JP3112675B1 - ガスの固定化処理装置 - Google Patents

ガスの固定化処理装置

Info

Publication number
JP3112675B1
JP3112675B1 JP2000044219A JP2000044219A JP3112675B1 JP 3112675 B1 JP3112675 B1 JP 3112675B1 JP 2000044219 A JP2000044219 A JP 2000044219A JP 2000044219 A JP2000044219 A JP 2000044219A JP 3112675 B1 JP3112675 B1 JP 3112675B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
inner cathode
metal
gas
sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2000044219A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001235591A (ja
Inventor
晋一郎 林
木 憲 治 藤
見 康 広 小
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000044219A priority Critical patent/JP3112675B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3112675B1 publication Critical patent/JP3112675B1/ja
Publication of JP2001235591A publication Critical patent/JP2001235591A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

【要約】 【課題】 内側陰極の過度の消耗を防止することができ
るガスの固定化処理装置を提供する。 【解決手段】 被処理ガスが内部に導入される金属製の
外側陰極1と、この外側陰極1内に配置されたスパッタ
リングターゲットとなる金属製の内側陰極2と、を有す
る。外側陰極1の上部に金属製の陽極蓋3を設け、外側
陰極1の底部に金属製の陽極底12を設ける。外側陰極
1及び内側陰極2に電圧を印加する高圧電源6を有す
る。スパッタリングによる内側陰極2の消耗度合がその
限界値に達する前にスパッタリングを停止させて内側陰
極2の過度の消耗を防止するための安全防護手段100
を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガス、特に放射性
ガスをイオン化し、金属基体中に注入して固定化する、
ガスの固定化処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】原子力発電所から発生する使用済燃料の
再処理工程においては、環境へ放出される放射性物質の
低減を図るための種々の技術開発が行われている。この
うち、気体廃棄物で半減期が約10年と比較的長いクリ
プトン85(Kr−85)については、廃ガス中から除
去回収後、イオン注入法により固定化処理する装置が開
発されている。
【0003】図3はイオン注入法を用いた従来のガス固
定化処理装置を示したもので、図3に示したようにこの
ガス固定化処理装置は、被処理ガスが導入される密閉型
のイオン注入電極としての金属製の外側陰極1と、この
外側陰極1の内部に配置されたスパッタ電極としての金
属製の円筒状内側陰極2と、外側陰極1の上端開口を閉
塞させる金属製の陽極蓋3と、この陽極蓋3に取り付け
られた被処理ガスの導入管4と、外側陰極1内を減圧す
るための吸引管5と、外側陰極1及び内側陰極2に高電
圧を印加するための直流高圧電源6と、外側陰極1の底
部に設けられた金属製の陽極底12とを備えている。ま
た、図3中符号10、11、13は絶縁部材である。
【0004】外側陰極1の内部は図示しない真空ポンプ
等により一定の低圧力に保たれている。外側陰極1と内
側陰極2との間には直流高圧電源6により電圧が印加さ
れる。温度上昇を抑えるために、外側陰極1の外面及び
内側陰極2の内部は、それぞれ、内側陰極冷却水管19
及び外側陰極冷却水管16の内部を流れる冷却水によっ
て冷却されている。内側陰極冷却水管19への冷却水の
循環供給は、内側陰極冷却水入口管14及び内側陰極冷
却水出口管15を介して行われる。また、直流高圧電源
6による内側陰極2への電圧の印加は、内側陰極冷却水
出口管15及び内側陰極冷却水管19を介して行われ
る。
【0005】このようなガス固定化処理装置では、外側
陰極1内の圧力、及び外側陰極1と内側陰極2との間に
印加される電圧が適当な条件を満たす場合には、外側陰
極1の内部全体に放電が発生することが知られている。
この放電により、Kr−85は電離してイオン状態とな
り、外側陰極1の内部に放電プラズマが形成される。
【0006】そして、直流高圧電源6により外側陰極1
に1kV以下の負電圧を、内側陰極2に1kV以上の負
