JP3111062B2 - ソレノイドアクチュエータアセンブリ - Google Patents
ソレノイドアクチュエータアセンブリInfo
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- JP3111062B2 JP3111062B2 JP11145823A JP14582399A JP3111062B2 JP 3111062 B2 JP3111062 B2 JP 3111062B2 JP 11145823 A JP11145823 A JP 11145823A JP 14582399 A JP14582399 A JP 14582399A JP 3111062 B2 JP3111062 B2 JP 3111062B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
- H01F7/08—Electromagnets; Actuators including electromagnets with armatures
- H01F7/081—Magnetic constructions
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02M—SUPPLYING COMBUSTION ENGINES IN GENERAL WITH COMBUSTIBLE MIXTURES OR CONSTITUENTS THEREOF
- F02M51/00—Fuel-injection apparatus characterised by being operated electrically
- F02M51/06—Injectors peculiar thereto with means directly operating the valve needle
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- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
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- Magnetically Actuated Valves (AREA)
- Electromagnets (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に燃料シス
テムにおいて制御バルブを作動するためのコンパクトな
ソレノイドアクチュエータアセンブリに関し、特にハウ
ジング内に位置する固定子（ステータ）アセンブリを含
み、固定子の磁極面の大きさを最大化し、磁束（フラッ
クス）の漏れを最小化することにより、強力な吸引力を
確保するソレノイドアクチュエータアセンブリに関す
る。
テムにおいて制御バルブを作動するためのコンパクトな
ソレノイドアクチュエータアセンブリに関し、特にハウ
ジング内に位置する固定子（ステータ）アセンブリを含
み、固定子の磁極面の大きさを最大化し、磁束（フラッ
クス）の漏れを最小化することにより、強力な吸引力を
確保するソレノイドアクチュエータアセンブリに関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】内燃機
関のシリンダ中への燃料の噴射は、一般的にはソレノイ
ド作動の燃料噴射制御バルブを用いて制御される。典型
的なソレノイドアクチュエータは、噴射事象を開始させ
る第1の方向に制御バルブエレメントを動かすように付
勢され、噴射事象を終了させる反対方向に制御バルブエ
レメントを動かすように消勢される。ソレノイド作動の
燃料噴射制御バルブのパッケージサイズを小さくするこ
とは、多様なエンジンのパッケージの制約に適合できる
コンポーネントを設計する際の常に重要な目標である。
このようなパッケージ上の制約は、ソレノイド作動の制
御バルブを燃料インジェクタ本体に取り付ける際に、特
に問題となる。インジェクタの大きさを維持又は最小化
し、噴射量の計量（メタリング）及び噴射タイミングの
効果的な制御に必要な制御バルブのレスポンス時間を達
成しつつ、噴射ノズルアセンブリに近接させてインジェ
クタ本体内に組み込むことのできるソレノイド作動の制
御バルブを設計するために、多くの挑戦が行われてい
る。さらに重要なことに、より強い吸引力を最大化する
ために、ソレノイドアクチュエータがハウジング中への
磁束の消散を減少させるアクチュエータハウジングの設
計は、未だ解決されていない課題である。
関のシリンダ中への燃料の噴射は、一般的にはソレノイ
ド作動の燃料噴射制御バルブを用いて制御される。典型
的なソレノイドアクチュエータは、噴射事象を開始させ
る第1の方向に制御バルブエレメントを動かすように付
勢され、噴射事象を終了させる反対方向に制御バルブエ
レメントを動かすように消勢される。ソレノイド作動の
燃料噴射制御バルブのパッケージサイズを小さくするこ
とは、多様なエンジンのパッケージの制約に適合できる
コンポーネントを設計する際の常に重要な目標である。
このようなパッケージ上の制約は、ソレノイド作動の制
御バルブを燃料インジェクタ本体に取り付ける際に、特
に問題となる。インジェクタの大きさを維持又は最小化
し、噴射量の計量（メタリング）及び噴射タイミングの
効果的な制御に必要な制御バルブのレスポンス時間を達
成しつつ、噴射ノズルアセンブリに近接させてインジェ
クタ本体内に組み込むことのできるソレノイド作動の制
御バルブを設計するために、多くの挑戦が行われてい
る。さらに重要なことに、より強い吸引力を最大化する
ために、ソレノイドアクチュエータがハウジング中への
磁束の消散を減少させるアクチュエータハウジングの設
計は、未だ解決されていない課題である。
【０００３】燃料の経済性の向上、及びエミッションの
削減への関心を呼んでいる近年及び近く公布される法律
によって、エンジン製造業者には厳しいエミッション基
準が迫られている。新しいエンジンがこれらの基準を満
たすためには、より高い噴射圧、制御された噴射率、及
び迅速なレスポンスを達成しながら、燃料の計量と燃料
の噴射タイミングを相対的な関連で制御を正確且つ確実
に維持することのできる燃料噴射システムを作成するこ
とが必要である。よって、ソレノイドアクチュエータア
センブリの、このような目的の達成のために構造の改良
が行われている。しかし、このような改良により、特定
のエンジンにおける取付け構造によって必要とされる全
体の大きさによる制約やパッケージングの制限を満たさ
なければならないインジェクタの大きさが、望ましくな
いことにしばしば増大している。
削減への関心を呼んでいる近年及び近く公布される法律
によって、エンジン製造業者には厳しいエミッション基
準が迫られている。新しいエンジンがこれらの基準を満
たすためには、より高い噴射圧、制御された噴射率、及
び迅速なレスポンスを達成しながら、燃料の計量と燃料
の噴射タイミングを相対的な関連で制御を正確且つ確実
に維持することのできる燃料噴射システムを作成するこ
とが必要である。よって、ソレノイドアクチュエータア
センブリの、このような目的の達成のために構造の改良
が行われている。しかし、このような改良により、特定
のエンジンにおける取付け構造によって必要とされる全
体の大きさによる制約やパッケージングの制限を満たさ
なければならないインジェクタの大きさが、望ましくな
いことにしばしば増大している。
【０００４】ソレノイドアクチュエータは、制御バルブ
エレメントに接続されるアーマチュア（電機子）を吸引
するための磁極片（ポールピース）を形成するコア（鉄
心）を含む。このコアは、積層状のプレート、すなわち
ラミネートスタックアセンブリにより形成されてもよ
く、このラミネートスタックアセンブリは、コア抵抗力
の増大のため、しばしば用いられる。ラミネートスタッ
クアセンブリは、渦電流経路を断つことによって渦電流
を減少させることにより、ソレノイドを素早く励磁及び
減磁させる。従来のＥタイプすなわちＥ形状のラミネー
トスタックアセンブリは、アクチュエータハウジングの
内部キャビティに位置する3本の脚（鉄心脚）を含む。
この脚の端面つまりトラクション面は、アーマチュアに
隣接して配置される。端面の断面領域は、アーマチュア
におけるトラクション力すなわち吸引力の決定に主要な
役割を果たす。吸引力の増大は、アクチュエータ／制御
バルブのレスポンス時間の望ましい減少につながり、こ
れにより燃料噴射のタイミング及び計量の制御が、より
良く行われることになる。
エレメントに接続されるアーマチュア（電機子）を吸引
するための磁極片（ポールピース）を形成するコア（鉄
心）を含む。このコアは、積層状のプレート、すなわち
ラミネートスタックアセンブリにより形成されてもよ
く、このラミネートスタックアセンブリは、コア抵抗力
の増大のため、しばしば用いられる。ラミネートスタッ
クアセンブリは、渦電流経路を断つことによって渦電流
を減少させることにより、ソレノイドを素早く励磁及び
減磁させる。従来のＥタイプすなわちＥ形状のラミネー
トスタックアセンブリは、アクチュエータハウジングの
内部キャビティに位置する3本の脚（鉄心脚）を含む。
この脚の端面つまりトラクション面は、アーマチュアに
隣接して配置される。端面の断面領域は、アーマチュア
におけるトラクション力すなわち吸引力の決定に主要な
役割を果たす。吸引力の増大は、アクチュエータ／制御
