JP3106137B2 - マイクロインジェクティングデバイス - Google Patents

マイクロインジェクティングデバイス

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JP3106137B2 JP11314407A JP31440799A JP3106137B2 JP 3106137 B2 JP3106137 B2 JP 3106137B2 JP 11314407 A JP11314407 A JP 11314407A JP 31440799 A JP31440799 A JP 31440799A JP 3106137 B2 JP3106137 B2 JP 3106137B2
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layer
heating
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アンドレイ アレクサンドロビッチ ジュコフ
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/015Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
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    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/135Nozzles
    • B41J2/14Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14016Structure of bubble jet print heads
    • B41J2/14032Structure of the pressure chamber
    • B41J2/14064Heater chamber separated from ink chamber by a membrane

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロインジェク
ティングデバイスに関し,特に,保護膜と加熱チャンバ
バリヤ層との間の接触力を向上させることにより全体的
なプリンティング性能を顕著に向上させることができる
マイクロインジェクティングデバイスに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】通常,マイクロインジェクティングデバ
イスは,インク,走査液,揮発油等の物質を特定対象
物,例えば,印刷用紙,人体,自動車等に微量供給しよ
うとする場合,供給する物質に一定の大きさの電気的お
よび熱的エネルギ−を加えて体積変化を誘導することに
より,微量の供給物質を所望する対象物に適切に供給で
きるように設計された装置である。
【0003】最近,このようなマイクロインジェクティ
ングデバイスは,電気および電子技術の発達に伴い急速
に発展しており,全般的な生活領域にわたって幅広く適
用範囲が拡大されている。マイクロインジェクティング
デバイスの適用例としては,インクジェットプリンタが
ある。
【0004】インクジェットプリンタは,既存のドット
プリンタとは異なり,例えば,カ−トリッジの使用によ
って多様な色が印刷可能である。また,騒音が少ない,
あるいは印字品質が美麗である等の多くの長所を有して
おり,その使用領域が拡大されている。
【0005】一方,このような長所を有するインクジェ
ットプリンタには,通常,微小直径のノズルを持つプリ
ントヘッドが装着される。インクジェットプリンタにお
いて,プリントヘッドは,外部からオンおよびオフされ
る電気的な信号を介して液体状態のインクを気泡状態に
状態変化,および体積膨脹させて外部に噴射することに
より,印刷用紙への円滑な印刷作業の進行を可能とす
る。
【0006】従来の技術によるインクジェットプリント
ヘッドの多様な構成及び動作原理等は米国特許公報第4
490728号“Thermal inkjet pr
inter”,米国特許公報第4809428号“Th
in film device for an ink
jet print head and proces
s for the manufacturing s
ame”,米国特許公報第5140345号“Meth
od of manufacturing asubs
trate for a liquid jet re
cordinghead and substrate
manufactured bythe metho
d”,米国特許公報第5274400号,“Ink p
