JP3107089B1 - 液晶配向膜の製造方法 - Google Patents
液晶配向膜の製造方法Info
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Abstract
を付与するために行う光配向法が注目されているが、そ
の膜での感光性基の無配向固定化により異方的な光反応
が起こりにくいため配向不良が生じたり、また多くの偏
光紫外線照射量を必要とし、その製造工程においてタク
トタイムが問題となっていた。 【解決手段】 基板表面に、少なくとも感光性基を有す
るシラン系化合物を含む溶液を接触させ、シラン系化合
物を化学吸着させることにより、感光基を有する薄膜が
形成される。次いで、化学吸着していない過剰な感光基
を有するシラン化合物を洗浄液に溶解させることにより
取り除く。そして所望の方向にガスを吹き付け、洗浄液
を液切りすることより化学吸着した感光基を有する膜を
配向させる。さらに所望の方向に偏向方向を有する偏光
照射を行い、化学吸着した感光基を有する膜を配向さ
せ、液晶配向膜を製造する。
Description
タ画像を表示するフラットパネルディスプレイに用いら
れる液晶表示パネルにおいて、液晶配向膜の製造方法に
関する。
ルの2つの対向電極上に少なくともポリマー系配向膜材
料を含む溶液を塗布しそれを乾燥、焼成し、製膜したポ
リマー膜にラビング法や光配向法により液晶を配向させ
る機能を付与することで製造してきた。
ー膜はその絶縁性のため、その膜厚による駆動電圧のロ
スや焼き付きなどの表示特性が問題となっている。ま
た、ラビング法においては、膜に強力にラビング布を擦
りつけて、膜を削りとって溝を作る必要があり、液晶パ
ネルの製造工程においてその擦りくずによる発塵や、静
電気の発生によるTFTの破壊等の問題があるため、最
近は感光性基を有する膜に液晶を配向させる機能を付与
するために行う光配向法が注目されているが、その膜で
の感光性基の無配向固定化により異方的な光反応が起こ
りにくいため配向不良が生じたり、また多くの偏光紫外
線照射量を必要とし、その製造工程においてタクトタイ
ムが問題となっていた。その、解決手段の1つとして過
剰な膜材料を洗浄し、洗浄液を液切りすることより感光
基を配向させる液切り配向法がある。しかしながら、そ
の液切りは、基板表面を鉛直方向にたて、重力を用いて
液切りを行う方法であり、その製造工程においてタクト
タイムが問題となっていた。
の液晶配向膜の製造方法は液晶表示素子における対向す
る2つの基板表面に、少なくとも感光基を有するシラン
系化合物を含む溶液を接触させ、感光基を有するシラン
系化合物を化学吸着させることにより薄膜を形成する薄
膜形成工程と、化学吸着していない過剰な感光基を有す
るシラン化合物を洗浄液により取り除く洗浄工程と、所
望の方向にガスを吹き付け、洗浄液を液切りすることよ
り化学吸着した感光基を有する膜を配向させる液切り配
向工程と、所望の方向に偏向方向を有する偏光照射を行
い、化学吸着した感光基を有する膜を配向させる偏光配
向工程を備えることを特徴とする。
い化学吸着膜となり、表示特性の改善とともに、所望の
方向に洗浄液を液切りを行い、化学吸着した感光基を有
する膜を配向させる液切り配向工程により、感光性基を
所望の方向へ異方的な光反応を起こしやすくなり、従来
の光配向法(偏光配向工程のみ)よりも配向不良を防
ぎ、偏光紫外線照射量を少なくすることができる。ま
た、所望の方向にガスを吹き付け、洗浄液を液切りする
ことより、洗浄液はガスを吹き付けた方向にのみ短時間
で液切りをすることができる。
性基を有するシラン化合物が直鎖状炭素鎖を有すること
が好ましい。これは、シラン化合物が基板上で整然と配
列でき、高密度に化学吸着でき、配向性の優れた液晶配
向膜を製造できる。
性基を有するシラン系化合物として、トリクロロシラン
系化合物を用いることが好ましい。トリクロロシラン系
化合物用いると、それ自身の重合反応を起こすことな
く、下地層に露出したOH基に直接共有結合により結合
(化学吸着)するため、シラン系化合物を高密度に化学
吸着させることができ、配向性の優れた液晶配向膜を製
造できる。
性基を有するシラン系化合物として、アルキル基もしく
はフルオロアルキル基を有することを特徴とする。アル
キル基もしくはフルオロアルキル基を有するシラン化合
物からなる被膜は液晶配向においては、ホモジニアス、
プレチルト、ホメオトロピック配向などあらゆる配向に
制御できる。
