクロコンピュータＭＣ内部ではチリの発生有無
と抵抗値変化量ΔＲを計算して、次回溶接のための電流
値Ｉを設定するとともに、このときのティーチングボ
ックスに表示される判定結果が〔ＯＫ〕であれば〔設定
キー〕を押すことによって現在の抵抗値変化量ΔＲと溶
接電流値ＩがマイクロコンピュータＭＣの所定のプログ
ラムエリアに書き込まれ、〔ＮＧ〕の場合はの動作を
繰り返す。
【００１１】以上の制御を示したのが第２図、第３図の
ΔＲ目標値、溶接電流初期値自動設定フローチャートで
あって、ステップ１０１で仮の溶接電流を設定した後、
システムはステップ１０２で設定モードにジャンプし、
ステップ１０３で試験溶接ステップ＝０がセットされた
後、ステップ１０４で溶接が実施されるとともに、ステ
ップ１０５でチリが発生したか否かが判定され、チリが
発生した状態においてステップ１０６で試験溶接ステッ
プ＝０か否かが判定され、０の場合においてステップ１
０７で溶接電流値を−５％にし、ステップ１０８でＮＧ
判定をした後、ステップ１０９で設定モード処理フロー
による全試験溶接終了か否かが判定され、終了していな
い状態においてステップ１０４で溶接電流値−５％の状
態で再度溶接が実施される。
ΔＲ目標値、溶接電流初期値自動設定フローチャートで
あって、ステップ１０１で仮の溶接電流を設定した後、
システムはステップ１０２で設定モードにジャンプし、
ステップ１０３で試験溶接ステップ＝０がセットされた
後、ステップ１０４で溶接が実施されるとともに、ステ
ップ１０５でチリが発生したか否かが判定され、チリが
発生した状態においてステップ１０６で試験溶接ステッ
プ＝０か否かが判定され、０の場合においてステップ１
０７で溶接電流値を−５％にし、ステップ１０８でＮＧ
判定をした後、ステップ１０９で設定モード処理フロー
による全試験溶接終了か否かが判定され、終了していな
い状態においてステップ１０４で溶接電流値−５％の状
態で再度溶接が実施される。
【００１２】この溶接でチリが発生したか否かがステッ
プ１０５で判定され、チリが発生しなかった状態におい
てステップ１１０で試験溶接ステップ＝０か否かが判定
され、０である場合においてステップ１１１で試験溶接
ステップ＝１をセットするとともに、ステップ１１２で
溶接電流値を＋５％にし、ステップ１０８でＮＧ判定を
した後、ステップ１０９で設定モード処理フローによる
全試験溶接終了か否かが判定され、まだ終了していない
状態においてステップ１０４で溶接電流値＋５％の状態
で再度溶接が実施される。
プ１０５で判定され、チリが発生しなかった状態におい
てステップ１１０で試験溶接ステップ＝０か否かが判定
され、０である場合においてステップ１１１で試験溶接
ステップ＝１をセットするとともに、ステップ１１２で
溶接電流値を＋５％にし、ステップ１０８でＮＧ判定を
した後、ステップ１０９で設定モード処理フローによる
全試験溶接終了か否かが判定され、まだ終了していない
状態においてステップ１０４で溶接電流値＋５％の状態
で再度溶接が実施される。
【００１３】この溶接でチリが発生したか否かがステッ
プ１０５で判定され、チリが発生した状態においてステ
ップ１０６で試験溶接ステップ＝０か否かが判定され、
０でない場合においてステップ１１３で試験溶接ステッ
プ＝１か否かが判定され、１である場合においてステッ
プ１１４で試験溶接ステップ＝２がセットされた後、ス
テップ１１５で溶接電流値を−１％にし、ステップ１０
８でＮＧ判定をした後、ステップ１０９で設定モード処
理フローによる全試験溶接終了か否かが判定され、まだ
終了していない状態においてステップ１０４で溶接電流
値−１％の状態で再度溶接が実施される。
プ１０５で判定され、チリが発生した状態においてステ
ップ１０６で試験溶接ステップ＝０か否かが判定され、
０でない場合においてステップ１１３で試験溶接ステッ
プ＝１か否かが判定され、１である場合においてステッ
プ１１４で試験溶接ステップ＝２がセットされた後、ス
テップ１１５で溶接電流値を−１％にし、ステップ１０
８でＮＧ判定をした後、ステップ１０９で設定モード処
理フローによる全試験溶接終了か否かが判定され、まだ
終了していない状態においてステップ１０４で溶接電流
値−１％の状態で再度溶接が実施される。
【００１４】この溶接でチリが発生したか否かがステッ
プ１０５で判定され、チリが発生した状態においてステ
ップ１０６で試験溶接ステップ＝０か否かが判定され、
０でない場合においてステップ１１３で試験溶接ステッ
プ＝１か否かが判定され、１でない場合においてステッ
プ１１５で溶接電流値を更に−１％にして、前記同様の
試験溶接が繰り返された後、ステップ１０５でのチリ発