バルブのレスポンス時間の望ましい減少につながり、こ
れにより燃料噴射のタイミング及び計量の制御が、より
良く行われることになる。
【０００５】高速、高圧での使用に必要なレスポンス時
間を提供する試みがなされてきた。例えば、ソレノイド
アクチュエータアセンブリの固定子アセンブリの吸引力
は、固定子の磁極端面の表面積を増大することにより増
大することができ、これによりレスポンス時間を減少す
ることができる。端面の面積は、取り囲まれるハウジン
グ内に最大の空間を占めるように固定子アセンブリを寸
法決めして形作られることにより増大する。しかし、固
定子アセンブリとハウジングの内面との間に形成される
空間が実際には小さいので、ハウジング中に磁束が漏
れ、このことがアセンブリの作動に悪影響をもたらすこ
とが確認されている。
間を提供する試みがなされてきた。例えば、ソレノイド
アクチュエータアセンブリの固定子アセンブリの吸引力
は、固定子の磁極端面の表面積を増大することにより増
大することができ、これによりレスポンス時間を減少す
ることができる。端面の面積は、取り囲まれるハウジン
グ内に最大の空間を占めるように固定子アセンブリを寸
法決めして形作られることにより増大する。しかし、固
定子アセンブリとハウジングの内面との間に形成される
空間が実際には小さいので、ハウジング中に磁束が漏
れ、このことがアセンブリの作動に悪影響をもたらすこ
とが確認されている。
【０００６】タール（Ｔａｒｒ）他に付与された米国特
許番号第５，６７６，１１４号は、油圧制御ノズルバル
ブアセンブリを含む燃料インジェクタを開示している。
ソレノイドアクチュエータは、制御容積からの燃料の流
れを制御することによりノズルバルブエレメントの動き
を制御するために、ノズルアセンブリに隣接してインジ
ェクタ本体内に取り付けられる。ソレノイドアクチュエ
ータは、アクチュエータハウジング内に形成される、全
体として円状又は卵形のキャビティ内に位置するＥタイ
プのラミネートスタックアセンブリを含む。Ｅタイプラ
ミネートスタックアセンブリの脚は、従来は矩形の断面
を有して成形されている。しかし、矩形の断面を有する
脚を備えた従来のＥ形状ラミネートスタックアセンブリ
は、ある種のアプリケーションにおいては、必要なレス
ポンス時間を達成できない。
許番号第５，６７６，１１４号は、油圧制御ノズルバル
ブアセンブリを含む燃料インジェクタを開示している。
ソレノイドアクチュエータは、制御容積からの燃料の流
れを制御することによりノズルバルブエレメントの動き
を制御するために、ノズルアセンブリに隣接してインジ
ェクタ本体内に取り付けられる。ソレノイドアクチュエ
ータは、アクチュエータハウジング内に形成される、全
体として円状又は卵形のキャビティ内に位置するＥタイ
プのラミネートスタックアセンブリを含む。Ｅタイプラ
ミネートスタックアセンブリの脚は、従来は矩形の断面
を有して成形されている。しかし、矩形の断面を有する
脚を備えた従来のＥ形状ラミネートスタックアセンブリ
は、ある種のアプリケーションにおいては、必要なレス
ポンス時間を達成できない。
【０００７】リーブス（Ｒｅｅｖｅｓ）に付与された米
国特許第４，９６２，８７１号は、ソレノイドコイルよ
り発生する電磁場を最大化し、閉位置から開位置へと移
動するバルブのレスポンス時間を最小化するソレノイド
アクチュエータバルブを開示している。アクチュエータ
は、アセンブリボデーの内面に形が一致し、全体として
円状の外面を有するダイナミックポールを備える。流体
の流路として、外面に溝が形成される。また、ダイナミ
ックポールに隣接して、スタティックポールが位置す
る。バルブプランジャは、ダイナミックポールを通っ
て、スタティックポール中に形成されるボアの中へとス
タティックポールを貫通して延出する。しかし、ダイナ
ミックポールは、バルブプランジャに連結されており、
バルブプランジャと共に移動が可能である。その結果、
ダイナミックポールの大きさは、レスポンス時間増大の
ために最小化される。重要なことに、スタティックポー
ルとダイナミックポールとの両ポールは、中実の磁気材
料で形成される。従って、リーブスの特許は、ラミネー
トコアアセンブリにもＥタイプコアアセンブリにも関連
するものではない。また、ハウジング中への磁束の漏れ
をなくすことのできるアクチュエータ用のコンパクトな
ハウジングにも関連していない。
国特許第４，９６２，８７１号は、ソレノイドコイルよ
り発生する電磁場を最大化し、閉位置から開位置へと移
動するバルブのレスポンス時間を最小化するソレノイド
アクチュエータバルブを開示している。アクチュエータ
は、アセンブリボデーの内面に形が一致し、全体として
円状の外面を有するダイナミックポールを備える。流体
の流路として、外面に溝が形成される。また、ダイナミ
ックポールに隣接して、スタティックポールが位置す
る。バルブプランジャは、ダイナミックポールを通っ
て、スタティックポール中に形成されるボアの中へとス
タティックポールを貫通して延出する。しかし、ダイナ
ミックポールは、バルブプランジャに連結されており、
バルブプランジャと共に移動が可能である。その結果、
ダイナミックポールの大きさは、レスポンス時間増大の
ために最小化される。重要なことに、スタティックポー
ルとダイナミックポールとの両ポールは、中実の磁気材
料で形成される。従って、リーブスの特許は、ラミネー
トコアアセンブリにもＥタイプコアアセンブリにも関連
するものではない。また、ハウジング中への磁束の漏れ
をなくすことのできるアクチュエータ用のコンパクトな
ハウジングにも関連していない。
【０００８】ウルリッヒ（Ｕｌｒｉｃｈ）に付与された
ドイツ特許番号第１，０４５，５４６号とミンデリ（Ｍ
ｉｎｄｅｌｉ）他に付与されたロシア特許第１，０３
５，６４８号は、矩形の断面を有する脚を備えるＥ形状
のラミネートスタックアセンブリを開示している。種々
の脚の端面は、他のプレートよりも短い脚を有するラミ
ネートプレートから形成される凹所を含む。これらの特
許は、ラミネートスタックアセンブリからの磁束の漏れ
を減少できるコンパクトなハウジングを示しているもの
ではない。
ドイツ特許番号第１，０４５，５４６号とミンデリ（Ｍ
ｉｎｄｅｌｉ）他に付与されたロシア特許第１，０３
５，６４８号は、矩形の断面を有する脚を備えるＥ形状
のラミネートスタックアセンブリを開示している。種々
の脚の端面は、他のプレートよりも短い脚を有するラミ
ネートプレートから形成される凹所を含む。これらの特
許は、ラミネートスタックアセンブリからの磁束の漏れ
を減少できるコンパクトなハウジングを示しているもの
ではない。
【０００９】特願平０３−１４２８０４号は、三角形の
断面を有する外側脚と円状の中央脚を有するＥ形状の磁
心を開示している。しかし、これらの脚の断面形状は、
一定の磁束分布に適合するように設計されているので、
より均一な磁束の分布が実現される。この特許は、磁束
の漏れを防止するためにハウジング内にＥ形状コアを取
り付けることも、ハウジングと形状が一致するようにコ
アを形成することも示唆していないと思われる。
断面を有する外側脚と円状の中央脚を有するＥ形状の磁
心を開示している。しかし、これらの脚の断面形状は、
一定の磁束分布に適合するように設計されているので、
より均一な磁束の分布が実現される。この特許は、磁束
の漏れを防止するためにハウジング内にＥ形状コアを取
り付けることも、ハウジングと形状が一致するようにコ
アを形成することも示唆していないと思われる。
【００１０】従って、固定子の磁極面の大きさを最大化
し、ハウジング中への磁束の漏れを最少化するためにハ
ウジング中に位置する固定子アセンブリを含む、燃料シ
ステムにおいて制御バルブを作動させるコンパクトなソ
レノイドアクチュエータアセンブリが必要である。
し、ハウジング中への磁束の漏れを最少化するためにハ
ウジング中に位置する固定子アセンブリを含む、燃料シ
ステムにおいて制御バルブを作動させるコンパクトなソ
レノイドアクチュエータアセンブリが必要である。
【００１１】以上のことから、本発明の第1の目的は、
従来技術に示されたソレノイドアクチュエータアセンブ
リに関する欠点を克服することである。特に、本発明の
１つの目的は、コンパクト且つ安価でありながら、バル
ブの作動レスポンス時間を効果的に最小化するソレノイ
ドアクチュエータアセンブリを含む、燃料システムにお
けるバルブ用のソレノイドアクチュエータアセンブリを
提供することである。
従来技術に示されたソレノイドアクチュエータアセンブ
リに関する欠点を克服することである。特に、本発明の
１つの目的は、コンパクト且つ安価でありながら、バル
ブの作動レスポンス時間を効果的に最小化するソレノイ
ドアクチュエータアセンブリを含む、燃料システムにお
けるバルブ用のソレノイドアクチュエータアセンブリを
提供することである。
【００１２】本発明の別の目的は、アクチュエータの有
効性を増すことにより、最適な加圧性能、圧力レスポン
スの向上、並びに有効性、適応性、及びノイズ制御の増
加を可能にする、ハウジング内に位置される固定子アセ
ンブリを含む燃料システム用のソレノイドアクチュエー
タアセンブリを提供することである。
効性を増すことにより、最適な加圧性能、圧力レスポン
スの向上、並びに有効性、適応性、及びノイズ制御の増
加を可能にする、ハウジング内に位置される固定子アセ
ンブリを含む燃料システム用のソレノイドアクチュエー
タアセンブリを提供することである。