ath geometry for high tem
perature operation of ink
−jet print heads”,あるいは米国特
許公報第5420627号“Inkjet print
head”等に詳細に開示されている。
【0007】通常,このような従来のマイクロインジェ
クティングデバイスでは,インクを外部に噴射するた
め,加熱層により与えられる高熱を利用する。この時,
加熱層により発生した高熱が長時間にわたってインクチ
ャンバ内部のインクに影響を及ぼすと,インク成分に熱
的変化が発生してこれを収容している装置の耐久性が急
激に低下するという問題点が発生する。
【0008】最近,かかる問題点を解決するため,加熱
層とインクチャンバとの間に板状のメンブレンを形成
し,加熱チャンバに充填されたワ−キング溶液の蒸気圧
を利用してメンブレンの動的変形を誘導することによ
り,インクチャンバ内のインクを外部に円滑に噴射する
新たな方法が提案されている。この場合,インクチャン
バと加熱層との間にはメンブレンが形成されているた
め,インクと加熱層は直接に接触しないことになり,イ
ンクの熱的変化が最小化できる。
【0009】このような加熱層,加熱チャンバ,メンブ
レン,インクチャンバ及びノズル等は,例えば,シリコ
ン材質の基板上に順に積層され,インクジェットプリン
トヘッドが完成される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,上記従
来のインクジェットプリントヘッドにおいて,基板上に
形成され,加熱チャンババリヤ層によりその範囲を決定
される加熱層は,電極層と接触して外部の電気的なエネ
ルギ−の伝達を受けるが,この時,電極層は加熱層だけ
ではなく基板とも接触する構造になっているので,自身
を流れる電気的なエネルギ−が基板を経由して外部に漏
洩するという問題点があった。
【0011】従来の場合,前記のような問題点を解決す
るため基板の上部に,例えば,SiO材質の保護膜を
形成させて電極層と基板を互いに絶縁させることによ
り,電極層を流れる電気的なエネルギ−が基板を通して
外部に漏洩することを防止していた。この時,保護膜は
電極層,加熱層及び加熱チャンババリヤ層の全てと接触
する構造になっている。
【0012】ここで,一般的に保護膜上に形成される加
熱チャンババリヤ層は,加熱チャンバを充填したワ−キ
ング溶液との化学的な安定性を考慮して,ポリイミド材
質で形成される。保護膜は電極層と基板との電気的な絶
縁性を考慮して,加熱チャンババリヤ層と異なる材質で
あるSiOで形成される。この場合,加熱チャンババ
リヤ層と保護膜とは材質差により接触力が弱くなるとい
う問題点があった。
【0013】また,このような加熱チャンババリヤ層と
保護膜との間の接触が脆弱なことにより,その接触界面
では一定大きさのギャップが生成される。その結果,加
熱チャンバを充填していたワ−キング溶液は,ギャップ
に沿って保護膜まで漏洩する。
【0014】漏洩したワ−キング溶液は,保護膜を浸蝕
して破損させることにより,保護膜の絶縁機能を顕著に
低下させる。このような加熱チャンババリヤ層と保護膜
との間の結合力弱化は,温度または湿度が頻繁に変化す
るほど一層深刻化する。
【0015】また,保護膜と加熱チャンババリヤ層との
接触力が堅固に維持されないと,保護膜の上部に加熱チ
ャンババリヤ層を堅固に形成できないため,結局,形成
される加熱チャンババリヤ層の厚さは全体的に不均一に
なる。
【0016】また,加熱チャンババリヤ層の粘性を強化
させるための高温の熱処理工程を行うと,保護膜と加熱
チャンババリヤ層の接触力の弱化は一層深刻化する。し
たがって,プリントヘッドの全体的なプリンディング性
能は顕著に低下される。
【0017】したがって,本発明は従来のマイクロイン
ジェクティングデバイスが有する上記問題点に鑑みてな
されたものであり,その第1の目的は,保護膜と加熱チ
ャンババリヤ層との間の接触力を強化させてワ−キング
溶液の外部漏洩を防止することにある。
【0018】また,本発明の第2の目的は,保護膜の絶
縁機能の低下を防止することにある。第3の目的は,加
熱チャンババリヤ層の耐温および耐湿性を向上させるこ
とにあり,第4の目的は,加熱チャンババリヤ層の全体
的な厚さ分布を均一化させることにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め,保護膜が形成された基板と,保護膜上に形成されて
加熱チャンバを加熱する加熱層と,保護膜上に形成され
て,加熱層と接触して電気的な信号を伝達する電極層
と,加熱層と接触する加熱チャンバの範囲を決定するた
め,電極層上に形成される加熱チャンババリヤ層と,加
熱チャンババリヤ層上に形成されて加熱チャンバと接触