生判定でチリが発生しなかった場合、ステップ１１０で
試験溶接ステップ＝０か否かが判定され、０でない場合
においてステップ１１６で試験溶接ステップ＝１か否か
が判定され、１でない場合においてステップ１１７で試
験溶接ステップ＝２か否かが判定され、２である場合に
おいてステップ１１８で試験溶接ステップ＝３がセット
された後、ステップ１１９でＯＫ判定をした後、ステッ
プ１０９で設定モード処理フローによる全試験溶接終了
か否かが判定され、まだ終了していない場合、ステップ
１０４で再度溶接が実施される。
プ１０５で判定され、チリが発生した状態においてステ
ップ１０６で試験溶接ステップ＝０か否かが判定され、
０でない場合においてステップ１１３で試験溶接ステッ
プ＝１か否かが判定され、１でない場合においてステッ
プ１１５で溶接電流値を更に−１％にして、前記同様の
試験溶接が繰り返された後、ステップ１０５でのチリ発
生判定でチリが発生しなかった場合、ステップ１１０で
試験溶接ステップ＝０か否かが判定され、０でない場合
においてステップ１１６で試験溶接ステップ＝１か否か
が判定され、１でない場合においてステップ１１７で試
験溶接ステップ＝２か否かが判定され、２である場合に
おいてステップ１１８で試験溶接ステップ＝３がセット
された後、ステップ１１９でＯＫ判定をした後、ステッ
プ１０９で設定モード処理フローによる全試験溶接終了
か否かが判定され、まだ終了していない場合、ステップ
１０４で再度溶接が実施される。
【００１５】この溶接でチリが発生したか否かがステッ
プ１０５で判定され、チリが発生しなかった場合、ステ
ップ１１０で試験溶接ステップ＝０か否かが判定され、
０でない場合においてステップ１１６で試験溶接ステッ
プ＝１か否かが判定され、１でない場合においてステッ
プ１１７で試験溶接ステップ＝２か否かが判定され、２
でない場合においてステップ１２０で試験溶接ステップ
＝２がセットされた後、ステップ１２１で溶接電流値を
＋１％にして、ステップ１０８でＮＧ判定をした後、ス
テップ１０９で設定モード処理フローによる全試験溶接
終了か否かが判定され、終了していない状態においてス
テップ１０４で溶接電流値＋１％の状態で再度溶接が実
施される。
プ１０５で判定され、チリが発生しなかった場合、ステ
ップ１１０で試験溶接ステップ＝０か否かが判定され、
０でない場合においてステップ１１６で試験溶接ステッ
プ＝１か否かが判定され、１でない場合においてステッ
プ１１７で試験溶接ステップ＝２か否かが判定され、２
でない場合においてステップ１２０で試験溶接ステップ
＝２がセットされた後、ステップ１２１で溶接電流値を
＋１％にして、ステップ１０８でＮＧ判定をした後、ス
テップ１０９で設定モード処理フローによる全試験溶接
終了か否かが判定され、終了していない状態においてス
テップ１０４で溶接電流値＋１％の状態で再度溶接が実
施される。
【００１６】このように溶接電流値を増減しての溶接に
よって被溶接物２のチリ限界値が図５に示す２次回路全
体の抵抗値変化から図６のように求められ、この状態
で、設定モード処理フローは終了してメインルーチンに
戻るとともに、ステップ１２２でこのチリ限界時の抵抗
値変化量ΔＲと溶接電流値Ｉが初期設定データとしてマ
イクロコンピュータＭＣに自動的にプログラムされ、ス
テップ１２３で設定モードは解除される。
よって被溶接物２のチリ限界値が図５に示す２次回路全
体の抵抗値変化から図６のように求められ、この状態
で、設定モード処理フローは終了してメインルーチンに
戻るとともに、ステップ１２２でこのチリ限界時の抵抗
値変化量ΔＲと溶接電流値Ｉが初期設定データとしてマ
イクロコンピュータＭＣに自動的にプログラムされ、ス
テップ１２３で設定モードは解除される。
【００１７】このようにして得られた各溶接打点毎の抵
抗値変化量ΔＲは抵抗溶接制御装置３のティーチングボ
ックスにμΩ単位で表示され、マニアル設定する場合は
溶接条件の設定を変えながら最良の溶接が行われたとき
のモニタ値を読み取って、マイクロコンピュータＭＣの
抵抗値変化量ΔＲ目標値のプログラムエリアに書き込
み、これによって溶接作業前の設定作業は終了する。
抗値変化量ΔＲは抵抗溶接制御装置３のティーチングボ
ックスにμΩ単位で表示され、マニアル設定する場合は
溶接条件の設定を変えながら最良の溶接が行われたとき
のモニタ値を読み取って、マイクロコンピュータＭＣの
抵抗値変化量ΔＲ目標値のプログラムエリアに書き込
み、これによって溶接作業前の設定作業は終了する。
【００１８】このように最適溶接に対応した抵抗値変化
量ΔＲと溶接電流値Ｉを初期設定した状態において、溶