【００１３】本発明のまた別の目的は、ハウジング中へ
の磁束の漏れを減少させると共に、ハウジングのパッケ
ージングに関する制約内で固定子アセンブリを配置する
ことのできる、燃料システム用ソレノイドアクチュエー
タシステムを提供することである。
の磁束の漏れを減少させると共に、ハウジングのパッケ
ージングに関する制約内で固定子アセンブリを配置する
ことのできる、燃料システム用ソレノイドアクチュエー
タシステムを提供することである。
【００１４】本発明のさらに別の目的は、固定子アセン
ブリの断面積を増すことにより磁引力を増大することの
できる、ハウジング内に位置される固定子センブリを含
む燃料システム用ソレノイドアクチュエータアセンブリ
を提供することである。
ブリの断面積を増すことにより磁引力を増大することの
できる、ハウジング内に位置される固定子センブリを含
む燃料システム用ソレノイドアクチュエータアセンブリ
を提供することである。
【００１５】本発明の更なる目的は、アクチュエータモ
ジュールの高さ及び直径を最小化することのできる、ハ
ウジング内に位置される固定子センブリを含む燃料シス
テム用ソレノイドアクチュエータアセンブリを提供する
ことである。
ジュールの高さ及び直径を最小化することのできる、ハ
ウジング内に位置される固定子センブリを含む燃料シス
テム用ソレノイドアクチュエータアセンブリを提供する
ことである。
【００１６】本発明のまた別の目的は、制御バルブ、ひ
いてはインジェクタニードルバルブエレメントの動作及
びレスポンス時間を向上させる、ハウジング内に位置さ
れる固定子アセンブリを含む燃料システム用ソレノイド
アクチュエータアセンブリを提供することである。
いてはインジェクタニードルバルブエレメントの動作及
びレスポンス時間を向上させる、ハウジング内に位置さ
れる固定子アセンブリを含む燃料システム用ソレノイド
アクチュエータアセンブリを提供することである。
【００１７】本発明のさらに別の目的は、多様なエンジ
ン及びインジェクタのパッケージングの制約に適合する
最小の外形寸法を有する燃料システム用ソレノイドアク
チュエータアセンブリを提供することである。
ン及びインジェクタのパッケージングの制約に適合する
最小の外形寸法を有する燃料システム用ソレノイドアク
チュエータアセンブリを提供することである。
【００１８】本発明のまた別の目的は、固定子アセンブ
リを直接支持し、インジェクタアセンブリの圧縮負荷に
対処するソレノイドアクチュエータアセンブリを含む燃
料インジェクタを提供することである。
リを直接支持し、インジェクタアセンブリの圧縮負荷に
対処するソレノイドアクチュエータアセンブリを含む燃
料インジェクタを提供することである。
【００１９】本発明のさらに別の目的は、流体を密封す
るジョイントを生成するのに必要な荷重力（ｌｏａｄ
ｆｏｒｃｅ）を最小化することのできる、ハウジング内
に位置される固定子アセンブリを含む燃料システム用ソ
レノイドアクチュエータアセンブリを提供することであ
る。
るジョイントを生成するのに必要な荷重力（ｌｏａｄ
ｆｏｒｃｅ）を最小化することのできる、ハウジング内
に位置される固定子アセンブリを含む燃料システム用ソ
レノイドアクチュエータアセンブリを提供することであ
る。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的及び他
の目的は；ハウジングキャビティを形成する内面と外面
とを有するハウジング壁を含むアクチュエータハウジン
グと；外面を有する第１磁極片と外面を有する第２磁極
片とを備えるラミネートスタックアセンブリと；を備
え、前記ラミネートスタックアセンブリが、前記ハウジ
ングキャビティ内に配置され、前記外面が、ハウジング
壁の外部面の幾何学的な延長面に沿って延出するように
形作られて寸法決めされ、第１磁極片及び第２磁極片の
断面積を最大化する、ことを特徴とする、バルブを作動
するためのソレノイドアクチュエータアセンブリを提供
することにより、達成される。重要なことは、第１磁極
片及び第２磁極片からアクチュエータハウジング中への
磁束の漏れを減少させるために、第１磁極片及び第２磁
極片の各々に隣接させてハウジング壁に磁束消散減少機
構が形成されることである。第１磁極片及び第２磁極片
の外面は、ハウジング壁とオーバーラップせず、ハウジ
ング壁により囲まれることなく配置される。ラミネート
スタックアセンブリは、複数の外側脚と、外側脚間の中
央脚とを有するＥタイプのソレノイドが好ましい。中央
脚はボアを含み、このボアは、噴射制御バルブピンを受
容するために中央脚を貫通して軸方向に延在する。バル
ブピンは、中央脚に相対してボア内で往復動するように
配置され、ボアを貫通して延出する。往復動中にバルブ
ピンを案内するように、バルブピンガイドがボア内に配
置されると共に、中央脚に連結される。ソレノイドアク
チュエータアセンブリはさらに、ラミネートスタックア
センブリに隣接してハウジング内に配置されるアーマチ
ュアを含む。磁束消散減少機構は、アクチュエータハウ
ジングの両側に配置されてハウジング壁を貫通して外方
向に延出する第１スロット及び第２スロットを含む。第
１スロットには第１磁極片が配置され、第２スロットに
は第２磁極片が配置される。第１スロット及び第２スロ
ットの各スロットは、ハウジング壁の軸方向の延長面の
少なくとも半分に沿って延出する程に十分な長さであ
り、ハウジングの一端から反対の端へとアクチュエータ
ハウジングに沿って軸方向に延出し得る。
の目的は；ハウジングキャビティを形成する内面と外面
とを有するハウジング壁を含むアクチュエータハウジン
グと；外面を有する第１磁極片と外面を有する第２磁極
片とを備えるラミネートスタックアセンブリと；を備
え、前記ラミネートスタックアセンブリが、前記ハウジ
ングキャビティ内に配置され、前記外面が、ハウジング
壁の外部面の幾何学的な延長面に沿って延出するように
形作られて寸法決めされ、第１磁極片及び第２磁極片の
断面積を最大化する、ことを特徴とする、バルブを作動
するためのソレノイドアクチュエータアセンブリを提供
することにより、達成される。重要なことは、第１磁極
片及び第２磁極片からアクチュエータハウジング中への
磁束の漏れを減少させるために、第１磁極片及び第２磁
極片の各々に隣接させてハウジング壁に磁束消散減少機
構が形成されることである。第１磁極片及び第２磁極片
の外面は、ハウジング壁とオーバーラップせず、ハウジ
ング壁により囲まれることなく配置される。ラミネート
スタックアセンブリは、複数の外側脚と、外側脚間の中
央脚とを有するＥタイプのソレノイドが好ましい。中央
脚はボアを含み、このボアは、噴射制御バルブピンを受
容するために中央脚を貫通して軸方向に延在する。バル
ブピンは、中央脚に相対してボア内で往復動するように
配置され、ボアを貫通して延出する。往復動中にバルブ
ピンを案内するように、バルブピンガイドがボア内に配
置されると共に、中央脚に連結される。ソレノイドアク
チュエータアセンブリはさらに、ラミネートスタックア
センブリに隣接してハウジング内に配置されるアーマチ
ュアを含む。磁束消散減少機構は、アクチュエータハウ
ジングの両側に配置されてハウジング壁を貫通して外方
向に延出する第１スロット及び第２スロットを含む。第
１スロットには第１磁極片が配置され、第２スロットに
は第２磁極片が配置される。第１スロット及び第２スロ
ットの各スロットは、ハウジング壁の軸方向の延長面の
少なくとも半分に沿って延出する程に十分な長さであ
り、ハウジングの一端から反対の端へとアクチュエータ
ハウジングに沿って軸方向に延出し得る。
【００２１】アーマチュアは、ラミネートスタックアセ
ンブリとアーマチュアがアクチュエータハウジングの軸
方向長さの範囲内に完全に配置されるように、ハウジン
グキャビティ内にラミネートスタックアセンブリと隣接
して配置され得る。アクチュエータハウジング内にラミ
ネートスタックアセンブリを固定するために、ハウジン
グキャビティ内の第１スロット及び第２スロットにプラ
スチックのオーバーモールド（被い型）が形成されるの
が好ましい。プラスチックのオーバーモールドは、アー
マチュアとアクチュエータハウジングの内面との間の半
径方向に配置又は形成されるのが好ましい。アクチュエ
ータハウジングはさらに、上端面及び下端面を含み、こ
れらは各隣接構造、例えば燃料インジェクタボデーコン
ポーネントに当接して密接するように、その上に接触面
を形成され得る。接触面は、上端面及び下端面の各々の
一部上にのみ延在する。好ましくは、接触面は、アクチ
ュエータハウジングの一方の側に配置される第１セクシ
ョンと、アクチュエータハウジングのもう一方の側に第
１セクションから離れて配置される第２セクションとを
含む。アクチュエータハウジング内に形成される少なく
とも１つの燃料通路を含むソレノイドアクチュエータア
センブリに燃料を運ぶために、高圧燃料回路が設けられ
る。ソレノイド固定子又はラミネートスタックアセンブ
リの各磁極片は、外面に加えて２つの側面を含む。ハウ
ジング壁の外面及び内面は、これら２つの側面の両方よ
り手前で、且つ第１磁極片及び第２磁極片の各々の各側
面の幾何学的な延長面より手前で終結するので、スロッ
トの形成により磁束の漏れが減少される。
ンブリとアーマチュアがアクチュエータハウジングの軸
方向長さの範囲内に完全に配置されるように、ハウジン
グキャビティ内にラミネートスタックアセンブリと隣接
して配置され得る。アクチュエータハウジング内にラミ