し,加熱チャンバに充填されたワーキング溶液の体積変
化によって伸縮されて振動するメンブレンと,加熱チャ
ンバと同一軸上に位置されたインクチャンバの範囲を決
定するためメンブレン上に形成されるインクチャンババ
リヤ層と,インクチャンバと接触するノズルの範囲を決
定するためインクチャンババリヤ層上に形成されるノズ
ルプレートとを含み,保護膜の全面には加熱層,電極層
及び加熱チャンババリヤ層と接触して保護膜と加熱チャ
ンババリヤ層との間の接触力を向上させる,イソオクタ
ン系列の溶液を塗布して形成される結合促進層が設けら
れることを特徴とするマイクロインジェクティングデバ
イスが提供される。
【0020】この時,イソオクタン系列の溶液は,2,
2,4−トリメチルペンタン溶液であることが好まし
く,2,2,4−トリメチルペンタン溶液は,(C
・CCH ・CH(CH であるとしても
よい。
【0021】また,結合促進剤として2,2,4−トリメ
チルペンタン溶液にγ−アミノプロピルトリアトクシシ
ランが添加され,2,2,4−トリメチルペンタン溶液内
のγ−アミノプロピルトリアトクシシランの濃度は例え
ば3重量%〜4重量%であることが好ましい。
【0022】かかる構成によれば,保護膜と加熱チャン
ババリヤ層との間の接触力を強化させてワ−キング溶液
の外部漏洩を防止し,保護膜の絶縁機能の低下を防止す
るとともに,加熱チャンババリヤ層の耐温および耐湿性
を向上させ,加熱チャンババリヤ層の全体的な厚さ分布
を均一化させて,印刷性能が向上したマイクロインジェ
クティングデバイスが提供される。
【0023】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら,
本発明にかかるマイクロインジェクティングデバイスの
好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明
細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有す
る構成要素については,同一の符号を付することにより
重複説明を省略する。
【0024】図1は本実施の形態にかかるインクジェッ
トプリントヘッド200の形状を示す斜視図,図2は図
1のI−I面における断面図である。図1及び図2に示
されるように,本実施の形態にかかるインクジェットプ
リントヘッド200において,Si材質の基板1上部に
はSiO材質の保護膜2が形成される。
【0025】保護膜2の上部には,外部から印加される
電気的なエネルギ−により加熱される加熱層11が形成
される。加熱層11の上部には,外部の電気的なエネル
ギ−を加熱層11に供給する電極層3が形成される。電
極層3は共通電極12と連結されており,電極層3から
供給された電気的なエネルギ−は加熱層11により熱エ
ネルギ−に変換される。
【0026】一方,加熱層11が覆われるように電極層
3の上部には加熱チャンババリヤ層5により囲まれた加
熱チャンバ4が形成され,加熱層11により変換された
熱は加熱チャンバ4に伝達される。
【0027】この時,加熱チャンバ4の内部には蒸気圧
発生が容易なワ−キング溶液が充填されており,ワ−キ
ング溶液は加熱層11から伝達された熱エネルギ−によ
り急速に気化される。また,ワ−キング溶液の気化によ
り発生した蒸気圧は,加熱チャンババリヤ層5上に形成
されたメンブレン6に伝達される。
【0028】メンブレン6の上部にはインクチャンババ
リヤ層7により囲まれて上述の加熱チャンバ4と同一軸
上に位置するインクチャンバ9が形成されており,イン
クチャンバ9の内部には適定量のインクが充填される。
【0029】この時,インクチャンバ9が覆われるよう
にインクチャンババリヤ層7の上部にはノズル10が形
成されて,外部にドロップされるインクの噴射ゲ−トと
しての役割を実行する。このようなノズル10は,上述
の加熱チャンバ4,インクチャンバ9と同一軸上に位置
するようにノズルプレ−ト8を貫通して形成される。
【0030】保護膜2と加熱チャンババリヤ層5との間
には結合促進層20が形成される。前記結合促進層20
は,加熱層11,電極層3,加熱チャンババリヤ層5等
と全て接触するように保護膜2の全面に形成され,保護
膜2と加熱チャンババリヤ層5との間の接触力を向上さ
せる。したがって,保護膜2と加熱チャンババリヤ層5
との間の界面に長時間にわたって高温および高湿の悪影
響が及んでも,保護膜2と加熱チャンババリヤ層5は分
離されない。
【0031】従来の場合,保護膜と加熱チャンババリヤ
層の材質差により保護膜と加熱チャンババリヤ層の接触
界面では一定の大きさのギャップが生成されて,そのギ
ャップに沿って,加熱チャンバを充填していたワ−キン