性基としてシンナモイル基、カルコニル基を用いること
が望ましい。これらを用いることにより少ない偏光紫外
線照射量で重合させることができ、タクトタイムの短縮
が可能である。特にカルコニル基はより少ない偏光紫外
線照射量で重合させることができる。
吸着した感光性基を有するシラン系化合物の膜が単分子
膜であることが特徴である。単分子膜であることによ
り、最表面に感光性基が露出することで所望の方向への
異方的な光反応が起こしやすくなり、光配向法(偏光配
向工程)での偏光紫外線照射量を少なくすることができ
る。また感光性基を有するシラン化合物が基板上で整然
と配列するため、配向性が優れた液晶配向膜として作用
する。
系溶媒であることが好ましい。非水系溶媒であると、感
光性基を有するクロロシラン系化合物が水分との反応を
防ぐことができる。特にシリコーンは、水分の存在が少
なく、吸湿しにくいとともに、感光性基を有するクロロ
シラン化合物と溶媒和してその化合物が水分と直接接触
するのを防止するように作用する。従って、感光性基を
有するクロロシラン系化合物とシリコーンからなる溶液
であると、下地層を接触させる際に、周囲雰囲気中の水
分による悪影響を防止しつつ、下地層に露出したOH基
に感光性基を有するクロロシラン系化合物を化学吸着さ
せることができる。
性基を有するシラン系化合物を含む溶液に対する前記接
触を、相対湿度35%以下の雰囲気中で行うことが好ま
しい。相対湿度を35%以下に保持した雰囲気中で感光
性基を有するトリクロロシラン化合物を含む溶液を接触
させる前記構成であると、実質的に雰囲気中の水分の悪
影響(水分と感光性基を有するトリクロロシラン化合物
との反応)を抑制できる。
工程における前記洗浄を非水系溶剤を用いて行うことが
好ましい。これは未反応の感光性基を有するクロロシラ
ンを水と反応させることなく除去できる。
工程における前記洗浄を、相対湿度35%以下の雰囲気
中で行うことが好ましい。これは未反応の感光性基を有
するクロロシランを水と反応させることなく除去でき
る。
り配向工程におけるガスが相対湿度35%以下であるこ
とが好ましい。これは洗浄液中の含まれる未反応の感光
性基を有するクロロシランを水と反応させることなく洗
浄液を液切りできる。
り配向工程における液切りを相対湿度35%以下の雰囲
気中で行うことが好ましい。これは未反応の感光性基を
有するクロロシランを水と反応させることなく除去でき
る。
り配向工程における前記液切り基板表面にスリット状に
ガスを吹き付けることにより行うことを特徴とする。こ
れにより洗浄液はスリット状にガスを吹き付けた部分に
のみがより短時間で液切りをすることができる。特に沸
点が150℃以上の洗浄液を用いた場合は、吹き付けガ
スによって洗浄液が蒸発することなく液切りができるの
で好ましい。さらにN−メチル−2ピロリジノンを用い
た場合はクロロシランと水との反応で生じたクロロシラ
ンポリマーの除去性に優れる。
り配向工程の所望の配向方向と、前記偏光配向工程の所
望の配向工程とのなす角が45゜以下であることを特徴
とする。基本的には前記偏光配向工程の所望の配向工程
とのなす角が0゜であることが明らかである。しかしな
がらこの場合、基板端面と所望の配向方向が直角である
と、液切り配向工程において基板端面に直角にスリット
状にガスを吹き付ける、つまり基板端面とスリットが平
行になるので、端面に洗浄液が残りやすくなる。したが
って、偏光配向工程後の液晶配向性も考慮し、前記偏光
配向工程の所望の配向工程とのなす角が45゜以下が望
ましい。
ず、液晶表示素子における対向する2つの基板表面に、
少なくとも感光性基を有するシラン系化合物を含む溶液
を接触させ、感光基を有するシラン系化合物を化学吸着
させることにより感光基を有する薄膜が形成される。次
いで、化学吸着していない過剰な感光基を有するシラン
化合物を洗浄液に溶解させることにより取り除く。そし
て所望の方向にガスを吹き付け、洗浄液を液切りするこ
とより化学吸着した感光基を有する膜を配向させる配向
させる。さらに所望の方向に偏向方向を有する偏光照射
を行い、化学吸着した感光基を有する膜を配向させ、液
晶配向膜を製造する。この方法によると形成される膜は
膜厚が薄い化学吸着膜となり、表示特性の改善ととも
に、所望の方向に洗浄液を液切りを行い、化学吸着した
感光基を有する膜を配向させる液切り配向工程により、
感光性基が所望の方向へ異方的な光反応を起こしやすく
なり、従来の光配向法(偏光配向工程)よりも偏光紫外