ネートスタックアセンブリを固定するために、ハウジン
グキャビティ内の第１スロット及び第２スロットにプラ
スチックのオーバーモールド（被い型）が形成されるの
が好ましい。プラスチックのオーバーモールドは、アー
マチュアとアクチュエータハウジングの内面との間の半
径方向に配置又は形成されるのが好ましい。アクチュエ
ータハウジングはさらに、上端面及び下端面を含み、こ
れらは各隣接構造、例えば燃料インジェクタボデーコン
ポーネントに当接して密接するように、その上に接触面
を形成され得る。接触面は、上端面及び下端面の各々の
一部上にのみ延在する。好ましくは、接触面は、アクチ
ュエータハウジングの一方の側に配置される第１セクシ
ョンと、アクチュエータハウジングのもう一方の側に第
１セクションから離れて配置される第２セクションとを
含む。アクチュエータハウジング内に形成される少なく
とも１つの燃料通路を含むソレノイドアクチュエータア
センブリに燃料を運ぶために、高圧燃料回路が設けられ
る。ソレノイド固定子又はラミネートスタックアセンブ
リの各磁極片は、外面に加えて２つの側面を含む。ハウ
ジング壁の外面及び内面は、これら２つの側面の両方よ
り手前で、且つ第１磁極片及び第２磁極片の各々の各側
面の幾何学的な延長面より手前で終結するので、スロッ
トの形成により磁束の漏れが減少される。
【００２２】
【発明の実施の形態】図1を参照すると、全体が参照番
号１０で示される従来の高圧燃料インジェクタが示され
ており、この高圧燃料インジェクタは、エンジンピスト
ン(図示せず)の往復動にあるタイミング関係で、計量さ
れた量の燃料を内燃機関の燃焼チャンバ内に噴射する。
燃料インジェクタ１０は、増圧モジュール１４、アクチ
ュエータモジュール１６、及びノズルモジュール１８を
含むインジェクタ本体１２を備える。燃料インジェクタ
１０の構造及び機能の詳細は、米国特許第５，６７６，
１１４号に開示されており、この特許の全内容を参照し
て、本文の記載の一部とする。本発明のアセンブリが従
来のアセンブリより卓越していることが、これより燃料
インジェクタ１０によって明確に示される。具体的に
は、従来のアクチュエータモジュール１６は、インジェ
クタ本体１２の内部面２１に隣接して、増圧モジュール
１４とノズルモジュール１８との間に圧縮されて当接関
係に配置されるスペーサハウジング２０を含む。スペー
サハウジング２０は、従来のソレノイドアクチュエータ
アセンブリ２４を受容するキャビティ２２と、ノズルモ
ジュール１８に高圧燃料を供給する１つもしくはそれ以
上の燃料通路２６とを含む。図2に示すように、噴射制
御バルブピンの移動を制御するために用いられるソレノ
イドアクチュエータアセンブリ２４は、アクチュエータ
ハウジング３０内に位置する固定子アセンブリ２８を含
み得る。典型的なアクチュエータハウジング３０は概ね
円筒形であり、固定子アセンブリ２８を収容するキャビ
ティを画定するハウジング壁３２を含む。固定子アセン
ブリ２８は、積層された複数のプレートから形成される
ラミネートスタックアセンブリが好ましい。図2に示さ
れるように、固定子アセンブリ２８は、ハウジング壁３
２の内面に沿って延在するように寸法決めされ形作られ
ている外面を有する外側脚３４及び中央脚３６を含む。
このように、外側脚３４の断面積が増すと、ソレノイド
アクチュエータアセンブリより発生する吸引力が増すの
で、レスポンス時間が減少することになり、有利であ
る。
号１０で示される従来の高圧燃料インジェクタが示され
ており、この高圧燃料インジェクタは、エンジンピスト
ン(図示せず)の往復動にあるタイミング関係で、計量さ
れた量の燃料を内燃機関の燃焼チャンバ内に噴射する。
燃料インジェクタ１０は、増圧モジュール１４、アクチ
ュエータモジュール１６、及びノズルモジュール１８を
含むインジェクタ本体１２を備える。燃料インジェクタ
１０の構造及び機能の詳細は、米国特許第５，６７６，
１１４号に開示されており、この特許の全内容を参照し
て、本文の記載の一部とする。本発明のアセンブリが従
来のアセンブリより卓越していることが、これより燃料
インジェクタ１０によって明確に示される。具体的に
は、従来のアクチュエータモジュール１６は、インジェ
クタ本体１２の内部面２１に隣接して、増圧モジュール
１４とノズルモジュール１８との間に圧縮されて当接関
係に配置されるスペーサハウジング２０を含む。スペー
サハウジング２０は、従来のソレノイドアクチュエータ
アセンブリ２４を受容するキャビティ２２と、ノズルモ
ジュール１８に高圧燃料を供給する１つもしくはそれ以
上の燃料通路２６とを含む。図2に示すように、噴射制
御バルブピンの移動を制御するために用いられるソレノ
イドアクチュエータアセンブリ２４は、アクチュエータ
ハウジング３０内に位置する固定子アセンブリ２８を含
み得る。典型的なアクチュエータハウジング３０は概ね
円筒形であり、固定子アセンブリ２８を収容するキャビ
ティを画定するハウジング壁３２を含む。固定子アセン
ブリ２８は、積層された複数のプレートから形成される
ラミネートスタックアセンブリが好ましい。図2に示さ
れるように、固定子アセンブリ２８は、ハウジング壁３
２の内面に沿って延在するように寸法決めされ形作られ
ている外面を有する外側脚３４及び中央脚３６を含む。
このように、外側脚３４の断面積が増すと、ソレノイド
アクチュエータアセンブリより発生する吸引力が増すの
で、レスポンス時間が減少することになり、有利であ
る。
【００２３】図1及び図2に示す従来のソレノイドアクチ
ュエータアセンブリは、ある動作条件の下では充分に機
能するが、従来の設計では磁極片つまり外側脚の断面積
が制限され、ハウジング壁３２中に磁束が消散し、これ
により燃料噴射の計量及び噴射タイミングの最適な制御
に対して要求されるレスポンス時間の達成に必要な吸引
力に制限がある。
ュエータアセンブリは、ある動作条件の下では充分に機
能するが、従来の設計では磁極片つまり外側脚の断面積
が制限され、ハウジング壁３２中に磁束が消散し、これ
により燃料噴射の計量及び噴射タイミングの最適な制御
に対して要求されるレスポンス時間の達成に必要な吸引
力に制限がある。
【００２４】図3〜図１０を参照すると、全体として参
照番号５０で示される本発明のソレノイドアクチュエー
タモジュール又はアセンブリは、磁極片の断面積を最大
化し、その一方でハウジング壁中への磁束の消散を最少
化することにより、アクチュエータのレスポンス時間を
最適化し、コンパクトなアセンブリを生成するように設
計されている。概して、ソレノイドアクチュエータアセ
ンブリ５０は、ハウジングキャビティ５６を形成するハ
ウジング壁５４を有するアクチュエータハウジング５２
と、ハウジングキャビティ５６内に位置するソレノイド
固定子アセンブリ５８を含む。重要なことは、磁束消散
減少機構６０（図６、図９、図１０）が備わっており、
ソレノイド固定子アセンブリ５８からアクチュエータハ
ウジング５２中への磁束の消散が最少化されることであ
る。また、後に詳述するように、ソレノイドアクチュエ
ータアセンブリ５０は、ソレノイド固定子アセンブリ５
８を収容する単一に組み込まれるハウジングを備えるこ
とにより、ハウジング内に追加スペースが提供され、磁
極片の断面積を最大化することができ、吸引力が増大
し、レスポンス時間が向上する。ソレノイドアクチュエ
ータアセンブリ５０は、例えば図1のインジェクタのよ
うな、コンパクトなソレノイドアクチュエータアセンブ
リと最適なバルブレスポンス時間を必要とする任意の燃
料インジェクタに備えることができる。
照番号５０で示される本発明のソレノイドアクチュエー
タモジュール又はアセンブリは、磁極片の断面積を最大
化し、その一方でハウジング壁中への磁束の消散を最少
化することにより、アクチュエータのレスポンス時間を
最適化し、コンパクトなアセンブリを生成するように設
計されている。概して、ソレノイドアクチュエータアセ
ンブリ５０は、ハウジングキャビティ５６を形成するハ
ウジング壁５４を有するアクチュエータハウジング５２
と、ハウジングキャビティ５６内に位置するソレノイド
固定子アセンブリ５８を含む。重要なことは、磁束消散
減少機構６０（図６、図９、図１０）が備わっており、
ソレノイド固定子アセンブリ５８からアクチュエータハ
ウジング５２中への磁束の消散が最少化されることであ
る。また、後に詳述するように、ソレノイドアクチュエ
ータアセンブリ５０は、ソレノイド固定子アセンブリ５
８を収容する単一に組み込まれるハウジングを備えるこ
とにより、ハウジング内に追加スペースが提供され、磁
極片の断面積を最大化することができ、吸引力が増大
し、レスポンス時間が向上する。ソレノイドアクチュエ
ータアセンブリ５０は、例えば図1のインジェクタのよ
うな、コンパクトなソレノイドアクチュエータアセンブ
リと最適なバルブレスポンス時間を必要とする任意の燃
料インジェクタに備えることができる。
【００２５】図8に示されるように、ソレノイド固定子
アセンブリ５８は、より素速く励磁及び減磁が行われる
ために積層状のプレートから形成されるＥタイプのアセ
ンブリが好ましい。ソレノイド固定子又はラミネートス
タックアセンブリ５８は、第1の磁極片つまり脚６２、
第２の磁極片つまり脚６４、これら第１の脚６２と第２
の脚６４の間に位置する中央脚６６を含む。図３〜図６
に示すように、ソレノイド固定子アセンブリ５８は、ア
クチュエータハウジング５２のハウジングキャビティ５