電圧をそれぞれ連続的に印加した場合には、放電により
電離したKr−85イオン7は電界に沿って加速され、
内側陰極2の外面に入射衝突し、内側陰極2をスパッタ
させる。スパッタされた金属原子は対向する外側陰極1
の内面に付着し積層して金属製の固化体8を形成してい
く。
【0007】また、これと同時に一部のKr−85イオ
ン7は外側陰極1の電界の方に直接加速されて、固化体
8に打ち込まれて注入されていく。このようにして固化
体8は厚みを増しながら注入されたKr−85を連続的
に金属中に固定化処理していく。なお、内側陰極2はス
パッタリングの進行と共に消耗していく。
【0008】上述したようにイオン注入法は、常温、負
圧という条件で連続して金属中に放射性のクリプトンを
固定化できる技術であり、安全性に優れている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】イオン注入法を利用し
た従来のガス固定化処理装置においては、固定化処理の
進行と共に内側陰極2がスパッタリングにより消耗して
いくので、消耗による内側陰極2の寿命に基づいて処理
可能ガス量が決定される。
【0010】ところが、従来のガス固定化処理装置は内
側陰極2の消耗の度合を確認するための機能を備えてい
ない。このため、スパッタリングによる内側陰極2の消
耗が内側陰極2の全体にわたって均一でない場合には、
予定された処理可能ガス量に達する前に金属製の内側陰
極2が局所的に全肉厚にわたって消耗する恐れがあっ
た。このように内側陰極2の全肉厚が局所的に消耗する
と、内側陰極2の内部の内側陰極冷却水管19がスパッ
タリングされて消耗し、内側陰極冷却水管19の内部の
冷却水が外側陰極1の内部に漏洩してしまう恐れがあ
り、このような事態は、特に照射性のガスを固定化する
ときには安全上好ましくない。
【0011】本発明は、上述した事情を考慮してなされ
たものであって、内側陰極の過度の消耗を防止すること
ができるガスの固定化処理装置を提供することを目的と
する。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によるガスの固定化処理装置は、被処理ガス
が内部に導入される金属製の外側陰極と、この外側陰極
内に配置されたスパッタリングターゲットとなる金属製
の内側陰極と、前記外側陰極の上部に設けられた金属製
の陽極蓋と、前記外側陰極の底部に設けられた金属製の
陽極底と、前記外側陰極及び前記内側陰極に電圧を印加
する高圧電源と、スパッタリングによる前記内側陰極の
消耗度合がその限界値に達する前にスパッタリングを停
止させて前記内側陰極の過度の消耗を防止するための安
全防護手段と、を備えたことを特徴とする。
【0013】また、好ましくは、前記安全防護手段は、
前記内側陰極を構成するターゲット材料の内部に埋設さ
れた絶縁材料よりなる絶縁体を有する。
【0014】また、好ましくは、前記絶縁体は、前記内
側陰極の外面に対向するようにして前記ターゲット材料
の内部に埋設されている。
【0015】また、好ましくは、前記安全防護手段は、
前記内側陰極を構成するターゲット材料の内部に形成さ
れた密閉空間と、前記密閉空間に連通する排気流路と、
前記排気流路を介して前記密閉空間の内部を排気する真
空ポンプと、前記排気流路内の真空度を測定する真空度
計と、を備えている。
【0016】また、好ましくは、前記密閉空間の内部の
圧力は前記外側陰極の内部の圧力よりも低い。
【0017】また、好ましくは、前記密閉空間は、前記
内側陰極の外面に対向するようにして前記ターゲット材
料の内部に形成されている。
【0018】また、好ましくは、一対の前記密閉空間
が、前記内側陰極の中心寄りの位置及び前記内側陰極の
外面寄りの位置に互いに隔絶して形成されており、前記
各密閉空間毎に前記排気流路及び前記真空度計を設け
る。
【0019】また、好ましくは、前記内側陰極の中心寄
りの位置に形成された前記密閉空間の内部に絶縁材料か
らなる絶縁体を設ける。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1実施形態によ
るガスの固定化処理装置について図1を参照して説明す
る。
【0021】図1は、本実施形態によるガスの固定化処
理装置の概略構成を示した縦断面図であり、この装置
は、ステンレス製の外側陰極1と、この外側陰極1の内
部に配置されたNi、Y製の円筒状内側陰極2とを備え
ており、外側陰極1は被処理ガスが導入される密閉型の
イオン注入電極として機能し、内側陰極2はスパッタリ
ングターゲット材として機能する。
【0022】内側陰極2の内部には、内側陰極2を冷却
するための冷却水が内部を流れるステンレス製の内側陰
極冷却水管19が配置されている。内側陰極冷却水管1
9の内部には、内側陰極冷却水入口管14及び内側陰極
冷却水出口管15を介して冷却水が循環供給される。外
側陰極1の外周面にも、外側陰極1の温度上昇を抑える
ための外側陰極冷却水管16が設けられている。
【0023】外側陰極1の上端開口はステンレス製の陽
極蓋3により閉塞されており、外側陰極1の底部にはス
テンレス製の陽極底12が設けられている。陽極蓋3に
は、被処理ガスを外側陰極1の内部に導入するためのガ