線照射量を少なくすることができる。また、所望の方向
にガスを吹き付け、洗浄液を液切りすることより、洗浄
液はガスを吹き付けた方向にのみ短時間で液切りをする
ことができる。
は、シラン系化合物が溶剤に溶解した溶液を意味する
が、シラン系化合物の一部の未溶解状態であってもよ
い。このような溶液の典型としては、過飽和状態の溶液
がある。
とができるシラン化合物としては、下記のものを例示す
ることができる。 (1)SiYpCl3−p (2)CH3−(CH2)rSiYqCl3-q (3)CH3(CH2)sO(CH2)tSiYqCl3-q (4)CH3(CH2)u−Si(CH3)2(CH2)v−
SiYqCl3-q (5)CF3COO(CH2)wSiYqCl3-q 但し、pは0〜3の整数、qは0〜2の整数、rは1〜
25の整数、sは0〜12の整数、tは1〜20の整
数、uは0〜12の整数、vは1〜20の整数、wは1
〜25の整数を示す。また、Yは、水素、アルキル基、
アルコキシル基、含フッ素アルキル基または含フッ素ア
ルコキシ基である。
は、下記(6)−(14)に示す化合物が例示できる。 (6)CF3(CH2)9SiCl3 (7)CH3(CH2)9OSiCl33 (8)CH3(CH2)9Si(CH3)2(CH2)10Si
Cl3 (9)CH3COO(CH2)15SiCl3 (10)CF3(CF2)7−(CH2)2−SiCl3 (11)CF3(CF2)7−C6H4−SiCl3 (12)C6H5−CH=CH−CO−O−(CH2)6−
O−SiCl3 (13)C6H5-CO-CH=CH-C6H4-O-(CH2)6-O-SiCl3 (14)C6H5-CH=CH-CO-C6H4-O-(CH2)6-O-SiCl3 ここで化合物(12)は感光性のシンナモイル基、化合
物(13)(14)も感光性のカルコニル基のを有し、
紫外線を照射することにより、感光性基部が重合する。
りに、クロロシリル基をイソシアネート基もしくはアル
コキシ基に置き扱えたイソシアネート系シラン化合物も
しくはアルコキシ系シランに置き換えることができる。
たとえば、クロロシラン(6)をイソシアネート系シラ
ン化合物もしくはアルコキシ系シラン化合物に置き換え
ると化合物(15)、(16)になる。 (15)CH3(CH2)9Si(OC2H5)3 (16)CH3(CH2)9Si(NCO)3 イソシアネート系シラン化合物もしくはアルコキシ系シ
ラン化合物を用いると、化学結合に際し塩酸が発生しな
いため、装置の損傷がなく作業がしやすいというメリッ
トがある。
薄膜を形成するプロセスを説明するとともに、本発明を
実施するための要素としての溶剤および基材について説
明する。
てCF3−(CF2)7−(CH2)2−SiCl3(化合物
(10))をガラス基板に接触させた場合における説明
図を示す。
(脱塩化水素反応)は、一般に化学吸着反応と呼ばれて
いる反応であり、OH基を有する基材にシラン化合物溶
液を接触させると、脱塩化水素反応が生じてシラン化合
物分子の一端が基材表面のOH基部分に化学結合する。
この反応はシラン化合物のSiCl基とOH基の反応で
あるから、シラン化合物溶液中に水分が多く含まれてい
ると、基材との反応が阻害される。よって、反応を円滑
に進行させるには、OH基等の活性水素を含まない非水
系溶剤を用いるのが好ましく、また湿度が低い雰囲気中
で行うことが好ましい。なお、湿度条件については、下
記実験の部で詳細に説明する。
溶剤としては、水を含まない炭化水素系溶剤、フッ化炭
素系溶剤、シリコーン系溶剤などが例示でき、石油系の
溶剤として使用可能なものとしては、たとえば石油ナフ
サ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、
イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業
ガソリン、灯油、リグロイン、ジメチルミリコーン、フ
ェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエス
テルシリコーンなどを挙げることができる。また、フッ
化炭素系溶媒には、フロン系溶媒や、フロリナート(3
M社製品)、アフルード(旭ガラス社製品)などが使用
できる。これらは1種単独で用いてもよいし、相溶する
するものなら2種以上を組み合わせて用いるのもよい。
特にシリコーンは、水分の存在が少なく、吸湿しにくい
とともに、クロロシラン化合物と溶媒和してクロロシラ