６中に位置される。アクチュエータハウジング５２は、
ハウジングキャビティ５６を形成する内面６８と、概ね
円筒の形状を有する外面７０を含む。アクチュエータハ
ウジング５２はさらに、高圧燃料をアクチュエータハウ
ジング５２を通してノズルモジュールに運ぶための燃料
通路７２を含む。アクチュエータハウジング５２はま
た、燃料インジェクタの隣接するコンポーネント、すな
わち増圧モジュール及びノズルモジュールをアクチュー
タハウジング５２と整合させるダウエルピンを受容する
アパーチャ７４を含み得る。アパーチャ７４は、アクチ
ュエータハウジング５２の下端面７６と上端面７８に形
成される。アクチュエータハウジング５２はまた、アク
セスアパーチャ７５を備えており、このアクセスアパー
チャ７５は、上端面７８からハウジングを通って延出し
て、ソレノイド固定子アセンブリ５８に電気的な接続を
可能にする電気コネクタ７７(図４)を受容する。下端面
７６は、アクチュエータハウジング５２の一方の側に位
置する第１接触面領域８０と、アクチュエータハウジン
グ５２の反対の側に位置する第２接触面８２を含む。第
１接触面８０は、アクチュエータハウジング５２の下端
面７６の一部のみを覆って、燃料通路７２の開口の周り
に流体シールを作成するのに必要な圧縮力を最小化す
る。同様に、上端面７８は、燃料通路７２の開口を囲む
第１接触面８４と、第１接触面８４から反対側の上端面
７８に形成される第２接触面８６を含む。また、第１接
触面８４と第２接触面８６の表面積は、インジェクタの
コンポーネントにかかる、必要な圧縮アセンブリ負荷を
最小化するように、上端面７８の全表面積の一部のみに
減少している。
アセンブリ５８は、より素速く励磁及び減磁が行われる
ために積層状のプレートから形成されるＥタイプのアセ
ンブリが好ましい。ソレノイド固定子又はラミネートス
タックアセンブリ５８は、第1の磁極片つまり脚６２、
第２の磁極片つまり脚６４、これら第１の脚６２と第２
の脚６４の間に位置する中央脚６６を含む。図３〜図６
に示すように、ソレノイド固定子アセンブリ５８は、ア
クチュエータハウジング５２のハウジングキャビティ５
６中に位置される。アクチュエータハウジング５２は、
ハウジングキャビティ５６を形成する内面６８と、概ね
円筒の形状を有する外面７０を含む。アクチュエータハ
ウジング５２はさらに、高圧燃料をアクチュエータハウ
ジング５２を通してノズルモジュールに運ぶための燃料
通路７２を含む。アクチュエータハウジング５２はま
た、燃料インジェクタの隣接するコンポーネント、すな
わち増圧モジュール及びノズルモジュールをアクチュー
タハウジング５２と整合させるダウエルピンを受容する
アパーチャ７４を含み得る。アパーチャ７４は、アクチ
ュエータハウジング５２の下端面７６と上端面７８に形
成される。アクチュエータハウジング５２はまた、アク
セスアパーチャ７５を備えており、このアクセスアパー
チャ７５は、上端面７８からハウジングを通って延出し
て、ソレノイド固定子アセンブリ５８に電気的な接続を
可能にする電気コネクタ７７(図４)を受容する。下端面
７６は、アクチュエータハウジング５２の一方の側に位
置する第１接触面領域８０と、アクチュエータハウジン
グ５２の反対の側に位置する第２接触面８２を含む。第
１接触面８０は、アクチュエータハウジング５２の下端
面７６の一部のみを覆って、燃料通路７２の開口の周り
に流体シールを作成するのに必要な圧縮力を最小化す
る。同様に、上端面７８は、燃料通路７２の開口を囲む
第１接触面８４と、第１接触面８４から反対側の上端面
７８に形成される第２接触面８６を含む。また、第１接
触面８４と第２接触面８６の表面積は、インジェクタの
コンポーネントにかかる、必要な圧縮アセンブリ負荷を
最小化するように、上端面７８の全表面積の一部のみに
減少している。
【００２６】図６、図９及び図１０を参照すると、磁束
消散減少機構６０は、アクチュエータハウジング５２の
一方の側に形成される第１スロット８８と、アクチュエ
ータハウジング５２の反対の側に形成される第２スロッ
ト９０とを含む。第１スロット８８及び第２スロット９
０は、ハウジング壁５４を貫通して半径方向外方向に延
在する。さらに、第１スロット８８及び第２スロット９
０は、下端面７６からアクチュエータハウジング５２に
沿って軸方向に延在し、上端面７８の手前で終結する。
好ましくは、第１スロット８８及び第２スロット９０
は、図９及び図１０に示されるように、アクチュエータ
ハウジング５２の軸方向長さの少なくとも半分の所定ス
ロット長さを形成するように、アクチュエータハウジン
グ５２の軸方向長さに沿って延在する。図６に明示され
るように、ソレノイド固定子アセンブリ５８は、第１ス
ロット８８に第１の磁極片つまり脚６２が位置し、第２
スロット９０に第２の磁極片つまり脚６４が位置するよ
うに、ハウジングキャビティ５６内に配置される。ラミ
ネートスタックアセンブリ５８はまた、各磁極片６２及
び６４に形成される外面６７を含む。外面６７が磁極片
６２及び６４の断面積を最大化するように形作られ寸法
決めされることにより、各磁極片の下端に形成される端
面６９の表面積が増加する。第１磁極片６２、第２磁極
片６４、及び中央脚６６は、大きさが均一ではない積層
物を適宜積み重ねるか、又は大き過ぎるラミネートスタ
ックアセンブリから材料を除去するかにより、寸法決め
され形作られ得る。その結果、ソレノイドアセンブリの
各励磁中の吸引力が増大され、アセンブリのレスポンス
時間が減少する。
消散減少機構６０は、アクチュエータハウジング５２の
一方の側に形成される第１スロット８８と、アクチュエ
ータハウジング５２の反対の側に形成される第２スロッ
ト９０とを含む。第１スロット８８及び第２スロット９
０は、ハウジング壁５４を貫通して半径方向外方向に延
在する。さらに、第１スロット８８及び第２スロット９
０は、下端面７６からアクチュエータハウジング５２に
沿って軸方向に延在し、上端面７８の手前で終結する。
好ましくは、第１スロット８８及び第２スロット９０
は、図９及び図１０に示されるように、アクチュエータ
ハウジング５２の軸方向長さの少なくとも半分の所定ス
ロット長さを形成するように、アクチュエータハウジン
グ５２の軸方向長さに沿って延在する。図６に明示され
るように、ソレノイド固定子アセンブリ５８は、第１ス
ロット８８に第１の磁極片つまり脚６２が位置し、第２
スロット９０に第２の磁極片つまり脚６４が位置するよ
うに、ハウジングキャビティ５６内に配置される。ラミ
ネートスタックアセンブリ５８はまた、各磁極片６２及
び６４に形成される外面６７を含む。外面６７が磁極片
６２及び６４の断面積を最大化するように形作られ寸法
決めされることにより、各磁極片の下端に形成される端
面６９の表面積が増加する。第１磁極片６２、第２磁極
片６４、及び中央脚６６は、大きさが均一ではない積層
物を適宜積み重ねるか、又は大き過ぎるラミネートスタ
ックアセンブリから材料を除去するかにより、寸法決め
され形作られ得る。その結果、ソレノイドアセンブリの
各励磁中の吸引力が増大され、アセンブリのレスポンス
時間が減少する。
【００２７】第１スロット８８及び第２スロット９０
は、磁極片６２及び磁極片６４の外面６７から半径方向
外側に位置するハウジング壁５４の部分を取り除く役割
を果たす。従って、ハウジング壁が漏れ磁束を受けるた
めに外面６７に隣接して存在してないので、磁極片６２
及び磁極片６４からアクチュエータハウジング５２への
磁束の漏れが減少する。故に、ハウジング壁５４の外面
７０の幾何学的な延長方向外側に磁極片を延出させるこ
とにより、端面６９の断面積を最大化するように磁極片
６２及び磁極片６４を寸法決めし、外面６７を形成する
ことができる。詳細には、第１スロット８８及び第２ス
ロット９０が存在するために、ハウジング壁５４の内面
６８及び外面７０は、磁極片６２及び磁極片６４より円
周方向の手前で終結する。磁極片６２、磁極片６４の各
々は、図６及び図８で示されるように、磁極片の両側に
位置すると共に外面６７に向かって外側に延在する２つ
の側面９２を含む。ハウジング壁５４の外面７０及び内
面６８は、磁極片の両側において各磁極片の両方の側面
より手前で終結すると共に、側面９２の幾何学的な延長
面より手前で終結し、これによりスロット８８及びスロ
ット９０が画定される。その結果、第1スロット８８及
び第2スロット９０を含む磁束消散減少機構６０は、ア
クチュエータハウジング５２中への磁束の漏れを有効に
防止する機能を果たす。
は、磁極片６２及び磁極片６４の外面６７から半径方向
外側に位置するハウジング壁５４の部分を取り除く役割
を果たす。従って、ハウジング壁が漏れ磁束を受けるた
めに外面６７に隣接して存在してないので、磁極片６２
及び磁極片６４からアクチュエータハウジング５２への
磁束の漏れが減少する。故に、ハウジング壁５４の外面
７０の幾何学的な延長方向外側に磁極片を延出させるこ
とにより、端面６９の断面積を最大化するように磁極片
６２及び磁極片６４を寸法決めし、外面６７を形成する
ことができる。詳細には、第１スロット８８及び第２ス
ロット９０が存在するために、ハウジング壁５４の内面
６８及び外面７０は、磁極片６２及び磁極片６４より円
周方向の手前で終結する。磁極片６２、磁極片６４の各
々は、図６及び図８で示されるように、磁極片の両側に
位置すると共に外面６７に向かって外側に延在する２つ
の側面９２を含む。ハウジング壁５４の外面７０及び内