ス導入管4と、外側陰極1の内部を減圧するためのガス
吸引管5とが接続されている。
【0024】また、外側陰極1及び内側陰極2には直流
高電圧源6が電気的に接続されており、この直流高圧電
源6によって外側陰極1及び内側陰極2に高電圧が印加
される。直流高圧電源6による内側陰極2への電圧の印
加は、内側陰極冷却水出口管15及び内側陰極冷却水管
19を介して行われる。なお、図1中符号10、11、
13は絶縁部材である。
【0025】さらに、本実施形態によるガスの固定化処
理装置は、スパッタリングによる内側陰極2の消耗度合
がその限界値に達する前に放電を自動的に停止させてス
パッタリングを停止させ、内側陰極2の過度の消耗を防
止するための安全防護手段を備えている。この安全防護
手段は、円筒型の内側陰極2を構成するターゲット材料
の内部に埋設された絶縁材料よりなる絶縁体100で構
成されており、この絶縁体100は、円筒状の内側陰極
2の外周面に対向する位置、及び内側陰極2の上面及び
下面に対向する位置に配置されている。
【0026】次に、本実施形態によるガスの固定化処理
装置の作用について説明する。高圧直流電源6から外側
陰極1に1kV以下の負の電圧を、内側陰極2に内側陰
極冷却水出口管15及び内側陰極冷却水管19を介して
1kV以上の負の電圧をそれぞれ連続的に印加する。す
ると、外側電極1の内部で放電が発生し、放電により電
離したKr−85イオン7は電界に沿って加速され、内
側陰極2の表面に入射衝突し、内側陰極をスパッタさせ
る。
【0027】スパッタされた金属原子は対向する外側陰
極1の内面に付着し積層して金属製の固化体8を形成し
ていく。また、これと同時に一部のKr−85イオン7
は外側陰極1の電界の方に直接加速されて、固化体8に
打ち込まれ、注入されていく。このようにして固化体8
は厚みを増しながら注入されたKr−85を連続的に金
属中に固定化処理していく。
【0028】そして、内側陰極2はスパッタリングの進
行と共に徐々に消耗していくが、このとき、内側陰極2
の消耗が局所的に早く進んでしまい、絶縁体100の一
部が外側陰極1の内部空間に露出した場合には、露出し
た絶縁体100によって放電の一部が阻害される。
【0029】さらに運転を続けて絶縁体100の露出面
積が拡大すると、放電の阻害程度が大きくなり、ついに
は放電が継続できなくなる。放電が止まってしまうとイ
オンは生成されないので、内側陰極2のスパッタリング
も行われなくなる。
【0030】以上述べたように本実施形態によるガスの
固定化処理装置によれば、絶縁体100が露出すること
により放電が止まり、これにより内側陰極2のスパッタ
リングが停止するようにしたので、内側陰極2の過度の
消耗による内側陰極冷却水管19の破損を防止して装置
の安全性を高めることが可能であり、放射性のガスであ
っても安全に固定化処理することができる。
【0031】また、放電が止まることにより直流高圧電
源6からの電流が流れなくなるので、これにより、固定
化処理が行われていないことを確かめることができる。
したがって、直流高圧電源6からの電流が流れなくなっ
た時点で装置の運転を停止させて、内側陰極2の過度の
消耗を確実に防止することができる。
【0032】また、内側陰極2の外周及び上下面に対向
させて絶縁体100を配置したので、内側陰極2の局所
的な消耗がいかなる箇所で発生しようとも、内側陰極2
の過度の消耗による内側陰極冷却水管19の破損を確実
に防止することができる。
【0033】次に、本発明の第2実施形態によるガスの
固定化処理装置について図2を参照して説明する。な
お、本実施形態は、上述した第1実施形態において安全
防護手段の構成を変更したものであり、その他の部分の
構成は共通するので、以下では第1実施形態と異なる部
分について説明する。
【0034】本実施形態によるガスの固定化処理装置に
おける安全防護手段は、内側陰極2を構成するターゲッ
ト材料の内部に、内側陰極2の中心軸心を中心とした同
心異径の複数の環状空間からなる密閉空間50a、50
bが形成されている。密閉空間50a、50bは、内側
陰極2の外周面に対向しており、密閉空間50a、50
b同士は連通しておらず、互いに隔絶している。
【0035】一対の密閉空間50a、50bのうち、内
側陰極2の中心寄りの位置に形成された密閉空間50b
の内部には、絶縁材料からなる絶縁体101が設けられ
ている。
【0036】各密閉空間50a、50bには内側陰極冷
却水管19及び内側陰極2の内部に形成された貫通路5
1a、51bが連通し、各貫通路51a、51bには各
排気管54a、54bが接続されている。貫通路51
a、51b及び排気管54a、54bによって排気流路
が構成されており、一対の排気管54a、54bはそれ
らの下流側で合流して真空ポンプ53に接続されてい
る。密閉空間50a、50bの内部の圧力は、真空ポン
プ53を用いた排気によって外側陰極1(図1参照)の
内部の圧力と異なる所定の真空度に維持さており、好ま
しくは、外側陰極1の内部の圧力よりも低い値に維持さ
れている。
【0037】各排気管54a、54bの途中には各真空
度計52a、52bが設けられており、これらの真空度
計52a、52bからの信号は信号処理装置60に送ら