グ溶液が保護膜側に漏洩されることにより保護膜の絶縁
機能が顕著に低下されるという問題点があった。
【0032】しかし,本実施の形態の場合,上述のよう
に保護膜2と加熱チャンババリヤ層5との間には結合促
進層20が形成される。その結合促進層20は保護膜2
と加熱チャンババリヤ層5の接触力を向上させてギャッ
プの発生を防止するため,加熱チャンバ4を充填してい
たワ−キング溶液が保護膜2側に漏洩されない。したが
って,保護膜2は自身の絶縁機能を長時間にわたって維
持できる。
【0033】この時,結合促進層20はイソオクタン系
列の溶液を塗布して形成され,好ましくは,イソオクタ
ン系列の溶液は2,2,4−トリメチルペンタン溶液であ
り,スピンコ−ティング方法により塗布される。2,2,
4−トリメチルペンタン溶液は(CH・CCH
・CH(CHであることが好ましい。
【0034】また,結合促進剤として2,2,4−トリメ
チルペンタン溶液にγ−アミノプロピルトリアトクシシ
ランが添加されるようにしてもよく,その場合2,2,4
−トリメチルペンタン溶液内のγ−アミノプロピルトリ
アトクシシランの濃度は,例えば3重量%〜4重量%で
あることが好ましい。
【0035】本実施例では,加熱チャンババリヤ層5が
形成される前に,保護膜2の全面に保護膜2と加熱チャ
ンババリヤ層5の接触力を向上させるための結合促進層
20が形成される。そのため,加熱チャンババリヤ層5
を形成した後に加熱チャンババリヤ層5の粘性を強化す
るための高温の熱処理工程が行われても,保護膜2と加
熱チャンババリヤ層5は堅固な接触力が維持でき,安定
した工程の進行が可能になって,完成される加熱チャン
ババリヤ層5の厚さが全体的に均一になる。
【0036】以下,上述のように構成された本実施の形
態にかかるインクジェットプリントヘッド200の作用
について詳細に説明する。図3はインクジェットプリン
トヘッド200の電気信号印加状態を示す図,図4はイ
ンクジェットプリントヘッド200の電気信号遮断状態
を示す図である。
【0037】図3に示されるように,外部の電源から電
極層3に電気的な信号が印加されると,電極層3と接触
された加熱層11はその電気的なエネルギ−供給を受け
て瞬間的に500℃以上の高温に急速加熱される。この
過程で電気的なエネルギ−は500℃〜550℃程度の
熱エネルギ−に変換される。
【0038】変換された熱は,加熱層11と接触された
加熱チャンバ4に伝達される。加熱チャンバ4の内部に
充填されたワ−キング溶液は,伝達された熱により急速
に気化され,一定の大きさの蒸気圧を発生させる。
【0039】この時,上述のように保護膜2と加熱チャ
ンババリヤ層5との間には,ギャップの生成を防止する
結合促進層20が形成されるため,加熱チャンバ4の内
部を充填したワ−キング溶液は保護膜2側に漏洩されな
いことにより,保護膜2の損傷が発生せず,絶縁機能が
良好に実行できる。
【0040】蒸気圧は,加熱チャンババリヤ層5の上部
に位置したメンブレン6に伝達され,メンブレン6には
一定大きさの衝撃力Pが加わる。この場合,メンブレン
6は矢印方向に急速に膨脹して凸型に曲げられ,その上
部に形成されたインクチャンバ9の内部に充填されたイ
ンク100には強い衝撃力が伝達される。これにより,
インク100は上述の衝撃力により気泡化されて噴射直
前の状態になる。
【0041】一方,このような状態で,図4に示される
ように,外部の電源から供給された電気的な信号が遮断
されて加熱層11が急速に冷却されると,加熱チャンバ
4の内部で維持された蒸気圧は急速に低減され,加熱チ
ャンバ4内部は迅速に真空状態を形成する。このような
真空は,メンブレン6に上述の衝撃力に対応する強いバ
ックリング力Bを加えることになり,メンブレン6は瞬
間的に収縮されて初期化される。
【0042】また,矢印方向に急速に収縮されたメンブ
レン6は,インクチャンバの内部に強いバックリング力
を伝達することによって,メンブレン6の膨脹過程で噴
射直前の状態であったインク100は,自体の重量によ
り楕円形から円形に順に変形され,外部の印刷用紙に噴
射されることになり,外部の印刷用紙には迅速なプリン
ティングが行われる。
【0043】このように本実施の形態では,保護膜2と
加熱チャンババリヤ層5との間の接触力を強化させてワ
−キング溶液の外部漏洩を防止することができ,保護膜
2の絶縁機能の低下を防止することになる。また,加熱
チャンババリヤ層5の耐温および耐湿性を向上させるこ
とができ,加熱チャンババリヤ層5の全体的な厚さ分布
は均一化される。
【0044】以上,添付図面を参照しながら本発明にか
かるマイクロインジェクティングデバイスの好適な実施
形態について説明したが,本発明はかかる例に限定され