面６８は、磁極片の両側において各磁極片の両方の側面
より手前で終結すると共に、側面９２の幾何学的な延長
面より手前で終結し、これによりスロット８８及びスロ
ット９０が画定される。その結果、第1スロット８８及
び第2スロット９０を含む磁束消散減少機構６０は、ア
クチュエータハウジング５２中への磁束の漏れを有効に
防止する機能を果たす。
【００２８】図3〜図6を参照すると、ソレノイド固定子
アセンブリ５８は、ハウジングキャビティ５６内に配置
され、ソレノイド固定子アセンブリ５８とハウジング壁
５４の内部面６８との間の隙間に注入される非金属のオ
ーバーモールド９３、すなわちプラスチック材料により
アクチュエータハウジング５２に固定して取り付けられ
る。ソレノイドアクチュエータアセンブリ５０はまた、
固定子アセンブリ５８の中央脚６６の周りに配置される
ボビン・コイルアセンブリ９４を含む。さらに、バルブ
ピンガイド９６は、中央脚６６を貫通して延出するボア
９８内（図8）に配置される。噴射制御バルブピン１０
０は、ボア９８内に配置され、上端面７８に形成される
スプリングキャビティ１０２中に上方に延出する。スプ
リングシート１０４は、制御バルブピン１００の上端に
取り付けられ、リターンスプリング１０６の当接により
スプリングキャビティ１０２内に配置される。噴射制御
バルブピン１００の反対の端部は、下方向にボア９８の
外へ向かって延出して、スペーサプレート１１２に形成
された制御通路１１０を通る燃料の流れを制御するため
のバルブヘッド１０８を形成する。噴射制御バルブピン
１００は、制御通路１１０を通る燃料の流れをブロック
する閉位置に、リターンスプリング１０６により付勢さ
れる。これより示すように、ソレノイドアクチュエータ
アセンブリ５０は、バルブピン１００を含む二方向噴射
制御バルブを作動するが、この二方向噴射制御バルブ
は、燃料通路を通して燃料を流す開位置と燃料通路を通
る燃料の流れをブロックする閉位置とに交互且つ選択的
に移動可能である。しかし、ソレノイド固定子アセンブ
リ５０は、例えば三方向二位置噴射制御バルブのような
他のタイプのバルブを作動するために用いても良い。ソ
レノイドアクチュエータアセンブリ５０はまた、アーマ
チュア１１４を含み、このアーマチュア１１４は、図4
で示すように噴射制御バルブピン１００の下端に取り付
けられると共に、磁極片６２、磁極片６４の端面６９に
隣接して配置される。
アセンブリ５８は、ハウジングキャビティ５６内に配置
され、ソレノイド固定子アセンブリ５８とハウジング壁
５４の内部面６８との間の隙間に注入される非金属のオ
ーバーモールド９３、すなわちプラスチック材料により
アクチュエータハウジング５２に固定して取り付けられ
る。ソレノイドアクチュエータアセンブリ５０はまた、
固定子アセンブリ５８の中央脚６６の周りに配置される
ボビン・コイルアセンブリ９４を含む。さらに、バルブ
ピンガイド９６は、中央脚６６を貫通して延出するボア
９８内（図8）に配置される。噴射制御バルブピン１０
０は、ボア９８内に配置され、上端面７８に形成される
スプリングキャビティ１０２中に上方に延出する。スプ
リングシート１０４は、制御バルブピン１００の上端に
取り付けられ、リターンスプリング１０６の当接により
スプリングキャビティ１０２内に配置される。噴射制御
バルブピン１００の反対の端部は、下方向にボア９８の
外へ向かって延出して、スペーサプレート１１２に形成
された制御通路１１０を通る燃料の流れを制御するため
のバルブヘッド１０８を形成する。噴射制御バルブピン
１００は、制御通路１１０を通る燃料の流れをブロック
する閉位置に、リターンスプリング１０６により付勢さ
れる。これより示すように、ソレノイドアクチュエータ
アセンブリ５０は、バルブピン１００を含む二方向噴射
制御バルブを作動するが、この二方向噴射制御バルブ
は、燃料通路を通して燃料を流す開位置と燃料通路を通
る燃料の流れをブロックする閉位置とに交互且つ選択的
に移動可能である。しかし、ソレノイド固定子アセンブ
リ５０は、例えば三方向二位置噴射制御バルブのような
他のタイプのバルブを作動するために用いても良い。ソ
レノイドアクチュエータアセンブリ５０はまた、アーマ
チュア１１４を含み、このアーマチュア１１４は、図4
で示すように噴射制御バルブピン１００の下端に取り付
けられると共に、磁極片６２、磁極片６４の端面６９に
隣接して配置される。
【００２９】非金属製のオーバーモールド９３は、アク
チュエータハウジング５２の両側においてハウジング壁
５４の内面６８に沿って下方向に延出する延出部１１６
を含む。その結果、延出部１１６は、アーマチュア１１
４とアクチュエータハウジング５２の内面６８との間に
半径方向に配置される。延出部１１６は、アーマチュア
とアクチュエータハウジングとの間の半径方向の隙間を
最小に制限することにより、アーマチュア１１４からア
クチュエータハウジング５２への磁束の漏れによる不整
合生成力（ｍｉｓａｌｉｇｉｎｇ ｆｏｒｃｅ）を確実
に最小化するために必要な半径方向に所定の厚さを有し
て設計される。延出部１１６がなければ、アーマチュア
１１４からハウジング５２への磁束の漏れにより不整合
生成力が発生し、この不整合生成力がバルブエレメント
に固有の整合力にまさると、アーマチュアと磁極片の整
合位置に対して、アーマチュアの回転と電磁力の損失が
生じる。延出部１１６により、磁束の漏れによる不整合
生成力よりも整合力を常に大きく保つことを保証するこ
とによって、ソイレノイドアクチュエータアセンブリ５
０及び噴射制御バルブピン１００の適正な作動が保証さ
れる。
チュエータハウジング５２の両側においてハウジング壁
５４の内面６８に沿って下方向に延出する延出部１１６
を含む。その結果、延出部１１６は、アーマチュア１１
４とアクチュエータハウジング５２の内面６８との間に
半径方向に配置される。延出部１１６は、アーマチュア
とアクチュエータハウジングとの間の半径方向の隙間を
最小に制限することにより、アーマチュア１１４からア
クチュエータハウジング５２への磁束の漏れによる不整
合生成力（ｍｉｓａｌｉｇｉｎｇ ｆｏｒｃｅ）を確実
に最小化するために必要な半径方向に所定の厚さを有し
て設計される。延出部１１６がなければ、アーマチュア
１１４からハウジング５２への磁束の漏れにより不整合
生成力が発生し、この不整合生成力がバルブエレメント
に固有の整合力にまさると、アーマチュアと磁極片の整
合位置に対して、アーマチュアの回転と電磁力の損失が
生じる。延出部１１６により、磁束の漏れによる不整合
生成力よりも整合力を常に大きく保つことを保証するこ
とによって、ソイレノイドアクチュエータアセンブリ５
０及び噴射制御バルブピン１００の適正な作動が保証さ
れる。
【００３０】組み付け中に、ボビン・コイルアセンブリ
９４及びバルブピンガイド９６を含むソレノイド固定子
アセンブリ５８は、ソレノイドアクチュエータアセンブ
リ５０とアクチュエータハウジング５２の内面６８との
間の隙間に注入される非金属製オーバーモールド９３と
ハウジングキャビティ５６内に配置される。もちろん、
ハウジングキャビティ５６内に非金属材料を閉じ込める
ために、スプリングキャビティ１０２内とアクチュエー
タハウジング５２の周りには適切なエンドモールドが配
置される。その非金属材料が凝固し、モールドが取り除
かれると、図3〜図5で示すように、噴射制御バルブピン
１００、アーマチュア１１４、及び残りのコンポーネン
トを、アクチュエータハウジング５２内の適切な位置に
挿入することが可能になる。
９４及びバルブピンガイド９６を含むソレノイド固定子
アセンブリ５８は、ソレノイドアクチュエータアセンブ
リ５０とアクチュエータハウジング５２の内面６８との
間の隙間に注入される非金属製オーバーモールド９３と
ハウジングキャビティ５６内に配置される。もちろん、
ハウジングキャビティ５６内に非金属材料を閉じ込める
ために、スプリングキャビティ１０２内とアクチュエー
タハウジング５２の周りには適切なエンドモールドが配
置される。その非金属材料が凝固し、モールドが取り除
かれると、図3〜図5で示すように、噴射制御バルブピン
１００、アーマチュア１１４、及び残りのコンポーネン
トを、アクチュエータハウジング５２内の適切な位置に
挿入することが可能になる。
【００３１】本発明は、従来のソレノイドアクチュエー
タアセンブリより優れる幾つかの利点を生み出す。例え
ば、スロット８８及びスロット９０を含む本発明の磁束
消散減少機構６０がアクチュエータハウジング中への磁
束の漏れを防止することにより、強力な吸引力が生じ、
これが結果的にレスポンス時間の望ましい減少と、燃料
噴射のタイミング及び計量のより優れた制御とに帰結す
る。また、ソレノイドアクチュエータアセンブリ５０
は、ラミネートスタックアセンブリの磁極片がアクチュ
エータハウジング５２内に最大の空間を占拠することを
可能にし、このことにより、ハウジング内への磁束の漏
れが増大することなく磁極片端面６９の断面積が増大さ
れ、これによってアセンブリ５０により生じる吸引力が
最大化される。重要なことに、本発明のソレノイドアク
チュエータアセンブリ５０は、インジェクタのコンポー
ネント間に圧縮的なアセンブリ負荷を伝達すると共に高
圧燃料通路を一体的に組み込むことにより、単一のイン
ジェクタボデーコンポーネントとして機能するアクチュ
エータハウジング５２に、直接ラミネートスタックアセ
ンブリ５８を一体に連結することにより、従来のデュア