れて制御信号に変換される。信号処理装置60からの制
御信号は制御装置61に送られ、制御装置61は制御信
号に基づいて直流高圧電源6を制御する。
【0038】次に、本実施形態によるガスの固定化処理
装置の作用について説明する。内側陰極2をスパッタし
て固化体8中にガスを固定化して処理する作用は上述し
た第1実施形態の場合と同様である。
【0039】そして、スパッタリングの進行と共に内側
陰極2が消耗していくが、このとき、内側陰極2の消耗
が局所的に早く進んでしまい、消耗の深さが外側の密閉
空間50aに達した場合には、密閉空間50aの内部と
外側陰極1の内部とが連通する。密閉空間50aの内部
圧力は外側陰極1の内部圧力とは異なる所定の真空度に
維持されているので、両圧力間の差圧に起因して密閉空
間50a、貫通路51a及び排気管54aの内部で圧力
変動が発生する。
【0040】密閉空間50aの開放に伴う圧力変動は真
空度計52aによって検出され、その検出信号は信号処
理装置60に送られ、この信号処理装置60からの制御
信号が制御装置61に送られる。なお、開放前の密閉空
間50aの内部圧力を外側陰極1の内部圧力よりも低い
値に維持しておくことによって、密閉空間50a開放時
の圧力変動の検出を確実に行うことができる。
【0041】また、外側の環状の密閉空間50aの厚み
を小さく設定しておくことにより、外側の密閉空間50
aの開放後も引き続いて放電及びスパッタリングを継続
させることが可能である。この場合、外側の密閉空間5
0aの開放に起因した最初の圧力変動による制御信号を
受けた制御装置61は、1回目の圧力変動があったこと
を記憶するだけで、直流高圧電源6の遮断措置は実施し
ない。
【0042】そして、スパッタリングによる内側陰極2
の消耗がさらに進行すると、消耗の深さが内側の密閉空
間50bに到達してこの密閉空間50bが開放される。
内側の密閉空間50bが開放されると2度目の圧力変動
が発生し、この圧力変動は真空度計52bで検出され、
その検出信号は信号処理装置60に送られる。この信号
処理装置60からの制御信号が制御装置61に送られ、
制御装置61はこの2度目の制御信号によって内側の密
閉空間50bが開放されたと判断し、直流高圧電源6を
遮断する。
【0043】また、内側の密閉空間50bの内部には絶
縁体101が設けられているので、内側の密閉空間50
bの開放時の圧力変動が微弱なために制御装置61によ
る直流高圧電源6の遮断が行われなかった場合でも、内
側陰極2の消耗によって絶縁体101がある程度露出す
ると放電が停止して、内側陰極2のスパッタリングも行
われなくなる。
【0044】以上述べたように本実施形態によるガスの
固定化処理装置によれば、内側陰極2の消耗のために内
側の密閉空間50bが開放したことを検知して、制御装
置61が直流高圧電源6を止めるようにしたので、内側
陰極2の過度の消耗による内側陰極冷却水配管19の破
損を防止して装置の安全性を高めることが可能であり、
放射性のガスであっても安全に固定化処理することがで
きる。
【0045】また、内側の密閉空間50bの内部に絶縁
体101を設けたので、内側の密閉空間50bが開放し
た際の圧力変動が微弱なために制御装置61による直流
高圧電源6の遮断に失敗した場合でも、絶縁体101の
露出によって放電が停止し、これによりスパッタリング
も自動的に停止し、内側陰極2の過度の消耗を確実に防
止することができる。
【0046】また、同心異径の一対の密閉空間50a、
50bを設けたので、外側の密閉空間50aが開放する
までの所要時間から、内側陰極2の消耗速度を知ること
が可能であり、これにより内側陰極2の残余寿命を予測
することができる。
【0047】
【発明の効果】以上述べたように本発明によるガスの固
定化処理装置によれば、スパッタリングによる内側陰極
の過度の消耗を防止するための安全防護手段を備えてい
るので、内側陰極の過度の消耗に起因した冷却水の漏洩
等の事態を防止して、放射性のガスであっても安全に固
定化処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態によるガスの固定化処理
装置の概略構成を示した縦断面図。
【図2】本発明の第2実施形態によるガスの固定化処理
装置の概略構成を示した縦断面図。
【図3】従来のガスの固定化処理装置の概略構成を示し
た縦断面図。
【符号の説明】
1 外側陰極 2 内側陰極 3 陽極蓋 4 ガス導入管 5 ガス吸引管 6 直流高圧電源 7 クリプトン85 8 固化体 12 陽極底 16 外側陰極冷却水管 19 内側陰極冷却水管 50a、50b 密閉空間 51a、51b 貫通路 52a、52b 真空度計 53 真空ポンプ 54a、54b 排気管 60 信号処理装置 61 制御装置 100、101 絶縁体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小 見 康 広 神奈川県横浜市鶴見区末広町2丁目4番 地 株式会社東芝 京浜事業所内 (56)参考文献 特開 平11−174195(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G21F 9/02