接作業を開始し、溶接中の１次電流の変化率が０のタイ
ミング、例えば図７に示す電源の各サイクル別溶接電流
波形のピーク時において溶接トランスＷＴの１次側電圧
と１次側電流を測定して溶接トランスＷＴの２次側抵抗
値Ｒを計算するとともに、各溶接毎に計算された抵抗値
変化量ΔＲは過去数打点の抵抗値変化量ΔＲと平均化さ
れ、平均化された抵抗値変化量ΔＲは初期設定の抵抗値
変化量ΔＲ目標値と比較され、平均化された抵抗値変化
量ΔＲが抵抗値変化量ΔＲ目標値を下回る場合は、溶接
電流Ｉを増加させ、越える場合は溶接電流を減少させ
て、２次側抵抗値Ｒの変化量ΔＲが予め設定した前記抵
抗値変化量ΔＲになるように溶接電流Ｉをフィードバッ
ク制御する。その結果、この抵抗溶接は常にチリ限界の
最適状態で行うことができる上、溶接の仕上がりを均一
に保つことができる。
量ΔＲと溶接電流値Ｉを初期設定した状態において、溶
接作業を開始し、溶接中の１次電流の変化率が０のタイ
ミング、例えば図７に示す電源の各サイクル別溶接電流
波形のピーク時において溶接トランスＷＴの１次側電圧
と１次側電流を測定して溶接トランスＷＴの２次側抵抗
値Ｒを計算するとともに、各溶接毎に計算された抵抗値
変化量ΔＲは過去数打点の抵抗値変化量ΔＲと平均化さ
れ、平均化された抵抗値変化量ΔＲは初期設定の抵抗値
変化量ΔＲ目標値と比較され、平均化された抵抗値変化
量ΔＲが抵抗値変化量ΔＲ目標値を下回る場合は、溶接
電流Ｉを増加させ、越える場合は溶接電流を減少させ
て、２次側抵抗値Ｒの変化量ΔＲが予め設定した前記抵
抗値変化量ΔＲになるように溶接電流Ｉをフィードバッ
ク制御する。その結果、この抵抗溶接は常にチリ限界の
最適状態で行うことができる上、溶接の仕上がりを均一
に保つことができる。
【００１９】即ち、図４に示す溶接電流値制御システム
のステップ２０１において溶接が実施されるとともに、
この溶接途上においてチリが発生したか否かがステップ
２０２で判定され、チリが発生しないか、発生してもス
テップ２０３で連続的に発生しない一時的な現象と判定
された場合、ステップ２０４でΔＲ値及び過去数打点の
ΔＲ平均値を計算するとともに、ステップ２０５でΔＲ
値がΔＲ下限値（図６参照）以下か否かを判定し、以下
のときは設定不良か何らかの異常があることからステッ
プ２０６で空打ち又は溶接不良の異常を報知し、ΔＲ値
がΔＲ下限値以下でない場合、ステップ２０７でΔＲ値
及びΔＲ平均値がΔＲ目標値の＋１０％以上か否かが判
定され、以上のときはステップ２０８で溶接電流率を−
１％して次の溶接を繰り返し、ΔＲ目標値の＋１０％以
下のときにはステップ２０９でΔＲ値及びΔＲ平均値が
ΔＲ目標値の−１０％以下か否かが判定され、以上のと
きは溶接電流値を変化させることなくそのまま次の溶接
を繰り返し、ΔＲ目標値の−１０％以下のときにはステ
ップ２１０で溶接電流率を＋１％して次の溶接を繰り返
す。
のステップ２０１において溶接が実施されるとともに、
この溶接途上においてチリが発生したか否かがステップ
２０２で判定され、チリが発生しないか、発生してもス
テップ２０３で連続的に発生しない一時的な現象と判定
された場合、ステップ２０４でΔＲ値及び過去数打点の
ΔＲ平均値を計算するとともに、ステップ２０５でΔＲ
値がΔＲ下限値（図６参照）以下か否かを判定し、以下
のときは設定不良か何らかの異常があることからステッ
プ２０６で空打ち又は溶接不良の異常を報知し、ΔＲ値
がΔＲ下限値以下でない場合、ステップ２０７でΔＲ値
及びΔＲ平均値がΔＲ目標値の＋１０％以上か否かが判
定され、以上のときはステップ２０８で溶接電流率を−
１％して次の溶接を繰り返し、ΔＲ目標値の＋１０％以
下のときにはステップ２０９でΔＲ値及びΔＲ平均値が
ΔＲ目標値の−１０％以下か否かが判定され、以上のと
きは溶接電流値を変化させることなくそのまま次の溶接
を繰り返し、ΔＲ目標値の−１０％以下のときにはステ
ップ２１０で溶接電流率を＋１％して次の溶接を繰り返
す。
【図１】抵抗溶接の２次抵抗検出ブロック回路図であ
る。
る。
【図２】抵抗溶接の初期設定操作フローチャート図であ
る。
る。
【図３】抵抗溶接の設定処理モードフローチャート図で
ある。
ある。
【図４】抵抗溶接の溶接電流値制御フローチャート図で
ある。
ある。
【図５】抵抗溶接の通電サイクルにおける２次回路抵抗
値〔μΩ〕波形図である。
値〔μΩ〕波形図である。
【図６】抵抗溶接のチリ限界ΔＲを求める２次回路抵抗
値〔μΩ〕波形図である。
値〔μΩ〕波形図である。
【図７】抵抗溶接の１次側溶接電流と溶接電圧の波形図
である。
である。