ン系化合物が水分と直接接触するのを防止するように作
用する。従って、クロロシラン系化合物とシリコーンか
らなる溶液であると、下地層を接触させる際に、周囲雰
囲気中の水分による悪影響を防止しつつ、下地層に露出
したOH基にクロロシラン系化合物を化学吸着させるこ
とができる。
基板表面としては一般的に、電極材料のITO膜やAl
膜をはじめ、保護膜のSiO2膜やSiNx膜、カラーフ
ィルターなどのアクリル系やシリコーン系などのポリマ
ー平坦化膜がある。本発明においてはこのうち、SiO
2膜やSiNx膜は十分にシラン化合物の吸着部位(OH
基)を確保でき優れた配向特性を有する液晶配向膜を形
成できる。一方、電極材料のITO膜やAl膜などはシ
ラン化合物の吸着部位(OH基)が少なく、カラーフィ
ルターなどのアクリル系やシリコーン系などのポリマー
平坦化膜はそれがほとんど存在しないため、親水化(O
H基を生成もしくは増やす)処理が必要である。この親
水化処理として、これらの上にSiO2膜やSiNx膜を
設けること、もしくはUV−O3処理により表面にOH
基を生成させる方法が有効である。
漬、蒸気洗浄などがある。特に蒸気洗浄は基板全表面上
の化学吸着していない過剰なシラン化合物を蒸気の浸透
力により強力に取り除くことができる。これらの方法に
使用できる洗浄溶剤として水を含まない炭化水素系溶
剤、フッ化炭素系溶剤、シリコーン系溶剤などが例示で
き、石油系の溶剤として使用可能なものとしては、たと
えば石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石
油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デ
カリン、工業ガソリン、灯油、リグロイン、ジメチルミ
リコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコー
ン、ポリエステルシリコーンなどを挙げることができ
る。また、フッ化炭素系溶媒には、フロン系溶媒や、フ
ロリナート(3M社製品)、アフルード(旭ガラス社製
品)などが使用できる。これらは1種単独で用いてもよ
いし、相溶するするものなら2種以上を組み合わせて用
いるのもよい。
て、基板表面にガスを吹き付けることにより洗浄液の液
切りを行う。その1つの手段としてスリット状にガスを
吹き付けることにより行うが、これにはエアナイフが有
効である。これにより洗浄液はガスを吹き付けた方向に
のみ短時間で液切りをすることができる。特に沸点が1
50℃以上の上記の洗浄液を用いた場合は、吹き付けガ
スによって洗浄液が蒸発することなく液切りができるの
で好ましい。特にN−メチル−2ピロリジノンを用いた
場合はクロロシランと水との反応で生じたクロロシラン
ポリマーの除去性に優れる。
00〜400nm付近に波長分布を有するものであれば
よく、その照射量は365nmで概ね50〜2000m
J/cm2であればよい。特に1000mJ/cm2以上
では、前記液晶表示素子の配向がホモジニアス配向にな
りやすく。逆に100mJ/cm2未満では前記液晶表
示素子の配向がプレチルト配向になりやすい。
明する。
用いた液晶表示素子を簡単に説明する。図1に示すよう
に、マトリックス状に載置された第1の電極群とこの電
極群を駆動するトランジスタ群を有する第1の基板上、
および第1の電極群と対向するように載置したカラーフ
ィルタ群と第2の電極を有する第2の基板上に液晶配向
膜がある。これらの第1と第2の基板とを電極が対向す
るように位置あわせをしており、中心部にはビーズが分
散され、端面にはスペーサ入り接着剤が塗布され、約5
μmのギャップを構成するように固定してある。そして
第1と第2の基板の隙間にTN液晶が注入され、第1と
第2の裏面にはノーマリーホワイトになるように偏光板
が貼り付けられている。
シラン化合物としC6H5−CH=CH−CO−C6H4−
O−(CH2)6−O−SiCl3を用意し、10-3 mo
l/L のC6H5−CH=CH−CO−C6H4−O−
(CH2)6−O−SiCl3/ヘキサメチルジシロキサ
ンのシラン化合物の溶液を作製した。そして、相対湿度
を5%以下とした無水雰囲気で、このシラン化合物溶液
に、下地層(未焼成)の形成され第1と第2の基板に印
刷機を用いて1μm(液膜)塗布した(薄膜形成工
程)。この後、相対湿度を5%以下とした無水雰囲気
で、この第1と第2と基板をキシレンに浸漬洗浄し、引