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被処理ガスが内部に導入される金属製の外
    側陰極と、この外側陰極内に配置されたスパッタリング
    ターゲットとなる金属製の内側陰極と、前記外側陰極の
    上部に設けられた金属製の陽極蓋と、前記外側陰極の底
    部に設けられた金属製の陽極底と、前記外側陰極及び前
    記内側陰極に電圧を印加する高圧電源と、スパッタリン
    グによる前記内側陰極の消耗度合がその限界値に達する
    前にスパッタリングを停止させて前記内側陰極の過度の
    消耗を防止するための安全防護手段と、を備え、 前記安全防護手段は、前記内側陰極を構成するターゲッ
    ト材料の内部に埋設された絶縁材料よりなる絶縁体を有
    し、 前記絶縁体は、前記ターゲット材料の内部において前記
    内側陰極の外周面に対向するようにして前記内側陰極の
    中心軸心の周囲に埋設されており、スパッタリングによ
    り前記内側陰極が消耗して前記絶縁体が前記外側陰極の
    内部空間に露出し、その露出面積が拡大することにより
    放電が停止するようにしたことを特徴とするガスの固定
    化処理装置。
  2. 【請求項2】被処理ガスが内部に導入される金属製の外
    側陰極と、この外側陰極内に配置されたスパッタリング
    ターゲットとなる金属製の内側陰極と、前記外側陰極の
    上部に設けられた金属製の陽極蓋と、前記外側陰極の底
    部に設けられた金属製の陽極底と、前記外側陰極及び前
    記内側陰極に電圧を印加する高圧電源と、スパッタリン
    グによる前記内側陰極の消耗度合がその限界値に達する
    前にスパッタリングを停止させて前記内側陰極の過度の
    消耗を防止するための安全防護手段と、を備え、 前記安全防護手段は、前記内側陰極を構成するターゲッ
    ト材料の内部に形成された密閉空間と、前記密閉空間に
    連通する排気流路と、前記排気流路を介して前記密閉空
    間の内部を排気する真空ポンプと、前記排気流路内の真
    空度を測定する真空度計と、を有し、 前記密閉空間は、前記ターゲット材料の内部において前
    記内側陰極の外周面に対向するようにして前記内側陰極
    の中心軸心の周囲に形成されていることを特徴とするガ
    スの固定化処理装置。
  3. 【請求項3】前記密閉空間の内部の圧力は前記外側陰極
    の内部の圧力よりも低いことを特徴とする請求項2記載
    のガスの固定化処理装置。
  4. 【請求項4】一対の前記密閉空間が、前記内側陰極の中
    心寄りの位置及び前記内側陰極の外面寄りの位置に互い
    に隔絶して形成されており、前記各密閉空間毎に前記排
    気流路及び前記真空度計を設けたことを特徴とする請求
    項2又は3に記載のガスの固定化処理装置。
  5. 【請求項5】前記内側陰極の中心寄りの位置に形成され
    た前記密閉空間の内部に絶縁材料からなる絶縁体を設け
    たことを特徴とする請求項4記載のガスの固定化処理装
    置。
JP2000044219A 2000-02-22 2000-02-22 ガスの固定化処理装置 Expired - Lifetime JP3112675B1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000044219A JP3112675B1 (ja) 2000-02-22 2000-02-22 ガスの固定化処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000044219A JP3112675B1 (ja) 2000-02-22 2000-02-22 ガスの固定化処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP3112675B1 true JP3112675B1 (ja) 2000-11-27
JP2001235591A JP2001235591A (ja) 2001-08-31