１ 電極チップ ２ 被溶接物 ３ 溶接制御装置 ＣＴ １次変流器 ＷＴ 溶接トランス ＩＣ 積分回路 ＭＴ 計測器用トランス ＭＣ マイクロコンピュータ ＡＭＣ 増幅回路 ＳＨＣ サンプルホールド回路 ＤＤＣ ｄi ／ｄt ＝０検出回路 ＡＤＣ Ａ／Ｄ変換器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 11/24 B23K 11/25
Claims (3)
- 【請求項１】 溶接中の１次電流の変化率が０のタイミ
ングにおいて溶接トランスの１次側電圧と１次側電流を
測定して溶接トランスの２次側抵抗値を計算するととも
に、溶接中における２次側抵抗値の変化量が予め設定し
た抵抗値変化量になるように溶接電流をフィードバック
制御することを特徴とする抵抗溶接制御方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の抵抗溶接制御方法であ
って、試験的溶接において、溶接電流値毎のチリの発生
を電極チップ間の抵抗値が急激に変化したかどうかで判
定して被溶接物のチリ限界を判別し、チリ限界時におけ
る抵抗値変化量と溶接電流値を初期設定データとするこ
とを特徴とする抵抗溶接制御方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の抵抗溶接制御
方法であって、過去数打点の抵抗値変化量の平均値が予
め設定した抵抗値変化量になるように溶接電流をフィー
ドバック制御することを特徴とする抵抗溶接制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03319918A JP3117764B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 抵抗溶接制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03319918A JP3117764B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 抵抗溶接制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05123873A JPH05123873A (ja) | 1993-05-21 |
| JP3117764B2 true JP3117764B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=18115690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03319918A Expired - Fee Related JP3117764B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 抵抗溶接制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3117764B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102041702B1 (ko) * | 2018-02-27 | 2019-11-06 | 선린대학 산학협력단 | 소변컵 |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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| CN105772920B (zh) * | 2014-08-04 | 2017-09-29 | 合肥国声电子通信有限责任公司 | 一种机器人中频电阻焊接控制柜 |
| JP7192566B2 (ja) * | 2019-02-25 | 2022-12-20 | マツダ株式会社 | 電気抵抗溶接における散り検知方法及びその装置 |
-
1991
- 1991-11-06 JP JP03319918A patent/JP3117764B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR102041702B1 (ko) * | 2018-02-27 | 2019-11-06 | 선린대학 산학협력단 | 소변컵 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05123873A (ja) | 1993-05-21 |
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