き上げ(洗浄工程)、相対湿度を5%以下とした無水雰
囲気で、第1と第2の基板を液晶表示素子に組み合わせ
たときにそれぞれの基板のキシレンの液切り方向が左ね
じれ90゜になるように相対湿度を5%以下としたガス
を用いたエアナイフで液切りを行い、第1と第2と基板
上に形成された膜を液切り方向に配向させた(液切り配
向工程)。さらに通常雰囲気下で液切り方向と偏向方向
が同じ方向になるように偏光紫外線を400mJ/cm
2(at 365nm)照射し、偏向方向に感光性基部
を架橋させ、形成された膜を偏向方向に配向させた(偏
光配向工程)。この作製法の概念図を図2に示す。そし
て、上述した液晶配向膜を有する第1と第2を基板液晶
表示素子として組み立て、TN型液晶表示素子Aを製作
した。
アナイフを用いる方法を洗浄液から鉛直方向に引き上げ
る方法に代えたこと以外は、実施例1と同様に従来法の
TN型液晶表示素子Bを製作した。
の表示素子の液晶の液切り速度および初期配向調べた。
結果を表1に示す。
来法と比べ液晶配向膜が表示特性は変わらないもの製造
性は優れていることがわかる。
して、C6H5−CH=CH−CO−C6H4−O−(CH
2)6−O−SiCl3に代えて、C6H5−CH=CH−
CO−C6H4−O−(CH2)6−O−Si(OC2H5)
3を用いたこと以外は、実施例1と同様にして実施例2
にかかる基板Cを作製した。
3にかかるTN型液晶表示素子Cと前記実施例1のTN
型液晶表示素子Aを用いて、これらの表示素子の液晶の
初期配向および表示特性としてコントラストを調べた。
結果を表2に示す。
示特性の点でトリクロロシラン系化合物が優れているこ
とがわかる。これはトリクロロシラン系化合物用いる
と、それ自身の重合反応を起こすことなく、下地層に露
出したOH基に直接共有結合により結合(化学吸着)す
るため、シラン系化合物を高密度に化学吸着させること
ができ、配向性の優れた液晶配向膜を製造できるからで
ある。
をC6H5−CH=CH−CO−C6H4−O−(CH2)6
−O−SiCl3(カルコニル基含有)から、C6H5−
CH=CH−CO−O−(CH2)6−O−SiCl
3(シンナモイル基含有)、C10H21SiCl3(感光性
基なし)に代えたこと以外は実施例1と同様にてTN型
液晶表示素子D、Eを製作した。
TN型液晶表示素子E、Fと前記実施例1のTN型液晶
表示素子Aを用いて、液晶の初期配向および表示特性と
してコントラストを調べた。結果を表3に示す。
が、シンナモイル基を有するものより、液晶の初期配向
および表示特性が優れていることがわかる。ただしシン
ナモイル基を有するシラン化合物のものでも、照射量を
上げることにより、液晶の初期配向および表示特性が改
善することがわかった。これは、偏光紫外線に対する感
光性基の感度がカルコニル基>シンナモイル基であるた
めと考えられる。また、感光性基を有しないシラン化合
物では、全く液晶が初期配向しないことがわかった。こ
のことは、偏光照射よりに偏向方向に感光性基が重合
し、それにそって液晶が配向したためと考えられる。
として、ヘキサメチルジシロキサン(直鎖状シリコー
ン)に代えて、N−メチル−2−ピロリジノンを用いた
こと以外は、実施例2と同様にして比較例5にかかるT
N型液晶表示素子Fを作製した。
るTN型液晶表示素子Fと前記実施例1のTN型液晶表
示素子Aを用いて、液晶の初期配向および表示特性とし
てコントラストを調べた。結果を表4に示す。
剤を用いたものよりも初期配向および表示特性が優れる
ことがわかった。これは、特にシリコーンは、水分の存
在が少なく、吸湿しにくいとともに、クロロシラン化合
物と溶媒和してクロロシラン系化合物が水分と直接接触
するのを防止するように作用する。従って、クロロシラ
ン系化合物とシリコーンからなる溶液であると、下地層
を接触させる際に、周囲雰囲気中の水分による悪影響を
防止しつつ、下地層に露出したOH基にクロロシラン系
化合物を化学吸着させることができるからである。
(環状シリコーン)を用いた場合においても、上記と同
様な結果が得られた。
ン化合物溶液への浸漬を無水雰囲気下で行ったが、ここ
では基板にシラン化合物溶液を塗布する際における周囲
雰囲気中の湿度の影響を調べた。実験方法としては、シ
ラン化合物溶液への基板の浸漬・引き上げ時における周
囲雰囲気の相対湿度を5、10、15、20、25、3
0、35、40%の8通り設定して行ったこと以外は、
上記実施例5と同様にして基板の外観状態を肉眼観察す
るというものである。