Family

ID=18567019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000044219A Expired - Lifetime JP3112675B1 (ja) 2000-02-22 2000-02-22 ガスの固定化処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3112675B1 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001235591A (ja) 2001-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5096536A (en) Method and apparatus useful in the plasma etching of semiconductor materials
EP0084970B1 (en) Magnetically enhanced plasma process and apparatus
JP3533916B2 (ja) イオンビーム照射装置
JP3112675B1 (ja) ガスの固定化処理装置
JP2008128887A (ja) プラズマ源,それを用いた高周波イオン源,負イオン源,イオンビーム処理装置,核融合用中性粒子ビーム入射装置
US20010050147A1 (en) Plasma etching system
JP3043303B2 (ja) ガスの固定化処理装置
JP2819559B2 (ja) スパッタリング装置
JP2000286332A (ja) ドライエッチング用静電チャック装置及び載置台
JP2000098086A (ja) ガスの固定化処理装置
JPH01175738A (ja) ドライエッチング装置
JP3405161B2 (ja) イオンビーム照射装置
JPH07263427A (ja) プラズマエッチング方法
JP2554800B2 (ja) 放射性ガス処理装置
JP2635772B2 (ja) ガス処理装置
JP2635876B2 (ja) 放射性ガス固定化処理装置
JPH0429438Y2 (ja)
JPH01272998A (ja) ガス貯蔵処理装置の運転方法
JPS6159833A (ja) プラズマ処理装置
JP2008270493A (ja) プラズマ処理装置
JPH065519A (ja) Ecr形イオン源
JP2000003903A (ja) プラズマ処理装置
JPS56137636A (en) Ion etching method
JPH02184797A (ja) ガス処理装置
JPH01287284A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000905

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3112675

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070922

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090922

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090922

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120922

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120922

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130922

Year of fee payment: 13

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term