ルハウジングデザインを用いることを回避している。図
1及び図2に示すように、従来のソレノイドアクチュエー
タアセンブリは、圧縮的なアセンブリ負荷に対応し、燃
料通路を含む第2のインジェクタ本体内に形成されるキ
ャビティ内に配置される固定子アセンブリを支持する円
筒形のアクチュエータハウジングを含む。本発明のソレ
ノイドアクチュエータアセンブリ５０は、より安価で、
よりコンパクトなアセンブリでありながら、内部のアク
チュエータハウジングをなくすことによって、磁極片の
利用空間を増加させている。
タアセンブリより優れる幾つかの利点を生み出す。例え
ば、スロット８８及びスロット９０を含む本発明の磁束
消散減少機構６０がアクチュエータハウジング中への磁
束の漏れを防止することにより、強力な吸引力が生じ、
これが結果的にレスポンス時間の望ましい減少と、燃料
噴射のタイミング及び計量のより優れた制御とに帰結す
る。また、ソレノイドアクチュエータアセンブリ５０
は、ラミネートスタックアセンブリの磁極片がアクチュ
エータハウジング５２内に最大の空間を占拠することを
可能にし、このことにより、ハウジング内への磁束の漏
れが増大することなく磁極片端面６９の断面積が増大さ
れ、これによってアセンブリ５０により生じる吸引力が
最大化される。重要なことに、本発明のソレノイドアク
チュエータアセンブリ５０は、インジェクタのコンポー
ネント間に圧縮的なアセンブリ負荷を伝達すると共に高
圧燃料通路を一体的に組み込むことにより、単一のイン
ジェクタボデーコンポーネントとして機能するアクチュ
エータハウジング５２に、直接ラミネートスタックアセ
ンブリ５８を一体に連結することにより、従来のデュア
ルハウジングデザインを用いることを回避している。図
1及び図2に示すように、従来のソレノイドアクチュエー
タアセンブリは、圧縮的なアセンブリ負荷に対応し、燃
料通路を含む第2のインジェクタ本体内に形成されるキ
ャビティ内に配置される固定子アセンブリを支持する円
筒形のアクチュエータハウジングを含む。本発明のソレ
ノイドアクチュエータアセンブリ５０は、より安価で、
よりコンパクトなアセンブリでありながら、内部のアク
チュエータハウジングをなくすことによって、磁極片の
利用空間を増加させている。
【００３２】本発明のソレノイドアクチュエータアセン
ブリは、正確で信頼性のある噴射タイミングと計量が不
可欠な任意の車両や工業用装置の、あらゆる内燃機関の
任意の燃料噴射システムにおいて使用可能である。本発
明のソレノイドアクチュエータアセンブリは、例えば燃
料インジェクタの本体、特にニードル制御燃料インジェ
クタの下方部への組み込み等、厳しいパッケージング制
限を有するアプリケーション及び／又は高速なバルブレ
スポンス時間を必要とするアプリケーション、に特に有
用である。
ブリは、正確で信頼性のある噴射タイミングと計量が不
可欠な任意の車両や工業用装置の、あらゆる内燃機関の
任意の燃料噴射システムにおいて使用可能である。本発
明のソレノイドアクチュエータアセンブリは、例えば燃
料インジェクタの本体、特にニードル制御燃料インジェ
クタの下方部への組み込み等、厳しいパッケージング制
限を有するアプリケーション及び／又は高速なバルブレ
スポンス時間を必要とするアプリケーション、に特に有
用である。
【図１】増圧モジュール、アクチュエータモジュール、
及びノズルモジュールを有する内燃機関における燃料イ
ンジェクタシステムの従来技術の燃料インジェクタ本体
の断面図である。
及びノズルモジュールを有する内燃機関における燃料イ
ンジェクタシステムの従来技術の燃料インジェクタ本体
の断面図である。
【図２】Ｅタイプのラミネートスタックアセンブリを含
む従来技術のソレノイドアクチュエータアセンブリの断
面図である。
む従来技術のソレノイドアクチュエータアセンブリの断
面図である。
【図３】本発明のアクチュエータモジュール内に配置さ
れるソレノイドアクチュエータを含む図７のアクチュエ
ータモジュールの、面３−３に沿った断面図である。
れるソレノイドアクチュエータを含む図７のアクチュエ
ータモジュールの、面３−３に沿った断面図である。
【図４】本発明のアクチュエータモジュール内に配置さ
れるソレノイドアクチュエータを含む図３のアクチュエ
ータモジュールの、面４−４に沿った断面図である。
れるソレノイドアクチュエータを含む図３のアクチュエ
ータモジュールの、面４−４に沿った断面図である。
【図５】本発明のアクチュエータモジュール内に配置さ
れるソレノイドアクチュエータを含む図７のアクチュエ
ータモジュールの、面５−５に沿った断面図である。
れるソレノイドアクチュエータを含む図７のアクチュエ
ータモジュールの、面５−５に沿った断面図である。
【図６】ハウジング内に配置されるソレノイドアクチュ
エータを含む図９のアクチュエータハウジングの底面図
である。
エータを含む図９のアクチュエータハウジングの底面図
である。
【図７】ハウジング内に配置されるソレノイドアクチュ
エータを含む図１０のアクチュエータハウジングの上面
図である。
エータを含む図１０のアクチュエータハウジングの上面
図である。
【図８】本発明のＥタイプラミネートスタックアセンブ
リの斜視図である。
リの斜視図である。
【図９】本発明のアクチュエータハウジングの底面斜視
図である。
図である。
【図１０】本発明のアクチュエータハウジングの上面斜
視図である。
視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｆ１６Ｋ 31/06 ３０５ Ｆ１６Ｋ 31/06 ３０５Ｃ ３０５Ｅ Ｈ０１Ｆ 7/16 Ｒ Ｅ (72)発明者 ラズロ ディー． ティック アメリカ合衆国 47201 インディアナ 州 コロンバス カントリーサイド レ ーン 811 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 7/16
Claims (27)
- 【請求項１】 バルブを作動するためのソレノイドアク
チュエータアセンブリであって、ハウジングキャビティ
を形成する内面及び外面を有するハウジング壁を含むア
クチュエータハウジングを備え、外面を有する第1磁極
片と外面を有する第2磁極片とを含むラミネートスタッ
クアセンブリを備え、前記ラミネートスタックアセンブ
リが前記ハウジングキャビティ内に配置され、前記第1
磁極片及び第2磁極片の前記外面が、前記ハウジング壁
の前記外面の幾何学的な延長面に沿って延出して、前記
第1磁極片及び第2磁極片の断面積を最大化するように寸
法決め及び形作られ、磁束消散減少手段を備え、該磁束
消散減少手段が、第1磁極片及び第2磁極片の各々に隣接
する前記ハウジング壁に形成され、前記第1磁極片及び
第2磁極片から前記アクチュエータハウジング中への磁
束の漏れを減少させる、ソレノイドアクチュエータアセ
ンブリ。 - 【請求項２】前記第1磁極片及び第2磁極片の前記外面
が、前記ハウジング壁とオーバーラップせず、且つ前記
ハウジング壁によって囲まれることなく配置される、請
求項１に記載のソレノイドアクチュエータアセンブリ。 - 【請求項3】前記ラミネートスタックアセンブリが、外
側脚と、該外側脚間の中央脚とを有するＥタイプのソレ
ノイドである、請求項１に記載のソレノイドアクチュエ
ータアセンブリ。 - 【請求項4】前記中央脚が、噴射制御バルブピンを受容
するために前記中央脚を貫通して軸方向に延在するボア
を含み、前記バルブピンが、前記中央脚に対して前記ボ
ア内で往復動するように、且つ前記ボアを貫通して延出
するように配置される、請求項３に記載のソレノイドア
クチュエータアセンブリ。 - 【請求項5】さらに少なくとも１つのピンガイドを含
み、前記ピンガイドが、前記ボア内に配置され、前記バ
ルブピンを往復動中に案内するために前記中央脚に連結
される、請求項４に記載のソレノイドアクチュエータア
センブリ。 - 【請求項6】 さらにアーマチュアを含み、前記アーマ
チュアが、前記ラミネートスタックアセンブリに隣接す
る前記ハウジングキャビティ内に配置される、請求項５
に記載のソレノイドアクチュエータアセンブリ。 - 【請求項7】前記磁束消散減少手段が、第1スロット及び
第2スロットを含み、前記第1スロット及び第2スロット
が、前記アクチュエータハウジングの対向する両側に配
置されると共に、前記ハウジング壁を貫通して外方向に
延在し、前記第1磁極片が前記第1スロットに配置され、
前記第2磁極片が前記第2スロットに配置される、請求項
１に記載のソレノイドアクチュエータアセンブリ。 - 【請求項８】前記第1スロット及び前記第2スロットの各
々が、前記ハウジング壁の一端から反対側の端へ向かっ
て前記アクチュエータハウジングに沿って軸方向に延在
し、前記第1スロット及び前記第2スロットが前記ハウジ
ング壁の軸方向長さの少なくとも半分に沿って延在す
る、請求項７に記載のソレノイドアクチュエータアセン
ブリ。 - 【請求項9】前記ラミネートスタックアセンブリに隣接
する前記ハウジングキャビティ内に配置されるアーマチ
ュアをさらに含み、前記アクチュエータハウジングが軸
方向長さを有し、前記ラミネートスタックアセンブリ及
び前記アーマチュアが、前記アクチュエータハウジング
の前記軸方向長さの範囲内に完全に配置される、請求項
７に記載のソレノイドアクチュエータアセンブリ。 - 【請求項１０】前記アクチュエータハウジング内に前記
ラミネートスタックアセンブリを固定するために、前記
ハウジングキャビティ並びに前記第１スロット及び第２