ところ、30%以下の湿度条件では、無水雰囲気下(5
%以下)と同様な外観の基板が得られた。その一方40
%以上の湿度条件下では、明らかに雰囲気中の水分とシ
ラン化合物との反応物と思われる白色の生成物が確認さ
れた。これらのことから、基板に対するシラン化合物溶
液の接触は、相対湿度35%以下の雰囲気中で行うこと
が好ましい。
工程における洗浄を非水系溶剤で行ったが、ここではそ
の洗浄を水で行った。実験方法としては、洗浄工程にお
ける洗浄を水で行ったこと以外は、上記実施例1と同様
にして液晶配向膜の形成された基板の外観状態を肉眼観
察するというものである。
ころ、明らかに水とシラン化合物との反応物と思われる
白色の生成物が確認され、それを取り除くことができな
かった。これらのことから、洗浄工程における溶媒とし
て水を含まない非水系溶剤で行うことが好ましい。
工程における洗浄を無水雰囲気下で行ったが、洗浄工程
における周囲雰囲気中の湿度の影響を調べた。実験方法
としては、洗浄工程における周囲雰囲気の相対湿度を
5、10、15、20、25、30、35、40%の8
通り設定して行ったこと以外は、上記実施例1と同様に
して液晶配向膜の形成された基板の外観状態を肉眼観察
するというものである。
ところ、30%以下の湿度条件では、無水雰囲気下(5
%以下)と同様な外観の基板が得られた。その一方40
%以上の湿度条件下では、明らかに雰囲気中の水分とシ
ラン化合物との反応物と思われる白色の生成物が確認さ
れた。これらのことから、洗浄工程における洗浄は、相
対湿度35%以下の雰囲気中で行うことが好ましい。
り配向工程における吹き付けガスを無水ガスで行った
が、液切り配向工程における吹きつけガスの湿度の影響
を調べた。実験方法としては、液切り工程における吹き
つけガスの相対湿度を5、10、15、20、25、3
0、35、40%の8通り設定して行ったこと以外は、
上記実施例1と同様にして液晶配向膜の形成された基板
の外観状態を肉眼観察するというものである。
ところ、30%以下の湿度では、無水ガス(5%以下)
と同様な外観の基板が得られた。その一方40%以上の
湿度では、明らかに雰囲気中の水分とシラン化合物との
反応物と思われる白色の付着物が確認された。これらの
ことから、液切り配向工程における吹きつけガスは、相
対湿度35%以下の雰囲気中で行うことが好ましい。
り配向工程における液切りを無水雰囲気下で行ったが、
液切り配向工程における周囲雰囲気中の湿度の影響を調
べた。実験方法としては、液切り工程における周囲雰囲
気の相対湿度を5、10、15、20、25、30、3
5、40%の8通り設定して行ったこと以外は、上記実
施例1と同様にして液晶配向膜の形成された基板の外観
状態を肉眼観察するというものである。
ところ、30%以下の湿度条件では、無水雰囲気下(5
%以下)と同様な外観の基板が得られた。その一方40
%以上の湿度条件下では、明らかに雰囲気中の水分とシ
ラン化合物との反応物と思われる白色の付着物が確認さ
れた。これらのことから、液切り配向工程における液切
りは、相対湿度35%以下の雰囲気中で行うことが好ま
しい。
チル−2ピロリジノン用いたこと以外は、実施例1と同
様にして実施例4にかかるTN型液晶表示素子Gを作製
した。
かかる液切りの時間は、比較例1にかかる液切りの時間
よりも短いことがわかった。これはガスにより強制的に
液切りするためである。しかしながら、実施例1ではキ
シレンの沸点が約140℃と低く、ガスを吹き付け条件
によっては液切り前にがキシレンが蒸発してしまい、液
切りができない。このためこのとき実施例1にかかるT
N型液晶表示素子Kでは初期配向および表示特性が不良
となることもあった。したがって実施例1にかかる洗浄
液は150℃以上が有効であり、特に洗浄力の優れたN
−メチル−2ピロリジノンが望ましい。
をC6H5−CH=CH−CO−C6H4−O−(CH2)6
−O−SiCl3に混合比で1mol%のC8F17C2H4
SiCl3を混合したこと以外は実施例2と同様にてT
N型液晶表示素子Lを製作した。
0mJ/cm2から100,1000mJ/cm2に代え
たこと以外は実施例2と同様にてTN型液晶表示素子
M、Nを製作した。
N型液晶表示素子L、実施例8にかかるTN型液晶表示
素子L、Nと前記実施例2のTN型液晶表示素子Bを用
いて、これらの表示素子の液晶のプレチルト角を調べ
た。結果を表5に示す。
シラン化合物にに5mol%以下のフロオロアルキル基