ない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に
想到し得ることは明らかであり,それらについても当然
に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0045】即ち,本発明はインクジェットプリントヘ
ッドに限定されず,マイクロインジェクティングデバイ
スが適用される医療機器のマイクロポンプ,燃料噴射装
置等において全般的に有用な効果がある。
【0046】
【発明の効果】以上のように本発明によるマイクロイン
ジェクティングデバイスは,保護膜と加熱チャンババリ
ヤ層との間に結合促進層を形成して,保護膜と加熱チャ
ンババリヤ層との間の結合力を向上させることにより,
全体的なプリンティング性能を顕著に向上させる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態にかかるインクジェットプリント
ヘッド200の形状を示す斜視図である。
【図2】図1のI−I面における断面図である。
【図3】インクジェットプリントヘッド200の電気信
号印加状態を示す図である。
【図4】インクジェットプリントヘッド200の電気信
号遮断状態を示す図である。
【符号の説明】
1 基板 2 保護膜 3 電極層 4 加熱チャンバ 5 加熱チャンババリヤ層 6 メンブレン 7 インクチャンババリヤ層 8 ノズルプレ−ト 9 インクチャンバ 10 ノズル 11 加熱層 12 共通電極 20 結合促進層 100 インク 200 インクジェットプリントヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジュコフ アンドレイ アレクサンドロ ビッチ ロシア 109029 モスクワ ニゼゴロズ スカヤ街 9−ビー アパート29 (56)参考文献 特開 平10−138487(JP,A) 特開 平5−338175(JP,A) 特開 平11−207961(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41J 2/045 B41J 2/16

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 保護膜が形成された基板と, 前記保護膜上に形成されて加熱チャンバを加熱する加熱
    層と, 前記保護膜上に形成されて,前記加熱層と接触して電気
    的な信号を伝達する電極層と, 前記加熱層と接触する加熱チャンバの範囲を決定するた
    め,前記電極層上に形成される加熱チャンババリヤ層
    と, 前記加熱チャンババリヤ層上に形成されて前記加熱チャ
    ンバと接触し,前記加熱チャンバに充填されたワーキン
    グ溶液の体積変化によって伸縮されて振動するメンブレ
    ンと, 前記加熱チャンバと同一軸上に位置されたインクチャン
    バの範囲を決定するため前記メンブレン上に形成される
    インクチャンババリヤ層と, 前記インクチャンバと接触するノズルの範囲を決定する
    ため前記インクチャンババリヤ層上に形成されるノズル
    プレートとを含み, 前記保護膜の全面には前記加熱層,電極層及び加熱チャ
    ンババリヤ層と接触して前記保護膜と加熱チャンババリ
    ヤ層との間の接触力を向上させる,イソオクタン系列の
    溶液を塗布して形成される結合促進層が設けられること
    を特徴とするマイクロインジェクティングデバイス。
  2. 【請求項2】 前記イソオクタン系列の溶液は,2,
    2,4−トリメチルペンタン溶液であることを特徴とす
    る,請求項1記載のマイクロインジェクティングデバイ
    ス。
  3. 【請求項3】 前記2,2,4−トリメチルペンタン溶
    液は,(CH ・CCH ・CH(CH であ
    ることを特徴とする,請求項2記載のマイクロインジェ
    クティングデバイス。
  4. 【請求項4】 前記2,2,4−トリメチルペンタン溶
    液にγ−アミノプロピルトリアトクシシランが添加され
    ることを特徴とする請求項3記載のマイクロインジェク
    ティングデバイス。
  5. 【請求項5】 前記2,2,4−トリメチルペンタン溶
    液内の前記γ−アミノプロピルトリアトクシシランの濃
    度は,3重量%〜4重量%であることを特徴 とする請求
    項4記載のマイクロインジェクティングデバイス。
JP11314407A 1998-11-03 1999-11-04 マイクロインジェクティングデバイス Expired - Fee Related JP3106137B2 (ja)

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