スロット内に形成されるプラスチックのオーバーモール
ドをさらに含む、請求項１に記載のソレノイドアクチュ
エータアセンブリ。 - 【請求項１１】前記ラミネートスタックアセンブリに隣
接する前記ハウジングキャビティ内に配置されるアーマ
チュアをさらに含み、前記プラスチックのオーバーモー
ルドが、前記アーマチュアと前記アクチュエータハウジ
ングの前記内面との間に半径方向に配置される、請求項
１０に記載のソレノイドアクチュエータアセンブリ。 - 【請求項１２】前記アクチュエータハウジングがさらに
下端面と上端面を含み、前記下端面と前記上端面の各々
が、それぞれの隣接する構造に対して当接して密封する
接触面を含み、前記接触面が、前記下端面と前記上端面
の各々の一部上にのみ延在し、前記接触面が、前記アク
チュエータハウジングの一方の側に位置する第１セクシ
ョンと、前記アクチュエータハウジングの、前記第１セ
クションとは反対の側に位置する第２セクションとを含
む、請求項１に記載のソレノイドアクチュエータアセン
ブリ。 - 【請求項１３】前記ソレノイドアクチュエータアセンブ
リに燃料を運ぶための高圧燃料回路をさらに含み、前記
高圧燃料回路が、前記アクチュエータハウジング内に形
成される少なくとも１つの燃料通路を含む、請求項１に
記載のソレノイドアクチュエータアセンブリ。 - 【請求項１４】ソレノイド作動噴射制御バルブアセンブ
リ用のアクチュエータモジュールであって、ハウジング
キャビティを形成する外面と内面とを有するハウジング
壁を含むアクチュエータモジュールハウジングを含み、
前記アクチュエータモジュールハウジング内の前記アク
チュエータモジュールハウジングの対向する両側に形成
される第１スロット及び第２スロットを含み、前記第１
スロット及び第２スロットが前記ハウジング壁を貫通し
て外方向に延在し、前記ハウジングキャビティ内に配置
される固定子アセンブリを含み、前記固定子アセンブリ
が、前記ハウジングキャビティの第１側面の前記第１ス
ロットに配置される第１の外面と、前記ハウジングキャ
ビティの第２側面の前記第２スロットに配置される第２
の外面とを含み、前記第1の外面及び前記第2の外面の各
々が、前記ハウジング壁の前記外面の幾何学的な延長面
に沿って延在して、アクチュエータモジュールにより発
生する力を最大化するように形成される、アクチュエー
タモジュール。 - 【請求項１５】前記固定子アセンブリに隣接して前記ハ
ウジングキャビティ内に配置されるアーマチュアと、前
記アクチュエータモジュール内に前記固定子アセンブリ
を固定するための、前記ハウジングキャビティ内の非金
属製オーバーモールドと、をさらに含む、請求項１４に
記載のアクチュエータモジュール。 - 【請求項１６】前記固定子アセンブリの中心部を貫通し
て軸方向に延在するボアと、前記ボア内で往復動するよ
うに配置される噴射制御バルブピンと、をさらに含む、
請求項１４に記載のアクチュエータモジュール。 - 【請求項１７】前記固定子アセンブリに隣接して前記ハ
ウジングキャビティ内に配置されるアーマチュアをさら
に含む、請求項１４に記載のアクチュエータモジュー
ル。 - 【請求項１８】前記第１スロット及び第２スロットが、
前記ハウジング壁の一端から反対の端へ前記アクチュエ
ータモジュールハウジングに沿って軸方向に延在して、
所定のスロット長さを画定し、前記固定子アセンブリ及
び前記アーマチュアが前記所定のスロット長さ内に配置
される、請求項１７に記載のアクチュエータモジュー
ル。 - 【請求項１９】前記ソレノイドアクチュエータアセンブ
リに燃料を運ぶための高圧燃料回路をさらに含み、前記
高圧燃料回路が、前記アクチュエータモジュールハウジ
ング内に形成される少なくとも１つの燃料通路を含む、
請求項１８に記載のアクチュエータモジュール。 - 【請求項２０】ソレノイド作動噴射制御バルブアセンブ
リ用のアクチュエータモジュールであって、ハウジング
キャビティを形成する外面と内面とを有するハウジング
壁を含むアクチュエータモジュールハウジングを含み、
外面及び２つの側面を含む第１磁極片と、外面及び２つ
の側面を含む第２磁極片とを有するソレノイド固定子ア
センブリを含み、前記ソレノイド固定子アセンブリが、
前記ハウジングキャビティ内に配置され、前記第１磁極
片及び前記第２磁極片が前記ハウジング壁の前記外面の
幾何学的な延長面に沿って延在して、アクチュエータモ
ジュールにより発生する力を最大化するように寸法決め
及び形作られ、前記ハウジング壁の前記外面及び前記内
面が、前記２つの側面の両方より手前で、且つ前記第１
磁極片及び前記第２磁極片の各々の前記２つの側面の各
々の幾何学的な延長面より手前で終結することにより、
磁束の漏れを減少させる、アクチュエータモジュール。 - 【請求項２１】前記ソレノイド固定子アセンブリに隣接
して前記ハウジングキャビティ内に配置されるアーマチ
ュアと、前記アクチュエータモジュールハウジング内に
前記ラミネートスタックアセンブリを固定するための前
記ハウジング内の非金属製オーバーモールドと、をさら
に含む、請求項２０に記載のアクチュエータモジュー
ル。 - 【請求項２２】前記非金属製オーバーモールドが、前記
アーマチュアと前記アクチュエータハウジングの前記内
面との間で半径方向に位置される、請求項２１に記載の
アクチュエータモジュール。 - 【請求項２３】燃料インジェクタであって、インジェク
タキャビティを形成する内面を含むインジェクタ本体を
含み、前記インジェクタキャビティ内に配置されると共
に、ハウジング壁を含むアクチュエータハウジングを含
み、前記ハウジング壁が、前記インジェクタ本体の前記
内部面に隣接配置される外面と、ハウジングキャビティ
を形成する内面とを含み、前記アクチュエータハウジン
グが、前記アクチュエータハウジングに作用する圧縮負
荷により前記インジェクタ本体に固定され、前記アクチ
ュエータハウジングの前記内面と接触して前記ハウジン
グキャビティ内に配置される、磁束を発生するためのソ
レノイド固定子手段を含み、前記ソレノイド固定子手段
が、ラミネートスタックアセンブリと非金属製のオーバ
ーモールドを含み、該非金属製のオーバーモールドが、
前記ラミネートスタックアセンブリと前記アクチュエー
タハウジングの前記内面との間に配置されて、前記ラミ
ネートスタックアセンブリを前記アクチュエータハウジ
ングに固定し、燃料インジェクタを通して燃料を運ぶた
めの高圧燃料回路を含み、該高圧燃料回路が、前記アク
チュエータハウジングに形成される少なくとも１つの燃
料通路を含む、燃料インジェクタ。 - 【請求項２４】前記ソレノイド固定子手段に隣接して前
記ハウジングキャビティ内に配置されるアーマチュアを
さらに含む、請求項２３に記載の燃料インジェクタ。 - 【請求項２５】前記アクチュエータハウジング内に前記
アクチュエータハウジングの対向する両側に形成される
第１スロット及び第２のスロットをさらに含み、該第１
スロット及び第２スロットが、前記ハウジング壁の一端
から反対側の端へ向かって前記アクチュエータハウジン
グに沿って軸方向に延在し、前記第１スロット及び前記
第２スロットが、前記ハウジング壁の軸方向長さの少な
くとも半分に沿って延在する、請求項２４に記載の燃料
インジェクタ。 - 【請求項２６】前記アクチュエータハウジング内に前記
ソレノイド固定子手段を固定するために、前記アクチュ
エータハウジングの前記ハウジングキャビティ内に非金
属製のオーバーモールドをさらに含む、請求項２５に記
載の燃料インジェクタ。 - 【請求項２７】前記非金属製のオーバーモールドが、前
記アーマチュアと前記アクチュエータハウジングの前記
内部面との間に半径方向に配置される、請求項２６に記
載の燃料インジェクタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US084018 | 1998-05-26 | ||
| US09/084,018 US6155503A (en) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | Solenoid actuator assembly |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077231A JP2000077231A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3111062B2 true JP3111062B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=22182335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11145823A Expired - Fee Related JP3111062B2 (ja) | 1998-05-26 | 1999-05-26 | ソレノイドアクチュエータアセンブリ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6155503A (ja) |
| JP (1) | JP3111062B2 (ja) |
| DE (1) | DE19923550C2 (ja) |
| GB (1) | GB2338834B (ja) |
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