を有するシラン化合物を混合することによりホメオトロ
ピック配向となることが確認された。
程で1J/cm2(at 365nm)以上の照射量に
よりのホモジニアス配向になることが確認された。また
100mJ/cm2以下ではTN液晶に最適なプレチル
ト角5−10゜のプレチルト配向になることが確認され
た。
表示素子における対向する2つの基板表面に、少なくと
も感光性基を有するシラン系化合物を含む溶液を接触さ
せ、感光基を有するシラン系化合物を化学吸着させるこ
とにより感光基を有する薄膜が形成される。次いで、化
学吸着していない過剰な感光基を有するシラン化合物を
洗浄液に溶解させることにより取り除く。そして所望の
方向にガスを吹き付け、洗浄液を液切りすることより化
学吸着した感光基を有する膜を配向させる配向させる。
さらに所望の方向に偏向方向を有する偏光照射を行い、
化学吸着した感光基を有する膜を配向させ、液晶配向膜
を製造する。この方法によると形成される膜は膜厚が薄
い化学吸着膜となり、表示特性の改善とともに、所望の
方向に洗浄液を液切りを行い、化学吸着した感光基を有
する膜を配向させる液切り配向工程により、感光性基が
所望の方向へ異方的な光反応を起こしやすくなり、従来
の光配向法(偏光配向工程)よりも偏光紫外線照射量を
少なくすることができる。また、所望の方向にガスを吹
き付け、洗浄液を液切りすることより、洗浄液はガスを
吹き付けた方向にのみ短時間で液切りをすることができ
る。
ル基もしくはフルオロアルキル基を有することにより液
晶配向においては、ホモジニアス、プレチルト、ホメオ
トロピック配向などあらゆる配向に制御できる。
点が150℃以上の洗浄液を用いた場合は、吹き付けガ
スによって洗浄液が蒸発することなく液切りができるの
で好ましい。さらにN−メチル−2ピロリジノンを用い
た場合はクロロシランと水との反応で生じたクロロシラ
ンポリマーの除去性に優れる。
一に基板に結合固定化してなる液晶配向膜を形成でき、
しかも長期にわたって発揮される。また、量産性に優れ
た製造方法を提供する。
子を説明するための概念図
説明するための概念図
説明するための概念図
Claims (18)
- 【請求項1】 液晶表示素子における対向する2つの基
板表面に、少なくとも感光性基を有するシラン系化合物
を含む溶液を接触させ、感光基を有するシラン系化合物
を化学吸着させることにより薄膜を形成する薄膜形成工
程と、 化学吸着していない過剰な感光基を有するシラン化合物
を洗浄液により取り除く洗浄工程と、 所望の方向に洗浄液を液切りすることより化学吸着した
感光基を有する膜を配向させる液切り配向工程と、 所望の方向に偏向方向を有する偏光照射を行い、化学吸
着した感光基を有する膜を配向させる偏光配向工程とを
備える液晶配向膜の製造方法において、 前記液切り配向工程が、所望の方向にガスを吹き付け、
洗浄液を液切りすることより化学吸着した感光基を有す
る膜を配向させる工程であることを特徴とする液晶配向
膜の製造方法。 - 【請求項2】 前記感光基を有するシラン系化合物とし
て、トリクロロシラン系化合物を用いることを特徴とす
る、請求項1記載の石勝配向膜の製造方法。 - 【請求項3】 前記感光基を有するシラン化合物が直鎖
状炭素鎖を有することを特徴とする請求項1もしくは2
記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項4】 直鎖状炭素鎖がアルキル基もしくはフル
オロアルキル基を有することを特徴とする請求項3記載
の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項5】 感光性基がシンナモイル基であることを
特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の液晶配向
膜の製造方法。 - 【請求項6】 感光性基が、カルコニル基であることを
特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の液晶配向
膜の製造方法。 - 【請求項7】 化学吸着した膜が単分子膜であることを
特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の液晶配向
膜の製造方法 - 【請求項8】 前記感光基を有するシラン化合物を含む
溶液の溶剤として、非水系溶剤を用いることを特徴とす
る、請求項1から7のいずれかに記載の液晶配向膜の製
造方法。 - 【請求項9】 前記非水系溶剤がシリコーンであること
を特徴とする、請求項8記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項10】 感光基を有するシラン系化合物を含む
溶液に対する前記接触を、相対湿度35%以下の雰囲気
中で行うことを特徴とする請求項1から9のいずれかに
記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項11】 前記洗浄工程における前記洗浄を非水
系溶剤を用いて行うことを特徴とする請求項1から10
のいずれかに記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項12】 前記洗浄工程における前記洗浄を相対
湿度35%以下の雰囲気中で行うことを特徴とする請求
項1から11のいずれかに記載の液晶配向膜の製造方
法。 - 【請求項13】 前記液切り配向工程におけるガスが、
相対湿度35%以下であることを特徴とする請求項1か
ら12のいずれかに記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項14】 前記液切り配向工程における液切りを
相対湿度35%以下の雰囲気中で行うことを特徴とする
請求項1から13のいずれかに記載の液晶配向膜の製造
方法。 - 【請求項15】 前記液切り配向工程を、スリット状に
ガスを吹き付けることにより行うことを特徴とする請求
項1から14のいずれかに記載の液晶配向膜の製造方
法。 - 【請求項16】 前記洗浄液の沸点が150℃以上であ
ることを特徴とする請求項1から15のいずれかに記載
の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項17】 前記洗浄液に、少なくともN−メチル
−2ピロリジノンを用いることを特徴とする請求項16
記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項18】 前記液切り配向工程の所望の配向方向
と、前記偏光配向工程の所望の配向工程とのなす角が4
5゜以下であることを特徴とする請求項1から17のい
ずれかに記載の液晶配向膜の製造方法。
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---|---|---|---|
JP28438899A JP3107089B1 (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 液晶配向膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP28438899A JP3107089B1 (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 液晶配向膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP3107089B1 true JP3107089B1 (ja) | 2000-11-06 |
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ID=17677946
Family Applications (1)
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JP28438899A Expired - Lifetime JP3107089B1 (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 液晶配向膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3107089B1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
CN105403945A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种偏振片及其制作方法、显示面板 |
-
1999
- 1999-10-05 JP JP28438899A patent/JP3107089B1/ja not_active Expired - Lifetime
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